CN217470269U - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种发声器件和音频设备，发声器件包括外壳、磁路系统、振动系统和电连接件，外壳上设有导电端子，导电端子包括高音导电端子和低音导电端子；磁路系统包括导磁板、磁路结构和第二磁路结构，第一磁路结构形成有高音磁间隙，第二磁路结构和第一磁路结构之间形成有低音磁间隙；振动系统包括高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈，高音音圈插设于高音磁间隙，低音音圈插设于低音磁间隙，并电连接于所述低音导电端子，电连接件电连接高音音圈和高音导电端子，高音导电端子和低音导电端子紧邻设置于外壳。本实用新型技术方案旨在优化发声器件的电连接结构，以便于发声器件和控制电路之间的电连接结构在音频设备内部布置。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即音频设备设置的一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元音频设备中，发声器件的电连接结构不合理，给在音频设备内布置供其与控制电路电连接的电连接结构带来很大不便。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种发声器件，旨在优化发声器件的电连接结构，以便于发声器件和控制电路之间的电连接结构在音频设备内部布置。

为实现上述目的，本实用新型提出的发声器件，包括：

外壳，所述外壳上设有导电端子，所述导电端子包括高音导电端子和低音导电端子；

磁路系统，所述磁路系统设于所述外壳，所述磁路系统包括导磁板和设于所述导磁板的第一磁路结构和第二磁路结构，所述第一磁路结构形成有高音磁间隙，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构且和所述第一磁路结构之间形成有低音磁间隙；

振动系统，包括高音振膜、驱动所述高音振膜振动的高音音圈以及低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述高音音圈插设于所述高音磁间隙，所述低音音圈插设于所述低音磁间隙；以及

电连接件，所述电连接件电连接所述高音音圈和所述高音导电端子，其中，所述高音导电端子和所述低音导电端子紧邻设置于所述外壳。

可选地，所述第一磁路结构包括固接于所述导磁板的第一磁体和固接于所述第一磁体背离所述导磁板的一侧的第一华司，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第二子华司背离所述第一磁体的一侧。

可选地，所述电连接件穿设于所述第一磁路结构，所述第一磁路结构设有避让所述电连接件的让位部。

可选地，所述电连接件具有相对的第一端和第二端以及连接所述第一端和所述第二端的连接部，所述第一端位于所述第一磁路结构的背离所述导磁板的一侧，用于电连接所述高音音圈，所述第二端位于所述第一磁路结构的靠近所述导磁板的一侧，用于电连接所述导电端子，所述第二子华司和所述导磁板分别设置有避让所述第一端和所述第二端的第一容置槽和第二容置槽。

可选地，所述第一端设置有第一限位凸部，所述第一容置槽内对应设置第一限位卡槽，所述第一限位凸部卡合于所述第一限位卡槽。

可选地，所述第二端设置有第二限位凸部，所述第二容置槽内对应设置第二限位卡槽，所述第二限位凸部卡合于所述第二限位卡槽。

可选地，所述第一磁体的外周设置有避让所述连接部的让位部。

可选地，所述电连接件为柔性电路板。

可选地，所述电连接件为注塑导电件，包括绝缘部和注塑于所述绝缘部的导体部。

可选地，所述电连接件为注塑导电件时，所述第二子华司和所述电连接件通过嵌件注塑的方式一体成型。

可选地，当所述电连接件为注塑导电件时，所述外壳设置有避让槽，所述电连接件的一端设于所述避让槽，所述导体部露设于所述外壳，以形成所述高音导电端子。

可选地，所述高音导电端子和所述低音导电端子分别为两个，两个所述高音导电端子设于两个所述低音导电端子之间，所述高音导电端子和所述低音导电端子分别独立地电连接于所述高音音圈和所述低音音圈。

可选地，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，且所述高音振膜于所述导磁板上的投影位于所述低音音圈于所述导磁板上的投影的内侧，所述低音振膜设有供所述高音振膜的声波辐射的第一出音孔。

可选地，所述发声器件还包括辅助系统，所述辅助系统设于所述第一磁路结构背离所述导磁板的一侧，所述辅助系统和所述第一磁路结构之间形成有收容所述高音音圈和所述高音振膜的收容空间，所述辅助系统设置有连通所述收容空间的第二出音孔。

