CN114864722A - 一种连接膜、导电复合体及光伏组件 - Google Patents

一种连接膜、导电复合体及光伏组件 Download PDF

Info

Publication number
CN114864722A
CN114864722A CN202210473503.5A CN202210473503A CN114864722A CN 114864722 A CN114864722 A CN 114864722A CN 202210473503 A CN202210473503 A CN 202210473503A CN 114864722 A CN114864722 A CN 114864722A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
crosslinking
degree
less
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210473503.5A
Other languages
English (en)
Inventor
曹明杰
盘龚建
张浙南
杨楚峰
周光大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou First Applied Material Co Ltd
Original Assignee
Hangzhou First Applied Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou First Applied Material Co Ltd filed Critical Hangzhou First Applied Material Co Ltd
Priority to CN202210473503.5A priority Critical patent/CN114864722A/zh
Publication of CN114864722A publication Critical patent/CN114864722A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本申请属于光伏技术领域。本申请公开了一种连接膜,包括第一区域与第二区域。第一区域基本沿第一方向延伸,第二区域基本沿第一方向延伸,第二区域的黏度大于第一区域的黏度。本申请还公开了一种导电复合体,包括连接膜与导电部,导电部设于连接膜第二区域的表面并基本沿第一方向延伸,导电部的宽度小于等于第二区域的宽度。本申请还公开了一种光伏组件依次包括基板、封装胶膜、电池串、封装胶膜和基板,电池串包括电池片与导电复合体。本申请公开的连接膜具有良好的粘接性能,热压处理后连接膜的导电部与电池片的细栅线粘接可靠性高,不会出现虚焊等问题。

Description

一种连接膜、导电复合体及光伏组件
技术领域
本发明属于光伏技术领域,尤其涉及一种连接膜、导电复合体及光伏组件。
背景技术
随科技发展能源问题日益严重,光伏技术作为可将太阳的光能转换为电能供人们使用的技术,能够有效利用太阳能,为解决能源问题做出重要贡献。
光伏组件是光伏技术的主要应用,能够将太阳能转化为电能,而组件中主栅的设置增加光伏组件成本且降低了光伏组件发电效率,因此无主栅技术为人们所关注。目前无主栅光伏组件常见的实现方式是将制作好的导电体嵌入连接膜,再将连接膜覆盖在电池片细栅线上,在热压过程中导电体通过表面低熔点金属与细栅线固化焊接在一起。
现有无主栅光伏组件中的连接膜流动性过大会导致连接膜的膜材渗入导电体与细栅线间造成虚焊,影响导电体收集电子的效率,降低光伏组件发电效率。而采用多层膜结构,则存在加工工艺要求高,膜层之间易存在应力,导致膜层分离。
发明内容
本申请实施例通过提供一种连接膜,解决连接膜膜材容易渗入导电部与电池片细栅线间的问题,保证连接膜与电池片间具有良好的粘接效果。
本申请的一方面提供了一种光伏组件用连接膜,包括:
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,第一区域的黏度小于第二区域的黏度。
进一步地,连接膜上间隔设有m个第一区域和n个第二区域,其中m≥n,且n≥1;相邻之间的第一区域基本平行设置,相邻之间的第二区域基本平行设置。
进一步地,第二区域的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm。
进一步地,第二区域的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm。
进一步地,第一区域的预交联度小于第二区域的预交联度,第一区域的预交联度小于等于15%,第二区域的预交联度大于等于30%。
进一步地,第一区域的预交联度小于等于10%,第二区域的预交联度大于等于40%。
进一步地,第一区域的黏度小于等于10000Pa·s,第二区域的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s。
进一步地,第二区域的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于150000Pa·s。
