CN114866919A - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、高音单元和低音单元；高音单元设于所述导磁板，所述高音单元背离所述导磁板的一侧设有出音孔；所述低音单元包括低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述低音振膜位于所述出音孔的背离所述导磁板的一侧，所述低音振膜包括振动部和环设于所述振动部周缘的折环部，所述振动部的刚性大于所述折环部的刚性，所述振动部开设有正对所述出音孔的避让孔，所述避让孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径，所述避让孔和所述出音孔在所述低音振膜的振动方向上存在间距，且所述避让孔上设有第一阻尼件。本发明技术方案旨在优化低音振膜的结构，以提升发声器件的声学性能。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中放置高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元音频设备中，低音振膜的结构不合理，容易导致高低频互调失真，影响发声器件的声学性能。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在优化低音振膜的结构，以提升发声器件的声学性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

高音单元，设于所述导磁板，所述高音单元背离所述导磁板的一侧设有出音孔；以及

低音单元，所述低音单元包括低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述低音振膜位于所述出音孔的背离所述导磁板的一侧，所述低音振膜包括振动部和环设于所述振动部周缘的折环部，所述振动部的刚性大于所述折环部的刚性，所述振动部开设有正对所述出音孔的避让孔，所述避让孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径，所述避让孔和所述出音孔在所述低音振膜的振动方向上存在间距，且所述避让孔上设有第一阻尼件。

可选地，所述避让孔的孔径小于或等于所述出音孔的孔径的两倍。

可选地，所述振动部的材质为LCP材质或PEN材质或铝镁合金材质。

可选地，所述振动部为平面结构，或者所述振动部朝背离所述高音单元的一侧凸设，所述出音孔和所述避让孔的中心轴线重合。

可选地，所述发声器件还包括覆设于所述出音孔的第二阻尼件。

可选地，所述第一阻尼件的材质为PET材质或PEK材质。

可选地，所述第一阻尼件通过粘接的方式连接于所述振动部。

可选地，所述振动部设置有环设于所述避让孔的平面安装部，所述第一阻尼件的周缘连接于所述平面安装部。

可选地，所述避让孔开设于所述振动部的中心。

可选地，所述折环部和所述振动部之间形成有平面振动部，所述低音音圈安装于所述平面振动部。

可选地，所述振动部和所述折环部呈分体设置，或所述振动部和所述折环部一体成型。

可选地，所述高音单元包括：

振动系统，包括高音振膜和驱动所述高音振膜振动的高音音圈；

第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有高音磁间隙；

辅助盖，所述辅助盖设于所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧，并和所述第一磁路结构之间形成收容空间，所述振动系统设于所述收容空间，所述辅助盖设有所述出音孔。

可选地，所述辅助盖朝向所述收容空间的一侧还设有辅助磁体，所述辅助磁体正对所述出音孔的位置设有连通孔。

可选地，所述低音单元还包括环绕且间隔设置于所述第一磁路结构的第二磁路结构，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成低音磁间隙，所述低音音圈设于所述低音磁间隙。

本发明还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

本发明技术方案中，高音单元和低音单元同轴设置，同向出声，以使得发声器件的音质更饱满；低音振膜设有避让孔，避让孔的孔径大于或等于高音单元的出音孔的孔径，用以保障高音单元出音的通畅性，避免对高音发声造成损失，特别是对高音的低频区域造成压制，从而有利于保障发声器件的高音性能；避让孔和出音孔在低音振膜的振动方向上存在间隙，且避让孔上设置第一阻尼件，在避免阻挡高音声波的同时，还能均衡避让孔处的低音振膜两侧的气流、减低高音和低音的失真，以同时保障发声器件的高音性能和低音性能。由此，本发明的发声器件的声学性能得以保障。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图3为本发明发声器件不设置辅助磁体时且辅助盖导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图4为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助盖导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图5为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构但辅助盖不导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图6为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助盖导磁时另一实施例所对应的磁场仿真云图；

图7为本发明发声器件在辅助磁体为分体式结构且辅助盖导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声器件。

请参照图1和图2，在本发明一实施例中，该发声器件，包括：

导磁板110；

高音单元，设于所述导磁板110，所述高音单元背离所述导磁板110的一侧设有出音孔101；以及

低音单元，所述低音单元包括低音振膜200和驱动所述低音振膜200振动的低音音圈300，所述低音振膜200位于所述出音孔101的背离所述导磁板110的一侧，所述低音振膜200包括振动部210和环设于所述振动部210周缘的折环部220，所述振动部210的刚性大于所述折环部220的刚性，所述振动部210开设有正对所述出音孔101的避让孔211，所述避让孔211的孔径大于或等于所述出音孔101的孔径，所述避让孔211和所述出音孔101在所述低音振膜200的振动方向上存在间距，且所述避让孔211上设有第一阻尼件212。

