CN113691912A - 发声装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声装置和电子设备，所述发声装置包括盆架、磁路系统、第一振动系统及第二振动系统，所述盆架设有容置槽，所述磁路系统设于所述容置槽内，所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积，所述第一振动系统设于所述安装腔内，并对应所述前声通道设置，所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口，并与所述磁路系统相对，所述第二振动系统设有连通孔，所述连通孔与所述前声通道对应连通。本发明旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置，使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质，且不增加发声装置的体积。

Description

发声装置和电子设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。

背景技术

发声器件是电子设备中的重要声学部件，其为一种把电信号转变为声信号的换能器件。根据当前TWS发声器件市场对声学相关的需求，主要是ANC和高频音质提升，即需要满足对全频段音质的追求，同时发声器件单元内核又逐渐小型化，市场急需要同时兼顾低频段和高频段的声学性能且体积又不大的内核。但是，相关技术中的发声器件无法兼顾低频段和高频段的音质，同时不增加发声器件的体积。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种内嵌式双单元结构的发声装置，使得发声装置同时保证低频段和高频段的音质，且不增加发声装置的体积。

为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容置槽；

磁路系统，所述磁路系统设于所述容置槽内，所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积；

第一振动系统，所述第一振动系统设于所述安装腔内，并对应所述前声通道设置；及

第二振动系统，所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口，并与所述磁路系统相对，所述第二振动系统设有连通孔，所述连通孔与所述前声通道对应连通。

在一实施例中，所述磁路系统包括：

中心磁路组，所述中心磁路组包括第一磁路组和第二磁路组，所述第一磁路组设于所述容置槽内，所述第二磁路组设于所述第一磁路组背向所述容置槽底壁的一侧，并与所述第一磁路组围合形成所述安装腔，所述第二磁路组设有所述前声通道；和

边磁路组，所述边磁路组设于所述容置槽内，并环绕所述第一磁路组、所述第二磁路组设置，所述边磁路组与所述第一磁路组、所述第二磁路组间隔以形成第一磁间隙。

在一实施例中，所述第一磁路组设有第二磁间隙，所述第二磁间隙与所述前声通道位于所述第一振动系统的相对两侧；

其中，所述第二磁间隙在所述容置槽底壁的投影环绕所述前声通道在所述容置槽底壁的投影。

在一实施例中，所述第一磁路组包括：

中心磁路部，所述中心磁路部设于所述容置槽内；和

边磁路部，所述边磁路部设于所述容置槽内，并环绕所述中心磁路部设置，所述边磁路部与所述中心磁路部间隔以形成所述第二磁间隙，所述第二磁路组设于所述边磁路部背向所述容置槽底壁的一侧，使所述第二磁路组、所述边磁路部及所述中心磁路部围合形成所述安装腔，所述边磁路组与所述边磁路部、所述第二磁路组间隔以形成所述第一磁间隙；

其中，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影位于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影范围内，且所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影面积。

在一实施例中，所述中心磁路部包括中心磁铁和中心华司，所述中心磁铁设于所述容置槽内，并与所述边磁路部间隔，所述中心华司设于所述中心磁铁背向所述容置槽的底壁，并与所述边磁路部间隔；

所述边磁路部包括第一边磁铁和第一边华司，所述第一边磁铁设于所述容置槽内，并位于所述中心磁铁和所述边磁路组之间，所述第一边华司设于所述第一边磁铁背向所述容置槽底壁的一侧，并位于所述中心华司和所述边磁路组之间，所述第二磁路组设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧，并与所述中心华司间隔且相对；

所述第一边华司面向所述中心华司的一侧设有安装槽，所述第一振动系统的周缘容纳并限位于所述安装槽内。

在一实施例中，所述第一振动系统包括：

第一振膜，所述第一振膜的周缘限位于所述安装槽内，并与所述中心华司相对，所述第一振膜位于所述第二磁路组和所述中心华司之间；和

第一音圈，所述第一音圈与所述第一振膜面向所述中心华司的一侧连接，并与所述第二磁间隙对应，所述第一音圈环绕所述中心华司设置。

在一实施例中，所述第一振动系统还包括设于所述安装槽的两个支撑块，所述第一振膜的周缘夹设于两个所述支撑块之间；

且/或，所述第二磁路组包括环形磁铁和环形华司，所述环形磁铁设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧，并与所述中心华司间隔且相对，所述环形华司设于所述环形磁铁背向所述第一边华司的一侧，并与所述第二振动系统连接，所述前声通道贯通所述环形磁铁和所述环形华司；

