CN114908321A - 基板的输送装置、成膜装置、控制方法、成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制输送中的基板的曲行的输送装置、成膜装置、控制方法、成膜方法。支承输送体的两侧并进行输送的输送装置具备：第1输送辊，其支承朝向输送方向的输送体的左侧，对输送体进行输送；第2输送辊，其支承朝向输送方向的输送体的右侧，对输送体进行输送；检测部件，其检测相对于基准的输送体的姿势的偏移；以及控制部件，其独立地控制第1输送辊和第2输送辊，以修正由检测部件检测出的偏移。

Description

基板的输送装置、成膜装置、控制方法、成膜方法
技术领域
本发明涉及基板的输送装置、成膜装置、控制方法、成膜方法。
背景技术
在有机EL显示器的制造中，在形成有TFT(薄膜晶体管)的基板上对有机材料进行成膜。作为有机材料的成膜方法，真空蒸镀成为主流，使用使形成有TFT的面朝下而从基板的下方朝上对蒸镀材料进行成膜的方法。有时在形成有TFT的基板上配置多个面板区域，可称为基样玻璃。近年来，基样玻璃的尺寸变大，因此，从以往的使玻璃基板静止的状态下的成膜方法开始研究一边使基板移动一边进行成膜的直列成膜方式(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－141706号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在直列成膜方式的成膜装置中，难以在仅对玻璃基板进行输送的同时进行成膜，需要将玻璃基板装载在具有掩模功能的托盘上来进行输送。在直列成膜方式中，出于抑制输送中的曲行的目的而设置发挥导向功能的侧辊。存在由于与该侧辊接触而导致颗粒的产生、发生基板与托盘的偏移的课题。
鉴于上述课题，本发明的目的在于抑制输送中的基板的曲行。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，根据本发明，输送装置支承输送体的两侧并进行输送，其中，具备：
第1输送辊，其支承朝向输送方向的所述输送体的左侧，对所述输送体进行输送；
第2输送辊，其支承朝向所述输送方向的所述输送体的右侧，对所述输送体进行输送；
检测部件，其检测相对于基准的所述输送体的姿势的偏移；以及
控制部件，其独立地控制所述第1输送辊和第2输送辊，以修正由所述检测部件检测出的所述偏移。
另外，为了解决上述课题，根据本发明，控制方法是用于对输送体进行输送的输送装置的控制方法，其中，包括：
检测相对于基准的所述输送体的姿势的偏移的检测工序；以及
独立地控制在朝向输送体的输送方向的左侧对所述输送体进行输送的第1输送辊和在朝向所述输送方向的右侧对所述输送体进行输送的第2输送辊，以修正在所述检测工序中检测出的所述偏移的控制工序。
发明的效果
由此，能够抑制输送中的基板的曲行。
附图说明
图1是表示本实施方式的生产线的一例的概略图。
图2是表示由本实施方式的输送装置输送的基板的一例的图。
图3是表示由本实施方式的输送装置输送的基板的另一例的图。
图4是表示本实施方式的控制装置所执行的处理的一例的图。
图5是表示基于姿势检测传感器的基板的姿势的推定法的一例的图。
图6(A)、图6(B)是表示多个伺服马达的消耗电力的变化的一例的图。
图7是表示通过本实施方式的输送装置抑制基板的曲行的方法的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不限定权利要求书涉及的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征，但不一定这多个特征全部是发明所必需的，另外，多个特征也可以任意组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
＜第1实施方式＞
