CN114866927A - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈，第一磁路结构和第二磁路结构均设于导磁板，第一磁路结构位于中心区域，第二磁路结构设于第一磁路结构的外围；第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，第一磁路结构远离导磁板的一侧形成低音磁间隙；高音音圈设于高音振膜的靠近导磁板的一侧，并对应高音磁间隙设置，高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；低音音圈设于低音振膜的靠近导磁板的一侧，并对应低音磁间隙设置。本发明技术方案旨在提升高音振膜的振动稳定性，以提升发声器件的高音性能。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音振膜上安装的高音音圈导致高音振膜的重量分布不均匀，不利于高音振膜的高频振动，影响了发声器件的高音性能。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升高音振膜的振动稳定性，以提升发声器件的高音性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成低音磁间隙；

高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；以及

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置。

可选地，所述高音音圈由导线绕制而成，所述高音音圈在径向上具有多个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有多个导线圈；所述高音音圈在径向上至少具有六个导线层。

可选地，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上至多具有两个导线圈。

可选地，所述第一磁路结构形成有第一磁区和环设于所述第一磁区外的第二磁区，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构形成所述高音磁间隙；

所述第二磁区和所述第二磁路结构的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成所述低音磁间隙。

可选地，所述第一磁路结构包括第一磁体和第一华司，所述第一磁体固设于所述导磁板，所述第一磁区和所述第二磁区形成于所述第一磁体，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司固接于所述第一磁区，所述第二子华司固接于所述第二磁区，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述高音磁间隙。

可选地，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有夹设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区。

可选地，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。

可选地，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体设置于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。

可选地，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反。

可选地，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。

可选地，当所述辅助磁体形成有所述双磁区时，所述辅助磁体设置为整体式结构，所述辅助磁体还形成有夹设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区。

可选地，所述辅助磁体包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体，所述第二辅助磁体环设于所述第一辅助磁体外，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体。

可选地，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向均对应为轴向充磁。

可选地，所述第二磁路结构包括第二磁体和第二华司，所述第二磁体固接于所述导磁板，所述第二华司固接于所述第二磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第二磁体和所述第二磁区的充磁方向相反。

本发明还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

本发明技术方案中，高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍，以使得高音音圈呈扁平状，高音音圈增加的重量不会过于集中于高音振膜，而能相对均匀地分布在高音振膜的径向方向上，有利于提升高音振膜的振动稳定性，从而能够提升发声器件的高音性能。并且，第一磁路结构在形成高音磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成低音磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用，从而能够减小发声器件的体积，以提升其在音频设备内的装配便利性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本发明发声器件一实施例的爆炸结构示意图；

图3为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图4为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图5为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图6为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图7为图3所示的结构在盖体导磁且不设置辅助磁体时时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图8为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图9为图3所示的结构在盖体不导磁且设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图10为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时另一实施例所对应的磁场仿真云图；

图11为图4所示的结构在盖体导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				110	导磁板	400	高音音圈
120	壳体	500	高音振膜
				101	出音孔	620	低音振膜
200	第一磁路结构	621	避让孔
				210	第一磁体	620	低音音圈
211	第一子磁体	700	盖体
				212	第二子磁体	702	第三避让部
220	第一华司	800	辅助磁体
				221	第一子华司	801	连通孔
222	第二子华司	802	第二避让部
				223	安装环凸	803	第一避让部
224	限位环凸	810	第一辅助磁体
				300	第二磁路结构	820	第二辅助磁体
310	第二磁体	H	高音磁间隙
				320	第二华司	L	低音磁间隙

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声器件。

在本发明一实施例中，如图1至图6所示，该发声器件，包括：

导磁板110；

第一磁路结构200、第二磁路结构300，均设于所述导磁板110，所述第一磁路结构200位于中心区域，所述第二磁路结构300设于所述第一磁路结构200的外围；所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有高音磁间隙H，所述第一磁路结构200远离所述导磁板110的一侧形成低音磁间隙L；

高音振膜500、高音音圈400，所述高音音圈400设于所述高音振膜500的靠近所述导磁板110的一侧，并对应所述高音磁间隙H设置，所述高音音圈400的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；以及

低音振膜620、低音音圈620，所述低音音圈620设于所述低音振膜620的靠近所述导磁板110的一侧，并对应所述低音磁间隙L设置。

需要说明的是，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的轴向即为高音振膜500和低音振膜620的振动方向，其径向则与导磁板110的延伸方向相并行，其周向则以前述的轴向和径向为基准定位。

