JP2000080472A - インライン型スパッタリング方法および装置 - Google Patents
インライン型スパッタリング方法および装置Info
- Publication number
- JP2000080472A JP2000080472A JP10246107A JP24610798A JP2000080472A JP 2000080472 A JP2000080472 A JP 2000080472A JP 10246107 A JP10246107 A JP 10246107A JP 24610798 A JP24610798 A JP 24610798A JP 2000080472 A JP2000080472 A JP 2000080472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- film
- oblique incidence
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】膜の機械的性質に方向依存性を生じさせないイ
ンライン型スパッタリング方法および装置の提供。 【解決手段】ターゲット１からのスパッタリング粒子３
の、基板搬送方向６に沿った斜め入射を防ぐための板状
体２を、ターゲット１と基板搬送面との間に設けるイン
ライン型スパッタリング方法および装置。
ンライン型スパッタリング方法および装置の提供。 【解決手段】ターゲット１からのスパッタリング粒子３
の、基板搬送方向６に沿った斜め入射を防ぐための板状
体２を、ターゲット１と基板搬送面との間に設けるイン
ライン型スパッタリング方法および装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインライン型スパッ
タリング方法およびインライン型スパッタリング装置に
関する。
タリング方法およびインライン型スパッタリング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より熱線反射ガラスや透明導電性ガ
ラスなど、特に大面積基板へのスパッタリング成膜には
インライン型スパッタリング装置が用いられている。イ
ンライン型スパッタリング装置は、ロック、バッファ
ー、プロセスなどのチャンバから構成され、基板はそれ
らのチャンバを通過しながら成膜される。基板の入り口
と出口が一つのシングルエンドタイプと入り口と出口が
別々のダブルエンドタイプがある。
ラスなど、特に大面積基板へのスパッタリング成膜には
インライン型スパッタリング装置が用いられている。イ
ンライン型スパッタリング装置は、ロック、バッファ
ー、プロセスなどのチャンバから構成され、基板はそれ
らのチャンバを通過しながら成膜される。基板の入り口
と出口が一つのシングルエンドタイプと入り口と出口が
別々のダブルエンドタイプがある。
【０００３】基板は先ずロックチャンバに入り、そこ
で、真空排気が行われる。次にバッファーチャンバに移
り、プロセスチャンバへの待機またはプロセスチャンバ
から出てきた基板との入れ替えなどが行われる。さらに
プロセスチャンバに入り、スパッタリング成膜が行われ
る。成膜後、基板はバッファーチャンバ、ロックチャン
バと通過し、大気中に出てくる。プロセスチャンバ内に
はいくつかのターゲットが設置され、膜厚は通常ターゲ
ットへの投入パワーと搬送速度、パス数を変えることに
よって調節する。
で、真空排気が行われる。次にバッファーチャンバに移
り、プロセスチャンバへの待機またはプロセスチャンバ
から出てきた基板との入れ替えなどが行われる。さらに
プロセスチャンバに入り、スパッタリング成膜が行われ
る。成膜後、基板はバッファーチャンバ、ロックチャン
バと通過し、大気中に出てくる。プロセスチャンバ内に
はいくつかのターゲットが設置され、膜厚は通常ターゲ
ットへの投入パワーと搬送速度、パス数を変えることに
よって調節する。
【０００４】ターゲットは通常矩形形状で、長手方向が
基板搬送方向に垂直に配置されている。プロセスチャン
バ数およびターゲット数は製造される製品の膜構成や、
生産規模によって決定される。このようなインライン型
スパッタリング装置はバッチ式の装置に比べて非常に大
きなスループットが得られる。
基板搬送方向に垂直に配置されている。プロセスチャン
バ数およびターゲット数は製造される製品の膜構成や、
生産規模によって決定される。このようなインライン型
スパッタリング装置はバッチ式の装置に比べて非常に大
きなスループットが得られる。
【０００５】しかしながら、このようなインライン型ス
パッタリング装置で成膜した膜の機械的性質に方向依存
性が生ずることがある。例えば、ＴｉターゲットからＮ
2 雰囲気で反応性スパッタリング法で成膜したＴｉＮx
膜（膜厚８５ｎｍ）について、片持ち梁法により測定し
た内部応力およびスクラッチ法による膜剥離の臨界荷重
は、次のとおりである。すなわち、内部応力の種類は圧
縮応力であり、内部応力の搬送方向に平行な成分の値は
１．２３Ｐａであり、内部応力の搬送方向に垂直な成分
の値は１．１９Ｐａであった。また、膜の剥離荷重は、
搬送方向に平行に引っ掻いた場合が２０．６ｇであり、
搬送方向に垂直に引っ掻いた場合が２２．３ｇであっ
た。なお、内部応力の測定に用いた基板としては、長さ
６０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ７０μｍのボロシリケートガ
ラスを用いた。
パッタリング装置で成膜した膜の機械的性質に方向依存
性が生ずることがある。例えば、ＴｉターゲットからＮ
2 雰囲気で反応性スパッタリング法で成膜したＴｉＮx
膜（膜厚８５ｎｍ）について、片持ち梁法により測定し
た内部応力およびスクラッチ法による膜剥離の臨界荷重
は、次のとおりである。すなわち、内部応力の種類は圧