且/或，所述中心华司的面积小于所述中心磁铁的面积；

且/或，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心华司的面积；

且/或，所述第一振膜为平面振膜。

在一实施例中，所述边磁路组包括：

第二边磁铁，所述第二边磁铁设于所述容置槽内，并环绕所述第一磁路组和所述第二磁路组设置；和

第二边华司，所述第二边华司设于所述第二边磁铁背向所述容置槽底壁的一侧，并环绕所述中心磁路组设置；

其中，所述第二边磁铁和所述第二边华司均与所述中心磁路组间隔以形成所述第一磁间隙。

在一实施例中，所述第二振动系统包括：

第二振膜，所述第二振膜盖合所述容置槽的槽口，所述第二振膜设有所述连通孔；

第二音圈，所述第二音圈的一端与所述第二振膜连接，所述第二音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内。

在一实施例中，所述第二振动系统还包括支撑环，所述支撑环连接所述第二振膜和所述第二磁路组，并环绕所述前声通道设置。

在一实施例中，所述第二振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的第一折环部以及连接于所述第一折环部外侧的固定部，所述固定部与所述盆架连接，所述中央部设有所述连通孔，所述第二音圈连接于所述中央部，并环绕所述连通孔设置，所述中央部还设有第二折环部，所述第二折环部环绕所述连通孔设置，并位于所述支撑环和所述第二音圈之间；

且/或，所述第二振膜在所述容置槽底壁的投影与所述第一振动系统在所述容置槽底壁的投影部分重合。

在一实施例中，所述盆架设有连通所述容置槽的第一泄漏孔，所述第一泄漏孔对应所述第一磁间隙设置；

且/或，所述盆架设有连通所述容置槽的第二泄漏孔，所述第二泄漏孔对应所述第二磁间隙设置。

本发明还提出一种电子设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

本发明技术方案的发声装置通过将磁路系统设置于盆架的容置槽内，并在磁路系统内设置安装腔和连通安装腔的前声通道，使得前声通道在容置槽底壁的投影面积小于安装腔在容置槽底壁的投影面积，从而将第一振动系统设置于磁路系统的安装腔内，并对应前声通道设置，以实现第一振动系统的内嵌式设置，同时将第二振动系统盖合盆架的容置槽槽口，并与磁路系统相对，并在第二振动系统上对应前声通道设置连通孔，从而利用第二振动系统与内嵌设置的第一振动系统构成双单元结构，如此使得发声装置保证低频段和高频段音质的同时，且不增加发声装置的体积。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声装置的分解示意图；

图2为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图3为本发明一实施例中盆架的结构示意图；

图4为本发明一实施例中第一边华司的结构示意图；

图5为本发明一实施例中发声装置与常规发声装置的仿真测试图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	发声装置	2122	环形磁铁
1	盆架	2123	环形华司
				11	容置槽	22	边磁路组
12	第一泄漏孔	221	第二边磁铁
				13	第二泄漏孔	222	第二边华司
2	磁路系统	23	第一磁间隙
				21	中心磁路组	3	第一振动系统
21a	安装腔	31	第一振膜
				211	第一磁路组	32	第一音圈
2111	第二磁间隙	33	支撑块
				2112	中心磁路部	4	第二振动系统
2113	中心磁铁	41	第二振膜
				2114	中心华司	411	连通孔
2115	边磁路部	412	中央部
				2116	第一边磁铁	413	第一折环部
2117	第一边华司	414	固定部
				2118	安装槽	415	第二折环部
212	第二磁路组	42	第二音圈
				2121	前声通道	43	支撑环

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

发声器件是电子设备中的重要声学部件，其为一种把电信号转变为声信号的换能器件。根据当前TWS发声器件市场对声学相关的需求，主要是ANC和高频音质提升，即需要满足对全频段音质的追求，同时发声器件单元内核又逐渐小型化，市场急需要同时兼顾低频段和高频段的声学性能且体积又不大的内核。但是，相关技术中的发声器件无法兼顾低频段和高频段的音质，同时不增加发声器件的体积。

本发明通过构建一种双单元结构的发声装置，使得双单元结构中一个为低音单元，一个为高音单元，并将高音单元内嵌在低音单元的中，使这种内嵌式的双单元结构保证低频段和高频段音质的同时，且不增加发声装置的体积。

基于上述构思和问题，本发明提出一种发声装置100，可以理解的，该发声装置100应用于电子设备，电子设备可以是耳机、手机、音响、电脑、手表或电视等，在此不做限定。

请结合参照图1至图3所示，在本发明实施例中，该发声装置100包括盆架1、磁路系统2、第一振动系统3及第二振动系统4，其中，盆架1设有容置槽11，磁路系统2设于容置槽11内，磁路系统2设有安装腔21a和连通安装腔21a的前声通道2121，前声通道2121在容置槽11底壁的投影面积小于安装腔21a在容置槽11底壁的投影面积，第一振动系统3设于安装腔21a内，并对应前声通道2121设置，第二振动系统4盖合容置槽11的槽口，并与磁路系统2相对，第二振动系统4设有连通孔411，连通孔411与前声通道2121对应连通。

