CN114823913A - 显示面板及其制作方法、移动终端 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，该显示面板包括层叠设置于基底上的薄膜晶体管层、补氧功能层以及电极层；薄膜晶体管层包括设置于基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，有源层的材料为金属氧化物半导体，电极层的材料为金属氧化物材料，其中，补氧功能层靠近电极层一侧的含氧量大于补氧功能层靠近有源层一侧的含氧量。

Description

显示面板及其制作方法、移动终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。
背景技术
氧化物(Oxide)型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)凭借其低的工艺温度、高的迁移率、对可见光透明，可以在室温制作大面积优质薄膜并可与现有产线设备兼容、可以制作在柔性衬底上等优点，被认为是最有希望的下一代薄膜晶体管之一。
通常，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，源极和漏极分设于有源层的两端且分别与有源层接触；在实际应用中，源极和漏极通过有源层导通，载流子从源极流向漏极或者从漏极流向源极，其中，有源层通常采用湿法刻蚀形成，而源极和漏极也是采用湿法刻蚀形成，因此，在制作源极和漏极时，有源层容易受到刻蚀剂的影响而产生缺陷(氧空位增加)，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响薄膜晶体管的工作稳定性。
发明内容
本申请实施例提供一种移动终端，用以缓解相关技术中的不足。
为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
基底；
薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层；
补氧功能层，位于所述源漏电极层远离所述有源层的一侧；
电极层，位于所述补氧功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述电极层的材料为金属氧化物材料；
其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的第一钝化层，所述补氧功能层包括所述第一钝化层；所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的第二钝化层。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述电极层为阳极，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的像素定义层。
本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法的步骤包括：
提供一基底，在所述基底上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层以及第一钝化层；
在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层；以及
蚀刻所述金属氧化物层，并对蚀刻后的所述金属氧化物层进行导体化以形成电极层，其中，所述第一钝化层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述第一钝化层靠近所述有源层一侧的含氧量。
在本申请实施例所提供的制作方法中，所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层的步骤包括：
在所述第一钝化层远离所述源漏电极层的一侧形成金属氧化物薄膜；
所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理，形成金属氧化物层。
在本申请实施例所提供的制作方法中，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
采用沉积工艺在所述电极层远离所述第一钝化层的一侧形成第二钝化层。
在本申请实施例所提供的制作方法中，所述电极层为阳极，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
采用沉积工艺在所述电极层远离所述补氧功能层的一侧形成像素定义层。
在本申请实施例所提供的制作方法中，所述沉积工艺为等离子体增强气相沉积工艺，所述等离子体包括氦气、氩气、氢气和氧气中的一种或一种以上的混合气体。
本申请实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例的有益效果：本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置于基底上的薄膜晶体管层、补氧功能层以及电极层；所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体，所述电极层的材料为金属氧化物材料，其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量，所述补氧功能层用于在制作所述电极层时被注入氧离子、及释放氧离子以填补有源层中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响所述显示面板器件的工作稳定性缺陷。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；
图3A至图3D为图1中显示面板制作的结构工艺流程图；
图4为本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图；
图6A至图6C为图5中显示面板制作的结构工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1～图6C，本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板1包括：
