CN114804645B - 一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，包括：提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；在所述凹槽内形成多个通孔；切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。也就是说该通孔蚀刻方法在形成通孔之前，对待处理玻璃基板进行预处理，保证边缘区域的厚度不变，只对中间区域的厚度减薄，那么在通孔的蚀刻过程中可以直接插蓝，也不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，涉及一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法。
背景技术
Mini LED是指边长尺寸大致在50um-200um且带有衬底的LED倒装晶片(需要说明的是部分背光晶片尺寸会超过200um)，可通过晶片转移技术将数千至数万颗Mini LED晶片转移至FPCB、PCB或玻璃等基板上，形成高密度阵列式排布，之后进行封装应用于显示领域。
玻璃基板较PCB基板具有通孔孔径内表面光滑、孔径大小更可控等优势，随着苹果等终端显示厂家发布Mini LED相关系列产品，Mini LED市场逐渐火爆，同时Mini LED也逐渐向更轻更薄方向发展，同时也向Mini led玻璃基板提出了尺寸更大、厚度更薄的要求。
目前采用常规工艺，无法做到尺寸为500mm*500mm以上、厚度为0.1mm以下的具有通孔的Mini LED超薄玻璃基板；主要问题点在于玻璃基板的厚度过薄，在通孔的蚀刻过程中，玻璃基板必须双面减薄，无法依靠背板或者单面贴保护膜的方式试做，且蚀刻过程中跳齿、破片的风险特别大。
发明内容
有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，技术方案如下：
一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，所述通孔蚀刻方法包括：
提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；
对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；
在所述凹槽内形成多个通孔；
切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽，包括：
所述待处理玻璃基板包括相对设置的第一表面和第二表面，对所述第一表面的边缘区域进行保护处理；
对所述第一表面的中间区域进行蚀刻薄化处理，以在所述中间区域形成凹槽。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述对所述第一表面的边缘区域进行保护处理，包括：
在所述第一表面的边缘区域贴合抗酸胶带。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在对所述第一表面的边缘区域进行保护处理之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第一次清洗处理。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述在所述凹槽内形成多个通孔，包括：
采用激光打孔的方式在所述凹槽内进行打孔预处理；
采用蚀刻液进行蚀刻处理形成多个所述通孔。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述蚀刻液为氢氟酸蚀刻液。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在所述凹槽内形成多个通孔之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第二次清洗处理。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在切割掉所述边缘区域之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第三次清洗处理。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述预设尺寸为520mm*520mm；所述预设厚度小于0.3mm。
优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述目标玻璃基板的尺寸为500mm*500mm；所述目标玻璃基板的厚度为0.1mm-0.12mm。
相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
本发明提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法包括：提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；在所述凹槽内形成多个通孔；切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。也就是说该通孔蚀刻方法在形成通孔之前，对待处理玻璃基板进行预处理，保证边缘区域的厚度不变，只对中间区域的厚度减薄，那么在通孔的蚀刻过程中可以直接插蓝，也不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
图2-图5为图1所示通孔蚀刻方法过程中的部分结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
所述通孔蚀刻方法包括：
S101：如图2所示，提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板10，所述待处理玻璃基板10包括中间区域AA和包围所述中间区域AA的边缘区域BB。
S102：如图3所示，对所述待处理玻璃基板10进行处理，在所述中间区域AA形成凹槽11。
S103：如图4所示，在所述凹槽11内形成多个通孔12。
S104：如图5所示，切割掉所述边缘区域BB，形成具有所述通孔12的目标玻璃基板13。
具体的，在该实施例中所述预设尺寸为520mm*520mm以上；所述预设厚度小于0.3mm；所述目标玻璃基板13的尺寸为500mm*500mm以上；所述目标玻璃基板13的厚度为0.1mm-0.12mm左右。该通孔蚀刻方法在形成通孔12之前，对待处理玻璃基板10进行预处理，保证边缘区域BB的厚度不变，只对中间区域AA的厚度减薄，那么在通孔12的蚀刻过程中可以直接插蓝，也不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
可选的，在本发明另一实施例中，参考图6，图6为本发明实施例提供的另一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