在本实施例中，盆架1用于安装、固定和支撑磁路系统2、第一振动系统3及第二振动系统4等部件，通过在盆架1内设置容置槽11，从而利用容置槽11限位安装磁路系统2。可以理解的，盆架1可以是导磁轭或导磁板等，当然，盆架1也可以为塑料材质，在此不做限定。

可以理解的，磁路系统2用于提供磁场，第一振动系统3和第二振动系统4将外部电流传入磁路系统2提供的磁场内，在磁力线作用下，将电能转换为机械能，从而使得第一振动系统3和第二振动系统4发生振动，以实现振动发声，进一步将机械能转换为声能。

在本实施例中，第二振动系统4盖合容置槽11的槽口，并与磁路系统2相对，以使得第二振动系统4与磁路系统2构成低音单元，通过在磁路系统2内设有安装腔21a，并设置连通安装腔21a的前声通道2121，并在第二振动系统4对应前声通道2121设置连通孔411，使得连通孔411与前声通道2121对应连通，如此将第一振动系统3设于安装腔21a内，并对应前声通道2121设置，使得第一振动系统3内嵌于第二振动系统4和磁路系统2构成的低音单元内部，以使得第一振动系统3与磁路系统2构成高音单元，如此可使得发声装置100既有效减小了体积，还能够保证低频段和高频段音质。

如图5所示，本发明的发声装置100中高音单元与常规发声装置的仿真性能测试对比图。可以理解的，第一振动系统3内嵌于磁路系统2的安装腔21a内，并通过前声通道2121和连通孔411与外部实现连通，从而构成亥姆霍兹共鸣器，当安装腔21a内的空气受到第一振动系统3振动波动的强制压缩时，前声通道2121和连通孔411构成的管道内的空气会发生振动性的运动，而安装腔21a内的空气对之产生恢复力，也即安装腔21a内的空气形成一个“空气弹簧”，在声波波长远大于共鸣器几何尺度的情况下，可以认为共鸣器内的空气振动的动能集中于管道内空气的运动，势能仅与腔体内空气的弹簧形变有关。这样共鸣器是由管道内空气有效质量和腔体内空气弹性组成的一维振动系统，因而对施加作用的波动有共振现象。

本发明的发声装置100通过将磁路系统2设置于盆架1的容置槽11内，并在磁路系统2内设置安装腔21a和连通安装腔21a的前声通道2121，使得前声通道2121在容置槽11底壁的投影面积小于安装腔21a在容置槽11底壁的投影面积，从而将第一振动系统3设置于磁路系统2的安装腔21a内，并对应前声通道2121设置，以实现第一振动系统3的内嵌式设置，同时将第二振动系统4盖合盆架1的容置槽11槽口，并与磁路系统2相对，并在第二振动系统4上对应前声通道2121设置连通孔411，从而利用第二振动系统4与内嵌设置的第一振动系统3构成双单元结构，如此使得发声装置100保证低频段和高频段音质的同时，且不增加发声装置的体积。

在本实施例中，内嵌于磁路系统2的安装腔21a内的第一振动系统3与第二振动系统4共用磁路系统2，以使得第一振动系统3与磁路系统2构成的高音单元内嵌于第二振动系统4与磁路系统2构成的低音单元内，使得低音单元和高音单元同向发声，也即第一振动系统3和第二振动系统4同向振动发声，从而使得第一振动系统3通过前声通道2121和连通孔411形成前声管道发声，有效提高了发声装置100的高频音质，如此使得发声装置100的高音单元为上下双磁路结构，高音BL比常规单磁路的转化效率高，且内嵌式设置方式，在发声装置100与常规发声装置尺寸相同的情况下，本发明发声装置100的有效振动面积增大，从而有效提高低频灵敏度。

在一实施例中，磁路系统2包括中心磁路组21和边磁路组22，其中，中心磁路组21包括第一磁路组211和第二磁路组212，第一磁路组211设于容置槽11内，第二磁路组212设于第一磁路组211背向容置槽11底壁的一侧，并与第一磁路组211围合形成安装腔21a，第二磁路组212设有前声通道2121，边磁路组22设于容置槽11内，并环绕第一磁路组211和第二磁路组212设置，边磁路组22与第一磁路组211、第二磁路组212间隔以形成第一磁间隙23。

在本实施例中，如图1和图2所示，通过将中心磁路组21设置为第一磁路组211和第二磁路组212，使得第一磁路组211和第二磁路组212围合形成安装腔21a，从而在第一振动系统3设置于安装腔21a时，中心磁路组21的第一磁路组211和第二磁路组212与第一振动系统3构成的高音单元为上下双磁路结构，从而有效提高了高音BL的转化效率。