参照图1，说明本实施方式的生产线的一例。
在图1所示的生产线中，从基板投入部11投入玻璃基板7。玻璃基板7在投入时以下表面成为成膜面的方式投入到基板投入部11。投入到基板投入部11的玻璃基板7由与基板投入部11连接的未图示的真空泵减压至达到规定的压力以下。在本实施方式中，基板投入部11进行减压处理直至达到5.0×10－4Pa以下。因此，基板投入部11的腔室内容量较少的情况下，排气所花费的时间可以较少，因此，在本实施方式中，设为在基板投入部11中不进行玻璃基板的旋转。因此，玻璃基板7以使成膜面成为下表面的方式投入到基板投入部11。
本实施例中的玻璃基板7为称为第六代的基板尺寸，具体而言为1850mm×1500mm×0.5t的无碱玻璃。玻璃基板7装载于掩模8之上，掩模8的尺寸为2050mm×1700mm×50mm。若是有机EL显示器，则在玻璃基板7形成有TFT电路。若是有机EL照明，则在玻璃基板7形成有电极。
通过未图示的真空泵进行排气直至在基板投入部11中达到规定的压力以下后，通过设置在基板输送部12内的真空输送用机器人24对玻璃基板7进行输送。具体而言，打开位于基板投入部11与基板输送部12之间的称为闸阀的能够开闭的板状的阀，真空输送用机器人24接收位于基板投入部11的玻璃基板7，从而进行输送。此时，基板输送部12内的压力为比基板投入部11低的1.0×10－4Pa以下。接收到玻璃基板7的真空输送用机器人24将玻璃基板7向基板输送部12内引入。将玻璃基板7引入到基板输送部12并到达规定的位置后，关闭设置于基板投入部11与基板输送部12之间的能够开闭的板状的阀。也可以根据需要而在基板输送部12设置储存玻璃基板7的缓冲部、使玻璃基板7的成膜面活化的预处理部，但在本实施方式中省略。
然后，将引入到基板输送部12的玻璃基板7向基板掩模合体部13移交。首先，从掩模返回部21或者掩模投入部20向基板掩模合体部13投入掩模8。接下来，打开设置于基板输送部12与基板掩模合体部13之间的能够开闭的板状的阀，真空输送用机器人24将玻璃基板7向基板玻璃合体部13的未图示的基板承接件交接。玻璃基板7的交接完成后，真空输送用机器人24返回到基板输送部12内的规定位置，关闭设置于基板输送部12与基板掩模合体部13之间的能够开闭的板状的阀。接下来，玻璃基板合体部13将配置于基板承接件的玻璃基板7移动到掩模8上。
在将玻璃基板7向掩模8上配置时，玻璃基板合体部13通过对玻璃基板7和掩模8进行位置对齐的未图示的对准机构来执行位置对齐处理。在位置对齐处理中，能够采用使玻璃基板7和掩模8在基板掩模合体部13内分别进行对中后合体的方法、或在玻璃基板7和掩模8上设置位置对齐用的标记并基于图像处理进行对准动作的方法。
接下来，在放置于掩模8上的玻璃基板7之上，放置用于使掩模8与玻璃基板7紧贴的构件。具体而言，是利用了磁铁的构件或具有调整玻璃基板的形状的机构的构件。以下，将使掩模8和玻璃基板7合体后的结构称为掩模基板100。掩模8具有开口，由此，通过从掩模基板100的下方从后述的蒸镀部放出有机材料(以下，也称为蒸镀材料)，能够在后述的成膜部15中在玻璃基板7上的规定的位置蒸镀有机材料。
在装载有掩模基板100的状态下，通过输送辊在基板掩模合体部13、追赶部14、成膜部15、拉开部16、基板掩模分离部17进行输送。
基板掩模合体部13将掩模基板100向追赶部14移动。从基板掩模合体部13与掩模8的下表面接触的输送辊以规定的间隔配置，进行掩模基板100的输送动作。在追赶部14中，进行缩小先行的掩模基板100的间隔的动作。具体而言，在先行的掩模以成膜速度进行输送的状态下，以成膜速度以上的速度缩小间隔，间隔变近后设为成膜速度，从而能够缩小间隔。若能够在输送方向上缩小前后的掩模基板100的间隔，则能够减少成膜材料的浪费。但是，若掩模基板100彼此接触，则会成为颗粒的产生、基板7和掩模8的位置偏移和形变的原因。因此，追赶部14优选确保最小限度的间隔。通过输送辊4从基板掩模合体部13输送掩模基板100。