縮応力であり、内部応力の搬送方向に平行な成分の値は
１．２３Ｐａであり、内部応力の搬送方向に垂直な成分
の値は１．１９Ｐａであった。また、膜の剥離荷重は、
搬送方向に平行に引っ掻いた場合が２０．６ｇであり、
搬送方向に垂直に引っ掻いた場合が２２．３ｇであっ
た。なお、内部応力の測定に用いた基板としては、長さ
６０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ７０μｍのボロシリケートガ
ラスを用いた。
【０００６】以上の結果は、ボロシリケートガラスの長
手方向を基板搬送方向に平行に置いた場合の方が、垂直
に置いた場合より内部応力が高くなることを示してい
る。すなわち、内部応力の基板搬送方向に平行な成分は
垂直方向の成分よりも高い。
手方向を基板搬送方向に平行に置いた場合の方が、垂直
に置いた場合より内部応力が高くなることを示してい
る。すなわち、内部応力の基板搬送方向に平行な成分は
垂直方向の成分よりも高い。
【０００７】また、スクラッチ法で膜の付着力を測定す
ると、膜剥離の臨界荷重は基板搬送方向に平行に引っ掻
いた場合よりも、垂直に引っ掻いた場合の方が高い。ス
クラッチ法においては、内部応力が大きくなるにつれ、
臨界荷重が減少する、すなわち密着性が低下することは
良く知られている。したがって、臨界荷重に引っ掻く方
向への依存性が現れたのは、内部応力の方向依存性のた
めと考えられる。
ると、膜剥離の臨界荷重は基板搬送方向に平行に引っ掻
いた場合よりも、垂直に引っ掻いた場合の方が高い。ス
クラッチ法においては、内部応力が大きくなるにつれ、
臨界荷重が減少する、すなわち密着性が低下することは
良く知られている。したがって、臨界荷重に引っ掻く方
向への依存性が現れたのは、内部応力の方向依存性のた
めと考えられる。
【０００８】さらに、耐擦傷性をテーバー試験により調
べた。輪状のテーバー摩耗痕を観察すると、膜の摩耗の
程度は一様ではなく、基板搬送方向に垂直な方向の直径
上の点の摩耗は、平行な方向の摩耗より激しい。テーバ
ー試験の原理がスクラッチ試験と同様であることを考慮
すると、前記結果はスクラッチ法による結果と一致して
いる。
べた。輪状のテーバー摩耗痕を観察すると、膜の摩耗の
程度は一様ではなく、基板搬送方向に垂直な方向の直径
上の点の摩耗は、平行な方向の摩耗より激しい。テーバ
ー試験の原理がスクラッチ試験と同様であることを考慮
すると、前記結果はスクラッチ法による結果と一致して
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、膜の機械的
性質に方向依存性を生じさせないインライン型スパッタ
リング方法およびインライン型スパッタリング装置の提
供を目的とする。
性質に方向依存性を生じさせないインライン型スパッタ
リング方法およびインライン型スパッタリング装置の提
供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を搬送し
ながら成膜するインライン型スパッタリング装置による
スパッタリング方法において、ターゲットからのスパッ
タリング粒子の、基板搬送方向に沿った斜め入射を防ぐ
ための板状体を、ターゲットと基板搬送面との間に設け
ることを特徴とするインライン型スパッタリング方法を
提供する。
ながら成膜するインライン型スパッタリング装置による
スパッタリング方法において、ターゲットからのスパッ
タリング粒子の、基板搬送方向に沿った斜め入射を防ぐ
ための板状体を、ターゲットと基板搬送面との間に設け
ることを特徴とするインライン型スパッタリング方法を
提供する。
【００１１】本発明は、また、基板を搬送しながら成膜
するインライン型スパッタリング装置において、ターゲ
ットからのスパッタリング粒子の、搬送方向に沿った斜
め入射を防ぐための板状体が、ターゲットと基板搬送面
との間に設けられていることを特徴とするインライン型
スパッタリング装置を提供する。
するインライン型スパッタリング装置において、ターゲ
ットからのスパッタリング粒子の、搬送方向に沿った斜
め入射を防ぐための板状体が、ターゲットと基板搬送面
との間に設けられていることを特徴とするインライン型
スパッタリング装置を提供する。
【００１２】通常、ターゲット周辺の空間は仕切り板に
よって、隣のターゲットと仕切られており、それぞれの
空間が１つのコートゾーンを形作っているが、ターゲッ
トの端から直近の仕切り板までの距離は、ターゲット〜
基板間距離の１〜２倍である。そのため、基板が仕切り
板を横切ってコートゾーンに入ってくる時または出て行
く時には、スパッタリング粒子の入射角は基板の法線方
向に対して４５度以上になりうる。
よって、隣のターゲットと仕切られており、それぞれの
空間が１つのコートゾーンを形作っているが、ターゲッ
トの端から直近の仕切り板までの距離は、ターゲット〜
基板間距離の１〜２倍である。そのため、基板が仕切り
板を横切ってコートゾーンに入ってくる時または出て行
く時には、スパッタリング粒子の入射角は基板の法線方
向に対して４５度以上になりうる。
【００１３】本発明は、基板がコートゾーンに入る時お
よび出る時に、基板搬送方向に、ターゲットから基板へ
のスパッタリング粒子の著しい斜入射があり、膜に機械
的性質の方向依存性が生ずる、という新規知見に基づ
く。
よび出る時に、基板搬送方向に、ターゲットから基板へ
のスパッタリング粒子の著しい斜入射があり、膜に機械
的性質の方向依存性が生ずる、という新規知見に基づ
く。
【００１４】斜入射は、ターゲットと基板搬送面との間
に、ターゲットからのスパッタリング粒子の、搬送方向
に沿った斜め入射を防ぐための板状体（以下、斜入射を
防ぐ板状体という）を設置することにより無くすことが
できる。
に、ターゲットからのスパッタリング粒子の、搬送方向