基底10；
薄膜晶体管层20，设置于所述基底10上，所述薄膜晶体管层20包括设置于所述基底10上方的栅极21、栅极绝缘层22、有源层23以及源漏电极层24，所述有源层23的材料为金属氧化物半导体；
补氧功能层30，位于所述有源层23远离所述基底10一的侧；
电极层40，位于所述补氧功能层30远离所述薄膜晶体管层20的一侧，所述电极层40的材料为金属氧化物材料；
其中，所述补氧功能层30靠近所述电极层40一侧的含氧量大于所述补氧功能层30靠近所述有源层23一侧的含氧量。
可以理解的是，在现有显示面板中，氧化物(Oxide)型薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极，源极和漏极分设于有源层的两端且分别与有源层接触；在实际应用中，源极和漏极通过有源层导通，载流子从源极流向漏极或者从漏极流向源极，其中，有源层通常采用湿法刻蚀形成，而源极和漏极也是采用湿法刻蚀形成，因此，在制作源极和漏极时，有源层容易受到刻蚀剂的影响而产生缺陷(氧空位增加)，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响薄膜晶体管的工作稳定性。
本申请实施例通过在补氧功能层30远离有源层23的一侧设置电极层40，所述电极层40与所述补氧功能层30相接触，所述电极层40的材料为金属氧化物材料；其中，所述补氧功能层30靠近所述电极层40一侧的含氧量大于所述补氧功能层30靠近所述有源层23一侧的含氧量，所述补氧功能层30用于在制作所述电极层40时被注入氧离子、及释放氧离子以填补所述有源层23中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层23氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响所述显示面板1器件的工作稳定性缺陷。
在一实施例中，请参阅图1和图4；其中，图1为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图，图4为本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图。
本实施例提供一种显示面板1，所述显示面板1包括但不限于发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)和有机发光二极管显示面板1(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)中的一种，本实施例对此不做具体限制；需要说明的是，本实施例以所述显示面板为发光二极管为例对本申请的技术方案进行描述。
所述显示面板1包括基底10、位于所述基底10上的薄膜晶体管层20、补氧功能层30以及电极层40；其中，所述基底10可以包括刚性基底10或柔性基底10，当所述基底10为刚性基底10时，材料可以是金属或玻璃，当所述基底10为柔性基底10时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。本实施例对所述基底10的材料不做限制。
所述薄膜晶体管层20包括层叠设置于所述基底10上的栅极21、有源层23和源漏电极层24，所述第一金属层包括位于所述基底10上的栅极21，所述有源层23包括有源段231和与所述有源段231相连接的导体段，所述导体段包括与所述源漏电极层24连接的搭接部(图中未标记)，所述源漏电极层24包括间隔设置的源极24A和漏极24B，所述源极24A和所述漏极24B与所述搭接部连接；具体地，所述搭接部包括与所述源极24A接触的第一搭接部232A、及与所述漏极24B接触的第二搭接部232B，所述有源段231位于所述第一搭接部232A和所述第二搭接部232B之间；所述薄膜晶体管层20还包括位于所述栅极21和所述有源层23之间的栅极绝缘层22，所述栅极21对应所述有源段231设置。
进一步地，所述有源层23的材料包括金属氧化物半导体，所述金属氧化物材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)；所述第一金属层的材料和所述源漏电极层24的材料均包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述薄膜晶体管层20远离所述基底10一侧的第一钝化层31，所述第一钝化层31与所述有源层23相接触，且所述有源段231在所述基底10上的正投影位于所述第一钝化层31在所述基底10上的正投影内；优选地，所述第一钝化层31的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等或其层叠；具体地，在本实施例中，所述第一钝化层31的材料为氧化硅(SIO)；优选地，所述补氧功能层30包括所述第一钝化层31。
所述电极层40与所述第一钝化层31相接触，所述电极层40的材料包括金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，需要说明的是，所述电极层40可以通过在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下制作金属氧化物层，蚀刻所述金属氧化物层，并对蚀刻后的所述金属氧化物层进行导体化以形成，其中，在形成所述金属氧化物层的过程中，可以使部分氧离子注入到所述第一钝化层31内；其中，所述电极层40为像素电极或公共电极中的一种。
具体地，在本实施例中，所述电极层40包括层叠设置的第一电极层40A和第二电极层40B，所述第一电极层40A与所述第一钝化层31相接触，所述第二电极层40B位于所述第一电极层40A远离所述第一钝化层31的一侧，所述电极层40包括所述第一电极层40A；优选地，所述第一电极层40A为所述公共电极，所述第二电极层40B为所述像素电极，所述第二电极层40B与所述第一漏极24B相接触。
需要说明的是，如图4所示，在另一实施例中，所述第一电极层40A可为像素电极，所述第二电极层40B可为公共电极，所述第一电极层40A与所述第一漏极24B相接触，因此，本实施例对所述第一电极层40A和所述第二电极层40B的种类不做具体限制。