维持由追赶部14缩小了掩模基板100的间隔的状态而向成膜部15输送掩模基板100。在输送中检测掩模基板100的姿势，一边进行后述的掩模基板100的姿势控制一边进行成膜处理。在成膜部15中设置有未图示的成膜源，若是蒸镀则设置蒸镀源，若是溅射则设置靶材，若是化学蒸镀法(CVD)则设置电极和成膜气体的流路。在本实施方式中例举了蒸镀的例子，但在溅射和CVD中也同样能够使用后述的姿势控制。
在成膜部15中，一般而言对多层膜进行成膜。成膜源是固定的，通过输送掩模基板100，能够将所期望的膜蒸镀到玻璃基板上。若是单色发光的有机EL器件，则使用具有发光区域的开口的掩模。若是多色发光的有机EL器件，则使用具有各色想要成膜的区域的开口的掩模。在直列成膜方式中，包含照明用途在内，单色发光器件是主流。在单色发光的有机EL器件中，一般而言也进行霍尔传输层、发光层、电子传输层等多层的成膜。通过按照掩模基板100的输送速度调整各层的成膜速率而将所期望的膜以所期望的膜厚进行成膜，从而进行有机EL器件的成膜。
当在成膜部15中成膜处理结束而将掩模基板100向拉开部16输送时，由于需要在接下来的基板掩模分离部17停止来进行处理，因此，要在输送方向上拉开前后的掩模基板100的间隔。在拉开时，使用设置于拉开部16的未图示的位置确认传感器，当掩模基板100经过规定的位置时，仅加快掩模基板100所载置的拉开部16的输送辊的旋转速度。由此，能够在输送方向上扩大与上游的掩模基板100的距离。
接下来，拉开部16将掩模基板100向基板掩模分离部17输送。若在基板掩模分离部17没有滞留中的基板7或掩模8，则也可以保持拉开速度不变地将掩模基板100向基板掩模分离部17输送。
基板掩模分离部17拆下用于使输送的掩模基板100的掩模8与玻璃基板7紧贴的构件，通过基板掩模分离部17内部的机构将玻璃基板7抬起。抬起的玻璃基板7由设置于基板输送部18的真空输送用机器人25向基板输送部18输送。掩模8由掩模返回部21向基板掩模合体部13输送或者向掩模排出部23输送。
在向基板输送部18输送玻璃基板7时，打开设置于基板掩模分离部17与基板输送部18之间的能够开闭的板状的阀。真空输送用机器人25进行回旋动作以成为基板掩模分离部17的朝向，向放置于基板掩模分离部17的玻璃基板7的下表面伸出臂后以捧起的方式接收玻璃基板7。接收到玻璃基板7的真空输送用机器人25将玻璃基板7引入基板输送部18内。将玻璃基板7引入到基板输送部18并到达规定的位置后，关闭设置于基板掩模分离部17与基板输送部18之间的能够开闭的板状的阀。也可以根据需要而在基板输送部18设置储存成膜后的玻璃基板7的缓冲部、防止有机膜劣化的密封部，但在本实施方式中省略。
在从基板输送部18向基板排出部19输送玻璃基板7时，打开设置于基板输送部18与基板排出部19之间的能够开闭的板状的阀。真空输送用机器人25进行回旋动作以成为基板排出部19的朝向，将玻璃基板7输送到设置于基板排出部19内的玻璃基板装载部。真空输送用机器人25到达基板输送部18内的规定的位置后，关闭设置于基板输送部18与基板排出部19之间的能够开闭的板状的阀。
在基板排出部19中，若后一工序为真空环境，则不进行恢复到大气压的动作。根据后一工序，也可以进行用于形成氮气氛围的氮气排气、大气排气。
以上，记载了用于实施本实施方式的方式。此外，在上述的方式中，将玻璃基板7或玻璃基板7与掩模8重叠后的结构作为输送体进行输送。除此之外，也可以将保持玻璃基板7的基板载体用作输送体。
＜利用输送装置进行的基板的姿势控制＞
接下来，对成膜系统中的基板的输送方法及输送装置进行说明。参照图2对输送辊4的一例进行说明。输送辊4与磁密封件3连接，经由腔室外的联轴器2与伺服马达1连接。在本实施方式中，设为与1个伺服马达1连接的输送辊4为1个而进行说明，但也可以在1个伺服马达1连接多个输送辊4。通过控制伺服马达1的控制装置90对伺服马达1进行同步控制。在图2中，设为1个控制装置90对所有伺服马达1进行控制而进行图示，但只要能够实现同步控制，也可以由多个控制装置90分担地控制伺服马达1。