进一步地,第二区域与第一区域黏度的差值大于等于1000Pa·s且小于等于100000Pa·s。
进一步地,连接膜通过辐照处理进行预交联;优选地,所述辐照处理包括电子束辐照或紫外光辐照中的至少一种。
本申请的第二方面还提供了一种光伏组件用导电复合体,包括:
连接膜,连接膜包括,
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,第二区域的预交联度大于第一区域的预交联度;
导电部,设于连接膜中第二区域的表面并基本沿第一方向延伸,导电部的宽度小于等于第二区域的宽度。
进一步地,第二区域的宽度与导电部的宽度的差值大于等于0.1mm且小于等于30mm。
进一步地,第二区域的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm,第一区域的预交联度小于等于15%,第二区域的预交联度大于等于30%,第一区域的黏度小于等于10000Pa·s,第二区域的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s,且第一区域的黏度小于所述第二区域的黏度;
进一步地,第二区域的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm,第一区域的预交联度小于等于10%,第二区域的预交联度大于等于40%。
本申请的第三方面提供了一种光伏组件,其依次包括基板、封装胶膜、电池串、封装胶膜和基板,
电池串包括,
电池片,呈阵列排布;
导电复合体,设于电池片的两侧,导电复合体包括,
连接膜,所述连接膜包括,
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,第二区域的预交联度大于第一区域的预交联度;
导电部,至少部分设于连接膜中所述第二区域的表面并基本沿第一方向延伸,导电部的宽度小于等于所述第二区域的宽度;导电部将相邻的电池片连接在一起,导电部的一端连接在一电池片的正面,另一端连接在另一电池片的背面。
综上所述,本申请实施例至少具有以下有益效果:
1、本申请实施例提供的连接膜通过在连接膜上设置预交联度低的第一区域与预交联度高的第二区域,将导电部设置于第二区域表面,解决连接膜热压时膜材易渗入导电部与电池片的细栅线间导致虚焊的问题,使导电部与细栅线的连接更加可靠;
2、本申请实施例提供的连接膜通过辐照处理对连接膜不同区域进行预交联,准确控制第一区域与第二区域的设置位置与预交联度,保证了第一区域与第二区域设置位置及黏度能能够满足产品需求。
附图说明
图1为本申请实施例连接膜的一种俯视示意图;
图2为本申请实施例中连接膜沿图1中A-A方向的剖面示意图;
图3为本申请实施例导电复合体的一种俯视示意图;
图4为本申请实施例导电复合体沿图3中B-B方向的剖面示意图;
图5为本申请实施例导电复合体的另一种示意图;
图6为本申请实施例光伏组件的一种示意图;
图7为本申请实施例电池串的一种示意图;
图8为本申请实施例电池串的另一种示意图;
光伏组件100,基板11,封装胶膜12,电池串13,导电复合体131,连接膜1311,第一区域1311a,第二区域1311b,导电部1312,电池片132,细栅线1321。
具体实施方式
为了使本领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请具体实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本申请。
目前无主栅光伏组件常见的实现方式是将制作好的导电体嵌入连接膜制得导电复合体,再将导电复合体覆盖在电池片细栅线上,在热压过程中导电体通过表面低熔点金属与细栅线固化焊接在一起。本申请实施例解决现有连接膜流动性过大,热压过程中膜材容易渗入导电部与细栅线间进而导致虚焊的问题,通过控制连接膜不同位置的预交联度,形成预交联度较低的第一区域与预交联度较高的第二区域。同时将导电部至于连接膜的第二区域中保证连接膜与导电部的连接位置具有较低的流动性,有效避免热压时膜材渗入导电部与电池片细栅线之间,提高导电部与电池片电连接的可靠性。连接膜在无主栅光伏组件中能起到关键作用,其将导电部与电池片固定在一起,起到承载导电部准确定位电池片与导电部位置的作用。使用低熔点、流动性高的膜材制备的连接膜具有优异的粘接性能,能够保证连接膜与电池片粘接的可靠性。但流动性过大的连接膜在与电池片进行热压时,膜材由于流动性过大容易渗入导电部与电池片的细栅线间,使导电部虚焊,导致导电部与细栅线绝缘,降低导电部收集电子的能力,从而降低后续生产的光伏组件的发电效率。因此研发一种既能满足较高的粘接性能,又能保证导电部与细栅线电连接可靠的连接膜十分有必要。
本申请实施例提供一种连接膜1311,如图1和图2所示,包括第一区域1311a与第二区域1311b。第一区域1311a基本沿第一方向延伸,第二区域1311b基本沿第一方向延伸,第二区域1311b的黏度大于第一区域1311a的黏度。本申请实施例中第一区域1311a的黏度较低,具有较高的流动性,能够保证连接膜1311具有良好的粘接性能与填充性能。第二区域1311b的黏度较高,流动性较低,能够防止在热压过程中连接膜1311的膜材渗入导电部1312与细栅线1321间导致虚焊的问题,并且对连接膜1311起到较好的支撑作用。设置黏度较大的第二区域1311b还能够降低热压时连接膜1311与热压设备间的粘结力,防止连接膜1311粘结在热压设备上而与电池片132分离或者部分分离,降低导电部1312在热压时的位移,确保热压后电池片132与连接膜1311粘接的可靠性。
