CN1148800C - 存储器的电容器下电极的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种存储器的电容器下电极的制造方法，用于基底，其上已形成第一绝缘层，此方法是，在第一绝缘层中形成自行对准接触窗开口，其暴露出基底上的导电区域，再在第一绝缘层上与其开口中形成第一导体层，其底部作为接触窗。以第二绝缘层填满自行对准接触窗开口，再回蚀第一导体层，以完全除去第一导体层，并继续除去第一导体层至特定深度。在自行对准接触窗开口内的第一与第二绝缘层的侧壁形成第二导体层，即为电容器下电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种存储器元件(Memory Device)的制造方法，特别是涉及一种存储器的电容器(Capacitor)下电极的制造方法。
背景技术
电容器是动态随机存取存储器(DRAM)的重要元件，为了避免DRAM储存的数据发生错误，并增加DRAM的操作效率，通常会制造具有大面积的立体式电容器，例如常见的柱状电容器(Cylinder Capacitor)。
现有柱状电容器的下电极的制造方法是先在基底上形成第一绝缘层，再于第一绝缘层中形成与基底电连接的节点接触窗。接下来于第一绝缘层上形成具有开口的第二绝缘层，此开口暴露出节点接触窗，然后在开口内壁与底部形成导体层，作为柱状电容器下电极。由于现有柱状电容器下电极的制造方法中，形成节点接触窗与柱状电容器下电极的模板(Template)，第二绝缘层中的开口)各需要一道光掩模制作工艺，故共需要两道光掩模制作工艺。因此，现有的方法不但耗费时间，也容易造成对准(Alignment)上的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储器的电容器下电极的制造方法，其所得的电容器下电极的表面积大于现有技术的，且仅需要一道光掩模制作工艺。
本发明的目的是这样实现的，即提供一种存储器的电容器下电极的制造方法，此方法适用于一基底，而此基底上已形成有第一、二绝缘层，其步骤如下：首先在第一、二绝缘层中形成一自行对准接触窗(Self-alignedContact；SAC)开口，其暴露出基底上的一导电区域，再在第一、二绝缘层上与自行对准接触窗开口中形成共形的第一导体层，此时自行对准接触窗开口底部的第一导体层作为一接触窗。接著以第三绝缘层填满此自行对准接触窗开口，再回蚀第一导体层，以完全除去自行对准接触窗开口之外的第一导体层，并继续除去自行对准接触窗开口内的第一导体层至一深度。接下来在自行对准接触窗开口内的第一、二绝缘层与第三绝缘层的侧壁形成第二导体层，此第二导体层即作为一电容器下电极。
其中以该第三绝缘层填满该自行对准接触窗开口的方法包括下列步骤：在该第一导体层上与该自行对准接触窗开口中形成一绝缘材料，该绝缘材料将该自行对准接触窗开口填满；以及除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料。
其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括等离子体蚀刻法。
除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括化学机械研磨法。
其中形成该第二导体层在该自行对准接触窗开口中的该第一、二绝缘层与该第三绝缘层的侧壁的方法，包括下列步骤：在该基底上形成共形的一导体材料；以及除去位于该第一、二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料。
其中除去位于该第一、二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料的方法包括等离子体蚀刻法。
本发明还提供一种存储器的电容器下电极的制造方法，适用在一基底上，该方法包括下列步骤：在该基底上形成一字线与一金氧半晶体管；在该字线与该金氧半晶体管上形成一第一绝缘层；在该绝缘层中形成一位线接触窗，并在该第一绝缘层上形成一位线；在该位线与该第一绝缘层上形成一第二绝缘层；在该第二绝缘层与该第一绝缘层中形成一自行对准接触窗开口，该自行对准接触窗开口暴露出该金氧半晶体管的一漏极/源极区；在该第二绝缘层上与该自行对准接触窗开口中形成共形的一第一导体层；以一第三绝缘层填满该自行对准接触窗开口；回蚀该第一导体层，以完全除去该自行对准接触窗开口之外的该第一导体层，并继续除去该自行对准接触窗开口内的该第一导体层至一深度；以及形成一第二导体层于该自行对准接触窗开口内的该第二绝缘层与该第三绝缘层的侧壁，该第二导体层作为一电容器下电极。
其中以该第三绝缘层填满该自行对准接触窗开口的方法包括下列步骤：在该第一导体层上与该自行对准接触窗开口中形成一绝缘材料，该绝缘材料将该自行对准接触窗开口填满；以及除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料。
其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括等离子体蚀刻法。
其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括化学机械研磨法。