可以理解的，边磁路组22设于容置槽11内，并环绕第一磁路组211、第二磁路组212设置，使得边磁路组22与第一磁路组211、第二磁路组212间隔以形成第一磁间隙23，从而构成第二振动系统4的振动磁场。

在一实施例中，如图1和图2所示，第二振动系统4包括第二振膜41和第二音圈42，其中，第二振膜41盖合容置槽11的槽口，第二振膜41设有连通孔411，第二音圈42的一端与第二振膜41连接，第二音圈42的另一端悬设于第一磁间隙23内。

可以理解的，当第二音圈42与外部电路导通，利用第二音圈42将电能传递至边磁路组22与第一磁路组211、第二磁路组212间隔以形成第一磁间隙23，并在第一磁间隙23产生的磁力线作用下，使得第二音圈42、第二振膜41作上下运动，也即利用磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能，从而使得第二音圈42发生振动，并带动第二振动系统4的第二振膜41实现振动发声，进一步将机械能转换为声能。也即设置于第一磁间隙23内的第二音圈42接收到外部变化的交流电信号后，在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动，带动第二振动系统4的第二振膜41振动发声。

在一实施例中，如图1和图3所示，第二振动系统4还包括支撑环43，支撑环43连接第二振膜41和第二磁路组212，并环绕前声通道2121设置。

可以理解的，通过设置支撑环43，使得第二振膜41通过支撑环43与第二磁路组212连接，也即支撑环43夹设于第二振膜41和第二磁路组212之间，从而提高第二振膜41的安装稳定性，同时避免第二音圈42带动第二振膜41振动过程中发生左右摆动现象。

在本实施例中，支撑环43呈圆弧状设置，也即为整个环形结构，如此支撑环43的内环环绕前声通道2121设置，也即连通孔411、支撑环43及前声通道2121呈同轴设置，并依次连通从而构成前声管道，以方便第一振动系统3振动出声，有效提高高频音质。

当然，在其他实施例中，支撑环43包括多个支撑块，多个支撑块间隔设置于第二振膜41和第二磁路组212之间，并环绕前声通道2121设置，如此设置可节省材质，并实现第二振膜41的安装稳定性，同时避免第二音圈42带动第二振膜41振动过程中发生左右摆动现象，在此不做限定。可选地，支撑环43为钢环结构。

在一实施例中，第一磁路组211设有第二磁间隙2111，第二磁间隙2111与前声通道2121位于第一振动系统3的相对两侧；其中，第二磁间隙2111在容置槽11底壁的投影环绕前声通道2121在容置槽11底壁的投影。

在本实施例中，通过在第一磁路组211上设置第二磁间隙2111，第二磁间隙2111与安装腔21a连通，使得第二磁间隙2111与前声通道2121位于第一振动系统3的相对两侧，也即第一振动系统3的上下均形成磁路结构，构成双磁路结构，如此可使得高音BL比常规单磁路的转化效率高。

可以理解的，第二磁间隙2111在容置槽11底壁的投影环绕前声通道2121在容置槽11底壁的投影，也即第二振动系统4的第二振膜41在容置槽11底壁的投影覆盖部分第一振动系统3在容置槽11底壁的投影，如此增大了第二振动系统4的第二振膜41有效振动面积，从而有效提高发声装置100的低频灵敏度。

在一实施例中，第一磁路组211包括中心磁路部2112和边磁路部2115，其中，中心磁路部2112设于容置槽11内，边磁路部2115设于容置槽11内，并环绕中心磁路部2112设置，边磁路部2115与中心磁路部2112间隔以形成第二磁间隙2111，第二磁路组212设于边磁路部2115背向容置槽11底壁的一侧，使第二磁路组212、边磁路部2115及中心磁路部2112围合形成安装腔21a，边磁路组22与边磁路部2115、第二磁路组212间隔以形成第一磁间隙23；其中，前声通道2121在容置槽11底壁的投影位于中心磁路部2112在容置槽11底壁的投影范围内，且前声通道2121在容置槽11底壁的投影面积小于中心磁路部2112在容置槽11底壁的投影面积。

在本实施例中，如图2所示，第一磁路组211的中心磁路部2112和边磁路部2115之间间隔形成第二磁间隙2111，且第二磁路组212设于边磁路部2115背向容置槽11底壁的一侧，如此使得第一振动系统3设置于第二磁路组212和中心磁路部2112之间，且边磁路组22与边磁路部2115和第二磁路组212间隔以形成第一磁间隙23，使得第二振动系统4的第二音圈42悬设于第一磁间隙23内。