作为一种具体实施方式,如图1和图2所示,连接膜1311的第一区域1311a与第二区域1311b交替间隔设置。连接膜1311设有m个第一区域1311a和n个第二区域1311b,其中m≥n,且n≥1。相邻之间的第一区域1311a基本平行设置,相邻之间的第二区域1311b基本平行设置。本申请实施例中连接膜1311的第二区域1311b设置位置与导电部1312设置位置对应,保证热压时导电部1312位置不偏移。第二区域1311b的数量与导电部1312的数量相对应,预交联度较大的第二区域1311b能够很好的支撑导电部1312。通常导电部1312基本沿同一方向平行设置,因此第二区域1311b也基本沿同一方向平行设置,保证导电部1312在连接膜1311进行热压处理时位置准确。本申请实施例在相邻的第二区域1311b间设置预交联度较低的第一区域1311a,用于保证连接膜1311与电池片132的粘结性能,提高连接膜1311与电池片132粘接的可靠性。第一区域1311a与第二区域1311b间隔设置,能够保证连接膜1311的连接性能。第一区域1311a的设置能够很好的粘接连接膜1311与电池片132。为了保证粘接的效果,本申请实施例中第一区域1311a数量不能少于第二区域1311b的数量,保证连接膜1311具有优秀的粘接性能。
作为一种具体实施方式,第二区域1311b的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm。优选地,第二区域1311b的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm。本申请实施例中连接膜1311上的第二区域1311b需要承载导电部1312,因此第二区域1311b的宽度需要与导电部1312的宽度相互适应。第二区域1311b的宽度根据导电部1312的宽度适当进行调整,使第二区域1311b具有足够的宽度来承载导电部1312,防止导电部1312热压时位置偏移至第一区域1311a,避免导电部1312刺穿连接膜1311或降低导电部1312与细栅线1321的电连接。
作为一种具体实施方式,第一区域的预交联度小于第二区域的预交联度,第一区域1311a的预交联度小于等于15%,第二区域1311b的预交联度大于等于30%。作为优选,第一区域1311a的预交联度小于等于10%,第二区域1311b的预交联度大于等于40%。本申请实施例中连接膜1311包括预交联度较小的第一区域1311a与预交联度较大的第二区域1311b,第一区域1311a的预交联度与第二区域1311b的预交联度需要有一定限制。连接膜1311中第一区域1311a作为连接膜1311中起主要粘接作用的部分,其预交联度较低。较低的预交联度能够保证第一区域1311a在热压时具有较好的流动性与粘接性能,能够保证第一区域1311a有效填充连接膜1311与电池片132间的空隙,降低热压后连接膜1311从电池片132上脱离的风险,增强连接膜1311与电池片132连接的可靠性。因此连接膜1311中的第一区域1311a的预交联度小于等于15%,优选小于等于10%。连接膜1311中第二区域1311b起到支撑连接膜1311,承载导电部1312,防止热压时导电部1312刺穿连接膜1311的作用。第二区域1311b的预交联度需要较大,以保证第二区域1311b具有足够的强度支撑连接膜1311,并防止导电部1312刺穿连接膜1311。预交联度较大第二区域1311b的强度较高,在连接膜1311中能够起到良好的支撑作用,热压时能够降低导电部1312刺穿连接膜1311的风险。第二区域1311b高预交联度带来的低流动性还能够有效防止膜材渗入导电部1312与细栅线1321间,提高导电部1312与电池片132的细栅线1321连接的可靠性。因此连接膜1311中第二区域1311b的预交联度大于等于30%,优选大于等于40%。
作为一种具体实施方式,本申请实施例中连接膜1311的第一区域1311a的黏度小于等于10000Pa·s,第二区域1311b的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s。进一步地,第二区域1311b的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于150000Pa·s。上述黏度可根据标准ASTM D5289记载的测试方法并且在1Hz的频率和10%的应变下进行测量获得。本申请实施例连接膜1311具有良好的粘接效果,第一区域1311a有较好的流动性,第二区域1311b具有较低的流动性。流动性的高低在于预交联度的大小,进一步体现在第一区域1311a与第二区域1311b的黏度。黏度是流体粘滞性的一种量度,是流体流动力对其内部摩擦现象的一种表示,能够体现流体流动的难易程度,黏度越大流体越难流动。本申请实施例中第一区域1311a主要起到提供粘结力,填充连接膜1311与电池片132缝隙的作用,因此第一区域1311a需要有较小的黏度,保证第一区域1311a在热压时能够更好地粘接及填充;第二区域1311b起到防止膜材渗入导电部1312与细栅线1321间的作用,因此需要较大黏度和较低流动性。上述黏度均为120~150℃温度区间下的黏度。