控制装置90具备处理器91、存储器92、内存93、接口(I/F)94。处理器91、存储器92、内存93、I/F94经由母线95连接成能够通信。
处理器91将存储于内存93的程序展开到存储器92，经由后述的掩模基板100的I/F94对伺服马达1进行控制。另外，在一例中，控制装置90经由I/F94接收姿势检测传感器6的输出值。另外，在一例中，控制装置90监测伺服马达1的消耗电力。
在此，控制装置90对多个伺服马达1进行同步控制而进行掩模基板100的输送，但根据输送辊4的外径的微小差异、机械装配精度等，掩模基板100有可能相对于输送方向倾斜、曲行。这样，为了防止掩模基板100的曲行，在由输送辊4形成的输送路径的侧方安装有与掩模基板100的侧方抵接来限制曲行的侧辊5。
在本实施方式中，侧辊5与掩模基板100的间隙在朝向输送方向的左右各为5mm。因此，若曲行在±5mm以下，则掩模基板100能够在不与侧辊5接触的情况下进行输送。在通过输送辊4进行输送的区间，配置有姿势检测传感器6。姿势检测传感器是用于测定与输送的掩模基板100的姿势相关的参数的传感器，例如，是测定到掩模基板100的朝向输送方向的左右的端部为止的距离的测距传感器。在本实施方式中，姿势检测传感器6通过在能够检测掩模基板100的至少3处的位置配置多个而连续地检测掩模基板100的姿势。姿势检测传感器6在推碰到侧辊5上的状态下测定成为基础的数值来作为初始值，对各位置处的掩模8的正常的姿势进行存储。在判断为在输送中偏离正常的姿势的情况下，进行控制伺服马达1的转速来变更掩模8的姿势的处理。
但是，若掩模8和基板7曲行而与侧辊5抵接，则有时会由于基板7与掩模8的对准发生偏移或者从基板7或掩模8产生颗粒并与基板7抵接而发生成膜不良。因此，本实施方式的控制装置90检测掩模基板100的相对于输送方向的姿势相对于基准的偏移，对输送辊4进行控制以修正偏移，从而抑制掩模基板100的曲行。在一例中，控制装置90在掩模基板100与侧辊5抵接之前进行控制以消除掩模基板100的倾斜。
图3表示掩模基板100相对于输送方向倾斜时的状态。在图3中，示出了朝向输送方向的左前与侧辊5接触的情形。如图3这样在输送中一边与侧辊5接触一边行进。此外，在图3中省略了控制装置90。
在此，参照图4，说明控制装置90所执行的、检测掩模基板100的相对于输送方向的倾斜并修正行进方向的处理。图4的处理通过控制装置90的处理器91在掩模基板100的输送中以规定的时间间隔执行存储于内存93的命令而实现。
首先，在步骤S401(以下称为S401)中，处理器91基于姿势检测传感器6或伺服马达1的检测结果，检测掩模基板100的姿势相对于基准的偏移。掩模基板100的姿势包括输送面中的掩模基板100的相对于输送方向的倾斜或到左右的侧辊5或姿势检测传感器6的距离中的至少任一个。掩模基板100的相对于输送方向的倾斜的基准可以为0度，也可以为－1度以上且1度以下等规定的范围。到左右的侧辊5或姿势检测传感器6的距离的基准可以是从左右的侧辊5到掩模基板100的距离相等。或者，基准也可以是从左右的侧辊5到掩模基板100的距离之差为1mm以下。
S401的处理例如通过处理器91经由I/F94获取姿势检测传感器6的输出值而进行。例如，控制装置90首先获取姿势检测传感器6a、6b(以下，有时不进行区分而称为姿势检测传感器6)的输出。接下来，基于获取的姿势检测传感器6的输出，计算从姿势检测传感器6a、6b到掩模基板100的距离之差，能够基于距离之差来检测掩模基板100的姿势相对于基准的偏移。