可选地，所述低音振膜为环形振膜，所述低音振膜的内周缘和外周缘分别固定于所述辅助系统和所述外壳。

本实用新型还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

本实用新型技术方案中，外壳上设置的导电端子用以供发声器件电连接于音频设备的控制电路，高音音圈的引线通过电连接件连接于高音导电端子，低音音圈的引线连接于低音导电端子，以使得高音音圈和低音音圈均能电连接于控制电路。音频设备的内部设置有供导电端子和控制电路电连接的结构，由于高音导电端子和低音导电端子紧邻设置于外壳的同侧，供高音导电端子和控制电路电连接的结构和供低音导电端子和控制电路电连接的结构能够靠近布置。由此，发声器件的电连接结构得以优化，而能便于发声器件和控制电路之间的电连接结构在音频设备内部布置，有利于优化音频设备内部的结构布局。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图3为本实用新型发声器件一实施例的局部结构示意图；

图4为图3的电连接件和局部磁路结构的爆炸结构示意图；

图5为本实用新型发声器件一实施例的局部结构示意图；

图6为图5的局部结构对应的剖视图；

图7为本实用新型发声器件的电连接件一实施例的结构示意图；

图8为图7的电连接件装配后对应的剖视图；

图9为本实用新型发声器件在不设置辅助磁体且辅助盖导磁时一实施例的结构示意图；

图10为本实用新型发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助盖导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图11为本实用新型发声器件在辅助磁体为整体式结构但辅助盖不导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图12为本实用新型发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助盖导磁时另一实施例所对应的磁场仿真云图；

图13为本实用新型发声器件在辅助磁体为分体式结构且辅助盖导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提出一种发声器件。

在本实用新型一实施例中，如图1和图2所示，该发声器件，包括：

外壳100，所述外壳100上设有导电端子110，所述导电端子110包括高音导电端子111和低音导电端子112；

磁路系统，所述磁路系统设于所述外壳100，所述磁路系统包括导磁板120和设于所述导磁板120的第一磁路结构300和第二磁路结构400，所述第一磁路结构300形成有高音磁间隙H，所述第二磁路结构400间隔环设于所述第一磁路结构300且和所述第一磁路结构300之间形成有低音磁间隙L；

振动系统，包括高音振膜510、驱动所述高音振膜510振动的高音音圈520以及低音振膜530和驱动所述低音振膜530振动的低音音圈540，所述高音音圈520插设于所述高音磁间隙H，所述低音音圈540插设于所述低音磁间隙L并电连接低音导电端子112；以及

电连接件200，所述电连接件200电连接所述高音音圈520和所述高音导电端子111，其中，所述高音导电端子111和所述低音导电端子112紧邻设置于所述外壳100。

在本实用新型技术方案中，外壳100上设置的导电端子110用以供发声器件电连接于音频设备的控制电路，高音音圈520的引线通过电连接件200连接于高音导电端子111，低音音圈540的引线连接于低音导电端子112，以使得高音音圈520和低音音圈540均能电连接于控制电路。音频设备的内部设置有供导电端子110和控制电路电连接的结构，由于高音导电端子111和低音导电端子112紧邻设置于外壳100的同侧，供高音导电端子111和控制电路电连接的结构和供低音导电端子112和控制电路电连接的结构能够靠近布置。由此，发声器件的电连接结构得以优化，而能便于发声器件和控制电路之间的电连接结构在音频设备内部布置，有利于优化音频设备内部的结构布局。

并且，在本实用新型中，高音磁间隙H在外壳100内处于靠中间的位置，使得高音音圈520与外壳100之间具有一定的距离，高音音圈520通过电连接件200电连接于高音导电端子111，能够避免高音音圈520的引线过长，高音音圈520的引线过长，容易发生断裂，需要更换高音音圈520整体的引线，而在本实用新型中，即使电连接件200发生断裂，也仅需要单独更换电连接，有利于提升发声器件的维修便利性以及节省发声器件的维修成本。

另外，第一磁路结构300在形成高音磁间隙H的同时，还与第二磁路结构400构造形成低音磁间隙L，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的径向尺寸的作用，且低音音圈540插设于低音磁间隙L，第一磁路结构300至少能够部分收容于低音音圈540内侧，有利于减小发声器件的轴向尺寸。需要说明的是，发声器件的轴向即为高音振膜和低音振膜的振动方向，其径向则与导磁板的延伸方向相并行，此外，后文中，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的径向、轴向以及周向均以此为参照。