可以理解的是，本实施例通过在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下制作所述金属氧化层，以使得形成所述金属氧化层的过程中部分氧离子注入到所述补氧功能层30内。
进一步地，在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述第一电极层40A和所述第二电极层40B之间的第二钝化层50，所述第二钝化层50通过沉积工艺制作，其中，所述沉积工艺在高温环境下进行，从而使所述补氧功能层30内的氧离子释放到所述有源层23，以填补所述有源层23中的氧空位。
可以理解的是，本实施例通过在补氧功能层30远离有源层23的一侧设置电极层40，所述电极层40与所述补氧功能层30相接触，所述电极层40的材料为金属氧化物材料；其中，所述补氧功能层30用于在制作所述电极层40时被注入氧离子、及释放氧离子以填补所述有源层23中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层23氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响薄膜晶体管的工作稳定性缺陷；同时，在本实施例中，所述第一电极层40A可复用为所述电极层40，所述第一钝化层31可复用为所述补氧功能层30，因而无需在所述显示面板1的制作工作中额外增加一道制备补氧功能层30的工艺步骤，从而可有效简化所述显示面板1的制作工艺流程。
需要说明的是，在本实施例中，所述栅极21、所述栅极绝缘层22以及所述有源层23层叠设置仅用于举例说明，本实施例对所述薄膜晶体管层20的膜层结构不做具体限制。
请结合图1、图2、图3A至图3D；其中，图1为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；图2为本申请实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；图3A至图3D为图1中显示面板制作的结构工艺流程图。
本实施例提供一种显示面板1的制作方法，所述制作方法的步骤包括：
步骤S100：提供一基底10，在所述基底上依次形成栅极21、栅极绝缘层22、有源层23、源漏电极层24以及第一钝化层31，如图3A所示。
具体地，所述步骤S100包括以下步骤：
步骤S101：在所述基底10上沉积第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成所述栅极21；其中，所述第一金属层的材料包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
步骤102：在所述栅极21远离所述基底10的一侧形成栅极绝缘层22，所述栅极绝缘层22的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等或其层叠。
步骤S103：在所述基底10上沉积金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜的材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，对所述金属氧化物薄膜图案化处理，形成所述有源层23。
步骤S104：在所述有源层23远离所述栅极绝缘层22的一侧沉积源漏电极层24，对所述第一金属层图案化处理，形成所述源漏电极层24；其中，所述源漏电极层24的材料包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
具体地，所述有源层23包括有源段231和与所述有源段231相连接的导体段，所述导体段包括与所述源漏电极层24连接的搭接部，所述源漏电极层24包括间隔设置的源极24A和漏极24B，所述搭接部包括与所述源极24A接触的第一搭接部232A、及与所述漏极24B接触的第二搭接部232B，所述有源段231位于所述第一搭接部232A和所述第二搭接部232B之间。
步骤S105：在所述源漏电极层24远离所述有源层23的一侧形成第一钝化层31，其中，所述第一钝化层31与所述有源段231相接触，且所述有源段231在所述基底10上的正投影位于所述第一钝化层31在所述基底10上的正投影内；优选地，所述第一钝化层31的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等或其层叠；具体地，在本实施例中，所述第一钝化层31的材料为氧化硅(SIO)。
步骤S200：在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层31上形成金属氧化物层400，如图3B所示。
其中，所述金属氧化物层400在一制作腔室内通过沉积工艺形成，具体地，在制作腔室内，氧气与惰性气体的气压比大于40％，从而在高氧的环境下制作所述金属氧化物层400，以使得形成所述金属氧化物层400的过程中部分氧离子注入到所述第一钝化层31内。
其中，所述惰性气体包括但不限于氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的一种或一种以上的混合气体，优选地，在本实施例中，所述惰性气体为氩气。
步骤S300：蚀刻所述金属氧化物层400，并对蚀刻后的所述金属氧化物层400进行导体化以形成电极层40，其中，所述第一钝化层31靠近所述电极层40一侧的含氧量大于所述第一钝化层31靠近所述有源层23一侧的含氧量，如图3C所示。
进一步地，在本实施例中，所述步骤300包括以下步骤：
步骤S301：对所述金属氧化物层400进行蚀刻，形成电极图案，其中，所述蚀刻的方法包括但不限于湿法刻蚀。
步骤S302：对所述电极图案进行等离子体处理，以使所述电极图案导体化，形成第一电极层40A，所述第一电极层40A为所述像素电极或所述公共电极中的一种，优选地，所述第一电极40A为所述公共电极。
具体地，在所述步骤302中，所述等离子体为氦气、氩气、氢气和氧气中的一种或一种以上的混合气体，优选地，在本实施例中，所述等离子体为氩气。
可以理解的是，所述像素电极和所述公共电极对导电率的要求较高，因此本实施例通过对所述电极层进行等离子体处理，以使所述电极层导体化，从而提升所述电极层的导电性能。
具体地，在本实施例中，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