参照图5，示出基于姿势检测传感器6和掩模基板100的位置来计算掩模8的行进方向的方法。图5表示掩模基板100正在曲行的状态下的朝向输送方向的左侧的输送辊4、姿势检测传感器6、掩模基板100的放大图。在图5中，将从姿势检测传感器6a、6b到掩模8的距离设为la、lb，将姿势检测传感器6a到6b的距离设为d。在该情况下，能够以tanθ＝(la－lb)/d来检测相对于输送方向的基板的倾斜度θ。在该θ例如为0度的情况下，控制装置9能够判定为掩模基板100的姿势没有相对于基准偏移。另一方面，在θ小于－1度或大于1度的情况下，控制装置9可以判定为基板的姿势相对于基准偏移，对输送辊4进行控制以修正偏移。
另外，S401的处理例如也可以通过控制装置9监测伺服马达1的消耗电力来进行。
在此，参照图6(A)、图6(B)，说明控制装置90基于伺服马达1的消耗电力来推定掩模基板100的姿势相对于基准的偏移的方法。伺服马达1在输送掩模基板100时由于基板的重量施加负荷而使得消耗电力能够发生变化。在该情况下，通过监测消耗电力，能够判定与该伺服马达1对应的输送辊4目前是否正在输送掩模基板100。
图6(A)的实线601表示朝向输送方向的左侧的输送辊4的伺服马达1的消耗电力的变化，虚线602表示右侧的输送辊4的伺服马达1的消耗电力。在该情况下，基于左右的伺服马达1的消耗电力增加的时间点的消耗电力之差、在图6(A)中基于PL比PR大这一情况，能够判定为基板靠近左侧。即，通过对驱动左右、前后的输送辊4的伺服马达1的消耗电力进行比较，能够判定哪边施加了更大的重量，即能够判定掩模基板100的倾斜、基板的重心的偏移。
另外，图6(B)的实线611表示朝向输送方向的左侧的输送辊4的伺服马达1的消耗电力的变化，虚线612表示右侧的输送辊4的伺服马达1的消耗电力的变化。在这样的情况下，控制装置90通过确定伺服马达1的消耗电力超过阈值Pth的时刻，能够确定掩模基板100载置于输送辊4的时机。然后，能够基于掩模基板100载置于左右的输送辊4的时机之差，判定掩模基板100的倾斜。在图6(B)的例子中，右侧的伺服马达1的消耗电力增加的时机比左侧的伺服马达1的消耗电力增加的时机早。因此，控制装置9能够判定为朝向掩模基板100的输送方向的右侧先行。
接下来，在S402中，控制装置90判定是否需要掩模基板100的姿势的控制。例如，判定掩模基板的姿势相对于基准的偏移是否在容许范围内。在S402中，控制装置90也可以根据姿势检测传感器6的输出值，判定到掩模基板100的距离是否相对于基准偏移1mm以上，在偏移1mm以上的情况下判定为需要修正掩模基板100的姿势。换言之，在侧辊4与掩模基板100的间隙的基准为5mm的情况下，控制装置90可以在判定为间隙为4mm以下或6mm以上的情况下判定为需要修正掩模基板100的姿势。在判断为不需要姿势的控制的情况下结束图4的处理。
在S403中，基于在S401中确定的掩模基板100的姿势相对于基准的偏移，独立地控制左右的伺服马达1。例如，基于在S401中确定的掩模基板100的姿势相对于基准的偏移，分别计算左右的输送辊4的旋转速度的目标值，向左右的伺服马达1设定与目标值对应的控制值。即，控制装置90独立地控制左右的输送辊。
例如，如图7所示，在掩模基板100向朝向输送方向的左方向倾斜的情况下，进行控制以使左侧的输送辊4的旋转速度与右侧的输送辊4相比上升，从而使左侧的掩模基板100的移动比右侧大。因此，能够修正掩模基板100的倾斜。例如，可以控制左右的输送辊4中的任一个，也可以使右侧的输送辊4的旋转速度减小并使左侧的输送辊4的旋转速度上升。
另外，在S403中，也可以基于在S401中确定的从姿势检测传感器6到掩模基板100的距离来设定左右的伺服马达1的控制值。例如，在从朝向输送方向的左侧的姿势检测传感器6到掩模基板100的距离为3mm的情况下，由于基准值为5mm，因此，控制装置90能够判断为掩模基板100靠近朝向输送方向的左侧或朝向左侧。因此，通过将朝向输送方向的左侧的输送辊4的输送速度控制成比右侧的输送辊4的输送速度快，能够在掩模基板100远离左侧的侧辊5的方向上控制姿势。