进一步地，在本实施例中，如图2和图8所示，所述第一磁路结构300包括固接于所述导磁板120的第一磁体310和固接于所述第一磁体310背离所述导磁板120的一侧的第一华司320，所述第一华司320包括第一子华司321和间隔环设于所述第一子华司321外的第二子华司322，所述第一子华司321和所述第二子华司322之间形成有所述高音磁间隙H，所述高音振膜510设于所述第二子华司322背离所述第一磁体310的一侧。如此，高音磁间隙H形成于第一子华司321和第二子华司322之间，在华司的导磁作用下，高音磁间隙H的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。具体而言，所述第一磁体310形成有相对所述第一子华司321设置的第一磁区和相对所述第二子华司322设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以在第一子华司321和第二子华司322之间形成高音磁间隙H，所述第二磁区的充磁方向和所述第二磁路结构400的充磁方向相反，以在所述第一磁路结构300和所述第二磁路结构400之间形成低音磁间隙L。可以理解，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构400均采用轴向充磁的方式进行充磁，其中，第一磁区和第二磁区的充磁方向相反，以使第一子华司321和第二子华司322具有相反的极性，而在第一子华司321和第二子华司322之间形成高音磁间隙H；第二磁区和第二磁路结构400的充磁方向相反，以在第二磁路结构400和第一磁路结构300的第二磁区以及第二子华司322之间都能形成有低音磁间隙L。不失一般性，所述第二磁路结构400包括第二磁体410和第二华司420，所述第二磁体410包括固接于所述导磁板120的两个半环形磁体，所述第二华司420固接于所述第二磁体410的远离所述导磁板120的一侧。第二磁体410的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，则第二华司420和第二子华司322具有相反的极性，第二华司420和第二子华司322之间的磁场强度更大，低音音圈540至少部分相对第一磁体310设置，能使其穿设于此间，以提升低音磁间隙L的磁场利用率，从而保障发声器件的低音性能。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁区的直径小于或等于所述第二磁区的环宽。如此，能使得第二磁区的面积更大，能够提升第二磁区的磁场强度，有利于兼顾高音磁间隙H和低音磁间隙L的电声转换效率，以保障发声器件的高音性能和低音性能。

在一实施例中，如图6所示，所述第一磁体310为整体式结构，所述第一磁体310还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区，如此，有利于提升第一磁体310在生产装配时的安装便利性，从而提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈520对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈520的环宽。如此，有利于提升第一子华司321和第二子华司322的磁场强度，由此提升高音磁间隙H的磁场对高音线圈的作用力，而使得高音磁间隙H的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

在一实施例中，如图2和图8所示，所述第一磁体310包括分体设置的第一子磁体311和第二子磁体312，所述第二子磁体312环设于所述第一子磁体311外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体311，所述第二磁区形成于所述第二子磁体312。本实施例中，分别对第一子磁体311和第二子磁体312进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一子磁体311和第二子磁体312的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。

进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体311和所述第二子磁体312之间的间隙小于所述第一子华司321和所述第二子华司322之间的间隙。如此，在第一子华司321和第二子华司322之间需形成供高音音圈520插设的间隙时，第一子磁体311和第二子磁体312能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司321和第二子华司322之间的磁场强度，也即提升高音磁间隙H的电声转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体311和第二子磁体312紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述电连接件200穿设于所述第一磁路结构300，所述第一磁路结构300设有避让所述电连接件200的避让部。如此，第一磁路结构300能够对电连接件200起到支撑作用，以避免电连接件200悬空，从而能够保障电连接件200的结构稳定性。

进一步地，在本实施例中，请一并参照图3至图8，所述电连接件200具有相对的第一端210和第二端220以及连接所述第一端210和所述第二端220的连接部230，所述第一端210位于所述第一磁路结构300的背离所述导磁板120的一侧，用于电连接所述高音音圈520，所述第二端220位于所述第一磁路结构300的靠近所述导磁板120的一侧，用于电连接所述导电端子110，所述第二子华司322和所述导磁板120分别设置有避让所述第一端210和所述第二端220的第一容置槽323和第二容置槽121。如此，电连接件200的第一端210能够容置于第二子华司322的第一容置槽323内，第二端220能够容置于导磁板120的第二容置槽121内，以使电连接能够稳定安装。进一步地，所述第一磁体310的外周设置有避让所述连接部230的让位部313，如此，连接部230能够容置于让位部313内，而使第一磁体310对连接部230起到支撑作用，有利于进一步提升电连接件200的安装稳定性。