步骤S400：在所述第一电极40A远离所述第一钝化层31的一侧形成第二钝化层50，其中，所述第二钝化层50通过沉积工艺制作，其中，所述沉积工艺在高温环境下进行，从而使所述第一钝化层31内的氧离子释放到所述有源层23，以填补所述有源层23中的氧空位，如图3D所示。
其中，所述第二钝化层50的制作方法采用等离子体增强气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺，PECVD工艺为高温工艺，因此在形成第二钝化层50的过程中即可使得所述第一钝化层31释放氧离子，因而无需额外增设“高温工艺”来使得所述第一钝化层31释放氧离子，可保证制备工序简单化。
在本实施例中，所述显示面板的制作方法还包括步骤500：
在所述第二钝化层50远离所述第一电极40A的一侧形成第二电极层40B，所述第二电极层40B为所述像素电极，所述第二电极层40B与所述第一漏极24B相接触。
可以理解的是，本实施例通过在所述第一钝化层31远离所述有源层23的一侧形成电极层40，所述电极层40与所述补氧功能层30相接触，所述电极层40的材料为金属氧化物材料，其中，所述电极层40在氧气与氩气的气压比大于40％的环境下制作，以使得形成所述电极层40的过程中部分氧离子注入到所述第一钝化层31内；在沉积工艺中，将所述第一钝化层31内的氧离子释放到有源层23，以填补所述有源层23中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层23氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响薄膜晶体管的工作稳定性缺陷。
同时，在本实施例中，所述第一电极层40A可复用为所述电极层40，所述第一钝化层31可复用为补氧功能层30，因而无需在所述显示面板1的制作工作中额外增加一道制备补氧功能层30的工艺步骤，从而可有效简化所述显示面板1的制作工艺流程；并且，所述补氧功能层30与所述有源段231相接触所述源极24A和所述漏极24B位于所述补氧功能层30与所述有源层23之间，从而防止所述补氧功能层30对所述有源层23除了有源段231以外的区域补充氧离子，而造成所述显示面板1器件发生电性异常。
请参阅图5，本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图。
在本实施例中，所述显示面板的结构与上述实施例所提供的显示面板的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
本实施例提供一种显示面板1，所述显示面板1包括但不限于发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)和有机发光二极管显示面板1(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)中的一种，本实施例对此不做具体限制；需要说明的是，本实施例以所述显示面板为机发光二极管显示面板为例对本申请的技术方案进行描述。
在本实施例中，所述显示面板1包括基底10、位于所述基底10上的薄膜晶体管层20、补氧功能层30以及电极层40；所述薄膜晶体管层20包括层叠设置于所述基底10上的栅极21、栅极绝缘层22、有源层23、源漏电极层24以及第一钝化层31，所述源漏电极层24包括间隔设置的源极24A和漏极24B，所述补氧功能层30包括所述第一钝化层31。
所述显示面板1还包括位于所述第一钝化层31远离所述有源层23一侧的阳极40C，所述阳极40C与所述第一钝化层31相接触，其中，所述电极层40包括所述阳极40C；具体地，所述阳极40C与所述第一钝化层31相接触，所述阳极40C的材料包括金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，其中，所述阳极40C在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下制作，以使得形成所述阳极40C的过程中部分氧离子注入到所述第一钝化层31内，其中，所述惰性气体包括但不限于氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的一种或一种以上的混合气体，优选地，在本实施例中，所述惰性气体为氩气。
进一步地，在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述阳极40C远离所述第一钝化层31的像素定义层60、发光层70以及阴极80，所述像素定义层60的制作方法采用等离子体增强气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺，PECVD工艺为高温工艺，在高温工艺的环境下，所述补氧功能层30内的氧离子释放到所述有源层23，以填补所述有源层23中的氧空位。
需要说明的是在本实施例中，所述栅极21、所述栅极绝缘层22以及所述有源层23层叠设置仅用于举例说明，本实施例对所述薄膜晶体管层20的膜层结构不做具体限制。
请结合图5、图6A至图6C；其中，图6A至图6C为图5中显示面板制作的结构工艺流程图。
本实施例提供一种显示面板1的制作方法，包括以下步骤：
步骤S100：提供一基底10，在所述基底上依次形成栅极21、栅极绝缘层22、有源层23、源漏电极层24以及第一钝化层31，如图6A所示。
步骤S200：在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层31上形成金属氧化物层400。
进一步地，在本实施例中，所述步骤200包括以下步骤：
步骤S201：在所述第一钝化层31上形成开孔，所述开孔位于所述漏极24B上。
步骤S202：在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层31上形成金属氧化物层400。
所述金属氧化物层400的材料为金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，如图6B所示。
其中，所述金属氧化物层400在一制作腔室内通过沉积工艺形成，具体地，在制作腔室内，氧气与惰性气体的气压比大于40％，从而在高氧的环境下制作所述金属氧化物层400，以使得形成所述金属氧化物层400的过程中部分氧离子注入到所述第一钝化层31内。