步骤S102中，对所述待处理玻璃基板10进行处理，在所述中间区域AA形成凹槽11，包括：
S1021：所述待处理玻璃基板10包括相对设置的第一表面和第二表面，对所述第一表面的边缘区域BB进行保护处理；
S1022：对所述第一表面的中间区域AA进行蚀刻薄化处理，以在所述中间区域AA形成凹槽11。
具体的，在该实施例中在所述第一表面的边缘区域BB贴合抗酸胶带，该边缘区域BB的宽度可以为10mm-15mm左右，只需对第一表面的边缘区域BB贴合抗酸胶带即可，无需同时对第一表面和第二表面贴合抗酸胶带。
之后，将边缘区域BB贴合抗酸胶带的待处理玻璃基板10进行蚀刻薄化处理至目标厚度，该目标厚度可以为0.1mm-0.12mm左右；由于待处理玻璃基板10的边缘区域BB贴有抗酸胶带，显然在蚀刻薄化过程中该边缘区域BB被抗酸胶带保护从而不会被蚀刻，最终形成一个如图3所示的边缘区域BB存在台阶，中间区域AA存在凹槽11的待处理玻璃基板10。
可选的，该台阶的厚度一般为0.2mm-0.21mm左右，凹槽11的厚度为0.1mm-0.12mm左右。
可选的，在本发明另一实施例中，参考图7，图7为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
在对所述第一表面的边缘区域BB进行保护处理之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
S105：对所述待处理玻璃基板10进行第一次清洗处理。
具体的，在边缘区域BB贴合抗酸胶带之前，对待处理玻璃基板10进行第一次清洗处理，以去除待处理玻璃基板10表面的脏污，以提高边缘区域BB贴合抗酸胶带的牢固性。
可选的，在本发明另一实施例中，参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
步骤S103中，在所述凹槽11内形成多个通孔12，包括：
S1031：采用激光打孔的方式在所述凹槽11内进行打孔预处理。
S1032：采用蚀刻液进行蚀刻处理形成多个所述通孔12。
具体的，首先使用激光打孔的方式对凹槽11面内进行打孔预处理，打孔的大小不限，其孔径可为10um、20um、30um、40um、50um等其它尺寸；之后将经过激光打孔预处理后的待处理玻璃基板10浸泡于蚀刻液中，通过蚀刻液蚀刻的方式将激光处理未通的圆孔蚀刻成通孔12，形成沙漏通孔状，由于待处理玻璃基板10边框区域BB台阶的存在，其蚀刻过程中可以直接插篮，且蚀刻通孔过程中不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
可选的，该蚀刻液包括但不限定于氢氟酸蚀刻液。
可选的，在本发明另一实施例中，参考图9，图9为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
在所述凹槽11内形成多个通孔12之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
S106：对所述待处理玻璃基板10进行第二次清洗处理。
具体的，在凹槽11内形成多个通孔12之前，对待处理玻璃基板10进行第二次清洗处理，以去除待处理玻璃基板10表面的脏污，避免对通孔12的蚀刻造成不必要的影响，提高通孔12蚀刻的蚀刻效果。
可选的，在本发明另一实施例中，参考图10，图10为本发明实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
在切割掉所述边缘区域BB之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
S107：对所述待处理玻璃基板10进行第三次清洗处理。
具体的，在对边缘区域BB进行切割之前，对待处理玻璃基板10进行第三次清洗处理，以去除待处理玻璃基板10表面的脏污，避免对杂质颗粒对切割造成不必要的影响，最终提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
以上对本发明所提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述通孔蚀刻方法包括：
提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；
对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；
在所述凹槽内形成多个通孔；
切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板；
所述对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽，包括：
所述待处理玻璃基板包括相对设置的第一表面和第二表面，对所述第一表面的边缘区域进行保护处理；
对所述第一表面的中间区域进行蚀刻薄化处理，以在所述中间区域形成凹槽；
所述在所述凹槽内形成多个通孔，包括：
采用激光打孔的方式在所述凹槽内进行打孔预处理；
采用蚀刻液进行蚀刻处理形成多个所述通孔；
其中，所述边缘区域的宽度为10mm-15mm。
2.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述对所述第一表面的边缘区域进行保护处理，包括：
在所述第一表面的边缘区域贴合抗酸胶带。
3.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，在对所述第一表面的边缘区域进行保护处理之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第一次清洗处理。
4.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻液为氢氟酸蚀刻液。
5.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，在所述凹槽内形成多个通孔之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第二次清洗处理。
6.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，在切割掉所述边缘区域之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
对所述待处理玻璃基板进行第三次清洗处理。
7.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述预设尺寸为520mm*520mm；所述预设厚度小于0.3mm。
8.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述目标玻璃基板的尺寸为500mm*500mm；所述目标玻璃基板的厚度为0.1mm-0.12mm。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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