CN114866926A - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、磁路结构、低音振膜、低音音圈、高音振膜和高音音圈，磁路结构设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。本发明技术方案旨在提升高音音圈的电连接稳定性，以保障发声器件的高音性能。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在有的多单元音频设备中，高音音圈的引线过长，容易断裂，不利于保障发声器件的高音性能。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升高音音圈的电连接稳定性，以保障发声器件的高音性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

磁路结构，设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙；

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；以及

高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。

可选地，所述高音振膜包括振膜本体和设于所述振膜本体边缘的延伸部，所述连接线路包括成型于所述振膜本体的第一连接段以及成型于所述延伸部的第二连接段，所述第一连接段的两端分别电连接于所述高音音圈和所述第二连接段。

可选地，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内，所述壳体的外侧设置有导电端子，所述第二连接段电连接所述导电端子，所述导电端子用于供所述发声器件电连接外部电路。

可选地，所述导电端子包括露设于所述壳体的导电触点，所述导电触点露设于所述壳体的靠近所述导磁板的一侧，所述延伸部由所述振膜本体的周缘朝靠近所述导磁板的方向弯折延伸设置。

可选地，所述磁路结构包括第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧，所述延伸部穿设于所述第一磁路结构。

可选地，所述磁路结构还包括第二磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述低音磁间隙形成于所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间；

所述延伸部包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部的两端分别连接于所述振膜本体和所述第二延伸部，所述第一延伸部相对所述振膜本体朝靠近所述导磁板的方向弯折并穿设于所述第一磁路结构，所述第二延伸部相对所述第一延伸部朝靠近所述壳体的方向弯折设置。

可选地，所述第一磁路结构的外表面设有第一让位槽，所述第一延伸部容置于所述第一让位槽。

可选地，所述导磁板设置有第二让位槽，所述第二延伸部容置于所述第二让位槽。

可选地，所述第一连接段通过光刻工艺成型于所述振膜本体。

可选地，所述第二连接段通过光刻工艺成型于所述延伸部。

可选地，所述振膜本体和所述延伸部一体成型。

可选地，所述高音音圈设有输入引线和输出引线，所述第二连接段包括第二输入线路和第二输出线路，所述第二输入线路电连接于所述输入引线，所述第二输出线路电连接于所述输出引线，所述第二输入线路和所述第二输出线路独立成型于一所述延伸部。

可选地，所述第一连接段包括独立成型于所述振膜本体的第一输入线路和第一输出线路，所述第一输入线路的两端分别连接于所述输入引线和所述第二输入线路，所述第一输出线路的两端分别连接于所述输出引线和所述第二输出线路，所述第一输入线路和所述第一输出线路在所述振膜本体的周向上分别与所述第二输入线路和所述第二输出线路相对设置。

可选地，所述低音振膜为环形振膜，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，所述低音振膜设有供所述高音振膜的声波辐射的第一出音孔。

可选地，所述发声器件还包括辅助外壳，所述辅助外壳盖设于所述高音振膜，且所述辅助外壳设有供所述高音振膜的声波向外辐射的第二出音孔，所述第二出音孔与所述第一出音孔相对设置。

可选地，所述低音振膜的内周缘固定于所述辅助外壳。

本发明还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

本发明技术方案中，高音振膜上成型有连接线路，连接线路的一端用于与高音音圈连接，另一端则用于与外部电路连接，如此，高音音圈的引线不必过长，能够连接于高音振膜上的连接线路即可，能够有效避免高音音圈的引线断裂。进一步地，还可将高音音圈的引线调整至靠近高音振膜的位置，如此，高音音圈的引线可以直接贴合于高音振膜，完全避免了高音音圈的引线的悬空，从而能够进一步保障高音音圈的引线不断裂，由此，提升了高音音圈的电连接稳定性，进而能够保障发声器件的高音性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本发明发声器件一实施例的局部结构示意图；