本发明技术方案中，高音音圈400的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍，以使得高音音圈400呈扁平状，高音音圈400增加的重量不会过于集中于高音振膜500，而能相对均匀地分布在高音振膜500的径向方向上，有利于提升高音振膜500的振动稳定性，从而能够提升发声器件的高音性能。并且，第一磁路结构200在形成高音磁间隙H的同时，还与第二磁路结构300构造形成低音磁间隙L，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用，从而能够减小发声器件的体积，以提升其在音频设备内的装配便利性。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈400由导线绕制而成，所述高音音圈400在径向上具有多个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈400的轴向上具有多个导线圈；所述高音音圈400在径向上至少具有六个导线层。如此，能够使得高音音圈400具备足够的径向环宽，以使高音音圈400的重量能够相对均匀地分布于高音振膜500，从而提升高音振膜500的振动稳定性，进而提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，每一所述导线层在所述高音音圈400的轴向上至多具有两个导线圈。如此，能够减小高音振膜500单位面积的受力，从而使得高音振膜500的受力更均匀，高音振膜500的振动也能更稳定。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁路结构200形成有第一磁区和环设于所述第一磁区外的第二磁区，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构200形成所述高音磁间隙H；所述第二磁区和所述第二磁路结构300的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成所述低音磁间隙L。可以理解，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构300均采用轴向充磁的方式进行充磁，如此，在远离导磁板110的一侧，第一磁路结构200形成高音磁间隙H，第一磁路结构200和第二磁路结构300之间形成低音磁间隙L。当然，在其他实施例中，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构300也可以采用其他方式(如径向充磁)或其他方向进行充磁。

进一步地，在本实施例中，如图3至图6所示，所述第一磁路结构200包括第一磁体210和第一华司220，所述第一磁体210固设于所述导磁板110，所述第一磁区和所述第二磁区形成于所述第一磁体210，所述第一华司220包括第一子华司221和间隔环设于所述第一子华司221外的第二子华司222，所述第一子华司221固接于所述第一磁区，所述第二子华司222固接于所述第二磁区，所述第一子华司221和所述第二子华司222之间形成有所述高音磁间隙H。由于第一子华司221和第二子华司222的导磁作用，高音磁间隙H的磁场的磁感线分布更加密集，有利于进一步提升高音振膜500的振动稳定性，从而能够进一步保障发声器件的高音性能。不失一般性，所述第二磁路结构300包括第二磁体310和第二华司320，所述第二磁体310包括固接于所述导磁板110的两个半环形磁体，所述第二华司320固接于所述第二磁体310的远离所述导磁板110的一侧。第二磁体310的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，在第二华司320和第二子华司222的导磁作用下，第二华司320和第二子华司222之间形成低音磁间隙L，且磁场的磁感线分布更加密集。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁区的直径小于或等于所述第二磁区的环宽。如此，能使得第二磁区的面积更大，能够提升第二磁区的磁场强度，有利于兼顾高音磁间隙H和低音磁间隙L的电声转换效率，以保障发声器件的高音性能和低音性能。

在一实施例中，如图2、图5和图6所示，所述第一磁体210为整体式结构，所述第一磁体210还形成有夹设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区如此，有利于提升第一磁体210在生产装配时的安装便利性，从而提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈400对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈400的环宽。如此，有利于提升第一子华司221和第二子华司222的磁场强度，由此提升高音磁间隙H的磁场对高音线圈的作用力，而使得高音磁间隙H的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图3和图4所示，所述第一磁体210包括分体设置的第一子磁体211和第二子磁体212，所述第二子磁体212环设于所述第一子磁体211外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体211，所述第二磁区形成于所述第二子磁体212。本实施例中，分别对第一子磁体211和第二子磁体212进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一子磁体211和第二子磁体212的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。

