CN114804840B - 一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用，该氧化铝陶瓷基板，包括以下质量百分比的组分：氧化铝99～99.5％，MgO‑CaO‑SiO2 0.1～0.6％，变价氧化物0.3～0.5％，稀土氧化物0.1～0.5％。本发明中的氧化铝陶瓷基板采用氧化铝、MgO‑CaO‑SiO2、稀土氧化物、变价氧化物复配，具有高纯度，氧化铝的含量为99％，较低的烧结温度、高致密度、高的机械强度和高的击穿强度等性能，可以适用于要求低损耗、高纯度的电子产品中。

Description

一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于电子产品领域，具体涉及一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用。
背景技术
目前，微电子工业技术发展迅速，电子器件、电子设备向着高度集成化、小型化发展，对陶瓷基板的性能要求也越来越高。由于氧化铝陶瓷基板具有优良的绝缘性能、较好的热导率及较强的机械强度等显著特点，在电子工业领域被广泛应用。目前市场上的氧化铝陶瓷基板大多是以96氧化铝陶瓷基板为主，其主要应用于厚膜集成电路、LED封装等领域，但对于高频器件用输入输出基板、光通信器件用基板、继电器用基板等需要采用高纯度(纯度大于99％以上)的氧化铝基板，以实现低损耗时，96氧化铝陶瓷基板将不再适用。
然而高纯度的氧化铝陶瓷基板的烧结温度较高，采用微米级、亚微米级的氧化铝粉作为原料时，在1700℃以上的高温下烧结才能形成致密结构，而一般的连续式电窑的最高温度不超过1650℃，因此，需要采用惰性气体保护的石墨发热炉或热压炉等间歇式的高温炉中进行烧结，而这些烧结设备较为昂贵，生产效率低，产量少，综合成本很高，很难达到市场化的成本要求。
虽然通过降低氧化铝粉的粒径能够显著降低其烧结温度，实现在1650℃下达到致密结构，但小粒径的氧化铝粉体易团聚，坯体成型困难，基板存在机械强度差和抗电强度低等问题。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的问题，本发明的目的之一在于提供一种氧化铝陶瓷基板；所述氧化铝陶瓷基板的烧结温度低，致密度较高，机械强度较好。
本发明的目的之二在于提供一种氧化铝陶瓷基板的制备方法。
本发明的目的之三在于提供一种氧化铝陶瓷基板在电子产品中的应用。
为了实现上述目的，本发明所采取的技术方案是：
本发明的第一个方面在于提供一种氧化铝陶瓷基板，包括以下质量百分比的组分：氧化铝99～99.5％，MgO-CaO-SiO2 0.1～0.6％，变价氧化物0.3～0.5％，稀土氧化物0.1～0.5％。本发明通过采用烧结助剂，可以降低烧结温度，使本发明中的氧化铝陶瓷基板可以在较低的烧结温度下进行烧结。此外，通过采用复配烧结助剂(MgO-CaO-SiO2、变价氧化物和稀土氧化物的复配)，不同种类烧结助剂成分之间的协同作用，可提高氧化铝陶瓷基板的致密度、机械强度和击穿强度等性能。
优选地，所述MgO-CaO-SiO2中，MgO：CaO：SiO2的质量比为1:(0.8～1.2):(1.6～2.4)；进一步优选地，所述MgO-CaO-SiO2中，MgO：CaO：SiO2的质量比为1:(0.9～1.1):(1.8～2.2)；再进一步优选地，所述MgO-CaO-SiO2中，MgO：CaO：SiO2的质量比为1:1:2。
优选地，变价氧化物包括变价金属的氧化物；变价氧化物为含有变价金属的氧化物，在作用过程中变价金属的一部分可发生化合价的转变。进一步优选地，变价金属可为铁、锰、钛、铜、铈、镧、铬、钒、钼、锆等中的至少一种。
优选地，所述变价氧化物包括TiO2、TiO2-MnO2、MnO2中的至少一种；进一步优选地，所述变价氧化物为TiO2-MnO2，TiO2和MnO2以任意比例混合；再进一步优选地，所述变价氧化物TiO2-MnO2中，TiO2和MnO2的质量比为(1.5～2.5):1；更进一步优选地，所述变价氧化物TiO2-MnO2中，TiO2和MnO2的质量比为2:1。本发明选择与Al3+离子半径、价态不同的TiO2、TiO2-MnO2、MnO2中的至少一种，且选择的为中间价态。在烧结过程中，变价氧化物中的变价金属通过升高或降低价态，致使Al2O3粒子产生缺陷，活化晶格，从而降低烧结温度。