图3为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图4为图3中A处的局部放大图；

图5为本发明发声器件在不设置辅助磁体且辅助外壳导磁时一实施例的结构示意图；

图6为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助外壳导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图7为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构但辅助外壳不导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图8为本发明发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助外壳导磁时另一实施例所对应的磁场仿真云图；

图9为本发明发声器件在辅助磁体为分体式结构且辅助外壳导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声器件。

在本发明一实施例中，如图1至图4所示，该发声器件，包括：

导磁板110；

磁路结构，设于所述导磁板110，形成有低音磁间隙和高音磁间隙；

低音振膜210、低音音圈220，所述低音音圈220设于所述低音振膜210，并对应所述低音磁间隙设置；以及

高音振膜300、高音音圈400，所述高音音圈400设于所述高音振膜300，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜300成型有用于电连接外部电路的连接线路310，所述高音音圈400电连接于所述连接线路310。

在本发明技术方案中，高音振膜300上成型有连接线路310，连接线路310的一端用于与高音音圈400连接，另一端则用于与外部电路连接，如此，高音音圈400的引线不必过长，能够连接于高音振膜300上的连接线路310即可，能够有效避免高音音圈400的引线断裂。进一步地，还可将高音音圈400的引线调整至靠近高音振膜300的位置，如此，高音音圈400的引线可以直接贴合于高音振膜300，完全避免了高音音圈400的引线的悬空，从而能够进一步保障高音音圈400的引线不断裂，由此，提升了高音音圈400的电连接稳定性，进而能够保障发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图2和图3所示，所述高音振膜300包括振膜本体320和设于所述振膜本体320边缘的延伸部330，所述连接线路310包括成型于所述振膜本体320的第一连接段311以及成型于所述延伸部330的第二连接段312，所述第一连接段311的两端分别电连接于所述高音音圈400和所述第二连接段312。如此，提升了连接线路310的结构稳定性，第二连接段312成型于延伸部330，延伸部330能对第二连接段312起到保护作用，避免了第二连接段312裸露，延伸部330的结构强度较大，大大减小了第二连接段312断裂的可能。具体地，延伸部330和振膜本体320的材质相同，并且是一体成型，以提升振膜本体320和延伸部330的连接稳定性，由此保障第一连接段311和第二连接段312的连接稳定性，从而进一步提升高音音圈400的电连接稳定性。当然，在其他实施例中，也可以是，发声器件的其他结构成型有另外的连接线路310，该结构的一端裸露于发声器件的壳体120外，用以连接于外部电路，一端靠近高音振膜300设置，用以连接高音振膜300上的连接线路310。

进一步地，请一并参照图1和图2，在本实施例中，所述发声器件还包括固接于所述导磁板110的壳体120，所述磁路结构收容安装于所述壳体120内，所述壳体120的外侧设置有导电端子130，所述第二连接段312电连接所述导电端子130，所述导电端子130用于供所述发声器件电连接外部电路。如此，第二连接段312即可通过导电端子130间接电连接于外部电路，而实现高音音圈400和外部电路的电连接，以使高音音圈400能接收外部电信号。当然，在其他实施例中，也可以是，延伸部330延伸至壳体120外，通过第二连接段312远离第一连接段311的一端连接外部电路。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述导电端子130包括露设于所述壳体120的导电触点131，所述导电触点131露设于所述壳体120的靠近所述导磁板110的一侧，所述延伸部330由所述振膜本体320的周缘朝靠近所述导磁板110的方向弯折延伸设置。如此，延伸部330远离振膜本体320的一端能够靠近导电触点131设置，第二连接段312随延伸部330一同延伸，也就能够接触导通导电触点131，而能间接地连接于外部电路，以实现高音音圈400和外部电路的电连接。不失一般性，可在基材上裁切出振膜本体320和延伸部330的平铺形状，而后通过热压加工的方式，以使延伸部330较振膜本体320弯折。当然，在其他实施例中，也可以是，导电触点131设置于靠近高音线圈的位置，如此，延伸部330不必弯折设置。