进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体211和所述第二子磁体212之间的间隙小于所述第一子华司221和所述第二子华司222之间的间隙。如此，在第一子华司221和第二子华司222之间需形成供高音音圈400插设的间隙时，第一子磁体211和第二子磁体212能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司221和第二子华司222之间的磁场强度，也即提升高音磁间隙H的电声转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体211和第二子磁体212紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图2至图6所示，所述发声器件还包括辅助磁体800，所述辅助磁体800设置于所述高音振膜500的远离所述导磁板110的一侧。本实施例中，可对辅助磁体800的充磁方向进行调整，具体地，可通过使辅助磁体800的磁场影响第二子华司222和第一子华司221或第二华司320之间的磁感线走向，从而能对应提升高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度，以对应提升发声器件的高音性能或低音性能。可以理解，低音磁间隙L和高音磁间隙H的形成都和第一磁路结构200有关，特别是跟第一磁区有关，因此，在需要对低音磁间隙L或高音磁间隙H的电声转换效率进行调整时，对第一磁路结构200和第二磁路结构300进行调整，都有可能会导致另一磁间隙发生很大变化，很多时候都需要对第一磁路结构200和第二磁路结构300同时进行适应性调整，导致调整和验证的工作量大，而对辅助磁体800进行调整，则不涉及到对主要磁路结构的调整，能够非常方便地对高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度进行调整，从而获得所需的电声转换效率。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有单磁区。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同。请一并参照图7和图10，图7和图10所对应的发声器件的结构的区别在于，图7对应的结构不设置辅助磁体800，图10对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图7对应的低音BL(电力耦合因子)为0.56921，高音BL(电力耦合因子)为为0.1811，图10对应的低音BL为0.5802，高音BL为0.138523。由此可见，在辅助磁体800的作用下，低音磁间隙L的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈620，低音BL显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同。请一并参照图7和图8，图7和图8所对应的发声器件的结构的区别在于，图7对应的结构不设置辅助磁体800，图8对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图7对应的低音BL为0.56921，高音BL0.1811，图8对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983。由此可见，在辅助磁的作用下，高音磁间隙H的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高音音圈400，高音BL显著提升，有利于提升高音单元的电声转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式。

进一步地，在本实施例中，所述高音磁间隙H的正投影位于所述辅助磁体800的正投影的区域内。其中，高音磁间隙H的正投影指第一子华司221和第二子华司222在导磁板110上的投影之间的间隙，辅助磁体800的正投影指辅助磁体800在导磁板110上的投影。如此，辅助磁体800既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体800能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体800的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体800中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加高音磁间隙H处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音音圈400；当辅助磁体800的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体800周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构300的磁感线，以增加低音磁间隙L处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音音圈620。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体800同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音BL和低音BL不同的调整需求。请一并参照图7和11，图7和图11所对应的发声器件的结构的区别在于，图7对应的结构不设置辅助磁体800，图11对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图7对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图11对应的低音BL为0.57533，高音BL为0.25425。由此可见，辅助磁体800设置的第三磁区和第四磁区能够影响高音磁间隙H和低音磁间隙L处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音音圈400和低音音圈620，高音BL和低音BL均能有所提升，其中高音BL的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。

在本实施例中，可选地，如图3和图5所示，所述辅助磁体800设置为整体式结构，所述辅助磁体800还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体800在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

在本实施例中，可选地，如图4和图6所示，所述辅助磁体800包括第一辅助磁体810和环设于所述第一辅助磁体810外的第二辅助磁体820，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体810，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体820。本实施例中，辅助磁体800包括分体设置的第一辅助磁体810和第二辅助磁体820，分别对第一辅助磁体810和第二辅助磁体820进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820的间隙相对高音磁间隙H设置，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，如图2至图6所示，所述发声器件还包括盖体700，所述盖体700设于所述高音振膜500远离所述导磁板110的一侧，所述盖体700的中心位置设有出音孔101；所述辅助磁体800结合于所述盖体700靠近所述高音振膜500的一侧，所述辅助磁体800设置有相对所述出音孔101的连通孔801。盖体700可供辅助磁体800固定安装，辅助磁体800和盖体700分别对应地开设有相连通的连通孔801和出音孔101，高音振膜500引起的空气振动能够经由连通孔801从出音孔101处向盖体700外传播。当然，在其他实施例中，辅助磁体800也可以装设于第二子华司222上。

进一步地，在本实施例中，如图3至图6所示，所述低音振膜620设有避让所述出音孔101的避让孔621，所述避让孔621对应所述出音孔101设置，且所述低音振膜620对应所述避让孔621的内周固定于所述盖体700。如此，低音振膜620的内周能够相对稳定地安装在盖体700上，由于盖体700的分隔作用，高音振膜500引起的空气振动不会对低音振膜620产生干扰，低音振膜620引起的空气振动也不会对高音振膜500产生干扰，有利于进一步保障发声器件的高音和低音之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。另外，低音振膜620的外周固定连接于壳体120的周部。

进一步地，在本实施例中，所述连通孔801的孔径大于或等于所述出音孔101的孔径。如此，可保障高音出音的通畅性，避免对高音的低频区域造成压制，有利于保障发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述盖体700的材质为导磁材质。请一并参照图8和图9，图8和图9分别为相同结构的发声器件在盖体700导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图8对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983，图9对应的低音BL为0.55447，高音BL为0.21978，由此可见，盖体700导磁有利于提升高音磁间隙H和低音磁间隙L的磁场强度，能够提升发声器件的高音BL和低音BL，从而能提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，所述辅助磁体800与所述第一磁体210同轴设置，也即，辅助磁体800的中心轴线与第一磁体210的中心轴线重合，当辅助磁体800和第一磁体210设置为分体式时，其各部分的中心轴线均重合。如此，能够使高音磁间隙H和低音磁间隙L在周向上保持均匀的磁感应强度，而使高音线圈和低音线圈在周向上受到均匀的驱动力，从而使得高音振膜500和低音振膜620的振动均匀，有利于保障发声器件的声学性能。