作为一种具体实施方式,本申请实施例中的连接膜1311通过辐照处理对连接膜1311进行预交联。优选地,辐照处理包括电子束辐照或紫外光辐照中至少一种。本申请实施例提供的连接膜1311需要具有预交联度不同的第一区域1311a与第二区域1311b,因此需要有适合的预交联处理方法对连接膜1311进行处理,达到连接膜1311中第一区域1311a与第二区域1311b交替间隔设置的技术效果。使用辐照处理的方式对连接膜1311的连接膜1311进行预交联能够准确地设置不同预交联度的第一区域1311a与第二区域1311b。在进行辐照处理时按技术要求与实际生产需求对第一区域1311a进行适当遮挡,使第一区域1311a受到的辐照量小于第二区域1311b,从而达到在连接膜1311上设置预交联度不同的第一区域1311a与第二区域1311b的技术效果。本申请中可使用遮挡物(如PET膜或金属箔等)遮挡第一区域1311a上的辐照,或者在连接膜1311上第一区域1311a印刷降低辐照的试剂等方式,在连接膜1311上设置预交联度不同的第一区域1311a与第二区域1311b。辐照处理时用于遮挡第一区域1311a辐照的遮挡物可以完全遮挡辐照,也可以部分遮挡辐照,使照射到第一区域1311a的辐照减弱。可以通过控制第一区域1311a上的遮挡物来控制第一区域1311a在辐照处理时受辐照的时间,通过控制辐照处理的时间来对第一区域1311a与第二区域1311b的预交联度进行有效控制;也可以通过控制遮挡物减弱辐照的程度控制第一区域1311a上照射的辐照,使第一区域1311a预交联度小于第二区域1311b预交联度,同时控制辐照处理时间对第一区域1311a与第二区域1311b的预交联度进行有效控制。本申请实施例使用辐照处理预交联连接膜1311中的第一区域1311a与第二区域1311b,能够使第一区域1311a与第二区域1311b达到理想的预交联度。其中辐照处理包括电子束辐照或紫外光辐照中至少一种。电子束辐照是利用在高压电场中加速后的电子射线照射连接膜1311,通过高能电子与连接膜1311中物质的相互作用来电离和激励各种物质的分子,从而引发化学反应以改善连接膜1311的性能。电子束辐照加工处理连接膜1311,可以起到防止细菌、延长保藏时间、保证产品品质、提高力学性能、增强增韧的效果。同时电子束辐照还具有工艺简单优点,电子束辐照发出的辐照量能够通过计算机准确控制,能够准确控制电子束辐照的过程。电子束辐照处理过程无环境污染,无化学药品残留,不损害连接膜1311外观、品质和内在特性,加工过程中不会带入任何杂质,能够提高效率,无二次污染,保证生产的连接膜1311的品质。紫外光辐照是在连接膜1311的膜材中掺入适量光交联剂,在一定条件下进行紫外光辐照,光交联剂吸收特定波长的紫外光产生自由基,通过自由基反应将连接膜1311的膜材交联成三维网状结构。紫外光辐照的成本低、预交联速度快,在经过紫外光照射后连接膜1311就能够很快预交联,能够有效降低连接膜1311的生产成本。
作为一种具体实施方式,连接膜1311的原料包括乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯丙烯酸、聚乙烯甲基丙烯酸、聚烯烃弹性体、热塑性聚烯烃、热塑性聚氨酯、聚乙烯醇缩丁醛、低密度聚乙烯或高密度聚乙烯中至少一种。本申请实施例中对连接膜1311的原料限制较小,能够使用多种原料进行生产,可根据具体生产要求进行适当调整。连接膜1311包括预交联度低的第一区域1311a与预交联度高的第二区域1311b,第一区域1311a具有较高的流动性且拥有较好的粘结力,第二区域1311b具有较低的流动性且能够承载导电部1312。因此本申请实施例中连接膜1311的原料需要在低预交联度时具有优秀的粘接性能与流动性,保证连接膜1311有较好的粘接性能。在高预交联度时连接膜1311的原料需要具有较低的流动性,防止连接膜1311的膜材渗入导电部1312与细栅线1321间,且具有一定强度与粘结力,更好地承载导电部1312,防止导电部1312在热压时位移、刺穿连接膜1311。
本申请实施例还提供了一种光伏组件用导电复合体131,如图3、图4和图5所示,包括连接膜1311与导电部1312。其中,连接膜1311包括,第一区域1311a与第二区域1311b。连接膜1311中,第一区域1311a基本沿第一方向延伸,第二区域1311b基本沿第一方向延伸。第二区域1311b的预交联度大于第一区域1311a的预交联度。第一区域1311a与第二区域1311b交替间隔设置,基本相互平行。如图3和图4所示,导电复合体131中导电部1312的宽度小于等于第二区域1311b的宽度,并且导电部1312设于第二区域1311b的表面并基本沿第一方向延伸。