に沿った斜め入射を防ぐための板状体（以下、斜入射を
防ぐ板状体という）を設置することにより無くすことが
できる。
【００１５】図１に斜入射を防ぐ板状体を設置したコー
トゾーンの断面図を示す。斜入射を防ぐ板状体２は、短
冊状をしており、ターゲット１と基板搬送面との間に複
数枚立てて並べられている。ターゲット１から斜めに放
出されたスパッタリング粒子３は、斜入射を防ぐ板状体
２にぶつかり、斜入射を防ぐ板状体２の側面に体積す
る。並べる斜入射を防ぐ板状体２の枚数を多くし、斜入
射を防ぐ板状体２間の間隔を短くし、また、斜入射を防
ぐ板状体２の長さを長くすれば、斜入射のスパッタリン
グ粒子は減少する。斜入射を防ぐ板状体２間の間隔は、
ターゲットの長手方向の幅を少なくとも３等分する間隔
とすることが好ましい。また、斜入射を防ぐ板状体２の
長さは、ターゲットと基板搬送面との間の距離の１／２
程度とすることが好ましい。
トゾーンの断面図を示す。斜入射を防ぐ板状体２は、短
冊状をしており、ターゲット１と基板搬送面との間に複
数枚立てて並べられている。ターゲット１から斜めに放
出されたスパッタリング粒子３は、斜入射を防ぐ板状体
２にぶつかり、斜入射を防ぐ板状体２の側面に体積す
る。並べる斜入射を防ぐ板状体２の枚数を多くし、斜入
射を防ぐ板状体２間の間隔を短くし、また、斜入射を防
ぐ板状体２の長さを長くすれば、斜入射のスパッタリン
グ粒子は減少する。斜入射を防ぐ板状体２間の間隔は、
ターゲットの長手方向の幅を少なくとも３等分する間隔
とすることが好ましい。また、斜入射を防ぐ板状体２の
長さは、ターゲットと基板搬送面との間の距離の１／２
程度とすることが好ましい。
【００１６】斜入射を防ぐ板状体２自身がスパッタリン
グされるのを防ぐため、斜入射を防ぐ板状体２はプラズ
マから離して置く方がよい。斜入射を防ぐ板状体２の電
位はアースとすることが望ましい。
グされるのを防ぐため、斜入射を防ぐ板状体２はプラズ
マから離して置く方がよい。斜入射を防ぐ板状体２の電
位はアースとすることが望ましい。
【００１７】斜入射を防ぐ板状体２はターゲット１の近
傍に設置されるので、高い運動エネルギーを持つスパッ
タリング粒子が当たり、加熱される。したがって、斜入
射を防ぐ板状体２の材質は金属が好ましい。また、水冷
されることが望ましい。
傍に設置されるので、高い運動エネルギーを持つスパッ
タリング粒子が当たり、加熱される。したがって、斜入
射を防ぐ板状体２の材質は金属が好ましい。また、水冷
されることが望ましい。
【００１８】
【作用】本発明において、斜入射を防ぐ板状体は、基板
がコートゾーンに入る時または出る時に、ターゲットか
らのスパッタリング粒子の基板への斜入射を防ぎ、膜の
内部応力に方向依存性が発生するのを防ぎ、膜の引っか
き法による膜の付着力、耐摩耗性に方向依存性が生ずる
のを防ぐ。
がコートゾーンに入る時または出る時に、ターゲットか
らのスパッタリング粒子の基板への斜入射を防ぎ、膜の
内部応力に方向依存性が発生するのを防ぎ、膜の引っか
き法による膜の付着力、耐摩耗性に方向依存性が生ずる
のを防ぐ。
【００１９】
【実施例】以下の実施例（例１〜４）および比較例（例
５〜８）において用いた膜の成膜条件は表１に示すとお
りである。これらの例の膜の内部応力の種類、内部応力
の搬送方向に平行な成分の値（ＧＰａ）および内部応力
の搬送方向に垂直な成分の値（ＧＰａ）を表２にまとめ
た。
５〜８）において用いた膜の成膜条件は表１に示すとお
りである。これらの例の膜の内部応力の種類、内部応力
の搬送方向に平行な成分の値（ＧＰａ）および内部応力
の搬送方向に垂直な成分の値（ＧＰａ）を表２にまとめ
た。
【００２０】［例１］洗浄した厚さ２ｍｍのフロートガ
ラス板を斜入射を防ぐ板状体を設置したスパッタリング
装置内にセットし、１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。次
に表１の条件で、ＴｉＮx （膜厚８５ｎｍ）の単層膜を
成膜した。
ラス板を斜入射を防ぐ板状体を設置したスパッタリング
装置内にセットし、１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。次
に表１の条件で、ＴｉＮx （膜厚８５ｎｍ）の単層膜を
成膜した。
【００２１】この膜の内部応力は方向依存性を示さず、
基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等しか
った。
基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等しか
った。
【００２２】［例２］例１と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＴｉＯ2 （膜厚６５ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
フロートガラス基板上にＴｉＯ2 （膜厚６５ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
【００２３】［例３］例１と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＺｎＯ（膜厚１１０ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
フロートガラス基板上にＺｎＯ（膜厚１１０ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
【００２４】［例４］例１と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＣｒ（膜厚１００ｎｍ）の単層
膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