其中在该自行对准接触窗开口中的该第二绝缘层与该第三绝缘层的侧壁形成该第二导体层的方法，包括下列步骤：在该基底上形成共形的一导体材料；以及除去位于该第二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料。
其中除去位于该第二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料的方法包括等离子体蚀刻法。
如上所述，在本发明的存储器的电容器下电极的制造方法中，作为电容器下电极主体的第二导体层不仅形成在自行对准接触窗开口内侧壁，同时也形成在自行对准接触窗开口中央的第二绝缘层的侧壁，所以此方法所得的电容器下电极的表面积会大于由现有方法所得的柱状电容器下电极的表面积。另外，由于此方法中电容器下电极的模板即是自行对准接触窗开口的上半部，所以节点接触窗与电容器下电极的形成总共只需要一道“定义自行对准接触窗开口的光掩模制作工艺”。
附图说明
下面结合附图，详细说明本发明的实施例，其中：
图1A-1E(1E′)所绘示为本发明的较佳实施例中，存储器的电容器下电极的制造方法。
具体实施方式
请参照图1A，首先提供基底100，其上形成有浅沟渠隔离层110。接着在基底100上形成闸介电层120、闸介电层120上方的字线130、字线130上方的帽盖层140，以及位于字线130与帽盖层140侧壁的间隙壁150，其中帽盖层140与间隙壁150的材质例如为氮化硅(SiN)。接下来在间隙壁150两侧的基底100中形成源极/漏极区155，即制成一金氧半晶体管(MOS)。接着在基底100上形成绝缘层160，再在绝缘层160中形成位线接触窗170，并在绝缘层160上形成位线180。接下来在基底100上覆盖绝缘层190，此绝缘层190与160所用材质的蚀刻速率远大于帽盖层140与间隙壁150的蚀刻速率，以利于后续的自行对准接触窗制作工艺。也就是说，当帽盖层140与间隙壁150的材质为氮化硅时，绝缘层190与160的材质可以是蚀刻速率远大于氮化硅的氧化硅。
请参照图1B，接着在绝缘层190与160中形成自行对准接触窗开口192，以将漏极/源极区155暴露出来。然后在绝缘层190上与自行对准接触窗开口192中形成共形的导体层200，其材质例如为多晶硅，此时自行对准接触窗开口192底部的导体层200即成为节点接触窗200a。接着在导体层200上形成绝缘层210，其将自行对准接触窗开口192填满。
请参照图1C，接着将自行对准接触窗开口192外的绝缘层210除去，其方法例如为等离子体蚀刻法(Plasma Etch)或化学机械研磨法(ChemicalMechanical Polishing；CMP)。
请参照图1D，接下来回蚀导体层200，其方法例如为等离子体蚀刻法，以完全除去自行对准接触窗开口192之外的导体层200，并继续除去自行对准接触窗开口192内的导体层200至一深度为止，该深度为一特定深度，该特定深度应小于由于回蚀导体层200而使绝缘层210从基底上脱离的回蚀导体层200的最小深度。
接下来的步骤可分为两种，其分别以图1E与图1E′为辅作说明。
请参照图1E，接下来在基底100上形成共形的导体层(图中未显示)，其材质例如为多晶硅(Polysilicon)。然后除去位于绝缘层190与210顶端，以及节点接触窗200a表面的导体层，其方法例如为等离子体蚀刻法，而使保留的导体层成为电容器下电极220。
另一种作法请参照图1E′，接下来在基底上形成数量够多，足以完全覆盖基底100表面的半球形硅晶粒层(图中未显示)。然后除去位于绝缘层190与210顶端，以及节点接触窗200a表面的半球形硅晶粒层，其方法例如为等离子体蚀刻法，而使保留的半球形硅晶粒层成为电容器下电极230，其所具有的表面积更大于上述电容器下电极220的表面积。
如上所述，请参照图1E与图1E′，在本发明较佳实施例的存储器的电容器下电极的制造方法中，作为电容器下电极220(230)不仅形成在自行对准接触窗开口192的内侧壁，同时也形成在自行对准接触窗开口192中间绝缘层210的侧壁，所以此方法所得的电容器下电极220(230)的面积大于由现有方法所得的柱状电容器下电极的表面积。另外，由于此方法中电容器下电极220(230)的模板为自行对准接触窗开口192的上半部，所以节点接触窗200a与电容器下电极220(230)的形成总共只需要一道“定义自行对准接触窗开口192的光掩模制作工艺”。
虽然结合以上一较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，本领域技术人员在本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。
Claims (20)
1.一种存储器的电容器下电极的制造方法，适用于一基底，该基底上已形成有一第一、二绝缘层(160、190)，该方法包括下列步骤：
在该第一、二绝缘层(160、190)中形成一自行对准接触窗开口，该自行对准接触窗开口暴露出该基底上的一导电区域；
在该第一、二绝缘层(160、190)上与该自行对准接触窗开口中形成共形的一第一导体层；
以一第三绝缘层(210)填满该自行对准接触窗开口；
回蚀该第一导体层，以完全除去该自行对准接触窗开口之外的该第一导体层，并继续除去该自行对准接触窗开口内的该第一导体层至一深度；以及
在该自行对准接触窗开口内的该第一、二绝缘层(160、190)与该第三绝缘层(210)的侧壁形成一第二导体层，该第二导体层作为一电容器下电极。