作为一例，伺服马达1的额定旋转速度为2000rpm，安装于伺服马达的未图示的减速器为减速比率1/16，输送辊4的直径为50mm。以伺服马达1的额定旋转速度使其旋转的情况下的掩模8的输送速度为327mm。这次，将使得达到伺服马达1的额定旋转速度的大约1/3的掩模基板100的输送速度设为100mm/sec。此时的伺服马达1的旋转速度为611rpm。在将伺服马达1的旋转速度611rpm设为100％时进行将伺服马达1的转速加速到最大200％的控制。这次的情况下，进行了每1秒通过姿势检测传感器6检测姿势并使伺服马达1的旋转速度的目标值以1％的增量增加的控制。结果，能够在约20秒内使掩模基板100的姿势恢复到作为姿势的基准的、距左右的侧辊的距离之差为1mm以内。当掩模基板100恢复到正常的姿势时，控制装置9使伺服马达1的转速恢复到稳定状态的611rpm。在本实施方式中，基于掩模基板100的姿势相对于基准的偏移最大的部位来进行控制以修正偏移，但例如也可以同时进行左前和右后等多个偏移的修正。
另外，控制装置90例如也可以基于圆周运动模型、直线运动模型、运动学(力学)模型等用于转向的控制模型来进行基于掩模基板100的倾斜的伺服马达1的控制值的决定。
或者，控制装置90也可以在使输送辊4的旋转速度变化了规定量、例如目前的旋转速度的1％等之后，再次获取掩模基板100的倾斜，基于旋转速度的变化和与其相对的倾斜的变化，确定伺服马达1的控制量。换言之，控制装置90也可以使用反馈型的控制模型来进行顺序控制。
此外，在本实施方式中，设为右侧的多个伺服马达1设定相同的控制值，左侧的多个伺服马达1设定相同的控制值而进行了说明。这是因为在输送方向上前后的输送辊4的旋转速度不同的情况下，不发生掩模基板100的滑动、形变。但是，在输送方向上前后的输送辊4的直径不同的情况下等，也可以向各个伺服马达1输入不同的控制值。即，为了在输送方向上使前后的输送辊4的输送速度一致，也可以根据输送辊4的种类来输入不同的控制值。
如以上说明的那样，通过图4的处理，如图7的箭头701所示朝向输送方向的左侧的输送辊4输送掩模基板100的输送速度加快，能够防止与左侧的侧辊5的接触。姿势检测传感器6通过配置在能够检测到掩模基板100的至少3处的侧方的距离的位置而能够连续地检测掩模基板100的姿势。此外，在图2、图3、图7的例子中，设为姿势检测传感器6以等间隔配置而进行了图示，但只要控制装置90具有与各姿势检测传感器6的间隔相关的信息，则姿势检测传感器6也可以以不同的间隔配置。
在本实施方式中，设为在成膜部15中进行掩模基板100的输送中的姿势控制而进行了说明。在一例中，也可以在从掩模合体部13到掩模分离部17的输送区间进行姿势控制。
另外，也可以在掩模返回部21对掩模8的输送进行姿势控制。由此，能够防止掩模8的破损。
如以上说明的那样，在掩模基板100与侧辊5接触之前，控制装置90修正掩模基板100的姿势相对于基准的偏移，因此，能够防止掩模基板100与侧辊5接触。由此，能够减少颗粒的产生、基板与托盘的偏移，能够带来不合格品的减少而提高成品率。
＜其他实施方式＞
本发明也能够通过经由网络或存储介质将实现上述实施方式的1个以上的功能的程序供给到系统或装置、该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读取并执行程序的处理来实现。另外，也能够通过实现1个以上的功能的电路(例如ASIC)来实现。
附图标记说明
1：伺服马达，2：联轴器，3：磁密封件，4：输送辊，5：侧辊，6：姿势检测传感器，7：玻璃基板，8：掩模，11：基板投入部，12：基板输送部，13：基板掩模合体部，14：追赶部，15：成膜部，16：拉开部，17：基板掩模分离部，18：基板输送部，19：基板排出部，20：掩模投入部，21：掩模返回部，23：掩模排出部，24：真空输送机器人，25：真空输送机器人，100：掩模基板。