フロートガラス基板上にＣｒ（膜厚１００ｎｍ）の単層
膜を成膜した。この膜の内部応力は方向依存性を示さ
ず、基板搬送方向とそれに垂直方向の成分の値はほぼ等
しかった。
【００２５】［例５］洗浄した厚さ２ｍｍのフロートガ
ラス板を斜入射を防ぐ板状体を設置しないスパッタリン
グ装置内にセットし、１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。
次に表１の条件で、ＴｉＮx （膜厚８５ｎｍ）の単層膜
を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平行な
成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さく、方
向依存性を示した。
ラス板を斜入射を防ぐ板状体を設置しないスパッタリン
グ装置内にセットし、１０-6Ｔｏｒｒ台まで排気した。
次に表１の条件で、ＴｉＮx （膜厚８５ｎｍ）の単層膜
を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平行な
成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さく、方
向依存性を示した。
【００２６】［例６］例５と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＴｉＯ2 （膜厚６５ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平
行な成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さ
く、方向依存性を示した。
フロートガラス基板上にＴｉＯ2 （膜厚６５ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平
行な成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さ
く、方向依存性を示した。
【００２７】［例７］例５と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＺｎＯ（膜厚１１０ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平
行な成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さ
く、方向依存性を示した。
フロートガラス基板上にＺｎＯ（膜厚１１０ｎｍ）の単
層膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平
行な成分が大きく、基板搬送方向に垂直な成分は小さ
く、方向依存性を示した。
【００２８】［例８］例５と同様にして、厚さ２ｍｍの
フロートガラス基板上にＣｒ（膜厚１００ｎｍ）の単層
膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平行
な成分が小さく、基板搬送方向に垂直な成分は大きく、
方向依存性を示した。
フロートガラス基板上にＣｒ（膜厚１００ｎｍ）の単層
膜を成膜した。この膜の内部応力は基板搬送方向に平行
な成分が小さく、基板搬送方向に垂直な成分は大きく、
方向依存性を示した。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、成膜される膜の内部応
力に方向依存性が発生するのを防ぐことができ、結果、
膜の付着力、耐摩耗性に方向依存性が生ずるのを防ぐこ
とができる。
力に方向依存性が発生するのを防ぐことができ、結果、
膜の付着力、耐摩耗性に方向依存性が生ずるのを防ぐこ
とができる。
【図１】斜入射を防ぐ板状体を設置したコートゾーンの
断面図
断面図
１：ターゲット ２：斜入射を防ぐ板状体 ３：スパッタリング粒子 ４：基板 ５：基板搬送ロール ６：基板搬送方向
Claims (2)
- 【請求項１】基板を搬送しながら成膜するインライン型
スパッタリング装置によるスパッタリング方法におい
て、ターゲットからのスパッタリング粒子の、基板搬送
方向に沿った斜め入射を防ぐための板状体を、ターゲッ
トと基板搬送面との間に設けることを特徴とするインラ
イン型スパッタリング方法。 - 【請求項２】基板を搬送しながら成膜するインライン型
スパッタリング装置において、ターゲットからのスパッ
タリング粒子の、搬送方向に沿った斜め入射を防ぐため
の板状体が、ターゲットと基板搬送面との間に設けられ
ていることを特徴とするインライン型スパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246107A JP2000080472A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | インライン型スパッタリング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246107A JP2000080472A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | インライン型スパッタリング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000080472A true JP2000080472A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17143595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246107A Pending