JP5602005B2 - 真空処理装置、及び、それを用いた処理方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、上記真空処理装置を用いた基板の処理方法であることを特徴とする。
真空処理装置は、ロードロックチャンバ2a、追い付きチャンバ3、処理チャンバ4、払い出しチャンバ5、ロードロックチャンバ2bが一列に縦列に並んだ構成である。両端のロードロックチャンバ2a、2bにはそれぞれ大気側に大気ステージ1a、1bが接続している。
ロードロックチャンバ2a、2b及び処理チャンバ4には、それぞれ真空ポンプ9が接続して、予め所定の圧力以下に排気している。
ロードロックチャンバ2aを一定の圧力以下まで排気後、ゲートバルブ14aを開けて基板6を追い付きチャンバ3まで移動する。
追い付きチャンバ3で後方の基板6の搬送速度を上げ、先行の基板6との距離を詰める。追い付きチャンバ3で先行の基板6との距離を詰めた後、処理チャンバ4へ移動させる。
基板6はロードロックチャンバ2bへ移動した後、ロードロックチャンバ2bを大気開放し、大気ステージ1bへ搬出する。
追い付きチャンバ3にて後方の基板6dは、その先行する基板6aとの基板間隔を詰めるため基板6eの位置まで加速する。符号17の方向に加速される基板は、先行する基板との距離を保ちながら再び等速で搬送する。
追い付きチャンバ3での追い付き動作後の基板間隔は、基板検知センサ12を用いて検知する。ここでは、検知手段である基板検知センサ12はレーザセンサを想定しているが、基板を検知できれるものであれば種類は問われない。
基板位置と基板間隔を算出できるので、処理チャンバ内の基板間の数と位置を読み取ることができる。
図4をもとに基板の処理方法を説明する。
先行する基板が基板検知センサを通過し、基板検知センサがOFF状態を確認したら次のステップへ進む。
基板検知センサのOFF状態から、ON状態への変化を確認する。
SA3で測定した基板検知センサ12のOFF状態の時間に、予め設定してある処理チャンバ内における基板の搬送速度を乗じて、基板検知センサ12が基板を検知しなかった距離(基板間隔)を制御装置15にて算出する(以下、算出基板間隔ともいう)。
従って、本発明は、説明された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
2a 、2b ロードロックチャンバ
3 追い付きチャンバ
4 処理チャンバ
5 払い出しチャンバ
6 基板
6a 先行する基板
6b、6c 基板6aに対して)後方の基板
6d 追い付き前の基板位置
6e 追い付き後の基板位置
7 搬送コロ
8 ターゲット
9 真空ポンプ
10 プロセスガスボンベ
11a、11b、11c マスフローコントローラ
12 基板検知センサ
13 ロックバルブ
14 ゲートバルブ
15 制御装置
16 バルブ
X1 基板間隔
X2 基板間隔
Claims (2)
- 減圧が可能な処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、前記処理チャンバ内で前記基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、前記搬送手段上に載置された前記基板を処理するための基板処理手段と、前記複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、前記検知手段で検知した前記基板間隔に基づいて、前記ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする真空処理装置。
- 請求項1に記載の真空処理装置を用いた基板の処理方法であって、
前記複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、前記検知手段で検知した前記基板間隔に基づいて、前記ガス導入手段を制御する工程を有することを特徴とする処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010286275A JP5602005B2 (ja) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 真空処理装置、及び、それを用いた処理方法 |
US13/325,108 US9121099B2 (en) | 2010-12-22 | 2011-12-14 | Vacuum processing apparatus and processing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010286275A JP5602005B2 (ja) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 真空処理装置、及び、それを用いた処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012132075A JP2012132075A (ja) | 2012-07-12 |
JP5602005B2 true JP5602005B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=46315164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010286275A Active JP5602005B2 (ja) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 真空処理装置、及び、それを用いた処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9121099B2 (ja) |
JP (1) | JP5602005B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015185788A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社Screenホールディングス | 真空成膜装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0577766B1 (en) | 1991-04-04 | 1999-12-29 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
JP2000080472A (ja) | 1998-08-31 | 2000-03-21 | Asahi Glass Co Ltd | インライン型スパッタリング方法および装置 |
JP2003065727A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透過膜厚計測装置及びそれを備えた製膜装置 |
JP4713497B2 (ja) | 2004-11-22 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | 基板保持装置および基板処理装置ならびに液晶表示装置 |
US20090218214A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Applied Materials, Inc. | Backside coating prevention device, coating chamber comprising a backside coating prevention device, and method of coating |
CN101463471B (zh) * | 2009-01-12 | 2011-05-04 | 浙江嘉远格隆能源股份有限公司 | 一种连续化薄膜真空沉积方法及装置 |
-
2010
- 2010-12-22 JP JP2010286275A patent/JP5602005B2/ja active Active
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2011
- 2011-12-14 US US13/325,108 patent/US9121099B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012132075A (ja) | 2012-07-12 |
US9121099B2 (en) | 2015-09-01 |
US20120160164A1 (en) | 2012-06-28 |
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