在本发明技术方案中，低音振膜200的折环部220具有阻尼作用，能够避免振动部210发生共振，有利于保障发声器件的低音性能；低音振膜200的振动部210设置有避让孔211，以避让高音的出声孔，如此，发声器件的高音和低音能够同向出声，以使得发声器件的音质更饱满；避让孔211的孔径大于或等于出音孔101的孔径，用以保障高音出音的通畅性，避免对高音发声造成损失，特别是对高音的低频区域造成压制，从而有利于保障发声器件的高音性能；避让孔211和出音孔101在低音振膜200的振动方向上存在间隙，且避让孔211上设置第一阻尼件212，在避免阻挡高音声波的同时，还能均衡避让孔211处的低音振膜200两侧的气流、减低高音和低音的失真，以同时保障发声器件的高音性能和低音性能。由此，本发明的发声器件的声学性能得以保障。

进一步地，在本实施例中，所述避让孔211的孔径小于或等于所述出音孔101的孔径的两倍，以减小低音单元发生声短路的可能性，避免对低音发声造成损失，从而进一步保障发声器件的低音性能。

进一步地，在本实施例中，所述振动部210的材质为LCP(Liquid CrystalPolymer，液晶高分子聚合物)材质或PEN(polyethy-lenenaphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)材质或铝镁合金材质。LCP材料制成的机械性能优异，强度极高，尺寸稳定性、自阻燃性、加工性等性能良好，且耐热性好，热膨胀系数低，PEN材料具有具有优越的物理机械性能、耐热性能、力学性能、气体阻隔性能，铝镁合金的刚性适中、密度小，振动部210采用上述材料制成，均能使发声器件具有足够的低频灵敏度，有利于提升音频设备的低频频响。

在一实施例中，所述振动部210为平面结构。如此，发声器件的低音F0(谐振频率)比较高，与高音合成后带宽较宽，且振动部210的模量高，能够扩展低音区域的高频带宽，从而有利于提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，所述振动部210朝背离所述高音单元的一侧凸设，所述出音孔101和所述避让孔211的中心轴线重合。如此，振动部210能够提升振动部210的Sd(振动面积)，有利于降低低频下限Fo与提升发声效率，从而有利于提升发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，所述第一阻尼件212的材质为PET(polyethyleneglycol terephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)材质或PEK(Polyether ketone，聚酮醚)材质。不失一般性，第一阻尼件212为网状结构，同时具备一定的流通性和一定的阻挡性，由此能起到均衡气流的作用。PET材料优良的物理机械性能，耐疲劳性，耐摩擦性、尺寸稳定性都很好，PEK材料的结构性能好，耐高温，耐磨，绝缘性好，第一阻尼件212采用PET材料或PEK材料制成，均能具备足够的结构稳定性以及耐久性，而能保障发声器件的结构稳定性。当然，在其他实施例中，第一阻尼件212也可以是防水透气膜。

进一步地，在本实施例中，所述第一阻尼件212通过粘接的方式连接于所述振动部210。具体而言，第一阻尼件212通过双面胶胶粘的方式连接于振动部210，如此，第一阻尼件212能够稳定连接于振动部210，有利于保障发声器件的结构稳定性。当然，在其他实施例中，第一阻尼件212也可以通过卡合或插接的方式连接于振动部210。

进一步地，在本实施例中，所述振动部210设置有环设于所述避让孔211的平面安装部213，所述第一阻尼件212的周缘连接于所述平面安装部213。如此，第一阻尼件212和振动部210相结合的位置更加贴合，有利于提升第一阻尼件212和振动部210的连接稳定性，以进一步保障发声器件的结构稳定性。当然，在其他实施例中，也可以是第一阻尼件212的形状与避让孔211周缘的振动部210相适配，同样能使第一阻尼件212和振动部210相结合的位置更加贴合。