进一步地，在本实施例中，如图2和图3所示，所述磁路结构包括第一磁路结构500，所述第一磁路结构500形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜300设于所述第一磁路结构500的远离所述导磁板110的一侧，所述延伸部330穿设于所述第一磁路结构500。如此，延伸部330能够依附于第一磁路结构500，通过第一磁路结构500对延伸部330起支撑作用，避免延伸部330悬空，而影响第二连接段312的结构稳定性，从而使连接线路310能够稳定地供高音音圈400和外部电路电连接。当然，在其他实施例中，也可以是，振膜本体320的外周缘适当朝壳体120延伸，而使延伸部330能依附于壳体120或壳体120和第一磁路结构500之间的其他结构。

进一步地，在本实施例中，如图2和图3所示，所述磁路结构还包括第二磁路结构600，所述第二磁路结构600间隔环设于所述第一磁路结构500，所述低音磁间隙形成于所述第一磁路结构500和所述第二磁路结构600之间；所述延伸部330包括第一延伸部331和第二延伸部332，所述第一延伸部331的两端分别连接于所述振膜本体320和所述第二延伸部332，所述第一延伸部331相对所述振膜本体320朝靠近所述导磁板110的方向弯折并穿设于所述第一磁路结构500，所述第二延伸部332相对所述第一延伸部331朝靠近所述壳体120的方向弯折设置。如此，第一磁路结构500能对第一延伸部331起到支撑作用，以保障第一延伸部331上成型的那部分连接线路310的结构稳定性，导磁板110能对第二延伸部332起到支撑作用，以保障第二延伸部332成型的那部分连接线路310的结构稳定性，由此，连接线路310能够稳定地供高音音圈400和外部电路电连接，以保障高音音圈400的电连接稳定性，从而保障发声器件的高音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，第一延伸部331先朝靠近壳体120的方向延伸，第二延伸部332再朝靠近导磁板110的方向延伸。

其中，第一磁路结构500在形成高音磁间隙的同时，还与第二磁路结构600构造形成低音磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。低音音圈220插设于低音磁间隙，且部分相对第一磁体510设置，第一华司520能够收容于低音音圈220内侧，且第一磁体510至少能部分收容于低音音圈220内，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。如此，能够实现发声器件的小型化，有利于提升音频设备的生产效率。

具体而言，第一磁路结构500包括相连接的第一磁体510和第一华司520，所述第一磁体510设于所述导磁板110，所述第一华司520设于所述第一磁体510的远离所述导磁板110的一侧，所述第一华司520包括第一子华司521和间隔环设于所述第一子华司521外的第二子华司522，所述第一磁体510形成有相对所述第一子华司521设置的第一磁区和相对所述第二子华司522设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司521和所述第二子华司522之间形成有高音磁间隙。本实施例中，高音磁间隙形成于第一子华司521和第二子华司522之间，在华司的导磁作用下，高音磁间隙的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。

可以理解，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构600均采用轴向充磁的方式进行充磁，其中，第一磁区和第二磁区的充磁方向相反，以在第一子华司521和第二子华司522之间形成高音磁间隙；第二磁区和第二磁路结构600的充磁方向相反，以在第二磁路结构600和第二子华司522之间形成有低音磁间隙。不失一般性，所述第二磁路结构600包括第二磁体610和第二华司620，所述第二磁体610包括固接于所述导磁板110的两个半环形磁体，所述第二华司620固接于所述第二磁体610的远离所述导磁板110的一侧。第二磁体610的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，第二华司620和第二子华司522之间的磁场强度更大，低音音圈220至少部分相对第一磁体510设置，能使其穿设于此间，以提升低音磁间隙的磁场利用率，从而保障发声器件的低音性能。