在一实施例中，如图3和图4所示，所述辅助磁体800位于所述高音振膜500和所述低音振膜620之间，所述辅助磁体800靠近所述高音振膜500的一侧设置有避让所述高音振膜500的折环部的第一避让部803。具体而言，第一避让部803为辅助磁体800靠近高音振膜500的表面朝背离高音振膜500的方向倾斜设置的结构，如此，可在高音振膜500的折环部朝远离导磁板110的方向振动时，避免辅助磁体800对其产生干涉，以保障发声器件的高音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有相对高音振膜500的折环部设置的部分。

进一步地，在本实施例中，如图3和图4所示，所述辅助磁体800靠近所述低音振膜620的一侧设置有避让所述低音振膜620的折环部的第二避让部802。具体而言，第二避让部802为辅助磁体800靠近低音振膜620的表面朝向背离低音振膜620的方向倾斜设置的结构，如此，可在低音振膜620的折环部朝靠近导磁板110的方向振动时，避免辅助磁体800对其产生干涉，以保障发声器件的低音性能。进一步地，当辅助磁体800的远离导磁板110的一侧设置有盖体700时，盖体700靠近所述低音振膜620的一侧设置有避让所述低音振膜620的折环部的第三避让部702，第二避让部802与第三避让部702相适配，如此，不仅可在低音振膜620的折环部朝靠近导磁板110的方向振动时，避免盖体700对其产生干涉，以进一步保障发声器件的低音性能，还可使辅助磁体800能够更贴合于盖体700设置，从而在辅助磁体800粘接于盖体700时，使得二者的连接更稳固。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有与低音振膜620的折环部上的朝靠近导磁板110倾斜延伸的部分相对设置的部分。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述第二子华司222的远离所述导磁板110的一侧设置有安装环凸223，所述高音振膜500的外周固定连接于所述安装环凸223。其中，安装环凸223可以是一体成型于第二子华司222上，也可以是独立于第二子华司222的结构，通过粘接或卡接的方式固定于第二子华司222。高音振膜500的外周连接于安装环凸223，如此，在安装环凸223的内侧空间，高音振膜500和第二子华司222及第一子华司221之间能够具有间隙，该间隙能够覆盖高音振膜500的振幅，以使高音振膜500的振动不受干扰，从而保障发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述盖体700的外周部对应所述安装环凸223设置，并固接于所述高音振膜500远离所述安装环凸223的一侧，所述安装环凸223的外周连接有较所述安装环凸223向远离所述导磁板110的方向凸设的限位环凸224，所述盖体700被限位于所述限位环凸224的内侧。如此，有利于提升盖体700在第二子华司222上的安装稳定性，以保障发声器件的结构稳定性，另外，限位环凸224还可在装配盖体700时提供定位作用，有利于提升盖体700的装配便利性，从而能够提升发声器件的生产效率。

本发明还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成低音磁间隙；

高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；以及

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音音圈由导线绕制而成，所述高音音圈在径向上具有多个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有多个导线圈；

所述高音音圈在径向上至少具有六个导线层；和/或，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上至多具有两个导线圈。

3.如权利要求1或2所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构形成有第一磁区和环设于所述第一磁区外的第二磁区，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构形成所述高音磁间隙；

所述第二磁区和所述第二磁路结构的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成所述低音磁间隙。

4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构包括第一磁体和第一华司，所述第一磁体固设于所述导磁板，所述第一磁区和所述第二磁区形成于所述第一磁体，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司固接于所述第一磁区，所述第二子华司固接于所述第二磁区，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述高音磁间隙。

5.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有夹设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区；

或，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。

6.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体设置于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。

7.如权利要求6所述的发声器件，其特征在于，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反；

或，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。

8.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，当所述辅助磁体形成有所述双磁区时，所述辅助磁体设置为整体式结构，所述辅助磁体还形成有夹设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区；

或，所述辅助磁体包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体，所述第二辅助磁体环设于所述第一辅助磁体外，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体。

9.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向均对应为轴向充磁；

和/或，所述第二磁路结构包括第二磁体和第二华司，所述第二磁体固接于所述导磁板，所述第二华司固接于所述第二磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第二磁体和所述第二磁区的充磁方向相反。

10.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的发声器件。

11.如权利要求10所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

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