可以理解的，通过将前声通道2121在容置槽11底壁的投影位于中心磁路部2112在容置槽11底壁的投影范围内，且前声通道2121在容置槽11底壁的投影面积小于中心磁路部2112在容置槽11底壁的投影面积，如此使得第二振动系统4中第二振膜41的连通孔411的面积小于中心磁路部2112的面积，从而有效增大第二振动系统4的第二振膜41有效振动面积，从而有效提高发声装置100的低频灵敏度。

在一实施例中，如图1和图2所示，中心磁路部2112包括中心磁铁2113和中心华司2114，中心磁铁2113设于容置槽11内，并与边磁路部2115间隔，中心华司2114设于中心磁铁2113背向容置槽11的底壁，并与边磁路部2115间隔；边磁路部2115包括第一边磁铁2116和第一边华司2117，第一边磁铁2116设于容置槽11内，并位于中心磁铁2113和边磁路组22之间，第一边华司2117设于第一边磁铁2116背向容置槽11底壁的一侧，并位于中心华司2114和边磁路组22之间，第二磁路组212设于第一边华司2117背向第一边磁铁2116的一侧，并与中心华司2114间隔且相对；第一边华司2117面向中心华司2114的一侧设有安装槽2118，第一振动系统3的周缘容纳并限位于安装槽2118内。

在本实施例中，中心磁铁2113和中心华司2114的结构轮廓相同，中心磁铁2113和中心华司2114可选为板状结构，例如中心磁铁2113和中心华司2114可以圆形板状结构或方形板状结构，在此不做限定。可以理解的，中心磁铁2113和第一边磁铁2116可选为磁钢结构，中心华司2114和第一边华司2117可选为导磁板等导磁材质，在此不做限定。

在一实施例中，边磁路部2115呈环形设置，也即不做打断设计的边磁路部体积更大，使得磁场强度更高，从而提高发声装置100的声学性能。

在另一实施例中，边磁路部2115包括多个，多个边磁路部2115间隔设置，并环绕中心磁路部2112设置，使得每一边磁路部2115与中心磁路部2112之间形成第二磁间隙2111，且相邻两个边磁路部2115间隔设置。

如图1和图2所示，边磁路部2115包括第一边磁铁2116和第一边华司2117，第一边磁铁2116位于中心磁铁2113和边磁路组22之间，第一边华司2117位于中心华司2114和边磁路组22之间。可以理解的，第一边磁铁2116和第一边华司2117的结构轮廓相同，第一边磁铁2116和第一边华司2117可选为环状结构或多个条形结构，在此不做限定。

在本实施例中，通过在第一边华司2117面向中心华司2114的一侧设有安装槽2118，从而利用安装槽2118固定安装第一振动系统3，使得第一振动系统3既能够实现与中心磁路部2112相对且间隔，又能够与第二磁路组212间隔，确保第一振动系统3的振动空间。

可以理解的，安装槽2118的截面可以是横向U型槽、L型槽、横向V型槽、横向燕尾槽或楔形槽等，在此不做限定。如图4所示，在本实施例中，安装槽2118的截面呈L型设置，也即第二磁路组212遮盖安装槽2118面向第二磁路组212的部分槽口，使得第一边华司2117与第二磁路组212配合夹紧第一振动系统3的周缘。

在一实施例中，第一振动系统3包括第一振膜31和第一音圈32，其中，第一振膜31的周缘限位于安装槽2118内，并与中心华司2114相对，第一振膜31位于第二磁路组212和中心华司2114之间，第一音圈32与第一振膜31面向中心华司2114的一侧连接，并与第二磁间隙2111对应，第一音圈32环绕中心华司2114设置。

在本实施例中，如图1和图2所示，第一音圈32设置于第一振膜31面向中心华司2114的一侧，并与第二磁间隙2111对应，如此当第一音圈32与外部电路导通，利用第一音圈32将电能传递至第二磁间隙2111，并在第二磁间隙2111产生的磁力线作用下，使得第一音圈32、第一振膜31作上下运动，也即利用磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能，从而使得第一音圈32发生振动，并带动第一振动系统3的第一振膜31实现振动发声，进一步将机械能转换为声能。也即设置于第二磁间隙2111内的第一音圈32接收到外部变化的交流电信号后，在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动，带动第一振动系统3的第一振膜31振动发声。

可以理解的，第一振动系统3的第一振膜31的振动方向与第二振动系统4的第二振膜41的振动方向相同，从而使得第一振动系统3通过前声通道2121和连通孔411形成的前声管道发声，有效提高了发声装置100的高频音质。