需要说明的是，发声器件的轴向即为高音振膜和低音振膜的振动方向，其径向则与导磁板的延伸方向相并行，此外，后文中，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的径向、轴向以及周向均以此为参照。另外，第一第二子华司522可以是由多个弧形部组成，多个弧形部之间可以在周向上紧密配合，形成环状，也可以是在周向上间隔分布，形成类环状，第二子华司522还可以是一体的环状结构；同理，第二磁路结构600亦参照第二子华司522设置。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁区的直径小于或等于所述第二磁区的环宽。如此，能使得第二磁区的面积更大，能够提升第二磁区的磁场强度，有利于兼顾高音磁间隙和低音磁间隙的电力转换效率，以保障发声器件的高音性能和低音性能。

在一实施例中，如图3所示，所述第一磁体510为整体式结构，所述第一磁体510还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区，如此，有利于提升第一磁体510在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈400对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈400的环宽。如此，有利于提升第一子华司521和第二子华司522的磁场强度，由此提升高音磁间隙的磁场对高音线圈的作用力，而使得高音磁间隙的电力转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

在一实施例中，所述第一磁体510包括分体设置的第一子磁体(未图示)和第二子磁体(未图示)，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。本实施例中，分别对第一子磁体和第二子磁体进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一子磁体和第二子磁体的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。

进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体和所述第二子磁体之间的间隙小于所述第一子华司521和所述第二子华司522之间的间隙。如此，在第一子华司521和第二子华司522之间需形成供高音音圈400插设的间隙时，第一子磁体和第二子磁体能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司521和第二子华司522之间的磁场强度，也即提升高音磁间隙的电力转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体和第二子磁体紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图4所示，所述第一磁路结构500的外表面设有第一让位槽501，所述第一延伸部331容置于所述第一让位槽501。如此，第一磁路结构500能更好地支撑第一延伸部331，以保障第一延伸部331的结构稳定性。具体而言，高音振膜300的外周连接于第二子华司522，第二子华司522和第一磁体510的外周侧均设置有凹槽，以形成第一让位槽501。

进一步地，在本实施例中，如图4所示，所述导磁板110设置有第二让位槽111，所述第二延伸部332容置于所述第二让位槽111。如此，第二延伸部332不会较导磁板110外凸，第二磁体610上不必设置相应的避让结构，而能提升第二磁体610加工和安装的便利性。

进一步地，在本实施例中，所述第一连接段311通过光刻工艺成型于所述振膜本体320，所述第二连接段312通过光刻工艺成型于所述延伸部330。如此加工，连接线路310能够精确地成型于高音振膜300，并稳定地附着在高音振膜300上，有利于保障连接线路310的结构稳定性，而保障高音音圈400的电连接稳定性。当然，在其他实施例中，也可以是，通过将导电银胶涂覆于振膜本体320和延伸部330，而分别形成第一连接段311和第二连接段312。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述高音音圈400设有输入引线401和输出引线402，所述第二连接段312包括第二输入线路3121和第二输出线路3122，所述第二输入线路3121电连接于所述输入引线401，所述第二输出线路3122电连接于所述输出引线402，所述第二输入线路3121和所述第二输出线路3122独立成型于一所述延伸部330。如此，高音音圈400的输入引线401和输出引线402通过同一延伸部330与外部电路电连接，能够简化高音振膜300的结构，并且提升高音振膜300的安装便利性。当然，在其他实施例中，也可以是，高音音圈400的输入引线401和输出引线402各通过一延伸部330连接于外部电路。