作为一种具体实施方式,第二区域1311b的宽度与导电部1312的宽度的差值大于等于0.1mm。本申请实施例中第二区域1311b的设置需要根据导电部1312进行适当调整,以确保导电部1312处于第二区域1311b上。第二区域1311b的宽度设置大于导电部1312,防止热压时第一区域1311a中流动性较好的膜材渗入导电部1312与细栅线1321间,因此第二区域1311b至少要比导电部1312宽0.1mm以上,以确保热压时第一区域1311a的膜材不会渗入。同时第二区域1311b宽度与导电部1312宽度的差值大于等于0.1mm,还能够防止热压时导电部1312由于第一区域1311a与第二区域1311b流动性的不同而造成的偏移,确保热压后导电部1312位置的准确可靠。本申请实施例导电部1312设置于第二区域1311b上,优选地,导电部1312基本设置于第二区域1311b中间。导电部1312设置于第二区域1311b中间能够使第二区域1311b更好地承载导电部1312,降低热压时导电部1312位移的概率,保证热压后连接膜1311与电池片132连接可靠,确保导电部1312与细栅线1321的连接位置准确。
作为一种具体实施方式,第二区域1311b的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm。第一区域1311a的预交联度小于等于15%,第二区域1311b的预交联度大于等于30%。第一区域1311a的黏度小于等于10000Pa·s,第二区域1311b的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s,且第一区域1311a的黏度小于第二区域的黏度。优选地,第二区域1311b的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm,第一区域1311a的预交联度小于等于10%,第二区域1311b的预交联度大于等于40%。
本申请实施例还提供了一种光伏组件100,如图6所示,依次包括基板11、封装胶膜12、电池串13、封装胶膜12和基板11。其中如图7和图8所示,电池串13,包括导电复合体131与电池片132。电池串13中,电池片132呈阵列排布,导电复合体131设于电池片132的两侧,导电复合体131包括连接膜1311与导电部1312。连接膜1311包括,第一区域1311a与第二区域1311b。连接膜1311中,第一区域1311a基本沿第一方向延伸,第二区域1311b基本沿第一方向延伸。第二区域1311b的预交联度大于第一区域1311a的预交联度。第一区域1311a与第二区域1311b交替间隔设置,基本相互平行。导电部1312的宽度小于等于第二区域1311b的宽度,并且导电部1312设于第二区域1311b的表面并基本沿第一方向延伸。如图7所示,将导电部1312设置于连接膜1311的第二区域1311b,能够很好地克服连接膜1311流动性高带来的导电部1312与细栅线1321连接不可靠问题,保证热压时连接膜1311的膜材不进入导电部1312与细栅线1321间,提高导电部1312与细栅线1321连接的可靠性。在连接膜1311进行热压处理时,第二区域1311b能够降低导电部1312由于连接膜1311流动性带来的位移,提高导电部1312与细栅线1321连接的可靠性。如图8所示,导电部1312将相邻的电池片132连接在一起,导电部1312的一端连接在一电池片132的正面,另一端连接在另一电池片132的背面,保证电池片132间具有可靠的电连接。
为更好地说明本申请的技术方案,下面将结合实施例对本发明的技术方案作进一步说明,但本发明并不限于举出的实施例。
以下实施例和对比例中采用由同样工艺制得胶膜作为连接膜1311的基体,然后在基体上经过不同程度的辐照处理制得第一区域1311a和第二区域1311b。其中连接膜1311的基体为常规EVA胶膜,其原料为100重量份EVA树脂、0.5重量份交联剂TAIC、0.6重量份助交联剂DCP、0.2重量份偶联剂乙烯基三甲氧基硅烷、0.5重量份光稳定剂770和0.2重量份抗氧剂1010。连接膜的基体由上述原料经过挤出流延工艺制得。
实施例1
制备如图3和4所示的连接膜1311,基体挤出流延后,经过第一辐照设备经采用能量为150keV的电子束辐照设备进行辐射处理;再经过第二辐照设备采用能量为150keV的电子束辐照设备增大辐照剂量进行辐射处理,辐照处理时采用掩膜版仅将第一区域1311a遮住,使第二区域1311b暴露;最终得到连接膜1311,掩膜版对应9条镂空条状结构。连接膜1311包括十个第一区域1311a和九个第二区域1311b。最终制得的连接膜1311中,第一区域1311a预交联度为8%,第一区域1311a黏度为5000Pa·s,第二区域1311b预交联度为45%,第二区域1311b黏度为10000Pa·s;第二区域1311b的宽度为0.4mm。
制备导电复合体131,如图2所示,将宽度为0.1mm的镀锡铜丝作为导电部1312,导电部1312基本平行设置于第二区域1311b表面,导电部1312基本位于第二区域1311b的中间位置。
实施例2
和实施例1的区别在于,实施例2中:第一区域1311a预交联度为45%,第一区域1311a黏度为10000Pa·s,第二区域1311b预交联度为50%,第二区域1311b黏度为13000Pa·s。
实施例3