在本实施例中，第一振膜31可选为平面振膜，例如平面振动板等结构。可以理解的，通过设置平板状的第一振膜31，使得设置该第一振膜31的发声装置100在高频部分具有更大的频宽；由于第一振膜31为平板状，使得设置该发声装置100的整机不用预留避让折环结构的空间，使得产品尺寸更小。可选地，第一振膜31为金属振膜，使得发声具有金属质感，为用户提供不同听觉感受。可选地，第一振膜31的材质可是LCP/镁铝合金/PEN等，在此不做限定。

在一实施例中，第一振膜31为单层金属层，该金属层由合金材料制成，优选为镁铝合金。

另一实施例中，第一振膜31包括金属层和设于金属层外侧的阻尼层。金属层具体可以是镁锂合金、镁铝合金、铝膜、钛膜、不锈钢、硅钢等金属材料中的一种或多种，优选为镁铝合金。阻尼层可以是胶膜层、PEEK、TPU、TPEE等。通过阻尼层可以调节第一振膜31的阻尼性，有利于第一振膜31振动的平衡，带来更加细腻的听感。

本实施例中提供的第一振膜31的弹性模量大于或等于30GPa，厚度为10～40um，可取代现有技术中的橡胶振膜或纸质振膜，为用户提供不同选择。第一振膜31和第一音圈32同轴设置，本领域技术人员可以根据实际需要选择不同直径比值的第一音圈32和第一振膜31，以获得不同音质。

在一实施例中，第一振动系统3还包括设于安装槽2118的两个支撑块33，第一振膜31的周缘夹设于两个支撑块33之间。

如图1和图2所示，通过设置支撑块33，利用支撑块33起到隔离和支撑作用，既可以利用支撑块33隔开第一振膜31与第一边华司2117和第二磁路组212的接触，又可以利用支撑块33在第一边华司2117和第二磁路组212的配合作用下夹紧第一振膜31的周缘。可选地，支撑块33可选为钢环结构。

在一实施例中，第二磁路组212包括环形磁铁2122和环形华司2123，环形磁铁2122设于第一边华司2117背向第一边磁铁2116的一侧，并与中心华司2114间隔且相对，环形华司2123设于环形磁铁2122背向第一边华司2117的一侧，并与第二振动系统4连接，前声通道2121贯通环形磁铁2122和环形华司2123。

如图1和图2所示，通过将第二磁路组212设置为环形磁铁2122和环形华司2123，使得环形磁铁2122和环形华司2123的中部中空，从而形成前声通道2121，以方便第一振膜31的振动发声。同时，利用位于第一振膜31上方的环形磁铁2122和环形华司2123与位于第一振膜31下方的中心磁路部2112和边磁路部2115构成上下双磁路系统，从而增大第一振动系统3的高音BL的转化效率。

可选地，中心华司2114的面积小于中心磁铁2113的面积，如此使得第一音圈32远离第一振膜31的一端位于中心华司2114和第一边华司2117之间，并环绕中心华司2114设置。

可选地，前声通道2121在容置槽11底壁的投影面积小于中心华司2114的面积，如此可确保第一振膜31内嵌于安装腔21a内，以使得第二磁路组212的环形磁铁2122和环形华司2123位于第一振膜31的上方，且与位于第一振膜31下方的第二磁路组211配合形成上下双磁路结构，同时增大第二振膜41的有效振动面积，提升发声装置100的低频灵敏度。

在本实施例中，第二振膜41在容置槽11底壁的投影与第一振动系统3在容置槽11底壁的投影部分重合，也即第二振膜41在容置槽11底壁的投影与第一振膜31在容置槽11底壁的投影部分重合，如此在发声装置100尺寸相同的情况下，有效增大了第二振膜41的有效振动面积。

在一实施例中，如图1和图2所示，边磁路组22包括第二边磁铁221和第二边华司222，其中，第二边磁铁221设于容置槽11内，并环绕第一磁路组211和第二磁路组212设置，第二边华司222设于第二边磁铁221背向容置槽11底壁的一侧，并环绕中心磁路组21设置；其中，第二边磁铁221和第二边华司222均与中心磁路组21间隔以形成第一磁间隙23。

在本实施例中，第二边磁铁221和第二边华司222的结构轮廓相同，第二边磁铁221和第二边华司222可选为环状结构或多个条形结构，在此不做限定。可以理解的，边磁路组22的第二边磁铁221可选为磁钢结构，第二边华司222可选为导磁板等导磁结构，在此不做限定。

在一实施例中，边磁路组22呈环形设置，也即不做打断设计的边磁路部体积更大，使得磁场强度更高，从而提高发声装置100的声学性能。

在另一实施例中，边磁路组22包括多个，多个边磁路组22间隔设置，并环绕中心磁路组21设置，使得每一边磁路组2与中心磁路组21之间形成第一磁间隙23，且相邻两个边磁路组22间隔设置。