进一步地，在本实施例中，所述避让孔211开设于所述振动部210的中心。如此，有利于保持振动部210的结构对称性，以保障振动部210的振动均匀，从而保障发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，所述折环部220和所述振动部210之间形成有平面振动部230，所述低音音圈300安装于所述平面振动部230。如此，能够便于低音音圈300和低音振膜200的固定连接，并且，低音音圈300安装于平面振动部230，能够提升低音音圈300和低音振膜200的连接稳定性，有利于保障发声器件的低音性能。

在一实施例中，所述振动部210和所述折环部220呈分体设置。如此，振动部210和折环部220可以分别成型，加工难度低，有利于把控成品良率。具体地，振动部210的外周成型有一平面部，折环部220的内周同样成型有一平面部，两个平面部相搭接，即可在折环部220和振动部210之间形成平面振动部230。并且，振动部210和折环部220可以采用不同的材料生产或具备不同的刚性，有利于进一步提升发声器件的低音性能。

在一实施例中，所述振动部210和所述折环部220一体成型。在振动部210和折环部220一体成型时，平面振动部230也随即成型于振动部210和折环部220之间。如此，有利于提升低音振膜200的生产效率，从而提升发声器件的生产效率。本实施例中，也可以通过控制振动部210和折环部220采用不同的材料生产或具备不同的刚性，以进一步提升发声器件的低音性能。

在一实施例中，所述高音单元包括：

振动系统，包括高音振膜410和驱动所述高音振膜410振动的高音音圈420；

第一磁路结构500，所述第一磁路结构500形成有高音磁间隙H；

辅助盖430，所述辅助盖430设于所述第一磁路结构500远离所述导磁板110的一侧，并和所述第一磁路结构500之间形成收容空间，所述振动系统设于所述收容空间，所述辅助盖430设有所述出音孔101。

本实施例中，辅助盖430可将高音振膜410和低音振膜200分隔开，其中，由于避让孔211的设置，高音振膜410引发的空气振动对低音振膜200的影响几乎可以忽略，高音振膜410收容于辅助盖430靠近导磁板110的一侧，低音振膜200引发的空气振动不会干扰到高音振膜410，由此，有利于保障发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述盖体700的远离所述导磁板110的一侧凸设有连通所述出音孔701的出音筒702。如此，能够方便低音振膜610内周的定位安装，有利于提升低音振膜610的装配便利性，从而能够提升发声器件的生产效率。当然，在其他实施例中，也可以是，盖体700的远离所述导磁板110的一侧设置为平面结构。

进一步地，在本实施例中，第一磁路结构500包括相连接的第一磁体510和第一华司520，所述第一磁体510设于所述导磁板110，所述第一华司520设于所述第一磁体510的远离所述导磁板110的一侧，所述第一华司520包括第一子华司521和间隔环设于所述第一子华司521外的第二子华司522，所述第一磁体510形成有相对所述第一子华司521设置的第一磁区和相对所述第二子华司522设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司521和所述第二子华司522之间形成有高音磁间隙H。由此，高音磁间隙H形成于第一子华司521和第二子华司522之间，在华司的导磁作用下，高音磁间隙H的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述低音单元还包括环绕且间隔设置于所述第一磁路结构500的第二磁路结构600，所述第一磁路结构500和所述第二磁路结构600之间形成低音磁间隙L，所述低音音圈300设于所述低音磁间隙L。由此，第一磁路结构500在形成高音磁间隙H的同时，还与第二磁路结构600构造形成低音磁间隙L，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。具体而言，至少在第二子华司522和第二磁路结构600之间形成有低音磁间隙L，低音音圈300插设于低音磁间隙L，第一磁路结构500至少能够部分收容于低音音圈300内侧，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。在本发明的发声器件中，高音单元和低音单元共用部分磁路，高音单元位于低音单元的中心区域，但其高音磁场和低音磁场相对独立，高音发声和低音发声互不干涉，发声器件的高音性能和低音性能均能有所保障，提升发声器件声学性能的同时，能够实现发声器件的小型化，有利于提升音频设备的生产效率。

需要说明的是，发声器件的轴向即为高音振膜和低音振膜的振动方向，其径向则与导磁板的延伸方向相并行，此外，后文中，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的径向、轴向以及周向均以此为参照。另外，第二子华司522可以是由多个弧形部组成，多个弧形部之间可以在周向上紧密配合，形成环状，也可以是在周向上间隔分布，形成类环状，第二子华司522还可以是一体的环状结构，第二磁路结构600亦参照第二子华司522设置。可以理解，发声器件还包括设于导磁板110的壳体120，发声器件的振动系统和磁路系统都收容于壳体120内，低音振膜200的外周缘固定于壳体120的周部。