和实施例1的区别在于,实施例3中:第一区域1311a预交联度为0%,第一区域1311a黏度为1000Pa·s,第二区域1311b预交联度为8%,第二区域1311b黏度为5000Pa·s。
实施例4
和实施例1的区别在于,实施例4中:第一区域1311a预交联度为0%,第一区域1311a黏度为1000Pa·s,第二区域1311b预交联度为70%,第二区域1311b黏度为100000Pa·s。
实施例5
和实施例1的区别在于,实施例5中:第二区域1311b宽度为5mm,导电部1312宽度为0.5mm。
实施例6
和实施例1的区别在于,实施例6中:第二区域1311b宽度为10mm,导电部1312宽度为1mm。
实施例7
和实施例1的区别在于,实施例7中:第一区域1311a预交联度为0%,第一区域1311a黏度为1000Pa·s,第二区域1311b预交联度为70%,第二区域1311b黏度为100000Pa·s。
实施例8
和实施例1的区别在于,实施例8中:第一区域1311a预交联度为3%,第一区域1311a黏度为2000Pa·s,第二区域1311b预交联度为5%,第二区域1311b黏度为4000Pa·s。
实施例9
和实施例1的区别在于,实施例9中:第一区域1311a预交联度为13%,第一区域1311a黏度为5500Pa·s,第二区域1311b预交联度为15%,第二区域1311b黏度为6000Pa·s。
实施例10
和实施例1的区别在于,实施例10中:第一区域1311a预交联度为0%,第一区域1311a黏度为1000Pa·s,第二区域1311b预交联度为72%,第二区域1311b黏度为120000Pa·s。
实施例11
和实施例1的区别在于,实施例11中:第二区域1311b预交联度为75%,第二区域1311b黏度为150000Pa·s,第二区域1311b宽度为13mm,导电部1312宽度为1mm。
实施例12
和实施例1的区别在于,实施例14中:连接膜1311包括九个第一区域1311a和九个第二区域1311b,第二区域1311b宽度为0.2mm。
对比例1
和实施例1的区别在于,对比例1中,连接膜1311第一区域和第二区域粘度相等,均为10000Pa·s。
对比例2
和实施例1的区别在于,对比例2中,第二区域1311b宽度为0.1mm,即第二区域1311b和导电部1312等宽。
对比例3
和实施例1的区别在于,实施例12中:第二区域1311b宽度为0.2mm,导电部1312基本平行设置于第一区域1311a表面,导电部1312基本位于第一区域1311a的中间位置。
对比例4
和实施例1的区别在于,实施例13中:第二区域1311b宽度为0.2mm,导电部1312基本垂直设置于第一区域1311a与第二区域1311b表面。
性能效果测试:
将上述实施例1-12及对比例1-4中的导电复合体131按以下方法参与组装光伏组件100。
光伏组件100由上到下包括玻璃、EVA前层封装胶膜12、电池串13、EVA后层封装胶膜12、背板,层压温度145摄氏度,抽真空5min,层压10min,一个大气压。其中电池串13如图8所示,电池串13包括若干电池片132及设于电池片132两侧的导电复合体131,其具体为,两片连接膜1311分开设置,由导电部1312相连,导电部1312从上一片连接膜1311第二区域1311b延伸至下一片连接膜1311第二区域1311b,且所述两片连接膜1311正反相对设置。
性能效果测试方法:
1.观察EL图像,可判断是否有虚焊以及是否有隐裂,EL测试为行业常规技术手段;
虚焊:(定量表示)
◎:虚焊位点无(无),
○:虚焊位点1-5个(较少),
△:虚焊位点5-10个(较多),
×:虚焊位点大于10个(严重)。
隐裂:
◎:无隐裂,
○:隐裂处1~3处,
△:隐裂处3~5处,
×:隐裂处大于5处。
2.耐候性:经过老化测试后再次观察EL图像是否有新增虚焊与隐裂;
耐候:
◎:无新增虚焊与隐裂(优异),
○:新增一处虚焊或隐裂(良好),
△:新增2~3处虚焊或隐裂(一般),
×:新增虚焊或隐裂处大于3处(较差)。
3.粘接可靠性:通过观察是否有气泡、脱层判断;
气泡:
◎:无气泡或脱层,
○:气泡或脱层1~2处,
△:气泡或脱层3~5处,
×:气泡或脱层大于5处。
性能测试结果:
性能测试结果如下表1中所示。
表1 实施例1-12和对比例1-4中性能测试结果
Figure BDA0003624109710000151
Figure BDA0003624109710000161
本申请实施例提供的连接膜粘接性能良好,导电部与细栅线连接可靠。由表中数据可知,实施例1-12中的连接膜能够有效防止虚焊,保证导电部与细栅线连接可靠。实施例1-12中热压后连接膜与电池片间的气泡少,连接膜粘接可靠性高。实施例1-12中连接膜热压耐候性优秀,能够对电池片起到良好的保护作用,提高其使用寿命。
对比例1中的连接膜由于第一区域与第二区域的黏度相等,无法兼顾第一区域高粘结性能和第二区域低流动性的性能要求,其产生较为明显的气泡和脱层,其耐候性也较差。对比例2中的导电复合体中,由于第二区域与导电体的宽度相同,在热压后无法良好的保护导电体,使得第一区域中的树脂渗入到导电体和栅线之间,出现较为严重的虚焊。对比例3中导电部设于第一区域中,第一区域黏度较小流动性较差,热压时第一区域的树脂渗入到导电体和栅线之间,出现较为严重的虚焊。对比例4中导电部垂直于第一区域和第二区域设置,虚焊和隐裂情况均较为严重。