进一步地，在本实施例中，如图3和图4所示，所述第一端210设置有第一限位凸部211，所述第一容置槽323内对应设置第一限位卡槽，所述第一限位凸部211卡合于所述第一限位卡槽；所述第二端220设置有第二限位凸部212，所述第二容置槽121内对应设置第二限位卡槽324122，所述第二限位凸部212卡合于所述第二限位卡槽324122。如此，通过第一限位卡槽对第一限位凸部211的限位卡合，电连接件200的第一端210能够稳定容置于第二子华司322的第一容置槽323内，通过第二限位卡槽324122对第二限位凸部212的限位卡合，电连接件200的第二端220能够稳定容置导磁板120的第二容置槽121内，以进一步提升磁路系统对电连接件200的支撑作用，从而保障电连接件200能够稳定地于外壳100内实现高音线圈和高音导电端子111的电连接。

在一实施例中，如图3和图4所示，所述电连接件200为柔性电路板201。如此，电连接件200具有柔性，在其第一端210和第二端220分别固定于第一容置槽323和第二容置槽121后，连接部230能够相对第一端210和第二端220弯折，而贴合于让位部313，能够方便快捷地实现电连接件200的安装。其中，高音导电端子111包括露设于外壳100的高音导电触点，电连接件200的第二端220连接于高音导电触点，即可使高音音圈520电连接于高音导电端子111。

在一实施例中，如图5至图8所示，所述电连接件200为注塑导电件202，包括绝缘部203和注塑于所述绝缘部203的导体部204。其中，导体部204的两端分别连接于高音音圈520和高音导电端子111，导体部204嵌设于绝缘部203内，以避免漏电。本实施例中，电连接件200能被注塑为固定形状，且电连接件200的第一端210、第二端220和连接部230对应容置于第一容置槽323、第二容置槽121及让位部313内，如此，也能便于电连接件200的安装。并且，电连接件200的结构稳定性能够有所保障，有利于保障高音线圈和高音导电端子111之间的电连接稳定性。

进一步地，在本实施例中，所述第二子华司322和所述电连接件200通过嵌件注塑的方式一体成型。如此，能够提升第二子华司322和电连接件200的连接稳定性，以保障电连接件200的第一端210和高音音圈520的引线的连接稳定性，还能减少第二子华司322和电连接件200的装配工序，有利于提升发声器件的生产装配效率。

在一实施例中，如图7和图8所示，所述电连接件200为注塑导电件202，所述外壳100设置有避让槽101，所述电连接件200的一端设于所述避让槽101，所述导体部204露设于所述外壳100，以形成所述高音导电端子111。具体而言，电连接件200的第二端220设于避让槽101，而使导体部204位于第二端220的端部能够露设于外壳100，导体部204外露的部分即形成高音导电端子111。如此，能够进一步提升高音线圈和高音导电端子111的电连接稳定性，并且，可以不必在外壳100上嵌件注塑高音导电端子111，有利于提升外壳100的生产便利性。当然，在其他实施例中，也可以是，高音导电端子111成型于外壳100上，并具有露设于外壳100的高音导电触点，导体部204位于第二端220的端部连接于高音导电触点，即可供高音音圈520的引线电连接于高音导电端子111。

进一步地，在本实施例中，如图1所示，所述高音导电端子111和所述低音导电端子112分别为两个，两个所述高音导电端子111设于两个所述低音导电端子112之间，所述高音导电端子111和所述低音导电端子112分别独立地电连接于所述高音音圈520和所述低音音圈540。如此，音频设备的控制线路可以分别驱动高音音圈520和低音音圈540独立运动，而带动高音振膜510和低音振膜530分别独立地振动，发声器件的高音发声和低音发声相对独立，有利于保障发声器件的声学性能。并且，两个高音导电端子111设于两个低音导电端子112之间，低音音圈540通过引线电连接于低音导电端子112时，不会干涉电连接的安装，有利于优化发声器件内的电器件的布局。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述低音振膜530位于所述高音振膜510的远离所述导磁板120的一侧，且所述高音振膜510于所述导磁板120上的投影位于所述低音音圈540于所述导磁板120上的投影的内侧，所述低音振膜530设有供所述高音振膜510的声波辐射的第一出音孔531。如此，发声器件可以同时辐射高音声波和低音声波，以使发声器件的音质更饱满，低音振膜530设置第一出音孔531，以使高音单元能够顺畅发声，从而保障发声器件的高音性能。且低音音圈540不会干涉到高音振膜510的安装、振动，低音音圈540能够插设于低音磁间隙L，以使低音音圈540能受到足够的驱动力，从而保障发声器件的低音性能。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述发声器件还包括辅助系统600，所述辅助系统600设于所述第一磁路结构300背离所述导磁板120的一侧，所述辅助系统600和所述第一磁路结构300之间形成有收容所述高音音圈520和所述高音振膜510的收容空间，所述辅助系统600设置有连通所述收容空间的第二出音孔601。如此，在辅助系统600的分隔作用下，发声器件的高音和低音互不干扰，发声器件的高音性能和低音性能均有所保障，有利于提升用户的使用体验。并且，辅助系统600设置的第二出音孔601，使得高音振膜510的声波辐射能够自收容空间依次经由第二出音孔601、第一出音孔531而向发声器件外扩散。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述低音振膜530为环形振膜，所述低音振膜530的内周缘和外周缘分别固定于所述辅助系统600和所述外壳100，如此，能够实现低音振膜530的稳定安装，以保障低音振膜530能够稳定地发生振动，从而保障发声器件的低音性能。