2.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中以该第三绝缘层填满该自行对准接触窗开口的方法包括下列步骤：
在该第一导体层上与该自行对准接触窗开口中形成一绝缘材料，该绝缘材料将该自行对准接触窗开口填满；以及
除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料。
3.如权利要求2所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括等离子体蚀刻法。
4.如权利要求2所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括化学机械研磨法。
5.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中回蚀该第一导体层的方法包括等离子体蚀刻法。
6.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中形成该第二导体层在该自行对准接触窗开口中的该第一、二绝缘层与该第三绝缘层的侧壁的方法，包括下列步骤：
在该基底上形成共形的一导体材料；以及
除去位于该第一、二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料。
7.如权利要求6所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该第一、二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料的方法包括等离子体蚀刻法。
8.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第二导体层的材质包括多晶硅。
9.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第二导体层是由连成一片的多个半球形硅晶粒所构成。
10.如权利要求1所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第一导体层的材质包括多晶硅。
11.一种存储器的电容器下电极的制造方法，适用在一基底上，该方法包括下列步骤：
在该基底上形成一字线与一金氧半晶体管；
在该字线与该金氧半晶体管上形成一第一绝缘层(160)；
在该绝缘层中形成一位线接触窗，并在该第一绝缘层(160)上形成一位线；
在该位线与该第一绝缘层(160)上形成一第二绝缘层(190)；
在该第二绝缘层(190)与该第一绝缘层(160)中形成一自行对准接触窗开口，该自行对准接触窗开口暴露出该金氧半晶体管的一漏极/源极区；
在该第二绝缘层(190)上与该自行对准接触窗开口中形成共形的一第一导体层；
以一第三绝缘(210)层填满该自行对准接触窗开口；
回蚀该第一导体层，以完全除去该自行对准接触窗开口之外的该第一导体层，并继续除去该自行对准接触窗开口内的该第一导体层至一深度；以及
形成一第二导体层于该自行对准接触窗开口内的该第二绝缘层(190)与该第三绝缘层(210)的侧壁，该第二导体层作为一电容器下电极。
12.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中以该第三绝缘层填满该自行对准接触窗开口的方法包括下列步骤：
在该第一导体层上与该自行对准接触窗开口中形成一绝缘材料，该绝缘材料将该自行对准接触窗开口填满；以及
除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料。
13.如权利要求12所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括等离子体蚀刻法。
14.如权利要求12所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该自行对准接触窗开口之外的该绝缘材料的方法包括化学机械研磨法。
15.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中回蚀该第一导体层的方法包括等离子体蚀刻法。
16.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中在该自行对准接触窗开口中的该第二绝缘层与该第三绝缘层的侧壁形成该第二导体层的方法，包括下列步骤：
在该基底上形成共形的一导体材料；以及
除去位于该第二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料。
17.如权利要求16所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去位于该第二绝缘层与该第三绝缘层顶端的该导体材料的方法包括等离子体蚀刻法。
18.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第二导体层的材质包括多晶硅。
19.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第二导体层由连成一片的多个半球形硅晶粒所构成。
20.如权利要求11所述的存储器的电容器下电极的制造方法，其中该第一导体层的材质包括多晶硅。
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