综上所述,本申请实施例提供的连接膜粘接性能良好,导电部与细栅线连接可靠,原料来源多,成本低,具有良好的使用前景。
应当理解的是,对于本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种光伏组件用连接膜,其特征在于,包括:
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,所述第二区域的黏度大于所述第一区域的黏度。
2.根据权利要求1所述的一种连接膜,其特征在于:
所述连接膜上间隔设有m个所述第一区域和n个所述第二区域,其中m≥n,且n≥1;相邻之间的所述第一区域基本平行设置,相邻之间的所述第二区域基本平行设置。
3.根据权利要求1所述的一种连接膜,其特征在于:
所述第二区域的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm;优选地,所述第二区域的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm。
4.根据权利要求1所述的一种连接膜,其特征在于:
所述第一区域的预交联度小于所述第二区域的预交联度,所述第一区域的预交联度小于等于15%,所述第二区域的预交联度大于等于30%;优选地,所述第一区域的预交联度小于等于10%,所述第二区域的预交联度大于等于40%。
5.根据权利要求1所述的一种连接膜,其特征在于:
所述第一区域的黏度小于等于10000Pa·s,所述第二区域的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s。
6.根据权利要求1所述的一种连接膜,其特征在于:
所述连接膜通过辐照处理进行预交联;优选地,所述辐照处理包括电子束辐照或紫外光辐照中的至少一种。
7.一种光伏组件用导电复合体,其特征在于,包括:
连接膜,所述连接膜包括,
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,所述第二区域的预交联度大于所述第一区域的预交联度;
导电部,设于所述连接膜中所述第二区域的表面并基本沿第一方向延伸,所述导电部的宽度小于等于所述第二区域的宽度。
8.根据权利要求7所述的一种光伏组件用导电复合体,其特征在于:
所述第二区域的宽度与所述导电部的宽度的差值大于等于0.1mm且小于等于30mm。
9.根据权利要求7所述的一种光伏组件用导电复合体,其特征在于:
所述第二区域的宽度大于等于0.2mm且小于等于10mm,所述第一区域的预交联度小于等于15%,所述第二区域的预交联度大于等于30%,所述第一区域的黏度小于等于10000Pa·s,所述第二区域的黏度大于等于5000Pa·s且小于等于200000Pa·s,且所述第一区域的黏度小于所述第二区域的黏度;
优选地,所述第二区域的宽度大于等于0.3mm且小于等于5mm,所述第一区域的预交联度小于等于10%,所述第二区域的预交联度大于等于40%。
10.一种光伏组件,其依次包括基板、封装胶膜、电池串、封装胶膜和基板,其特征在于:
所述电池串包括,
电池片,呈阵列排布;
导电复合体,设于所述电池片的两侧,所述导电复合体包括,
连接膜,所述连接膜包括,
第一区域,基本沿第一方向延伸;
第二区域,基本沿第一方向延伸,所述第二区域的预交联度大于所述第一区域的预交联度;
导电部,至少部分设于所述连接膜中所述第二区域的表面并基本沿第一方向延伸,所述导电部的宽度小于等于所述第二区域的宽度;所述导电部将相邻的所述电池片连接在一起,所述导电部的一端连接在一所述电池片的正面,另一端连接在另一所述电池片的背面。
CN202210473503.5A 2022-04-29 2022-04-29 一种连接膜、导电复合体及光伏组件 Pending CN114864722A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210473503.5A CN114864722A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种连接膜、导电复合体及光伏组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210473503.5A CN114864722A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种连接膜、导电复合体及光伏组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114864722A true CN114864722A (zh) 2022-08-05

Family