其中，所述惰性气体包括但不限于氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的一种或一种以上的混合气体，优选地，在本实施例中，所述惰性气体为氩气。
步骤S300：蚀刻所述金属氧化物层400，并对蚀刻后的所述金属氧化物层400进行导体化以形成电极层40。
进一步地，在本实施例中，所述步骤300包括以下步骤：
步骤S301：对所述金属氧化物层400进行蚀刻，形成电极图案，其中，所述蚀刻的方法包括但不限于湿法刻蚀。
步骤S302：对所述电极图案进行等离子体处理，以使所述电极图案导体化，形成阳极40C，所述阳极40C通过所述开孔与所述漏极24B相连接，如图6C所示。
具体地，在所述步骤302中，所述等离子体为氦气、氩气、氢气和氧气中的一种或一种以上的混合气体，优选地，在本实施例中，所述等离子体为氩气。
步骤S400：在所述阳极40C远离所述第一钝化层31的一侧依次形成像素定义层60、发光层以及阴极，其中，所述像素定义层60通过沉积工艺制作，其中，所述沉积工艺在高温环境下进行，从而使所述补氧功能层30内的氧离子释放到所述有源层23，以填补所述有源层23中的氧空位，如图5所示。
其中，所述像素定义层60的制作方法采用等离子体增强气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺，PECVD工艺为高温工艺，因此在形成所述像素定义层60的过程中即可使得补氧功能层30释放氧离子，因而无需额外增设“高温工艺”来使得补氧功能层30释放氧离子，可保证制备工序简单化。
本实施例提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和上述任一实施例中所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
可以理解的是，所述显示面板已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
在具体应用时，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等设备的显示屏，甚至可以应用在具有柔性显示屏的电子设备上。
本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置于基底上的薄膜晶体管层、补氧功能层以及电极层；所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体，所述电极层的材料为金属氧化物材料，其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量，所述补氧功能层用于在制作所述电极层时被注入氧离子、及释放氧离子以填补有源层中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响所述显示面板器件的工作稳定性缺陷。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体；
补氧功能层，位于所述源漏电极层远离所述有源层的一侧；
电极层，位于所述补氧功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述电极层的材料为金属氧化物材料；
其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的第一钝化层，所述补氧功能层包括所述第一钝化层；所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的第二钝化层。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电极层为阳极，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的像素定义层。
5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法的步骤包括：
提供一基底，在所述基底上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层以及第一钝化层；
在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层；以及
蚀刻所述金属氧化物层，并对蚀刻后的所述金属氧化物层进行导体化以形成电极层，其中，所述第一钝化层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述第一钝化层靠近所述有源层一侧的含氧量。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层的步骤包括：
在所述第一钝化层远离所述源漏电极层的一侧形成金属氧化物薄膜；
所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理形成金属氧化物层。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
采用沉积工艺在所述电极层远离所述第一钝化层的一侧形成第二钝化层。
8.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述电极层为阳极，所述制作方法还包括以下步骤：
采用沉积工艺在所述电极层远离所述补氧功能层的一侧形成像素定义层。
9.根据权利要求7或8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述沉积工艺为等离子体增强气相沉积工艺，所述等离子体包括氦气、氩气、氢气和氧气中的一种或一种以上的混合气体。
10.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体和如权利要求1-4中所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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