JP2000080472A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | インライン型スパッタリング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000080472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9121099B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Canon Anelva Corporation | Vacuum processing apparatus and processing method using the same |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10246107A patent/JP2000080472A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9121099B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Canon Anelva Corporation | Vacuum processing apparatus and processing method using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Argon et al. | Intrinsic toughness of interfaces between SiC coatings and substrates of Si or C fibre | |
| TW573298B (en) | Method to produce a hybrid-disk and said hybrid-disk | |
| JP2975151B2 (ja) | 半導体素子の連続的製造装置 | |
| US6379757B1 (en) | Silicon dioxide deposition by plasma activated evaporation process | |
| KR100654483B1 (ko) | 아연-주석 합금 스퍼터링 타깃, 스퍼터 코팅된 물품 및 자동차용 투명 용품의 제조 방법 | |
| US20060105103A1 (en) | Methods and equipment for depositing coatings having sequenced structures | |
| US9067381B2 (en) | Manufacturing method of functional film and functional film | |
| Vitrey et al. | Fabrication of black-gold coatings by glancing angle deposition with sputtering | |
| Murakami | Thermal strain in thin lead films III: Dependences of the strain on film thickness and on grain size | |
| WO2006076345A2 (en) | Reduced maintenance sputtering chambers | |
| US20090226735A1 (en) | Vacuum deposition method | |
| JP2005054244A (ja) | 成膜装置の基板トレイ | |
| JP2000080472A (ja) | インライン型スパッタリング方法および装置 | |
| JP4580636B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| US5120602A (en) | Optical elements and method of manufacture | |
| US20150203314A1 (en) | Continuous reel-to-reel arrangement | |
| US6250374B1 (en) | Apparatus and method for treating substrates | |
| JPH10176262A (ja) | 蒸着装置 | |
| JP2009174060A (ja) | 成膜装置の基板トレイ | |
| US8900423B2 (en) | Low refractive index material by sputtering deposition method | |
| JP4656926B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜の成膜方法およびｉｔｏ透明導電膜付き基板 | |
| JPH07109569A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Orlinov et al. | Mechanical stresses in DC reactively sputtered Fe2O3 thin films | |
| Nakajima et al. | Stress reduction of chromium thin films deposited by cluster-type sputtering system for ultra-large-size (550× 650 mm) substrates | |
| US6485619B2 (en) | Method for forming metal oxide film |