Claims (13)

1.一种输送装置，所述输送装置支承输送体的两侧并进行输送，其特征在于，具备：
第1输送辊，其支承朝向输送方向的所述输送体的左侧，对所述输送体进行输送；
第2输送辊，其支承朝向所述输送方向的所述输送体的右侧，对所述输送体进行输送；
检测部件，其检测相对于基准的所述输送体的姿势的偏移；以及
控制部件，其独立地控制所述第1输送辊和第2输送辊，以修正由所述检测部件检测出的所述偏移。
2.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于，
所述控制部件基于所述检测部件的检测结果，分别计算所述第1输送辊和第2输送辊的旋转速度的目标值，并设定对所述第1输送辊和第2输送辊的控制值以达到所述目标值。
3.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于，
所述检测部件包括多个测距传感器，所述多个测距传感器配置在朝向所述输送方向的左右的至少任一方，
所述控制部件基于所述多个测距传感器分别测定出的到所述输送体的端部的距离，检测相对于基准的所述输送体的姿势的偏移。
4.根据权利要求3所述的输送装置，其特征在于，
所述控制部件设定对所述第1输送辊和第2输送辊的控制值，以消除配置在朝向所述输送方向的左右的所述多个测距传感器分别测定出的到所述输送体的端部的距离之差。
5.根据权利要求3所述的输送装置，其特征在于，
所述控制部件基于所述多个测距传感器分别测定出的到所述输送体的端部的距离来判定所述输送体的倾斜，设定对所述第1输送辊和第2输送辊的控制值以消除所述输送体的倾斜。
6.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于，
所述检测部件监测所述第1输送辊和所述第2输送辊的伺服马达的消耗电力，
所述控制部件基于所述消耗电力来判定相对于基准的所述输送体的姿势的偏移，设定对所述第1输送辊和第2输送辊的伺服马达的控制值。
7.根据权利要求6所述的输送装置，其特征在于，
所述控制部件基于所述第1输送辊和第2输送辊的伺服马达的消耗电力上升的时机之差，判定相对于基准的所述输送体的姿势的偏移。
8.根据权利要求6所述的输送装置，其特征在于，
所述控制部件基于规定的时间点的所述第1输送辊和第2输送辊的伺服马达的所述消耗电力之差，判定相对于基准的所述输送体的姿势的偏移。
9.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于，
还具备侧辊，所述侧辊配置在输送体的输送路径的侧方，与由所述第1输送辊和第2输送辊输送的所述输送体抵接而使所述输送体的输送方向变化。
10.一种成膜装置，其特征在于，具备：
权利要求1～9中任一项所述的输送装置；以及
蒸发源，其向由所述输送装置输送的输送体蒸镀成膜材料。
11.一种成膜装置，其特征在于，具备：
权利要求1～9中任一项所述的输送装置；以及
对准装置，其进行由所述输送装置输送的输送体与掩模的对准。
12.一种控制方法，所述控制方法是用于对输送体进行输送的输送装置的控制方法，其特征在于，包括：
检测相对于基准的所述输送体的姿势的偏移的检测工序；以及
独立地控制在朝向输送体的输送方向的左侧对所述输送体进行输送的第1输送辊和在朝向所述输送方向的右侧对所述输送体进行输送的第2输送辊，以修正在所述检测工序中检测出的所述偏移的控制工序。
13.一种成膜方法，其特征在于，包括：
通过利用权利要求12所述的控制方法对输送装置进行控制来输送所述输送体的工序；以及
一边输送所述输送体一边进行成膜的成膜工序。
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