优选地，所述稀土氧化物包括La2O3、Y2O3、La2O3-Y2O3中的至少一种；进一步优选地，所述稀土氧化物包括La2O3-Y2O3，La2O3和Y2O3以任意比例混合；再进一步优选地，所述稀土氧化物La2O3-Y2O3中，La2O3和Y2O3的质量比为1：(0.8～1.2)；更进一步优选地，所述稀土氧化物La2O3-Y2O3中，La2O3和Y2O3的质量比为1：1。
优选地，所述MgO-CaO-SiO2的质量百分数为0.1～0.6％；进一步优选地，所述MgO-CaO-SiO2的质量百分数为0.3～0.6％；再进一步优选地，所述MgO-CaO-SiO2的质量百分数为0.4～0.6％；更进一步优选地，所述MgO-CaO-SiO2的质量百分数为0.4％。MgO-CaO-SiO2作为烧结助剂，在较低的温度下能够促使产生液相，液相通过其表面张力填充气孔，能够在一定程度上抑制晶粒的再结晶，促进烧结过程，降低烧结温度。若MgO-CaO-SiO2添加量较小，难以形成液相降低烧结温度，若添加量较大，则La2O3-Y2O3等其他烧结助剂含量较少，液相形成过程较慢，难以降低烧结温度。
优选地，所述TiO2-MnO2的质量百分数为0.3-0.5％；进一步优选地，所述TiO2-MnO2的质量百分数为0.4-0.5％；再进一步优选地，所述TiO2-MnO2的质量百分数为0.4％。TiO2-MnO2与Al2O3能够生成固溶体，Al3+与它们的离子半径、价态不同，通过变价作用，致使Al2O3粒子产生缺陷，活化晶格，降低烧结温度。若TiO2-MnO2添加量较小，势垒降低较小，难以降低烧结温度；若TiO2-MnO2添加量较大，MgO-CaO-SiO2等其他烧结助剂含量较少，难以形成液相。
优选地，所述La2O3-Y2O3的质量百分数为0.1-0.5％；进一步优选地，所述La2O3-Y2O3的质量百分数为0.2-0.4％；再进一步优选地，所述La2O3-Y2O3的质量百分数为0.2％。La2O3-Y2O3是一种良好的表面活性剂，可改善氧化铝陶瓷基板的润湿性能，降低陶瓷基板材料的熔点。这主要是由于加入La2O3-Y2O3可促进氧化铝与MgO-CaO-SiO2等烧结助剂组分的化学反应，易于形成低熔点液相，并通过颗粒之间的毛细管作用，促使颗粒间的物质向孔隙处填充，使材料孔隙率减低，致密度提高。另外，由于添加的La2O3-Y2O3离子半径相对于Al3+要大的多，难以与Al2O3形成固溶体，因此La2O3-Y2O3主要存在于Al2O3陶瓷的晶界上，仅有玻璃网络结构的La2O3-Y2O3，由于La2O3-Y2O3体积较大，在结构中自身迁移阻力大，并阻碍其他离子迁移，降低晶界迁移速率，抑制晶粒生长，有利于致密结构的形成。此外，La2O3-Y2O3可促进MgO-CaO-SiO2等组分形成低熔点液相；TiO2-MnO2通过变价作用，与Al2O3能够生成固溶体，活化晶格，降低势垒，加快与MgO-CaO-SiO2等组分形成液相的过程。相比于引入单一烧结助剂，1)MgO-CaO-SiO2组分大幅度提升传质速率，可加快陶瓷基板内部气泡排出速度，减小气孔率，增强机械性能；2)TiO2-MnO2组分降低反应势垒，实现活化晶格的目的，进一步提升传质；3)La2O3-Y2O3组分细化晶粒，增强陶瓷基板的致密程度，进而提高击穿强度。三者结合后可实现固相烧结与液相烧结相协同，最大程度提升陶瓷基板机械性能、致密度和抗电性能。
优选地，所述氧化铝陶瓷基板是由包括无机粉体和有机助剂的原料制得，所述无机粉体包括氧化铝、MgO-CaO-SiO2、变价氧化物、稀土氧化物。
优选地，所述有机助剂的用量为无机粉体用量的23～70wt％。
优选地，所述有机助剂包括以下重量份的制备原料：分散剂0.5-3份，粘结剂2-10份，增塑剂0.5-7份，溶剂20-50份。溶剂的作用是溶解粘结剂、塑化剂、偶联剂等组分，同时分散无机粉体。粘结剂的作用是作为体系中唯一连续相，在溶剂中溶解，产生一定粘度，使浆料具备合适流延的粘度。流延成型后，粘结剂的存在使得生坯具有足够的强度，粘结剂的种类和用量对坯片的性能起到了重要的作用，如强度、柔韧性、可塑性等。增塑剂的作用是流延过程中增加生坯的可塑性。
