CN114920207B - 一种花状VSe2纳米材料的合成方法 - Google Patents
一种花状VSe2纳米材料的合成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114920207B CN114920207B CN202210480963.0A CN202210480963A CN114920207B CN 114920207 B CN114920207 B CN 114920207B CN 202210480963 A CN202210480963 A CN 202210480963A CN 114920207 B CN114920207 B CN 114920207B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vse
- flower
- mixed solution
- nano material
- synthesis method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 26
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 title abstract description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 35
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 claims abstract description 18
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012265 solid product Substances 0.000 claims abstract description 10
- FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 5
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 claims description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000012983 electrochemical energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
一种花状VSe2纳米材料的合成方法，涉及一种VSe2纳米材料的合成方法。为了解决现有VSe2制备方法会产生大量H2Se中间产物导致安全性差的问题。方法：乙酰丙酮氧钒和二氧化硒溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中搅拌得到混合溶液a，水浴中加热，加入对苯二胺搅拌得到混合溶液b，进行溶剂热反应，过滤得到固体产物，洗涤和离心，最后干燥。本发明首次以对苯二胺为还原剂，成功合成了VSe2，避免了常规方法中采用酸性还原剂时，大量H2Se有毒气体的产生，工艺环保，安全性高；所得产物是花状结构，纯度高。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料制备领域，具体涉及一种花状VSe2纳米材料的合成方法。
背景技术
自Novoselov等人首次制备石墨烯以来，石墨烯作为二维材料的典型代表，在能量存储和转换等领域开展了大量的应用研究。除了石墨烯之外，具有类石墨烯结构的二维过渡金属二卤化物(TMD)材料，引起了研究者的关注。层状TMD的每一层由三明治状结构的X-M-X单元组成，其中过渡金属原子层被夹在两层硫属元素原子层之间，形成牢固的共价键。层状TMD的层与层之间通过弱的范德华力结合，因此，易于获得少层和单层结构的TMD材料。随着层数的减少，TMD材料可以暴露出更多的活性位点，在能量存储、电催化等领域具有很大的发展潜力。然而，目前大量报道的MoS2、MoSe2等TMD材料由于导电性差，电化学性能有限。作为TMD大家族的一员，VSe2具有优异的导电性和较大的片层间距，有望在电化学能量储存中获得高能量密度。
已报道的VSe2的制备方法包括剥离法、固相法、化学气相沉积法和溶剂热法。溶剂热法具有产量高、低能耗、产物形貌可控的特点，在上述制备方法中脱颖而出。然而，目前报道的溶剂热法制备VSe2的方案中，多数采用酸性物质作为还原剂。在合成过程中，会产生大量H2Se中间产物，该有毒气体易于在反应降温过程中散发到空气中，导致安全性差。探索可行的VSe2合成方法至关重要。
发明内容
本发明为了解决现有VSe2制备方法会产生大量H2Se中间产物导致安全性差的问题，提出一种花状VSe2纳米材料的合成方法。
本发明花状VSe2纳米材料的合成方法按以下步骤进行：
一、称取乙酰丙酮氧钒和二氧化硒，溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌10-40min，得到混合溶液a；
二、将混合溶液a于60-70℃水浴中加热20-30min，冷却至室温；
三、向步骤二的混合溶液中加入对苯二胺，磁力搅拌得到混合溶液b；
四、将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12-20h；
五、待溶剂热反应结束并自然冷却到室温后，过滤得到固体产物，用乙醇和去离子水反复洗涤和离心固体产物，最后干燥，得到VSe2；
所述干燥工艺为：在60℃真空干燥8-12h。
本发明原理及有益效果为：
本发明首次以对苯二胺为还原剂，成功合成了VSe2。碱性对苯二胺的使用，避免了常规方法中采用酸性还原剂时，大量H2Se有毒气体的产生，工艺环保，安全性高；所得产物是花状高纯度VSe2纳米材料，具有超薄结构，比表面积大，可以暴露更多活性位点，有望拓展VSe2在新能源领域中的应用；该方法工艺简单，反应条件易于控制，有利于工业化生产。
附图说明
图1为实施例1得到的VSe2样品的XRD图；
图2为实施例2得到的VSe2样品的SEM图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意合理组合。
具体实施方式一：本实施方式花状VSe2纳米材料的合成方法按以下步骤进行：
一、称取乙酰丙酮氧钒和二氧化硒，溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌10-40min，得到混合溶液a；
二、将混合溶液a于60-70℃水浴中加热20-30min，冷却至室温；
三、向步骤二的混合溶液中加入对苯二胺，磁力搅拌得到混合溶液b；
四、将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12-20h；
五、待溶剂热反应结束并自然冷却到室温后，过滤得到固体产物，用乙醇和去离子水反复洗涤和离心固体产物，最后干燥，得到VSe2；
所述干燥工艺为：在60℃真空干燥8-12h。
