CN114835900A - 一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法 - Google Patents

一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：在保护气氛下，将1,4‑二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。采用本发明的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体制备的陶瓷的分解温度至少升高到1400℃，具有优异的高温耐氧化性能。

Description

一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C 陶瓷的制备方法
技术领域
本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法。
背景技术
随着特种陶瓷在各种高尖端领域发挥着愈加重要的作用，高性能微纳陶瓷的需求日益增长。陶瓷器件的功能化取决于物理结构上微宏观多层次有序调控与化学材质上多组分分子结构重组，但因传统陶瓷制备工艺的限制以及陶瓷材料本身“硬、脆”的特质，工业中使用的陶瓷制品往往只具备简单的三维形状，无法通过传统减材制造的方式得到具有复杂微纳结构的高性能陶瓷器件，更无法通过模压等方式直接制备高精度复杂结构的高性能特种陶瓷。结合前驱体转化陶瓷(Precursor-Derived Ceramics，PDC)技术和高精度增材制造技术(Additive Manufacturing，AM)，不仅能够在陶瓷物理结构上实现微纳尺寸精度多层次有序调控，还能在化学材质上进行多组分分子结构重组，实现宏/微/纳观多尺度的材料与结构的设计，得到热机械性能良好、轻量化、多功能复杂微纳结构的陶瓷器件。
与传统陶瓷相比，PDC具有突出的热氧稳定性能、抗高温蠕变性能和良好的化学稳定性能，可用作各个高尖端领域的关键部件的结构材料。硅氧碳 (Si-O-C)陶瓷具有良好的化学、机械和热性能而受到了广泛的关注，但是其在高于1300℃的温度下会快速降解迅速失重导致机械性能显著降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法，采用本发明的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体制备的陶瓷具有优异的高温耐氧化性能。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：
在保护气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；
将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。
优选地，所述硼酸衍生物溶液的浓度为0.11～0.15g/mL。
优选地，所述硼酸衍生物、含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷的摩尔比为 0.30～0.37：0.075～0.15：0.325～0.35：0.1：0.05～0.1。
优选地，所述聚合反应的温度为75～120℃，聚合反应的时间为6～12h。
本发明提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。
本发明提供了一种Si-B-O-C陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合，得到打印原料；所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为上述技术方案所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体；
采用3D打印技术将所述打印原料进行打印，得到陶瓷素坯；
在保护气氛下，将所述陶瓷素坯进行热解处理，得到Si-B-O-C陶瓷。
优选地，所述光引发剂为(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦。
优选地，所述光引发剂的质量为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体质量的 1～5％。
优选地，所述热解处理的温度为1100～1500℃，保温时间为2～3h。
优选地，所述保护气氛为氩气气氛。
本发明提供了一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，本发明将硼掺入碳氧化硅网络中可以形成B(OSi)3单元，同时使SiO4单元减少，使SiC 结晶增强，采用本发明的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体制备的陶瓷的分解温度至少升高到1400℃，具有优异的高温耐氧化性能。
本发明还提供了一种Si-B-O-C陶瓷的制备方法，本发明将增材制造技术与超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱相结合，通过3D打印得到陶瓷素坯，再热解得到线性收缩、致密、无缺陷的Si-B-O-C陶瓷。本发明制备的Si-B-O-C 陶瓷由于具有更加优异的性能可被用作高性能特种结构陶瓷、陶瓷涂层、陶瓷基复合材料和陶瓷纤维等，使其在工业、电子、核反应堆、航空、航天、能源以及医疗等领域都有广阔的应用前景。
附图说明
图1为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的合成路线图；
图2为DLP 3D打印的Si-B-O-C陶瓷素坯及对应的热解陶瓷照片；
图3为在氩气气氛下以10℃/min的升温速率测量紫外光固化的 UV-HB-PBS的TGA热分析图；
图4为DLP 3D打印Si-B-O-C陶瓷扫描电镜照片；
图5为在空气气氛下以10℃/min的升温速率测量Si-B-O-C陶瓷的TGA 热分析图；
图6为在空气气氛下以10℃/min的升温速率测量Si-O-C陶瓷和 Si-B-O-C陶瓷的TGA热分析图。
具体实施方式