具体而言，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构600均采用轴向充磁的方式进行充磁，其中，第一磁区和第二磁区的充磁方向相反，以使第一子华司521和第二子华司522具有相反的极性，而在第一子华司521和第二子华司522之间形成高音磁间隙H；第二磁区和第二磁路结构600的充磁方向相反，以在第二磁路结构600和第一磁路结构500的第二磁区以及第二子华司522之间都能形成有低音磁间隙L。不失一般性，所述第二磁路结构600包括第二磁体610和第二华司620，所述第二磁体610包括固接于所述导磁板110的两个半环形磁体，所述第二华司620固接于所述第二磁体610的远离所述导磁板110的一侧。第二磁体610的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，则第二华司620和第二子华司522具有相反的极性，第二华司620和第二子华司522之间的磁场强度更大，低音音圈300至少部分相对第一磁体510设置，能使其穿设于此间，以提升低音磁间隙L的磁场利用率，从而保障发声器件的低音性能。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁区的直径小于或等于所述第二磁区的环宽。如此，能使得第二磁区的面积更大，能够提升第二磁区的磁场强度，有利于兼顾高音磁间隙H和低音磁间隙L的电力转换效率，以保障发声器件的高音性能和低音性能。

在一实施例中，所述第一磁体510为整体式结构(未图示)，所述第一磁体510还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区，如此，有利于提升第一磁体510在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈420对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈420的环宽。如此，有利于提升第一子华司521和第二子华司522的磁场强度，由此提升高音磁间隙H的磁场对高音线圈的作用力，而使得高音磁间隙H的电力转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

在一实施例中，如图2所示，所述第一磁体510包括分体设置的第一子磁体511和第二子磁体512，所述第二子磁体512环设于所述第一子磁体511外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体511，所述第二磁区形成于所述第二子磁体512。本实施例中，分别对第一子磁体511和第二子磁体512进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一子磁体511和第二子磁体512的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。

进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体511和所述第二子磁体512之间的间隙小于所述第一子华司521和所述第二子华司522之间的间隙。如此，在第一子华司521和第二子华司522之间需形成供高音音圈420插设的间隙时，第一子磁体511和第二子磁体512能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司521和第二子华司522之间的磁场强度，也即提升高音磁间隙H的电力转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体511和第二子磁体512紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述辅助盖430朝向所述收容空间的一侧还设有辅助磁体440，所述辅助磁体440正对所述出音孔101的位置设有连通孔441。如此，可调整辅助磁体440的充磁方向，以调整高音磁间隙H和低音磁间隙L的磁场强度。具体地，可通过使辅助磁体440的磁场影响第二子华司522和第一子华司521或第二华司620之间的磁感线走向，从而能对应提升高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度，以对应提升发声器件的高音性能或低音性能。可以理解，低音磁间隙L和高音磁间隙H的形成都和第一磁路结构500有关，特别是跟第二磁区有关，因此，在需要对低音磁间隙L或高音磁间隙H的电力转换效率进行调整时，对第一磁路结构500和第二磁路结构600进行调整，都有可能会导致另一磁间隙发生很大变化，很多时候都需要对第一磁路结构500和第二磁路结构600同时进行适应性调整，导致调整和验证的工作量大，而对辅助磁体440进行调整，则不涉及到对主要磁路结构的调整，能够非常方便地对高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度进行调整，从而获得所需的电力转换效率。

进一步地，在本实施例中，所述辅助盖430的材质为导磁材质。请一并参照图4和图5，图4和图5分别为相同结构的发声器件在辅助盖430导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图4对应的低音BL(电力耦合因子)为0.56521，高音BL(电力耦合因子)为0.22983，图5对应的低音BL为0.55447，高音BL为0.21978，由此可见，辅助盖430导磁有利于提升高音磁间隙H和低音磁间隙L的磁场强度，能够提升发声器件的高音BL和低音BL，从而能提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，所述辅助磁体440形成有单磁区。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同。请一并参照图3和图6，图3和图6所对应的发声器件的结构的区别在于，图3对应的结构不设置辅助磁体，图6对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图3对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图6对应的低音BL为0.5802，高音BL为0.138523。由此可见，在辅助磁体440的作用下，低音磁间隙L的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈300，低音BL显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同。请一并参照图3和图4，图3和图4所对应的发声器件的结构的区别在于，图3对应的结构不设置辅助磁体，图4对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图3对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图4对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983。由此可见，在辅助磁体440的作用下，高音磁间隙H的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高音音圈420，高音BL显著提升，有利于提升高音单元的电力转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式。