优选地，所述无机粉体为纳米级粉末。本发明采用纳米级的无机粉体可提高粉体的比表面积，改善粉体的点接触，降低烧制温度。
优选地，所述氧化铝为纳米级氧化铝。本发明采用纳米级氧化铝可以显著降低烧结温度，实现在1650℃温度以下烧结仍可以达到致密结构。
优选地，所述氧化铝的粒径为100～500nm；进一步优选地，所述氧化铝的粒径为100～380nm；再进一步优选地，所述氧化铝的粒径为100～250nm。
优选地，所述氧化铝陶瓷基板的致密度为3.70～3.8g·cm-1；进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的致密度为3.73～3.8g·cm-1；再进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的致密度为3.75～3.8g·cm-1。
优选地，所述氧化铝陶瓷基板的抗弯强度为324～400MPa；进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的抗弯强度为340～400MPa；再进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的抗弯强度为355～400MPa；更优选地，所述氧化铝陶瓷基板的抗弯强度为370～400MPa。
优选地，所述氧化铝陶瓷基板的断裂韧性为5.23～5.8MPa·m1/2；进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的断裂韧性为5.4～5.8MPa·m1/2；再进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的断裂韧性为5.6～5.8MPa·m1/2。
优选地，所述氧化铝陶瓷基板的击穿强度为15～20kV/mm；进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的击穿强度为17～20kV/mm；再进一步优选地，所述氧化铝陶瓷基板的击穿强度为18～20kV/mm。
本发明的第二个方面在于提供本发明第一个方面提供的氧化铝陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：
S1：将所有制备原料球磨混合，流延成型，得到生坯；
S2：将所述生坯冷等静压处理，然后排胶和烧结，制得所述氧化铝陶瓷基板。
优选地，步骤S1中的球磨混合是为了获得纳米级的无机粉体。
优选地，所述球磨采用球磨罐进行球磨。
优选地，所述球磨的球磨介质为氧化铝球。
优选地，所述氧化铝与氧化铝球的质量比为1:1.2～2；进一步优选地，所述氧化铝与氧化铝球的质量比为1:1.2～1.8；再进一步优选地，所述氧化铝与氧化铝球的质量比为1:1.5。
优选地，所述球磨时间为14～20h；进一步优选地，所述球磨时间为14～18h；再进一步优选地，所述球磨时间为16～18h。
优选地，所述步骤S1中还包括脱泡步骤；所述脱泡步骤位于流延成型步骤之前。
优选地，所述脱泡步骤具体为在真空下进行脱泡。通过真空脱泡能够降低坯体的气孔率，改善陶瓷的微观结构。
优选地，所述排胶温度为200-300℃；进一步优选地，所述排胶温度为250-300℃；再进一步优选地，所述排胶温度为250-280℃。
优选地，所述排胶时间为24-48h；进一步优选地，所述排胶时间为24-36h；再进一步优选地，所述排胶时间为24-30h。
优选地，所述烧结温度为1550～1650℃；进一步优选地，所述烧结温度为1550～1600℃；进一步优选地，所述烧结温度为1550～1590℃。
优选地，所述烧结时间为15-25h；进一步优选地，所述烧结时间为15-20h；再进一步优选地，所述烧结时间为18-20h。
优选地，所述步骤S2还包括干燥、真空密封的步骤；所述干燥、真空密封的步骤位于将所述生坯冷等静压处理步骤之前。
优选地，所述干燥温度为80-120℃；进一步优选地，所述干燥温度为100-120℃；再进一步优选地，所述干燥温度为100-110℃。