本发明提供了一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：
在保护气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；
将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。
本发明在保护气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液。在本发明中，所述硼酸衍生物优选包括硼酸、芳基硼酸或烷基硼酸；所述芳基硼酸优选为苯硼酸；所述烷基硼酸优选为甲基硼酸或乙基硼酸。在本发明中，所述保护气氛优选为氩气气氛。在本发明中，所述混合优选在 Schlenk瓶中进行。在本发明的具体实施例中，采用双排管技术对Schlenk 瓶进行除水除氧三循环操作，在氩气气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物加入Schlenk瓶中进行混合。在本发明中，所述混合优选在搅拌条件下进行；所述混合的温度优选为室温。
在本发明中，所述硼酸衍生物溶液的浓度优选为0.11～0.15g/mL。
得到硼酸衍生物溶液后，本发明将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。在本发明中，所述硼酸衍生物、含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷的摩尔比优选为 0.30～0.37：0.075～0.15：0.325～0.35：0.1：0.05～0.1，更优选为0.37：0.075： 0.3251：0.1：0.05。在本发明中，所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合优选包括：依次将含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷加入硼酸衍生物溶液中。
在本发明中，所述含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷优选包括3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-[二乙氧基(甲基)甲硅烷基]甲基丙烯酸丙酯、3- 甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷或甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷；所述二烷氧基硅烷优选包括甲基乙烯基二甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷或二苯基二甲氧基硅烷；所述苯基取代的二烷氧基硅烷优选包括二苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷、二甲氧基二对甲苯基硅烷或二甲氧基双(五氟苯基)硅烷；所述含取代基的一烷氧基硅烷优选包括甲氧基三甲基硅烷、二甲基乙氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷或(氯甲基)(乙氧基)二甲基硅烷。
在本发明中，所述聚合反应优选为“一锅法”反应。在本发明中，所述聚合反应的温度优选为75～120℃，更优选为80～100℃；所述聚合反应的时间优选为6～12h，更优选为8～10h。
本发明优选在所述聚合反应后，将所得聚合体系冷却至室温，然后进行减压蒸馏，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。在本发明中，所述减压蒸馏的温度优选为55℃。本发明通过减压蒸馏除去溶剂及未反应的小分子物质。
在本发明中，所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为无色透明；所述支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的产率优选为68～69％。
在本发明的具体实施例中，所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的合成路线如图1所示。3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷及二苯基二甲氧基硅烷上的甲氧基会与硼酸衍生物上的羟基发生缩合反应，脱去一分子甲醇，生成-Si-O-B-的结构。而甲氧基三甲基硅烷作为单官能团的封端剂，可使反应生成的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体 (UV-HB-PBS)的分子量处于一个合适的范围内，即粘度在50～3000mPa·s 的液体状态，以便于后续3D打印过程的实施。丙烯酸酯基团具有极其高效的光固化性能，合成单体中，3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷上的丙烯酸酯基团赋予超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体高效的光固化性能；甲基乙烯基二甲氧基硅烷中的不饱和双键可使得超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体在热解过程中发生二次交联，可进一步提升陶瓷产率；二苯基二甲氧基硅烷上的两个苯环具有两方面的作用：首先，苯环的引入可在提高陶瓷产率的同时提高产物陶瓷的介电性能；第二，苯环的引入可对-O-B-O-键起到保护作用，阻止水解现象的发生。
本发明提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。在本发明中，所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的粘度优选为50～3000mPa·s。
本发明还提供了一种Si-B-O-C陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合，得到打印原料；所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为上述技术方案所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体；
采用3D打印技术将所述打印原料进行打印，得到陶瓷素坯；
在保护气氛下，将所述陶瓷素坯进行热解处理，得到Si-B-O-C陶瓷。
本发明将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合，得到打印原料。在本发明中，所述光引发剂优选为(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦。在本发明中，所述光引发剂的质量优选为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体质量的1～5％，更优选为2～4％。在本发明中，所述混合在避光条件下进行。在本发明中，所述混合优选在室温搅拌条件下进行。
得到打印原料后，本发明采用3D打印技术将所述打印原料进行打印，得到陶瓷素坯。在本发明中，所述3D打印技术优选为数字光处理(Digital LightProcessing，DLP)3D打印。在本发明的具体实施例中，采用的3D打印设备为北京十维科技有限责任公司制造的型号为AUTOCERA-M型DLP 3D 打印机。本发明在所述打印过程中即完成固化。
在本发明中，所述打印的条件优选包括：当3D打印的切片厚度为100μm 时，打印机光源波长为405nm；光源辐照强度为15mW/cm2；单层曝光时长为5s；刮刀移动速度为50％；当3D打印的切片厚度为25μm时，打印机光源波长为405nm；光源辐照强度为8mW/cm2；单层曝光时长为3s；刮刀移动速度为50％；当3D打印的切片厚度为50μm时，打印机光源波长为405nm；光源辐照强度为10mW/cm2；单层曝光时长为3s；刮刀移动速度为50％；当3D打印的切片厚度为75μm时，打印机光源波长为405nm；光源辐照强度为15mW/cm2；单层曝光时长为4s；刮刀移动速度为50％。
本发明在所述打印过程中，固化一层，成形台上移一层的高度，继续固化下一层，层层叠加形成三维的结构。本发明打印所得陶瓷素坯形貌规整，实现了各种复杂典型结构的打印。
得到陶瓷素坯后，本发明在保护气氛下，将所述陶瓷素坯进行热解处理，得到Si-B-O-C陶瓷。在本发明中，所述保护气氛优选为氩气气氛。
在本发明中，所述热解优选在高温管式炉中进行，更优选在合肥科晶材料技术有限公司制造的GSL-1700X型高温管式炉中进行。在本发明中，所述热解处理的温度优选为1100～1500℃，更优选为1200～1300℃；保温时间优选为2～3h。在本发明中，由室温升温至所述热解处理的温度的升温速率优选为1～5℃/min，更优选为2～3℃/min。在本发明的具体实施例中，所述热解处理为：将陶瓷素坯在300℃保温2h，550℃保温2h，1300℃保温3h。
在本发明中，所述Si-B-O-C陶瓷为线性收缩，收缩方向为各向同性；所述Si-B-O-C陶瓷表面致密无缺陷，无任何裂纹和气孔。在本发明中，所述Si-B-O-C陶瓷在室温(25℃)～1400℃具有优异的高温耐氧化性能。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例采用的原料
3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷 (3-Methacryloxypropyltrimethoxysilane)(纯度为98％)，甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Vinylmethyldimethoxysilane)(纯度为97％)，二苯基二甲氧基硅烷(Dimethoxydiphenylsilane)(纯度为98％)，甲氧基三甲基硅烷 (Methoxytrimethylsilane)(纯度为98％)，(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦((Diphenylphosphoryl)(mesityl)methanone)(纯度为97％)，购自上海阿拉丁生化科技股份有限公司，直接使用。
1,4-二氧六环(1,4-Dioxane)(超干，含水量低于100ppm)，购自北京伊诺凯科技有限公司，直接使用。
甲基硼酸(Methylboronic acid)(纯度为98％)，购于上海毕得医药科技股份有限公司，直接使用。
实施例1
(1)可紫外光固化的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体(UV-curablehyperbranchedpolyborosiloxane,UV-HB-PBS)的合成
整个过程采用Schlenk技术。采用双排管技术对Schlenk瓶进行除水除氧三循环操作，在氩气气氛下，分别将200mL超干1,4-二氧六环和22.15g 甲基硼酸加入到Schlenk瓶中，室温搅拌，得到甲基硼酸溶液；使用注射器依次将0.075mol 3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、0.325mol甲基乙烯基二甲氧基硅烷、0.1mol二苯基二甲氧基硅烷及0.05mol甲氧基三甲基硅烷加入甲基硼酸溶液中，加装回流装置，室温反应15min后，加热至80℃持续反应8h，自然冷却至室温；将液相产物于55℃减压旋蒸除去溶剂及未反应完的小分子，得到77.25g无色透明、粘度为1970mPa·s)的UV-HB-PBS 产物，产率为68.12％。
(2)DLP 3D打印制备复杂结构Si-B-O-C陶瓷素坯
避光条件下，在50g所述UV-HB-PBS中加入2g光引发剂(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦，室温搅拌至光引发剂完全溶解后，得到打印原料。DLP 3D打印所用设备为北京十维科技有限责任公司制造的型号为 AUTOCERA-M型DLP 3D打印机。
将所述打印原料置于DLP 3D打印机原料槽中，打印机光源波长为405 nm，设置打印参数如下：光源辐照强度为15mW/cm2，单层曝光时长为5s，刮刀移动速度为50％。采用北京十维科技有限责任公司研发的专用切片软件10dim对3D建模的打印模型进行切片处理，切片厚度为100μm。将生成的打印机专用文件输入打印机后，进行打印。打印的各种结构如图2中的 (a)、(b)、(c)和(d)所示，打印所得陶瓷素坯形貌规整，实现了各种复杂典型结构的打印。
(3)热解制备Si-B-O-C陶瓷
通过热重分析(ThermogravimetricAnalysis,TGA)技术对聚合物前驱体的热解行为进行分析测试，以指导热解过程温度梯度的设置。如图3所示。从热失重TGA曲线中，紫外光固化的Si-B-O-C陶瓷素坯在200℃之前的热失重主要来自于未反应完小分子及残留溶剂的挥发；热交联反应在 200～350℃；350～800℃之间发生有机无机转化，随后热失重曲线趋于平整，最终在1400℃时的陶瓷热解产率为55.06％。基于上述测试结果，制定热解温度梯度。
将DLP 3D打印的陶瓷素坯置于高温管式炉中，采用合肥科晶材料技术有限公司制造的GSL-1700X型高温管式炉进行热解处理，气氛为氩气气氛，升温速率为3℃/min，300℃保温2h，550℃保温2h，1300℃保温3h，得到Si-B-O-C陶瓷。
测试例
所得Si-B-O-C陶瓷如图2中的(e)、(f)、(g)和(h)所示，可以看出，热解处理后的陶瓷样品保持原有形状，无裂纹，密度高，线性收缩率为34.8％。由于收缩是各向同性的，因此不会导致热解结构的任何变形。通过阿基米德排水法测得Si-B-O-C陶瓷的密度为2.11g/cm。
图4显示了在1300℃氩气气氛下，无裂纹烧结的Si-B-O-C陶瓷结构的 SEM图像。从图4中可以清晰看到，层层堆叠的DLP 3D打印特征，陶瓷结构表面致密无缺陷，最终放大到100nm尺度依旧无任何裂纹和气孔等缺陷，证明了所制备的Si-B-O-C陶瓷的致密性。
为了进一步测试所制备的Si-B-O-C陶瓷的高温耐氧化性能，采用空气气氛的TGA对热解所得Si-B-O-C陶瓷进行高温耐氧化性能测试，升温速率为10℃/min，测试结果如图5所示。由图5可以看出，空气环境下，在室温(25℃)～1400℃测量范围内，Si-B-O-C陶瓷的质量变化仅不到0.5％，说明所制备的Si-B-O-C陶瓷具有卓越的高温耐氧化性能。
与专利CN108676166A中实施例2制备的Si-O-C陶瓷的高温耐氧化性能比较，如图6所示，圆点标示曲线为本发明制备的3D打印Si-B-O-C陶瓷的高温耐氧化性能曲线，三角标示曲线为3D打印Si-O-C陶瓷高温耐氧化性能曲线，可以显著看出，本发明制备的Si-B-O-C陶瓷具有更加优异的高温耐氧化性能，特别是在大于1000℃范围内，优势显著。
实施例2
可紫外光固化的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体(UV-curablehyperbranchedpolyborosiloxane,UV-HB-PBS)的合成
整个过程采用Schlenk技术。采用双排管技术对Schlenk瓶进行除水除氧三循环操作，在氩气气氛下，分别将200mL超干1,4-二氧六环和17.95g 甲基硼酸加入到Schlenk瓶中，室温搅拌，得到甲基硼酸溶液；使用注射器依次将0.15mol 3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、0.35mol甲基乙烯基二甲氧基硅烷、0.10mol二苯基二甲氧基硅烷及0.10mol甲氧基三甲基硅烷加入甲基硼酸溶液中，加装回流装置，室温反应15min后，加热至80℃持续反应8h，自然冷却至室温；将液相产物于55℃减压旋蒸除去溶剂及未反应完的小分子，得到93.77g无色透明、粘度为1240mPa·s的UV-HB-PBS 产物，产率为68.78％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：
在保护气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；
将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼酸衍生物溶液的浓度为0.11～0.15g/mL。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼酸衍生物、含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷的摩尔比为0.30～0.37：0.075～0.15：0.325～0.35：0.1：0.05～0.1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的温度为75～120℃，聚合反应的时间为6～12h。
5.权利要求1～4任一项所述制备方法制备得到的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。
6.一种Si-B-O-C陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合，得到打印原料；所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为权利要求5所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体；
采用3D打印技术将所述打印原料进行打印，得到陶瓷素坯；
在保护气氛下，将所述陶瓷素坯进行热解处理，得到Si-B-O-C陶瓷。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光引发剂为(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述光引发剂的质量为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体质量的1～5％。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热解处理的温度为1100～1500℃，保温时间为2～3h。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述保护气氛为氩气气氛。
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