在一实施例中，如图2所示，所述辅助系统600包括辅助盖610，所述辅助盖610设于第二子华司322远离所述导磁板120的一侧，高音振膜510和高音音圈520收容于辅助盖610和第一华司320之间，低音振膜530的内周固定于辅助盖610，第一出音孔531包括形成于辅助盖610的第一出音段611，低音振膜530固定于辅助盖610后，低音振膜530的第一出音孔531环设于辅助盖610的第一出音段611。

进一步地，在本实施例中，所述辅助盖610的材质为导磁材质。请一并参照图10和图11，图10和图11分别为相同结构的发声器件在辅助盖610导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图10对应的低音BL(电力耦合因子)为0.56521，高音BL(电力耦合因子)为0.22983，图11对应的低音BL为0.55447，高音BL为0.21978，由此可见，辅助盖610导磁有利于提升高音磁间隙H和低音磁间隙L的磁场强度，能够提升发声器件的高音BL和低音BL，从而能提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，如图2所示，所述辅助系统600还包括辅助磁体620，所述辅助磁体620设于辅助盖610靠近导磁板120的一侧，第二出音孔601还包括形成于辅助磁体620的第二出音段621。本实施例中，可对辅助磁体620的充磁方向进行调整，具体地，可通过使辅助磁体620的磁场影响第二子华司322和第一子华司321或第二华司420之间的磁感线走向，从而能对应提升高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度，以对应提升发声器件的高音性能或低音性能。可以理解，低音磁间隙L和高音磁间隙H的形成都和第一磁路结构300有关，特别是跟第二磁区有关，因此，在需要对低音磁间隙L或高音磁间隙H的电声转换效率进行调整时，对第一磁路结构300和第二磁路结构400进行调整，都有可能会导致另一磁间隙发生很大变化，很多时候都需要对第一磁路结构300和第二磁路结构400同时进行适应性调整，导致调整和验证的工作量大，而对辅助磁体620进行调整，则不涉及到对主要磁路结构的调整，能够非常方便地对高音磁间隙H或低音磁间隙L的磁场强度进行调整，从而获得所需的电声转换效率。

在一实施例中，所述辅助磁体620形成有单磁区。

可选地，请一并参照图9和图12，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同，请一并参照图9和图12，图9和图12所对应的发声器件的结构的区别在于，图9对应的结构不设置辅助磁体，图12对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图9对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图12对应的低音BL为0.5802，高音BL为0.138523。由此可见，在辅助磁体620的作用下，低音磁间隙L的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈540，低音BL显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同。请一并参照图9和图10，图9和图10所对应的发声器件的结构的区别在于，图9对应的结构不设置辅助磁体，图10对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图9对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图10对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983。由此可见，在辅助磁体620的作用下，高音磁间隙H的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高音音圈520，高音BL显著提升，有利于提升高音单元的电声转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式。

进一步地，在本实施例中，所述高音磁间隙H的正投影位于所述辅助磁体620的正投影的区域内。其中，高音磁间隙H的正投影指第一子华司321和第二子华司322在导磁板120上的投影之间的间隙，辅助磁体620的正投影指辅助磁体620在导磁板120上的投影。如此，辅助磁体620既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体620能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体620的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体620中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加高音磁间隙H处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音线圈；当辅助磁体620的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体620周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构400的磁感线，以增加低音磁间隙L处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音线圈。