优选地，所述干燥时间为1-1.5h；进一步优选地，所述干燥时间为1-1.3h；再进一步优选地，所述干燥时间为1.2-1.3h。
优选地，所述冷等静压处理的压力为200-300MPa；进一步优选地，所述冷等静压处理的压力为250-300MPa；再进一步优选地，冷等静压处理的压力为250-280MPa。
本发明的第三个方面在于提供本发明第一个方面提供的氧化铝陶瓷基板在电子产品中的应用。
优选地，所述电子产品包括高频器件、光通信器件、继电器。
本发明的有益效果是：本发明中的氧化铝陶瓷基板采用氧化铝、MgO-CaO-SiO2、稀土氧化物、变价氧化物复配，具有高纯度(99％)，较低的烧结温度、高致密度、高的机械强度和高的击穿强度等性能，可以适用于要求低损耗、高纯度的电子产品中。
此外，本发明中的制备方法通过在氧化铝粉末中添加复配烧结助剂(MgO-CaO-SiO2、稀土氧化物和变价氧化物复配)可以显著降低烧结温度，使本发明中的氧化铝陶瓷基板可以实现在1550-1650℃下烧结从而获得致密高强的陶瓷基板。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的具体实施作进一步详细说明，但本发明的实施和保护不限于此。需要指出的是，以下若为有未特别详细说明之过程，均是本领域技术人员可参照现有技术实现或理解的。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，视为可以通过市售购买得到的常规产品。
实施例1：
本例中的氧化铝陶瓷基板，是由以下质量百分比的组分组成：氧化铝99％，MgO-CaO-SiO20.4％，TiO2-MnO2 0.4％，La2O3-Y2O3 0.2％，其中，MgO-CaO-SiO2中的MgO、CaO、SiO2的质量比为1:1:2；TiO2-MnO2中的TiO2和MnO2的质量比为2:1；La2O3-Y2O3中的La2O3和Y2O3的质量比为1:1。
本例中的氧化铝陶瓷基板的制备原料如下表1所示：
表1氧化铝陶瓷基板的制备原料
Figure BDA0003585435170000061
本例中的氧化铝陶瓷基板采用以下制备方法制得，具体包括以下步骤：
步骤1：将表1中的所有制备原料混合，然后进行球磨，球磨罐的外壳为铁，内衬为瓷砖，球磨介质为氧化铝球，氧化铝粉与球磨介质的质量比为1:1.5，球磨时间16h，制得浆料；
步骤2：将上述浆料真空脱泡；
步骤3：将真空脱泡的浆料进行流延成型，得到生坯；
步骤4：将步骤3中的生坯在100℃干燥1.2h，然后真空密封，并进行冷等静压处理，冷等静压处理的压力为250MPa；
步骤5：将步骤4中的生坯依次进行排胶(排胶温度为250℃，排胶时间为24h)和烧结(烧结温度为1550℃，烧结时间为18h)，得到氧化铝陶瓷基板。
实施例2-6
实施例2-6中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：实施例2-6分别改变了烧结助剂(MgO-CaO-SiO2、TiO2-MnO2和La2O3-Y2O3)中各个成分的添加量。
实施例7-10
实施例7-10中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：实施例7-10改变了烧结助剂MgO-CaO-SiO2中MgO、CaO与SiO2的质量比。具体为实施例7中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:0.9:2.2；实施例8中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:1.1:1.8；实施例9中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:0.8:2.4；实施例10中MgO：CaO：SiO2的质量比1:1.2:1.6。
实施例11-12
实施例11-12中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：实施例11-12改变了烧结助剂TiO2-MnO2中TiO2和MnO2的质量比，具体为实施例11中TiO2：MnO2为2.5：1；实施例12中TiO2：MnO2为1.5：1。