进一步地，在本实施例中，如图2所示，所述第一连接段311包括独立成型于所述振膜本体320的第一输入线路3111和第一输出线路3112，所述第一输入线路3111的两端分别连接于所述输入引线401和所述第二输入线路3121，所述第一输出线路3112的两端分别连接于所述输出引线402和所述第二输出线路3122，所述第一输入线路3111和所述第一输出线路3112在所述振膜本体320的周向上分别与所述第二输入线路3121和所述第二输出线路3122相对设置。如此，高音音圈400的输入引线401和输出引线402位于同一侧，能够方便地将二者分别连接于第一输入线路3111和第一输出线路3112，且能有效减小第一输入线路3111和第一输出线路3112的长度，而能减小光刻工序的加工时间，有利于提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述低音振膜210为环形振膜，所述低音振膜210位于所述高音振膜300的远离所述导磁板110的一侧，所述低音振膜210设有供所述高音振膜300的声波辐射的第一出音孔211。如此，发声器件可以同时辐射高音信号和低音信号，发声器件的频带更宽，音质更饱满，且高音振膜300的声波辐射能经低音振膜210设置的第一出音孔211发出，高音出音不会被低音振膜210干扰，有利于保障发声器件的声学性能，能够提升用户的使用体验。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述发声器件还包括辅助外壳700，所述辅助外壳700盖设于所述高音振膜300，且所述辅助外壳700设有供所述高音振膜300的声波向外辐射的第二出音孔710，所述第二出音孔710与所述第一出音孔211相对设置。如此，低音振膜210和高音振膜300分别设置于辅助外壳700的两侧，高音振膜300的振动和低音振膜210的振动能够互不干扰，有利于提升高音发声和低音发声的独立性，能够进一步保障发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，所述辅助外壳700的材质为导磁材质。请一并参照图6和图7，图6和图7分别为相同结构的发声器件在辅助外壳700导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图6对应的低音BL(电力耦合因子)为0.56521，高音BL(电力耦合因子)为0.22983，图7对应的低音BL为0.55447，高音BL为0.21978，由此可见，辅助外壳700导磁有利于提升高音磁间隙H和低音磁间隙L的磁场强度，能够提升发声器件的高音BL和低音BL，从而能提升发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述低音振膜210的内周缘固定于所述辅助外壳700。如此，低音振膜210稳定地固定于辅助外壳700，有利于提升低音振膜210的安装稳定性，以进一步保障发声器件的低音性能。另外，低音振膜210的外周缘固定于壳体120的周部。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，所述辅助外壳700朝向所述高音振膜300的一侧还设有辅助磁体800，所述辅助磁体800正对所述第二出音孔710的位置设有连通孔。如此，可调整辅助磁体800的充磁方向，以调整高音磁间隙和低音磁间隙的磁场强度。具体地，可通过使辅助磁体800的磁场影响第二子华司522和第一子华司521或第二华司620之间的磁感线走向，从而能对应提升高音磁间隙或低音磁间隙的磁场强度，以对应提升发声器件的高音性能或低音性能。可以理解，低音磁间隙和高音磁间隙的形成都和第一磁路结构500有关，特别是跟第二磁区有关，因此，在需要对低音磁间隙或高音磁间隙的电力转换效率进行调整时，对第一磁路结构500和第二磁路结构600进行调整，都有可能会导致另一磁间隙发生很大变化，很多时候都需要对第一磁路结构500和第二磁路结构600同时进行适应性调整，导致调整和验证的工作量大，而对辅助磁体800进行调整，则不涉及到对主要磁路结构的调整，能够非常方便地对高音磁间隙或低音磁间隙的磁场强度进行调整，从而获得所需的电力转换效率。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有单磁区。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同。请一并参照图5和图8，图5和图8所对应的发声器件的结构的区别在于，图5对应的结构不设置辅助磁体，图8对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图5对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图8对应的低音BL为0.5802，高音BL为0.138523。由此可见，在辅助磁体800的作用下，低音磁间隙的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈220，低音BL显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同，请一并参照图5和图6，图5和图6所对应的发声器件的结构的区别在于，图5应的结构不设置辅助磁体，图6对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图5对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图6对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983。由此可见，在辅助磁体800的作用下，高音磁间隙H的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高音音圈400，高音BL显著提升，有利于提升高音磁路的电力转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式。