在一实施例中，所述辅助磁体620形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体620同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音BL和低音BL不同的调整需求。请一并参照图9和13，图9和图13所对应的发声器件的结构的区别在于，图9对应的结构不设置辅助磁体，图13对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图9对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图13对应的低音BL为0.57533，高音BL为0.25425。由此可见，辅助磁体620设置的第三磁区和第四磁区能够影响高音磁间隙H和低音磁间隙L处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音线圈和低音音圈540，高音BL和低音BL均能有所提升，其中高音BL的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。

在本实施例中，可选地，如图3和图5所示，所述辅助磁体620设置为整体式结构，所述辅助磁体620还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体620在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

在本实施例中，可选地，，所述辅助磁体620包括第一辅助磁体620和环设于所述第一辅助磁体(未图示)外的第二辅助磁体(未图示)，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体620。本实施例中，辅助磁体包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体，分别对第一辅助磁体和第二辅助磁体进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体和第二辅助磁体的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体和第二辅助磁体的间隙相对高音磁间隙H设置，第一辅助磁体和第二辅助磁体之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体和第二辅助磁体之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。

本实用新型还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

外壳，所述外壳上设有导电端子，所述导电端子包括高音导电端子和低音导电端子；

磁路系统，所述磁路系统设于所述外壳，所述磁路系统包括导磁板和设于所述导磁板的第一磁路结构和第二磁路结构，所述第一磁路结构形成有高音磁间隙，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构且和所述第一磁路结构之间形成有低音磁间隙；

振动系统，包括高音振膜、驱动所述高音振膜振动的高音音圈以及低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述高音音圈插设于所述高音磁间隙，所述低音音圈插设于所述低音磁间隙，并电连接于所述低音导电端子；以及

电连接件，所述电连接件电连接所述高音音圈和所述高音导电端子，其中

所述高音导电端子和所述低音导电端子紧邻设置于所述外壳。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构包括固接于所述导磁板的第一磁体和固接于所述第一磁体背离所述导磁板的一侧的第一华司，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第二子华司背离所述第一磁体的一侧。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述电连接件穿设于所述第一磁路结构，所述第一磁路结构设有避让所述电连接件的让位部。

4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述电连接件具有相对的第一端和第二端以及连接所述第一端和所述第二端的连接部，所述第一端位于所述第一磁路结构的背离所述导磁板的一侧，用于电连接所述高音音圈，所述第二端位于所述第一磁路结构的靠近所述导磁板的一侧，用于电连接所述导电端子，所述第二子华司和所述导磁板分别设置有避让所述第一端和所述第二端的第一容置槽和第二容置槽。

5.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第一端设置有第一限位凸部，所述第一容置槽内对应设置第一限位卡槽，所述第一限位凸部卡合于所述第一限位卡槽，和/或，所述第二端设置有第二限位凸部，所述第二容置槽内对应设置第二限位卡槽，所述第二限位凸部卡合于所述第二限位卡槽。

6.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体的外周设置有避让所述连接部的让位部。

7.如权利要求2至6任意一项所述的发声器件，其特征在于，所述电连接件为柔性电路板；或，所述电连接件为注塑导电件，包括绝缘部和注塑于所述绝缘部的导体部。

8.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，所述电连接件为注塑导电件时，所述第二子华司和所述电连接件通过嵌件注塑的方式一体成型。

9.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，当所述电连接件为注塑导电件时，所述外壳设置有避让槽，所述电连接件的一端设于所述避让槽，所述导体部露设于所述外壳，以形成所述高音导电端子。

10.如权利要求1至6任意一项所述的发声器件，其特征在于，所述高音导电端子和所述低音导电端子分别为两个，两个所述高音导电端子设于两个所述低音导电端子之间，所述高音导电端子和所述低音导电端子分别独立地电连接于所述高音音圈和所述低音音圈。

11.如权利要求1至6任意一项所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，且所述高音振膜于所述导磁板上的投影位于所述低音音圈于所述导磁板上的投影的内侧，所述低音振膜设有供所述高音振膜的声波辐射的第一出音孔。

12.如权利要求11所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括辅助系统，所述辅助系统设于所述第一磁路结构背离所述导磁板的一侧，所述辅助系统和所述第一磁路结构之间形成有收容所述高音音圈和所述高音振膜的收容空间，所述辅助系统设置有连通所述收容空间的第二出音孔。

13.如权利要求12所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜为环形振膜，所述低音振膜的内周缘和外周缘分别固定于所述辅助系统和所述外壳。

14.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的发声器件。

15.如权利要求14所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

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