实施例13-14
实施例13-14中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：实施例13-14改变了烧结助剂La2O3-Y2O3中La2O3和Y2O3的质量比，具体为实施例13中La2O3：Y2O3为1：0.8；实施例14中La2O3：Y2O3为1：1.2。
实施例15
实施例15中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：本例中的氧化铝陶瓷基板，是由以下质量百分比的组分组成：氧化铝99.5％，MgO-CaO-SiO2 0.1％，TiO2-MnO20.3％，La2O3-Y2O3 0.1％。
对比例1-13
对比例1-13中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：对比例1-13分别改变了烧结助剂(MgO-CaO-SiO2、TiO2-MnO2和La2O3-Y2O3)中各个成分的添加量。
对比例14-15
对比例14-15中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：对比例14-15改变了烧结助剂TiO2-MnO2中TiO2和MnO2的质量比，具体为对比例14中TiO2：MnO2为3：1；对比例15中TiO2：MnO2为1：1。
对比例16-17
对比例16-17中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：对比例16-17改变了烧结助剂La2O3-Y2O3中La2O3和Y2O3的质量比，具体为对比例16中La2O3：Y2O3为1：0.5；对比例17中La2O3：Y2O3为1：1.5。
对比例18-20
对比例18-20中的氧化铝陶瓷基板与实施例1相比，其区别在于：对比例18-20改变了烧结助剂MgO-CaO-SiO2中MgO、CaO与SiO2的质量比。具体为对比例18中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:0.5:2.5；对比例19中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:1.6:2.4；对比例20中MgO：CaO：SiO2的质量比为1:2:1。
对比例1-20的烧结温度均为1650℃。
实施例1-15和对比例1-20中的氧化铝陶瓷基板的组成成分如下表2所示，其中表2中的氧化铝、MgO-CaO-SiO2、TiO2-MnO2、La2O3-Y2O3的含量均为质量百分比。
表2实施例1-15和对比例1-20中的氧化铝陶瓷基板的组成成分
Figure BDA0003585435170000071
Figure BDA0003585435170000081
Figure BDA0003585435170000091
本发明实施例1～15和对比例1～20所采用的氧化铝粉体均为纳米级的，粒径为100～250nm。
性能测试：
按照下述测试方法和测试条件，分别测试实施例1～15和对比例1～20中的氧化铝陶瓷基板的性能，具体测试方法和测试条件如下：
烧结温度：调节加热温度时窑内温度达到1550℃(实施例1～15)和1650℃(对比例1～20)。
烧结致密度：仪器型号：MZ-A600；测试方法为：采用阿基米德排水法测定烧结样品的密度(体积密度)，将样品放入线框悬挂在注有蒸馏水的容器内，并使试样完全置于蒸馏水中，煮沸1h，煮沸过程中，液面应保持超过试样约20mm。随后冷却至室温，用滤纸轻轻擦去试样表面多余的水，立即称量湿重(m1)，然后将线框悬于天平一端，沉没在盛放蒸馏水的容器中，校准天平零位；然后将饱和的样品放入线框中，并且禁止接触容器的任何部位，液面应保持超过样品高度约60mm，称量浮重(m2)。最后将样品放于烘箱中烘干称干重(m)。计算体积密度和相对密度的公式如下：
Db＝m/(m1-m2)×dm
D＝Db/D1×100％
式中，Db-试样的体积密度，g/cm3；
m-试样的干重，g；
m1-试样饱吸蒸馏水后的湿重，g；
m2-试样沉没在蒸馏水中的浮重，g；
dm-蒸馏水的密度，取1.00g/cm3；