进一步地，在本实施例中，所述高音磁间隙的正投影位于所述辅助磁体800的正投影的区域内。其中，高音磁间隙的正投影指第一子华司521和第二子华司522在导磁板110上的投影之间的间隙，辅助磁体800的正投影指辅助磁体800在导磁板110上的投影。如此，辅助磁体800既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体800能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体800的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体800中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加高音磁间隙处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音线圈；当辅助磁体800的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体800周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构600的磁感线，以增加低音磁间隙处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音线圈。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体800同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音BL和低音BL不同的调整需求。请一并参照图5和图9，图5和图9所对应的发声器件的结构的区别在于，图5对应的结构不设置辅助磁体，图9对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图5对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图9对应的低音BL为0.57533，高音BL为0.25425。由此可见，辅助磁体800设置的第三磁区和第四磁区能够影响高音磁间隙和低音磁间隙处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音线圈和低音音圈220，高音BL和低音BL均能有所提升，其中高音BL的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。

在本实施例中，可选地，如图3所示，所述辅助磁体800设置为整体式结构，所述辅助磁体800还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体800在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

在本实施例中，可选地，所述辅助磁体800包括分体设置的第一辅助磁体(未图示)和第二辅助磁体(未图示)，所述第二辅助磁体环设于所述第一辅助磁体外，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体。本实施例中，辅助磁体800包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体，分别对第一辅助磁体和第二辅助磁体进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体和第二辅助磁体的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体和第二辅助磁体的间隙相对高音磁间隙设置，第一辅助磁体和第二辅助磁体之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体和第二辅助磁体之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。

本发明还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

磁路结构，设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙；

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；以及

高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜包括振膜本体和设于所述振膜本体边缘的延伸部，所述连接线路包括成型于所述振膜本体的第一连接段以及成型于所述延伸部的第二连接段，所述第一连接段的两端分别电连接于所述高音音圈和所述第二连接段。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内，所述壳体的外侧设置有导电端子，所述第二连接段电连接所述导电端子，所述导电端子用于供所述发声器件电连接外部电路。

4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述导电端子包括露设于所述壳体的导电触点，所述导电触点露设于所述壳体的靠近所述导磁板的一侧，所述延伸部由所述振膜本体的周缘朝靠近所述导磁板的方向弯折延伸设置。

5.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述磁路结构包括第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧，所述延伸部穿设于所述第一磁路结构。

6.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述磁路结构还包括第二磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述低音磁间隙形成于所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内；

所述延伸部包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部的两端分别连接于所述振膜本体和所述第二延伸部，所述第一延伸部相对所述振膜本体朝靠近所述导磁板的方向弯折并穿设于所述第一磁路结构，所述第二延伸部相对所述第一延伸部朝靠近所述壳体的方向弯折设置。

7.如权利要求6所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构的外表面设有第一让位槽，所述第一延伸部容置于所述第一让位槽；

和/或，所述导磁板设置有第二让位槽，所述第二延伸部容置于所述第二让位槽。

8.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第一连接段通过光刻工艺成型于所述振膜本体；

和/或，所述第二连接段通过光刻工艺成型于所述延伸部；

和/或，所述振膜本体和所述延伸部一体成型。

9.如权利要求2至8任一项所述的发声器件，其特征在于，所述高音音圈设有输入引线和输出引线，所述第二连接段包括第二输入线路和第二输出线路，所述第二输入线路电连接于所述输入引线，所述第二输出线路电连接于所述输出引线，所述第二输入线路和所述第二输出线路独立成型于一所述延伸部。

10.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述第一连接段包括独立成型于所述振膜本体的第一输入线路和第一输出线路，所述第一输入线路的两端分别连接于所述输入引线和所述第二输入线路，所述第一输出线路的两端分别连接于所述输出引线和所述第二输出线路，所述第一输入线路和所述第一输出线路在所述振膜本体的周向上分别与所述第二输入线路和所述第二输出线路相对设置。

11.如权利要求1至8任一项所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜为环形振膜，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，所述低音振膜设有供所述高音振膜的声波辐射的第一出音孔。

12.如权利要求11所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括辅助外壳，所述辅助外壳盖设于所述高音振膜，且所述辅助外壳设有供所述高音振膜的声波向外辐射的第二出音孔，所述第二出音孔与所述第一出音孔相对设置。

13.如权利要求12所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜的内周缘固定于所述辅助外壳。

14.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的发声器件。

15.如权利要求14所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

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