在一实施例中，第二振膜41包括中央部412、环绕中央部412设置的第一折环部413以及连接于第一折环部413外侧的固定部414，固定部414与盆架1连接，中央部412设有连通孔411，第二音圈42连接于中央部412，并环绕连通孔411设置，中央部412还设有第二折环部415，第二折环部415环绕连通孔411设置，并位于支撑环43和第二音圈42之间。

在本实施例中，如图1和图2所示，第二振膜41的中央部412和固定部414位于第一折环部413的两侧，第二振膜41的中央部412与第二音圈42连接，如此第二音圈42发生振动时，并带动第二振膜41的中央部412振动，以利用第一折环部413进行伸缩和振动，避免振动传递至第二振膜41的固定部414，使得固定部414与外壳分离或裂开，从而影响发声装置100的性能。

可选地，第一折环部413呈凸起或凹陷设置，第一折环部413为凹陷设置时，也即第一折环部413背向磁路系统2的一侧朝向磁路系统2凹陷，形成凹陷结构，此时该凹陷结构朝向磁路系统2呈凸起设置，也即第一折环部413朝向磁路系统2一侧凹陷形成凹陷结构；第一折环部413为凸起设置时，也即第一折环部413背向磁路系统2的一侧朝向远离磁路系统2的方向凸起，形成凸起结构，此时第一折环部413面向磁路系统2的一侧呈凹陷，也即第一折环部413朝向背向磁路系统2的一侧凸起形成凸起结构。

可以理解的，第二振膜41的中央部412、第一折环部413及固定部414可选为一体成型设置。当然，第二振膜41的中央部412与第一折环部413也可设置为分体设置，在此不做限定。可选地，第二振膜41的固定部414可通过粘结或焊接等方式与外壳连接，在此不做限定。

在本实施例中，中央部412还设有第二折环部415，第二折环部415环绕连通孔411设置，并位于支撑环43和第二音圈42之间。可以理解的，如此设置，从而在第二音圈42带动中央部412振动时，利用第二折环部415进一步伸缩和振动，避免中央部412邻近连通孔411的部分与支撑环43分离或裂开，从而影响发声装置100的性能。

可选地，第二振膜41的材质可是LCP/镁铝合金/PEN等，在此不做限定。

在一实施例中，第二振膜41为单层金属层，该金属层由合金材料制成，优选为镁铝合金。

另一实施例中，第二振膜41包括金属层和设于金属层外侧的阻尼层。金属层具体可以是镁锂合金、镁铝合金、铝膜、钛膜、不锈钢、硅钢等金属材料中的一种或多种，优选为镁铝合金。阻尼层可以是胶膜层、PEEK、TPU、TPEE等。通过阻尼层可以调节第二振膜41的阻尼性，有利于第二振膜41振动的平衡，带来更加细腻的听感。

本实施例中提供的第二振膜41的弹性模量大于或等于30GPa，厚度为10～40um，可取代现有技术中的橡胶振膜或纸质振膜，为用户提供不同选择。第二振膜41和第二音圈42同轴设置，本领域技术人员可以根据实际需要选择不同直径比值的第二音圈42和第二振膜41，以获得不同音质。

在一实施例中，如图1和图3所示，盆架1设有连通容置槽11的第一泄漏孔12，第一泄漏孔12对应第一磁间隙23设置。通过设置第一泄漏孔12，从而方便利用第一泄漏孔12平衡第一磁间隙23内因第二音圈42和第二振膜41振动引起的气压变化。

在一实施例中，如图1和图3所示，盆架1设有连通容置槽11的第二泄漏孔13，第二泄漏孔13对应第二磁间隙2111设置。通过设置第二泄漏孔13，从而方便利用第二泄漏孔13平衡第二磁间隙2111内因第一音圈32和第一振膜31振动引起的气压变化。

本发明还提出一种电子设备，该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

在本实施例中，设备壳体内设有腔体，发声装置100设于腔体内。可以理解的，电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表、电视或平板电脑等，在此不做限定。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容置槽；

磁路系统，所述磁路系统设于所述容置槽内，所述磁路系统设有安装腔和连通所述安装腔的前声通道，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述安装腔在所述容置槽底壁的投影面积；

第一振动系统，所述第一振动系统设于所述安装腔内，并对应所述前声通道设置；及

第二振动系统，所述第二振动系统盖合所述容置槽的槽口，并与所述磁路系统相对，所述第二振动系统设有连通孔，所述连通孔与所述前声通道对应连通。

2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统包括：

中心磁路组，所述中心磁路组包括第一磁路组和第二磁路组，所述第一磁路组设于所述容置槽内，所述第二磁路组设于所述第一磁路组背向所述容置槽底壁的一侧，并与所述第一磁路组围合形成所述安装腔，所述第二磁路组设有所述前声通道；和

边磁路组，所述边磁路组设于所述容置槽内，并环绕所述第一磁路组、所述第二磁路组设置，所述边磁路组与所述第一磁路组、所述第二磁路组间隔以形成第一磁间隙。

3.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁路组设有第二磁间隙，所述第二磁间隙与所述前声通道位于所述第一振动系统的相对两侧；

其中，所述第二磁间隙在所述容置槽底壁的投影环绕所述前声通道在所述容置槽底壁的投影。

4.如权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁路组包括：

中心磁路部，所述中心磁路部设于所述容置槽内；和

边磁路部，所述边磁路部设于所述容置槽内，并环绕所述中心磁路部设置，所述边磁路部与所述中心磁路部间隔以形成所述第二磁间隙，所述第二磁路组设于所述边磁路部背向所述容置槽底壁的一侧，使所述第二磁路组、所述边磁路部及所述中心磁路部围合形成所述安装腔，所述边磁路组与所述边磁路部、所述第二磁路组间隔以形成所述第一磁间隙；

其中，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影位于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影范围内，且所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心磁路部在所述容置槽底壁的投影面积。

5.如权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部包括中心磁铁和中心华司，所述中心磁铁设于所述容置槽内，并与所述边磁路部间隔，所述中心华司设于所述中心磁铁背向所述容置槽的底壁，并与所述边磁路部间隔；

所述边磁路部包括第一边磁铁和第一边华司，所述第一边磁铁设于所述容置槽内，并位于所述中心磁铁和所述边磁路组之间，所述第一边华司设于所述第一边磁铁背向所述容置槽底壁的一侧，并位于所述中心华司和所述边磁路组之间，所述第二磁路组设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧，并与所述中心华司间隔且相对；

所述第一边华司面向所述中心华司的一侧设有安装槽，所述第一振动系统的周缘容纳并限位于所述安装槽内。

6.如权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动系统包括：

第一振膜，所述第一振膜的周缘限位于所述安装槽内，并与所述中心华司相对，所述第一振膜位于所述第二磁路组和所述中心华司之间；和

第一音圈，所述第一音圈与所述第一振膜面向所述中心华司的一侧连接，并与所述第二磁间隙对应，所述第一音圈环绕所述中心华司设置。

7.如权利要求6所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动系统还包括设于所述安装槽的两个支撑块，所述第一振膜的周缘夹设于两个所述支撑块之间；

且/或，所述第二磁路组包括环形磁铁和环形华司，所述环形磁铁设于所述第一边华司背向所述第一边磁铁的一侧，并与所述中心华司间隔且相对，所述环形华司设于所述环形磁铁背向所述第一边华司的一侧，并与所述第二振动系统连接，所述前声通道贯通所述环形磁铁和所述环形华司；

且/或，所述中心华司的面积小于所述中心磁铁的面积；

且/或，所述前声通道在所述容置槽底壁的投影面积小于所述中心华司的面积；

且/或，所述第一振膜为平面振膜。

8.如权利要求2至7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路组包括：

第二边磁铁，所述第二边磁铁设于所述容置槽内，并环绕所述第一磁路组和所述第二磁路组设置；和

第二边华司，所述第二边华司设于所述第二边磁铁背向所述容置槽底壁的一侧，并环绕所述中心磁路组设置；

其中，所述第二边磁铁和所述第二边华司均与所述中心磁路组间隔以形成所述第一磁间隙。

9.如权利要求2至7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第二振动系统包括：

第二振膜，所述第二振膜盖合所述容置槽的槽口，所述第二振膜设有所述连通孔；

第二音圈，所述第二音圈的一端与所述第二振膜连接，所述第二音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内。

10.如权利要求9所述的发声装置，其特征在于，所述第二振动系统还包括支撑环，所述支撑环连接所述第二振膜和所述第二磁路组，并环绕所述前声通道设置。

11.如权利要求10所述的发声装置，其特征在于，所述第二振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的第一折环部以及连接于所述第一折环部外侧的固定部，所述固定部与所述盆架连接，所述中央部设有所述连通孔，所述第二音圈连接于所述中央部，并环绕所述连通孔设置，所述中央部还设有第二折环部，所述第二折环部环绕所述连通孔设置，并位于所述支撑环和所述第二音圈之间；

且/或，所述第二振膜在所述容置槽底壁的投影与所述第一振动系统在所述容置槽底壁的投影部分重合。

12.如权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述盆架设有连通所述容置槽的第一泄漏孔，所述第一泄漏孔对应所述第一磁间隙设置；

且/或，所述盆架设有连通所述容置槽的第二泄漏孔，所述第二泄漏孔对应所述第二磁间隙设置。

13.一种电子设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

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