抗弯强度：采用三点弯曲实验法在万能试验机上测试材料抗弯强度σf，试样尺寸：l×b×h＝36mm×3mm×4mm，跨距为30mm。压头下降速率0.5mm/min。计算公式为：
Figure BDA0003585435170000092
式中：σf—三点弯曲法测得的抗弯强度，MPa；
P—断裂时测得的最大载荷，N；
l—两点间撑距，mm；
b—试样的宽度，mm；
h—试样的厚度，mm。
断裂韧性：用WDW型电子万能实验机，通过单边切口梁法(SENB法)测量材料的断裂韧性，加载速率设定为0.05mm/min。其计算公式为：
Figure BDA0003585435170000101
式中：Y＝1.93-3.07(a/w)+13.66(a/w)2-23.98(a/w)3+25.22(a/w)4。
KIC—表示为断裂韧性，MPa·m1/2；
P—表示为试样断裂时负荷，N；
L—表示为支座间跨据，mm；
a—表示为试样切口深度，mm；
b—表示为试样截面宽度，mm；
w—表示为试样截面高度，mm。
击穿强度：激光划片Φ35mm圆片，两面镀银，厚度1.5±0.5mm，使用电压击穿测试仪测试击穿强度。
按照上述测试方法和测试条件测试实施例1～15和对比例1～20中的氧化铝陶瓷基板的各项性能，测试结果记录在下表3中。
表3实施例1～15和对比例1～20中的氧化铝陶瓷基板的性能
Figure BDA0003585435170000102
Figure BDA0003585435170000111
由表3可知，本发明中的烧结助剂三种成分之间具有协同作用，MgO-CaO-SiO2、TiO2-MnO2、La2O3-Y2O3按照本发明中的配比进行复配，对氧化铝陶瓷基板性能的提高具有显著作用，可以使氧化铝陶瓷基板同时具有低的烧结温度，高致密性，和高的抗弯强度、断裂韧性以及高的击穿强度，若增加或减少MgO-CaO-SiO2、TiO2-MnO2、La2O3-Y2O3其中一种或两种成分的用量、或者调整各成分中各物质的配比(例如，调整MgO-CaO-SiO2中MgO、CaO和SiO2的质量配比，使其不满足本发明中的配比要求)、或者减少其中的一种或两种成分，均会造成氧化铝陶瓷基板性能的大幅度降低。
上面对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (5)

1.一种氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述氧化铝陶瓷基板是由包括无机粉体和有机助剂的原料制得，所述无机粉体由以下质量百分比的组分组成：氧化铝99～99.5％，
MgO-CaO-SiO2 0.1～0.6％，变价氧化物0.3～0.5％，稀土氧化物0.1～0.5％；
其中，所述变价氧化物为TiO2-MnO2；所述TiO2-MnO2中，TiO2和MnO2的质量比为(1.5～2.5):1；所述稀土氧化物为La2O3-Y2O3；所述La2O3-Y2O3中，La2O3和Y2O3的质量比为1：(0.8～1.2)；所述MgO-CaO-SiO2中，MgO、CaO和SiO2的质量比为1:(0.8～1.2):(1.6～2.4)。
2.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述有机助剂的用量为无机粉体用量的23～70wt％。
3.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述有机助剂包括以下重量份的制备原料：分散剂0.5-3份，粘结剂2-10份，增塑剂0.5-7份，溶剂20-50份。
4.权利要求1～3任一项所述的氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：将所有制备原料球磨混合，流延成型，得到生坯；
S2：将所述生坯冷等静压处理，然后排胶和烧结，制得所述氧化铝陶瓷基板；
其中，在S2中，所述冷等静压处理的压力为200-300MPa；所述烧结温度为1550～1590℃。
5.权利要求1～3任一项所述的氧化铝陶瓷基板在电子产品中的应用。
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