进一步地，在本实施例中，所述高音磁间隙H的正投影位于所述辅助磁体440的正投影的区域内。其中，高音磁间隙H的正投影指第一子华司521和第二子华司522在导磁板110上的投影之间的间隙，辅助磁体440的正投影指辅助磁体440在导磁板110上的投影。如此，辅助磁体440既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体440能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体440的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体440中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加高音磁间隙H处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音线圈；当辅助磁体440的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体440周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构600的磁感线，以增加低音磁间隙L处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音线圈。

在一实施例中，所述辅助磁体440形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体440同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音BL和低音BL不同的调整需求。请一并参照图3和图7，图3和图7所对应的发声器件的结构的区别在于，图3对应的结构不设置辅助磁体，图7对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图3对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图7对应的低音BL为0.57533，高音BL为0.25425。由此可见，辅助磁体440设置的第三磁区和第四磁区能够影响高音磁间隙H和低音磁间隙L处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音线圈和低音音圈300，高音BL和低音BL均能有所提升，其中高音BL的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。

在本实施例中，可选地，所述辅助磁体440设置为整体式结构，所述辅助磁体440还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体440在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

在本实施例中，可选地，所述辅助磁体440包括第一辅助磁体442和环设于所述第一辅助磁体442外的第二辅助磁体443，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体442，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体443。本实施例中，辅助磁体440包括分体设置的第一辅助磁体442和第二辅助磁体443，分别对第一辅助磁体442和第二辅助磁体443进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体442和第二辅助磁体443的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体442和第二辅助磁体443的间隙相对高音磁间隙H设置，第一辅助磁体442和第二辅助磁体443之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体442和第二辅助磁体443之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，所述发声器件还包括覆设于所述出音孔101的第二阻尼件102。具体地，第二阻尼件102设置于辅助盖430的靠近导磁板110的一侧，用以均衡出声孔处的辅助盖430两侧的气流，以进一步减少高音的失真，从而保障发声器件的高音性能。第二阻尼件102的其他设置则可参照第一阻尼件212。

本发明还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

高音单元，设于所述导磁板，所述高音单元背离所述导磁板的一侧设有出音孔；以及

低音单元，所述低音单元包括低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述低音振膜位于所述出音孔的背离所述导磁板的一侧，所述低音振膜包括振动部和环设于所述振动部周缘的折环部，所述振动部的刚性大于所述折环部的刚性，所述振动部开设有正对所述出音孔的避让孔，所述避让孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径，所述避让孔和所述出音孔在所述低音振膜的振动方向上存在间距，且所述避让孔上设有第一阻尼件。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述避让孔的孔径小于或等于所述出音孔的孔径的两倍；

和/或，所述振动部的材质为LCP材质或PEN材质或铝镁合金材质。

3.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述振动部为平面结构，或者所述振动部朝背离所述高音单元的一侧凸设，所述出音孔和所述避让孔的中心轴线重合。

4.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括覆设于所述出音孔的第二阻尼件。

5.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述第一阻尼件的材质为PET材质或PEK材质；

和/或，所述第一阻尼件通过粘接的方式连接于所述振动部；

和/或，所述振动部设置有环设于所述避让孔的平面安装部，所述第一阻尼件的周缘连接于所述平面安装部。

6.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述避让孔开设于所述振动部的中心。

7.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述折环部和所述振动部之间形成有平面振动部，所述低音音圈安装于所述平面振动部。

8.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述振动部和所述折环部呈分体设置，或所述振动部和所述折环部一体成型。

9.如权利要求1至8任意一项所述的发声器件，其特征在于，所述高音单元包括：

振动系统，包括高音振膜和驱动所述高音振膜振动的高音音圈；

第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有高音磁间隙；

辅助盖，所述辅助盖设于所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧，并和所述第一磁路结构之间形成收容空间，所述振动系统设于所述收容空间，所述辅助盖设有所述出音孔。

10.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述辅助盖朝向所述收容空间的一侧还设有辅助磁体，所述辅助磁体正对所述出音孔的位置设有连通孔。

11.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述低音单元还包括环绕且间隔设置于所述第一磁路结构的第二磁路结构，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成低音磁间隙，所述低音音圈设于所述低音磁间隙。

12.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的发声器件。

13.如权利要求12所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

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