本实施方式首次以对苯二胺为还原剂，成功合成了VSe2。碱性对苯二胺的使用，避免了常规方法中采用酸性还原剂时，大量H2Se有毒气体的产生，工艺环保，安全性高；所得产物是花状高纯度VSe2纳米材料，具有超薄结构，比表面积大，可以暴露更多活性位点，有望拓展VSe2在新能源领域中的应用；该方法工艺简单，反应条件易于控制，有利于工业化生产。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一所述乙酰丙酮氧钒和二氧化硒的摩尔比为1:2。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：步骤一所述混合溶液中二氧化硒的浓度为0.067-0.133mol/L。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤二将混合溶液a于70℃水浴中加热30min，冷却至室温。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二将混合溶液a于65℃水浴中加热30min，冷却至室温。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤三所述磁力搅拌时间为10-30min。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：步骤三所述对苯二胺与二氧化硒的摩尔比为8.1:1。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：步骤四将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12h。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：步骤五所述干燥工艺为：在60℃真空干燥12h。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：步骤四将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应20h。
实施例1：
本实施例花状VSe2纳米材料的合成方法按以下步骤进行：
一、称取0.2mmol乙酰丙酮氧钒和0.4mmol二氧化硒，溶解在30mL N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌30min，得到混合溶液；
二、将混合溶液于70℃水浴中加热30min，冷却至室温；
三、向步骤二的混合溶液中加入3.5g对苯二胺，磁力搅拌20min；
四、将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应20h；
五、待溶剂热反应结束并自然冷却到室温后，将过滤得到固体产物，用乙醇和去离子水反复洗涤和离心固体产物，最后干燥，得到VSe2；所述干燥工艺为：在60℃真空干燥12h。
图1为实施例1得到的VSe2样品的XRD图；由图1可观察到本实施例中制备的VSe2的XRD图谱和VSe2的衍射峰图谱(PDF 89-1641)，图1测试获得的XRD图谱与VSe2的标准卡片衍射峰图谱(PDF 89-1641)高度匹配，证实了本实施得到了VSe2。本实施例首次以对苯二胺为还原剂，成功合成了VSe2。碱性对苯二胺的使用，避免了常规方法中采用酸性还原剂时，大量H2Se有毒气体的产生，工艺环保，安全性高；所得产物是花状高纯度VSe2纳米材料，具有超薄结构，比表面积大，可以暴露更多活性位点，有望拓展VSe2在新能源领域中的应用；该方法工艺简单，反应条件易于控制，有利于工业化生产。
实施例2：
本实施例花状VSe2纳米材料的合成方法按以下步骤进行：
一、称取0.1mmol乙酰丙酮氧钒和0.2mmol二氧化硒，溶解在30mL N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌20min，得到混合溶液；
二、将混合溶液于70℃水浴中加热30min，冷却至室温；
三、向步骤二的混合溶液中加入1.75g对苯二胺，磁力搅拌15min；
四、将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12h；
五、待溶剂热反应结束并自然冷却到室温后，将过滤得到固体产物，用乙醇和去离子水反复洗涤和离心固体产物，最后干燥，得到VSe2；所述干燥工艺为：在60℃真空干燥12h。图2可观察到本实施例中制备的超薄VSe2纳米片呈现为花状结构。本实施例首次以对苯二胺为还原剂，成功合成了VSe2。碱性对苯二胺的使用，避免了常规方法中采用酸性还原剂时，大量H2Se有毒气体的产生，工艺环保，安全性高；所得产物是花状高纯度VSe2纳米材料，具有超薄结构，比表面积大，可以暴露更多活性位点，有望拓展VSe2在新能源领域中的应用；该方法工艺简单，反应条件易于控制，有利于工业化生产。
Claims (9)
1.一种花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：花状VSe2纳米材料的合成方法按以下步骤进行：
一、称取乙酰丙酮氧钒和二氧化硒，溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌10-40min，得到混合溶液a；
步骤一所述乙酰丙酮氧钒和二氧化硒的摩尔比为1:2；
二、将混合溶液a于60-70℃水浴中加热20-30min，冷却至室温；
三、向步骤二的混合溶液中加入对苯二胺，磁力搅拌得到混合溶液b；
四、将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12-20h；
五、待溶剂热反应结束并自然冷却到室温后，过滤得到固体产物，用乙醇和去离子水反复洗涤和离心固体产物，最后干燥，得到VSe2；
所述干燥工艺为：在60℃真空干燥8-12h。
2.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤一所述混合溶液中二氧化硒的浓度为0.067-0.133mol/L。
3.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤二将混合溶液a于70℃水浴中加热30min，冷却至室温。
4.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤二将混合溶液a于65℃水浴中加热30min，冷却至室温。
5.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤三所述磁力搅拌时间为10-30min。
6.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤三所述对苯二胺与二氧化硒的摩尔比为8.1:1。
7.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤四将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应12h。
8.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤五所述干燥工艺为：在60℃真空干燥12h。
9.根据权利要求1所述的花状VSe2纳米材料的合成方法，其特征在于：步骤四将步骤三的混合溶液转移至反应釜中，将反应釜密封，在180℃下进行溶剂热反应20h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210480963.0A CN114920207B (zh) | 2022-05-05 | 2022-05-05 | 一种花状VSe2纳米材料的合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210480963.0A CN114920207B (zh) | 2022-05-05 | 2022-05-05 | 一种花状VSe2纳米材料的合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114920207A CN114920207A (zh) | 2022-08-19 |