ID=82635415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210473503.5A Pending CN114864722A (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种连接膜、导电复合体及光伏组件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114864722A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN210640261U (zh) * 2019-07-24 2020-05-29 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种光伏组件用封装胶膜和包含其的光伏组件
CN112289879A (zh) * 2020-10-28 2021-01-29 东方日升(常州)新能源有限公司 光伏封装胶膜、光伏组件及其制备方法
CN113035986A (zh) * 2021-04-23 2021-06-25 通威太阳能(合肥)有限公司 一种单电池片、封装膜、太阳能电池组件及其制作方法
CN113707744A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 浙江福斯特新材料研究院有限公司 一种光伏电池片用连接膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN210640261U (zh) * 2019-07-24 2020-05-29 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种光伏组件用封装胶膜和包含其的光伏组件
CN112289879A (zh) * 2020-10-28 2021-01-29 东方日升(常州)新能源有限公司 光伏封装胶膜、光伏组件及其制备方法
CN113035986A (zh) * 2021-04-23 2021-06-25 通威太阳能(合肥)有限公司 一种单电池片、封装膜、太阳能电池组件及其制作方法
CN113707744A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 浙江福斯特新材料研究院有限公司 一种光伏电池片用连接膜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101646788B1 (ko) 태양 전지 모듈의 제조 방법
US8829333B2 (en) Solar cell module and method for manufacturing same
CN112289879B (zh) 光伏封装胶膜、光伏组件及其制备方法
CN203910823U (zh) 背接触式太阳能电池组件
EP2634818B1 (en) Method for producing solar cell module
TWI786104B (zh) 太陽光電模組、太陽光電密封劑及太陽光電模組之生產方法
CN116995109A (zh) 一种低温焊接的背接触光伏组件及其制备方法
WO2023207494A1 (zh) 一种太阳能电池组件的制备方法
US9490382B2 (en) Solar module and manufacturing method therefor
JP2011124435A (ja) 薄膜型太陽電池モジュール及び薄膜型太陽電池モジュールの製造方法
CN103370796A (zh) 薄膜太阳能电池模块和制备薄膜太阳能电池模块的方法
JP5545569B2 (ja) 太陽電池用バックシートの製造方法
US20150303342A1 (en) Back-contacted solar panel and method for manufacturing such a solar panel
JP5625311B2 (ja) 太陽電池用裏面保護シート及び太陽電池モジュール
US20220224285A1 (en) Environment-friendly photovoltaic module manufacturing process and photovoltaic module
EP2835835A1 (en) Crystal system solar battery module and method for manufacturing same
CN114864722A (zh) 一种连接膜、导电复合体及光伏组件
EP2426735A1 (en) Conductive adhesive member and solar cell module
CN211125669U (zh) 一种高可靠性晶体硅太阳能电池封装组件
TWI590482B (zh) 太陽電池模組及其製造方法
CN117153951A (zh) 一种背接触光伏组件的生产方法及背接触光伏组件
CN102382595A (zh) 改性的蒙脱石及包含其的粘合剂组合物
CN114512565A (zh) 导电膜及光伏组件
JP2011159746A (ja) 太陽電池用裏面回路シート、太陽電池モジュール及び太陽電池用裏面回路シートの製造方法
CN109802012B (zh) 太阳能电池组件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination