CN114824039B - 显示器件的封装方法 - Google Patents

显示器件的封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114824039B
CN114824039B CN202210520222.0A CN202210520222A CN114824039B CN 114824039 B CN114824039 B CN 114824039B CN 202210520222 A CN202210520222 A CN 202210520222A CN 114824039 B CN114824039 B CN 114824039B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
light
curing
photo
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210520222.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114824039A (zh
Inventor
高秉详
赖玟佑
林柏青
许雅筑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Original Assignee
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd, Interface Technology Chengdu Co Ltd, Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd, General Interface Solution Ltd filed Critical Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202210520222.0A priority Critical patent/CN114824039B/zh
Publication of CN114824039A publication Critical patent/CN114824039A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114824039B publication Critical patent/CN114824039B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示器件的封装方法。显示器的封装方法包括:在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层,曝光光固化材料的膜层,使光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层,其中,第一固化区域的杨氏模量大于第二固化区域的杨氏模量;对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型。本发明的显示器的封装方法能够有效避免显示器件中的发光元件发生损坏,从而提高了显示器件的可靠性。

Description

显示器件的封装方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及显示器件的封装方法。
背景技术
随著显示技术的成熟发展,显示器件的形状已从熟知的平面逐渐发展成多曲面形状,而为达到显示器件需要的外型,往往需要搭配热塑成型技术来实现,但显示器件内的金属走线和电子元件容易在热塑成型的过程中受到拉扯而失效,造成显示器件的可靠性较差。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术中显示器件在封装过程中,内部金属走线和电子元件易失效,导致显示器件可靠性较差的问题,提供一种能够提高显示器件的可靠性的显示器件的封装方法。
本申请实施例提供一种显示器件的封装方法,包括:
在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层,其中,光固化材料的膜层覆盖发光元件;
曝光光固化材料的膜层,使光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层,其中,发光元件位于第一固化区域中,且第一固化区域的杨氏模量大于第二固化区域的杨氏模量;
对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型。
在其中一个实施例中,曝光光固化材料的膜层,使光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层的具体步骤包括:
利用掩膜版对光固化材料的膜层进行曝光,光固化材料的膜层上与掩膜版的第一区域对应的区域形成第一固化区域;固化材料的膜层上与掩膜版的第二区域对应的区域形成第二固化区域;
其中,掩膜版包括第一区域和第二区域,第一区域的光透过率大于第二区域的光透过率。
在其中一个实施例中,掩膜版的第一区域被构造为完全透光区域,掩膜版的第二区域被构造为遮光区域。
在其中一个实施例中,第一固化区域的杨氏模量和第二固化区域的杨氏模量的比大于1.2。
在其中一个实施例中,弯曲成型的步骤前后,第二固化区域的面积变化量与第一固化区的面积变化量的比大于1.1。
在其中一个实施例中,第一固化区域的数量为多个,多个第一固化区域间隔布置,第二固化区域分布于各第一固化区域之间。
在其中一个实施例中,承载膜层的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、液晶聚合物中的至少一者或者至少两者的组合;和/或
承载膜层的背离发光元件的一侧还形成有辅助膜层,辅助膜层的材料为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物中的至少一者、或者至少两者的组合。
在其中一个实施例中,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过丝网印刷、或者喷墨印刷、或者点胶、或者旋转涂布的方式将液态的光固化材料设置在设有发光元件的承载膜层上,以形成液态的光固化材料的膜层。
在其中一个实施例中,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过滚轮贴合或者真空贴合的方式将光固化材料的膜材贴附在设有发光元件的承载膜层上,以形成光固化材料的膜层。
在其中一个实施例中,对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型的具体步骤包括:
对形成了光固化层的承载膜层进行热塑成型。
在其中一个实施例中,对形成有光固化层的承载膜层进行弯曲成型的步骤之后还包括:
对弯曲成型后的光固化层进行整面曝光。
在其中一个实施例中,光固化材料的膜层的材料为环氧树脂系、硅系、亚克力系树脂或是聚异戊二烯橡胶中的至少一者;和/或
在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的步骤之前还包括:
提供承载膜层;
在承载膜层上形成发光元件。
上述的显示器件的封装方法的有益效果:
通过在承载膜层上形成了光固化材料的膜层,并对光固化材料的膜层进行曝光形成光固化层,在曝光后,光固化层中的第一固化区域的杨氏模量大于第二固化区域的杨氏模量,而发光元件位于第一固化区域中,即设有发光元件的第一固化区域的抗形变的能力大于未设有发光元件的第二固化区域的抗形变能力,这样,在对形成了光固化层承载膜层进行弯曲成型的过程中,与第一固化区域相比,第二固化区域更容易发生变形,即变形区域会主要集中在未设有发光元件的第二固化区域中,设有发光元件的第一固化区域未发生变形,或发生的变形较小,达到了以第一固化区域固定发光元件的效果,这可以有效避免显示器件中的发光元件发生损坏,从而提高了显示器件的可靠性。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法的流程示意图;
图2为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的形成过程的示意图;
图3为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的另一种形成过程的示意图;
图4为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的再一种形成过程的示意图;
图5为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中固态的光固化材料的膜层的形成过程的示意图;
图6为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中固态的光固化材料的膜层的另一种形成过程的示意图;
图7为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对光固化材料的膜层进行曝光的示意图;
图8为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中在承载膜层上形成发光元件的示意图;
图9为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的示意图;
图10为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对光固化材料的膜层进行曝光的示意图;
图11为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型的示意图;
图12为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对弯曲成型后的所述光固化层进行整面曝光的示意图;
图13为本申请一实施例提供的显示器件的结构示意图。
附图标号说明:
100:显示器件
10:承载膜层
20:发光元件
30:光固化材料的膜层
31:第一固化区域
32:第二固化区域
33:光固化层
40:固化光线
41:热塑成型模具
50:掩膜版
51:第一区域
52:第二区域
60:设有发光元件的承载膜层
61:网版
62:喷头
63:旋转台
64:涂布管道
65:辊轴
66:真空工作腔
67:承载平台
68:压合平台
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
下面结合附图说明本申请实施例的显示器件的封装方法。需要说明的是,本申请中的显示器件例如可以是有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板、液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)面板、次毫米发光二极管(MiniLight-Emitting Diode,简称Mini LED)显示面板或发光二极管(Light-Emitting Diode,简称LED)显示面板等,本申请实施例中以显示器件是LED显示面板为例进行说明,对于显示器件是其他类型的情况与此类似,此处不再赘述。
图1为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法的流程示意图。
参照图1,本实施例的显示器件的封装方法包括:
S10、在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层,其中,光固化材料的膜层覆盖发光元件;
S20、曝光光固化材料的膜层,使光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层,其中,发光元件位于第一固化区域中,且第一固化区域的杨氏模量大于第二固化区域的杨氏模量;
S30、对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型。
在上述方案中,在承载膜层上形成了光固化材料的膜层,并对光固化材料的膜层进行曝光形成光固化层,在曝光后,光固化层中的第一固化区域的杨氏模量大于第二固化区域的杨氏模量,而发光元件位于第一固化区域中,即设有发光元件的第一固化区域的抗形变的能力大于未设有发光元件的第二固化区域的抗形变能力,这样,在对形成了光固化层承载膜层进行弯曲成型的过程中,与第一固化区域相比,第二固化区域更容易发生变形,即变形区域会主要集中在未设有发光元件的第二固化区域中,设有发光元件的第一固化区域未发生变形,或发生的变形较小,达到了以第一固化区域固定发光元件的效果,这可以有效避免显示器件中的发光元件发生损坏,从而提高了显示器件的可靠性。
其中,步骤S10中,承载膜层的材料可以为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、液晶聚合物中的至少一者或者至少两者的组合。
在其他一些实施例中,若承载膜层的变形能力不佳(杨氏模量较大),可以在承载膜层的背离发光元件的一侧形成变形能力较好(杨氏模量较小)的辅助膜层。辅助膜层的材料可以为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物中的至少一者、或者至少两者的组合。
这里的发光元件以发光二极管LED为例进行说明,对于发光元件是其他类型元器件的情况与此类似,此处不再赘述。
另外,光固化材料的膜层覆盖发光元件是指,光固化材料的膜层覆盖承载膜层的形成有发光元件的表面,同时将发光元件整个覆盖。
图2为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的形成过程的示意图,图3为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的另一种形成过程的示意图,图4为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中液态的光固化材料的膜层的再一种形成过程的示意图。
本申请实施例中,光固化材料的膜层的材料可以为环氧树脂系、硅系、亚克力系树脂或是聚异戊二烯橡胶中的至少一者。
另外,光固化材料的膜层的材料可以根据材料状态的不同而采用不同的方式形成。
具体的,参照图2,作为一种可能的实施方式,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过丝网印刷的方式将液态的光固化材料设置在设有发光元件的承载膜层60上,以形成液态的光固化材料的膜层30。具体的,将网版61上的光固化材料形成在设有发光元件的承载膜层60上,并覆盖发光元件(未图示)。
参照图3,作为另一种可能的实施方式,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过喷墨印刷或者点胶的方式将液态的光固化材料设置在设有发光元件的承载膜层60上,以形成液态的光固化材料的膜层30。具体的,将储存容器中的光固化材料通过喷头62喷射在设有发光元件的承载膜层60上,并覆盖发光元件。
参照图4,作为再一种可能的实施方式,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过旋转涂布的方式将液态的光固化材料设置在设有发光元件的承载膜层60上,以形成液态的光固化材料的膜层30。具体的,将设有发光元件的承载膜层60放置在旋转台63上,光固化材料从涂布管道64出口落至设有发光元件的承载膜层60上,并使旋转台63带动承载膜层旋转,直至光固化材料被均匀涂布至设有发光元件的承载膜层60上,并覆盖发光元件。
参照图5,作为再一种可能的实施方式,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过滚轮贴合的方式将光固化材料的膜材贴附在设有发光元件的承载膜层60上,以形成光固化材料的膜层30。具体的,利用辊轴65将光固化材料的膜材贴附在设有发光元件的承载膜层60上,并覆盖发光元件。
参照图6,作为又一种可能的实施方式,在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过真空贴合的方式将光固化材料的膜材贴附在设有发光元件的承载膜层60上,以形成光固化材料的膜层30。具体的,将形成有发光元件的承载膜层60放置于真空工作腔66中的承载平台67上,将光固化材料的膜材贴附在真空工作腔66的压合平台68上,使压合平台68和承载平台67相互靠近,实现光固化材料的膜层30与设有发光元件的承载膜层60的真空贴合。
本申请实施例中,在步骤S10之前,还包括:
提供承载膜层;
在承载膜层上形成发光元件。
本申请实施例的步骤S20中,对光固化材料的膜层曝光以形成光固化层,这里的曝光是指需要对光固化材料的膜层进行分区域曝光,以形成杨氏模量不同的第一固化区域和第二固化区域,可以将所有的发光元件设于杨氏模量较大,不易发生变形的第一固化区域中,这样在后续热塑成型的步骤中,发光元件在第一固化区域的保护下,不易发生变形,也避免了断裂或破坏。
需要说明的是,具体实现时,第一固化区域的杨氏模量和第二固化区域的杨氏模量的比大于1.2。这样能够在弯曲成型、例如热塑成型的过程中,尽可能的将变形集中在第二固化区域中。
这里,第一固化区域的数量可以为多个,多个第一固化区域间隔布置,第二固化区域分布于各第一固化区域之间。另外,第一固化区域的位置可以根据发光元件的设置位置来决定。
图7为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对光固化材料的膜层进行曝光的示意图。
参照图7,步骤S20中,对光固化材料的膜层进行曝光的步骤具体包括:
利用掩膜版50对光固化材料的膜层30进行曝光,光固化材料的膜层30上与掩膜版50的第一区域51对应的区域形成第一固化区域31;光固化材料的膜层30上与掩膜版50的第二区域52对应的区域形成第二固化区域32;
其中,掩膜版上的第一区域51的光透过率大于第二区域52的光透过率。换言之,正由于第一区域51的光透过率大于第二区域52的光透过率,因此,光固化材料的膜层30中,对第一固化区域31的曝光程度、大于对第二固化区域32的曝光程度。
具体实现时,掩膜版50的第一区域51可以被构造为完全透光区域,掩膜版50的第二区域52可以被构造为遮光区域。或者,也可以是掩膜版50的第一区域51被构造为半透光区域,掩膜版50的第二区域52被构造为遮光区域。
本申请实施例中,在对光固化材料的膜层进行曝光之后,可以继续进行弯曲成型步骤。这里的弯曲成型可以是热塑成型,即对形成了光固化层的承载膜层进行热塑成型。
需要注意的是,在弯曲成型的过程中,第二固化区域的拉伸量要大于第一固化区域的拉伸量,这里的拉伸量可以通过相应固化区域的面积来体现,例如,在弯曲成型的过程中,第二固化区域在成型前后的面积变化量要大于第一固化区域在成型前后的面积变化量。具体的,在弯曲成型前后,第二固化区域的面积变化量与第一固化区的面积变化量的比大于1.1,这样能够保证变形尽量发生在第二固化区域中。
另外,在弯曲成型前后,光固化层的面积的变化量之比要大于1.1,以使发光器件封装后达到具有符合要求的曲面造型。
在弯曲成型的步骤之后,还可以对弯曲成型后的光固化层进行整面曝光,这样可以将第一固化区域也完全固化,形成最后的显示器产品。
图8为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中在承载膜层上形成发光元件的示意图,图9为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的示意图,图10为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对光固化材料的膜层进行曝光的示意图,图11为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对形成了光固化层的承载膜层进行弯曲成型的示意图,图12为本申请一实施例提供的显示器件的封装方法中对弯曲成型后的所述光固化层进行整面曝光的示意图。
下面结合图8~图12,举出一个具体的示例来说明本申请的显示器件的封装方法。
步骤一:提供用于搭载电子元件的承载膜层10,并在承载膜层10上形成发光元件20,如图8所示。
步骤二:在图8所示的设有发光元件20的承载膜层10上形成光固化材料的膜层30,如图9所示,其中,光固化材料的膜层30可以整层覆盖承载膜层10,并覆盖发光元件20;
步骤三:如图10所示,利用掩膜版50曝光光固化材料的膜层30,使光固化材料的膜层30形成为包括第一固化区域31和第二固化区域32的光固化层33,其中,发光元件20位于第一固化区域31中,且第一固化区域31的杨氏模量大于第二固化区域32的杨氏模量。这里需要注意的是,当固化光线40、例如紫外光照射到掩膜版50上时,部分固化光线40经过第一区域51照射到光固化材料的膜层30上的部分区域中,该部分区域被固化,形成第一固化区域31;而光固化材料的膜层30上与第二区域52对应的部分区域未被固化光线40照射,或者照射程度较弱,对应形成第二固化区域32。
步骤四:如图11所示,将图10中形成了光固化层33的承载膜层10放置到热塑成型模具41中,对形成了光固化层33的承载膜层10进行热塑成型。
步骤五:如图12所示,利用固化光线40对弯曲成型后的光固化层33进行整面曝光。
图13为本申请一实施例提供的显示器件的结构示意图。
参照图13,本申请实施例还提供一种显示器件100,采用前述的显示器件的封装方法制作而成。需要说明的是,显示器件的封装方法已经在前文进行过详细说明,此处不再赘述。
显示器件100包括承载膜层10、发光元件20、光固化层33。
其中,承载膜层10和光固化层33被构造为相互匹配的弯曲形状。发光元件20设置在承载膜层10上,光固化层33设于承载膜层10上,并覆盖发光元件20。
可以理解的是,承载膜层10上还可以设有金属走线(未图示)等,金属走线可以与发光元件20电连接,用于实现发光元件20和外部电路的引线或者信号传输。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种显示器件的封装方法,其特征在于,包括:
在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层,其中,所述光固化材料的膜层覆盖所述发光元件;
曝光所述光固化材料的膜层,使所述光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层,其中,所述第一固化区域覆盖所述发光元件,且覆盖至所述承载膜层的形成有所述发光元件的表面,所述发光元件位于所述第一固化区域中,且所述第一固化区域的杨氏模量大于所述第二固化区域的杨氏模量;
对形成了所述光固化层的所述承载膜层进行弯曲成型。
2.根据权利要求1所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述曝光所述光固化材料的膜层,使所述光固化材料的膜层形成包括第一固化区域和第二固化区域的光固化层的具体步骤包括:
利用掩膜版对所述光固化材料的膜层进行曝光,所述光固化材料的膜层上与所述掩膜版的第一区域对应的区域形成所述第一固化区域;所述固化材料的膜层上与所述掩膜版的第二区域对应的区域形成所述第二固化区域;
其中,所述掩膜版包括第一区域和第二区域,所述第一区域的光透过率大于所述第二区域的光透过率。
3.根据权利要求2所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述掩膜版的第一区域被构造为完全透光区域,所述掩膜版的第二区域被构造为遮光区域。
4.根据权利要求1所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述第一固化区域的杨氏模量和所述第二固化区域的杨氏模量的比大于1.2。
5.根据权利要求1所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述弯曲成型的步骤前后,所述第二固化区域的面积变化量与所述第一固化区的面积变化量的比大于1.1。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述第一固化区域的数量为多个,所述多个第一固化区域间隔布置,所述第二固化区域分布于各所述第一固化区域之间。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述承载膜层的材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、液晶聚合物中的至少一者或者至少两者的组合;和/或
所述承载膜层的背离所述发光元件的一侧还形成有辅助膜层,所述辅助膜层的材料为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物中的至少一者、或者至少两者的组合。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过丝网印刷、或者喷墨印刷、或者点胶、或者旋转涂布的方式将液态的光固化材料设置在所述设有发光元件的承载膜层上,以形成液态的光固化材料的膜层。
9.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的具体步骤包括:
通过滚轮贴合或者真空贴合的方式将光固化材料的膜材贴附在所述设有发光元件的承载膜层上,以形成所述光固化材料的膜层。
10.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述对形成了所述光固化层的所述承载膜层进行弯曲成型的具体步骤包括:
对形成了所述光固化层的所述承载膜层进行热塑成型。
11.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述对形成有所述光固化层的所述承载膜层进行弯曲成型的步骤之后还包括:
对弯曲成型后的所述光固化层进行整面曝光。
12.根据权利要求1~5中任一项所述的显示器件的封装方法,其特征在于,所述光固化材料的膜层的材料为环氧树脂系、硅系、亚克力系树脂或是聚异戊二烯橡胶中的至少一者;和/或
所述在设有发光元件的承载膜层上形成光固化材料的膜层的步骤之前还包括:
提供承载膜层;
在所述承载膜层上形成发光元件。
CN202210520222.0A 2022-05-13 2022-05-13 显示器件的封装方法 Active CN114824039B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210520222.0A CN114824039B (zh) 2022-05-13 2022-05-13 显示器件的封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210520222.0A CN114824039B (zh) 2022-05-13 2022-05-13 显示器件的封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114824039A CN114824039A (zh) 2022-07-29
CN114824039B true CN114824039B (zh) 2023-08-08

Family

ID=82514668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210520222.0A Active CN114824039B (zh) 2022-05-13 2022-05-13 显示器件的封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114824039B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333847A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd Led表示装置
WO2014156159A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 東芝ホクト電子株式会社 発光装置とその製造方法
CN105431767A (zh) * 2013-05-14 2016-03-23 微软技术许可有限责任公司 用于生产基于玻璃的非平面数字显示器的方法
CN107331795A (zh) * 2017-08-22 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种封装薄膜、柔性显示器件及柔性终端
CN111584504A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333847A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd Led表示装置
WO2014156159A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 東芝ホクト電子株式会社 発光装置とその製造方法
CN105431767A (zh) * 2013-05-14 2016-03-23 微软技术许可有限责任公司 用于生产基于玻璃的非平面数字显示器的方法
CN107331795A (zh) * 2017-08-22 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种封装薄膜、柔性显示器件及柔性终端
CN111584504A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114824039A (zh) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8610837B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN111312660B (zh) 显示面板和显示装置
KR101027219B1 (ko) 표시소자의 제조방법
KR101246656B1 (ko) 유기 일렉트로루미네센스 패널, 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이, 유기 일렉트로루미네센스 조명 및 그들의 제조 방법
KR101884628B1 (ko) 발광 모듈 및 백라이트 유닛
US7969741B2 (en) Substrate structure
US8110840B2 (en) Light emitting apparatus and method for the same
US9581851B2 (en) Liquid crystal display device
TWI483151B (zh) 觸控顯示模組及其組裝方法
US9864226B2 (en) Liquid crystal display device
WO2018166374A1 (zh) 光固化3d打印机及其树脂池组件
US8964150B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US20100208492A1 (en) Illuminating apparatus and method for manufacturing illuminating apparatus
EP3410500B1 (en) Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device
KR20100054002A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN114824039B (zh) 显示器件的封装方法
TW202042414A (zh) 背光裝置用面光源模組及其製作方法
CN110164302B (zh) 软性显示装置及其制造方法
CN116013912A (zh) 显示模组封装方法及显示模组
CN110706589A (zh) 电驱动元件及其制法
CN114822287A (zh) 一种显示模组及其制作方法
CN115669240A (zh) 结构的制造方法及结构
CN215869392U (zh) 一种显示面板及其装置
KR101211715B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그 제조방법
CN112882278B (zh) 显示面板、显示模组及其制作方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240111

Address after: 518109, Building E4, 101, Foxconn Industrial Park, No. 2 East Ring 2nd Road, Fukang Community, Longhua Street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province (formerly Building 1, 1st Floor, G2 District), H3, H1, and H7 factories in K2 District, North Shenchao Optoelectronic Technology Park, Minqing Road, Guangdong Province

Patentee after: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd.

Patentee after: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd.

Patentee after: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd.

Address before: No.689 Hezuo Road, West District, high tech Zone, Chengdu City, Sichuan Province

Patentee before: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd.

Patentee before: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd.

Patentee before: Yicheng Photoelectric (Wuxi) Co.,Ltd.

Patentee before: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd.

TR01 Transfer of patent right