| CN114920207B true CN114920207B (zh) | 2024-02-09 |
Family
ID=82805764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210480963.0A Active CN114920207B (zh) | 2022-05-05 | 2022-05-05 | 一种花状VSe2纳米材料的合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114920207B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4323480A (en) * | 1975-12-17 | 1982-04-06 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of preparing di and poly chalcogenides of group IVb, Vb, molybdenum and tungsten transition metals by low temperature precipitation from non-aqueous solution and the product obtained by said method |
| CN104051733A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-17 | 江苏大学 | 二硒化钒/碳基复合材料、制备方法及锂离子电池负电极 |
| CN109052340A (zh) * | 2018-10-10 | 2018-12-21 | 陕西科技大学 | 一种硒/硒化钒复合相材料的制备方法 |
| CN109802118A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-24 | 南京大学 | 一种基于二硒化钒正极的可充电镁电池的制备方法 |
-
2022
- 2022-05-05 CN CN202210480963.0A patent/CN114920207B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4323480A (en) * | 1975-12-17 | 1982-04-06 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of preparing di and poly chalcogenides of group IVb, Vb, molybdenum and tungsten transition metals by low temperature precipitation from non-aqueous solution and the product obtained by said method |
| CN104051733A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-17 | 江苏大学 | 二硒化钒/碳基复合材料、制备方法及锂离子电池负电极 |
| CN109052340A (zh) * | 2018-10-10 | 2018-12-21 | 陕西科技大学 | 一种硒/硒化钒复合相材料的制备方法 |
| CN109802118A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-24 | 南京大学 | 一种基于二硒化钒正极的可充电镁电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114920207A (zh) | 2022-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kou et al. | Recent advances in manifold exfoliated synthesis of two‐dimensional non‐precious metal‐based nanosheet electrocatalysts for water splitting | |
| CN102198938B (zh) | 一种石墨烯氧化物制备方法 | |
| CN112680746B (zh) | 一种ZIF-67@MXene复合材料、制备方法及其应用 | |
| CN108840313B (zh) | 一种多级球状二硒化镍的制备方法 | |
| CN111420664B (zh) | 一种片状氧化亚铜/氧化亚钴纳米复合材料的制备方法及其在催化氨硼烷水解产氢上的应用 | |
| CN110482608B (zh) | 一种花状二硫化钨微球及其制备方法 | |
| CN111389418B (zh) | 一种柔性碳纤维布@Cu2O@SnS2复合材料、制备方法和应用 | |
| CN105036204B (zh) | 由纳米薄片组装的镍铝氢氧化物多级微球及其制备方法 | |
| CN111233048A (zh) | 一种双壳层MnCo2O4中空纳米球材料及其合成方法 | |
| CN108996557B (zh) | 一种空心球结构氧化镍/氧化铜复合纳米材料及其制备方法 | |
| CN100545081C (zh) | 树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法 | |
| CN107597147B (zh) | 一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法 | |
| CN109999845A (zh) | 一种全铁基析氧催化剂及其制备方法与应用 | |
| CN111085276B (zh) | 类海胆状二硒化钴纳米粒子的制备方法及其产品和应用 | |
| CN113697780B (zh) | 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法 | |
| CN102897722B (zh) | 一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法 | |
| CN105036202A (zh) | 一种纳米薄片组装钴铝氢氧化物多级微球及其制备方法 | |
| CN104923263A (zh) | 复合光解水催化剂及其制备方法 | |
| CN114920207B (zh) | 一种花状VSe2纳米材料的合成方法 | |
| CN107804858B (zh) | 水滑石基光催化剂用于光催化氮气加水制备氨的应用 | |
| CN111974420A (zh) | 一种MnFe2O4@MoxSn1-xS2磁性催化材料及其制备方法 | |
| CN112939083A (zh) | 一种二硫化钼/四氧化三铁/石墨烯纳米片复合吸波剂及其制备方法 | |
| CN109926070B (zh) | 一种Mn0.5Cd0.5S/WO3/Au负载型光催化剂的制备方法 | |
| CN108031481B (zh) | 一种银插层剥离的超薄卤氧化铋纳米片光催化剂及其制备方法 | |
| CN109264676A (zh) | 一种钴镍合金修饰的多孔氮化硼纤维的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |