CN114800104A - 单面减薄方法和单面减薄设备 - Google Patents

单面减薄方法和单面减薄设备 Download PDF

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Abstract

本公开涉及一种用于控制硅片的形貌的单面减薄方法，包括：使硅片通过其第一表面贴附在第一加工台的承载平面上；基于硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差对第一加工台的承载平面相对于研磨装置的研磨平面的倾角进行调整；通过研磨平面对硅片的与第一表面相反的第二表面进行研磨；对硅片进行翻面并使硅片通过其第二表面贴附在第二加工台的承载平面上；将第二加工台的承载平面相对于研磨平面的倾角调整至零；以及通过研磨平面对硅片的第一表面进行研磨。本公开还涉及一种用于控制硅片的形貌的单面减薄设备。通过该方法和设备，可以有效且稳定地实现对硅片的形貌的控制。

Description

单面减薄方法和单面减薄设备
技术领域
本公开涉及硅片制造技术领域，具体地，涉及用于控制硅片的形貌的单面减薄方法和单面减薄设备。
背景技术
单面减薄是指单独对硅片的相反两面进行研磨加工并产生具有高度平整表面的硅片。在该加工过程中，待加工硅片的非加工面被紧紧贴附在加工台的平面上，当加工时，加工台及砂轮会各自旋转，然后砂轮通过向下进击的方式对硅片进行厚度减薄，当完成第一面加工及清洗之后，硅片会被翻面，然后翻面后的硅片被送至加工台进行第二次加工，当第二次加工及清洗完成之后，即完成整个减薄工艺。
在整个工艺过程中，被加工的硅片只能维持线切后的形貌，在现行加工台平面与砂轮研磨平面平行的条件下，无法通过单面减薄来对硅片的形貌进行控制，使得当有特殊产品需要控制特别的形貌时无法符合对应的需求。
因此，需要提供一种能够控制硅片的形貌特别是能够满足特殊形貌需求的单面减薄方法和设备。
发明内容
本部分提供了本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
本公开的一个目的在于提供一种能够控制硅片的形貌特别是满足特殊形貌需求的单面减薄方法。
为了实现上述目的，提供了一种用于控制硅片的形貌的单面减薄方法，其可以包括：
第一承载过程：使硅片通过其第一表面贴附在第一加工台的承载平面上；
第一调整过程：基于硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差对第一加工台的承载平面相对于研磨装置的研磨平面的倾角进行调整，其中，中心位置需求厚度和边缘位置需求厚度分别为硅片在需要控制成的形貌下的中心位置厚度和边缘位置厚度；
第一研磨过程：通过研磨装置的研磨平面对硅片的与第一表面相反的第二表面进行研磨；
第二承载过程：对硅片进行翻面并使硅片通过其第二表面贴附在第二加工台的承载平面上；
第二调整过程：将第二加工台的承载平面相对于研磨平面的倾角调整至零；以及
第二研磨过程：通过研磨平面对硅片的第一表面进行研磨。
在上述单面减薄方法中，还可以包括补偿过程，在该补偿过程中，中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差根据硅片在第一研磨过程之前的中心位置厚度与边缘位置厚度之差被补偿，以使第一加工台的承载平面相对于研磨平面的倾角的调整能够基于补偿过的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差进行。
在上述单面减薄方法中，第一调整过程可以基于为中心位置需求厚度和边缘位置需求厚度的两个设定参数自动进行。
在上述单面减薄方法中，该补偿过程可以通过以下方式自动进行：根据硅片在第一研磨过程之前的中心位置厚度和边缘位置厚度对两个设定参数进行补偿，以使第一加工台的承载平面相对于研磨平面的倾角的调整能够基于补偿过的两个设定参数自动进行。
在上述单面减薄方法中，该补偿过程可以包括判断过程，在该判断过程中，进行第一研磨过程的加工时间点被与设定两个设定参数的设定时间点进行比较，在加工时间点早于设定时间点的情况下，不进行补偿；以及在加工时间点晚于设定时间点的情况下，进行补偿。
在上述单面减薄方法中，第一加工台与第二加工台可以为同一加工台，并且第一加工台的承载平面与第二加工台的承载平面为同一承载平面。
在上述单面减薄方法中，第二调整过程可以基于两个设定参数与第一调整过程对应地反向自动进行。
本公开的另一目的在于提供一种能够控制硅片的形貌特别是满足特殊形貌需求的单面减薄设备。
为了实现上述目的，提供了一种用于控制硅片的形貌的单面减薄设备，其可以包括：
第一加工台，其具有用于承载硅片的第一表面的第一承载平面；
第二加工台，其具有用于承载硅片的与第一表面相反的第二表面的第二承载平面；
贴附装置，其用于使第一表面贴附在第一承载平面上以及使第二表面贴附在第二承载平面上；以及
研磨装置，其具有研磨平面并用于借助于研磨平面对硅片的第二表面和第一表面进行研磨，
其中，第一加工台构造成使得第一承载平面相对于研磨平面的倾角能够调整到基于硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差确定的角度以用于硅片的第二表面的研磨，中心位置需求厚度和边缘位置需求厚度分别为硅片在需要控制成的形貌下的中心位置厚度和边缘位置厚度；
并且其中，第二加工台构造成使得第二承载平面相对于研磨平面平行以用于硅片的第一平面的研磨。
根据本公开，通过对加工台的承载平面相对于研磨装置的研磨平面的倾角进行调整来控制加工台的倾角搭配，由此实现对所加工的硅片的特殊形貌的控制。通过这种方式，可以有效且稳定地对硅片的形貌进行控制，且在不变动原本的生产模式下进行。
通过以下结合附图对本公开的示例性实施方式的详细说明，本公开的上述特征和优点以及其他特征和优点将更加清楚。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开的实施方式的单面减薄方法及相应的单面减薄设备；
图2用硅片的形貌变化示意性地示出了图1的单面减薄设备的加工过程的顺序步骤；
图3以框图示意性地示出了手动平整度修整操作过程和自动平整度修整操作过程；
图4示意性地示出了加工台的倾角变化与硅片厚度及形貌的对应关系；以及
图5a至图5e示意性地示出了根据本公开的实施方式的单面减薄方法中的加工台倾角的调整关系。
具体实施方式
下面参照附图、借助于示例性实施方式对本公开进行详细描述。要注意的是，对本公开的以下详细描述仅仅是出于说明目的，而绝不是对本公开的限制。此外，在各个附图中采用相同的附图标记来表示相同的部件。
目前的单面减薄设备所使用的线切工艺为线性加工，只能针对一维度的形貌进行控制，无法对一个维度以上的形貌或者说特殊形貌进行控制。在本公开中，加工台的承载平面相对于研磨装置的研磨平面的倾角可以进行调整，从而通过控制加工台的倾角搭配来实现对所加工的硅片的特殊形貌的控制。
如图1中所示，根据本公开的实施方式，提出了一种用于控制硅片的形貌的单面减薄设备1，其可以包括第一加工台11、第二加工台12、贴附装置(未示出)和研磨装置13。具体说明如下。
第一加工台11具有用于承载硅片100的第一表面101的第一承载平面111。也就是说，第一表面101此时作为非加工表面，并且硅片100的与第一表面101相反的第二表面102此时作为加工表面。
第二加工台12具有用于承载硅片100的第二表面102的第二承载平面121。也就是说，第二表面102此时作为非加工表面，并且第一表面101此时作为加工表面。
贴附装置用于使第一表面101贴附在第一承载平面111上以及使第二表面102贴附在第二承载平面121上。需要说明的是，例如对于第一表面101，这种贴附会在第一表面101被承载在第一承载平面111上时使硅片100发生弹性变形，导致其形貌具体为非加工表面的形貌顺从第一承载平面111的形貌，从而与第一承载平面111的形貌相匹配或者说一致，即在此为平面。
在本实施方式中，该贴附装置可以通过吸附的方式来实现贴附。该贴附装置例如可以设置在第一加工台11的第一承载平面111和第二加工台12的第二承载平面121中，以用于使硅片100的第一表面101和第二表面102以吸附的方式被分别贴附在第一承载平面111和第二承载平面121上。
可以设想的是，该贴附装置还可以通过其他方式来实现贴附，例如硅片上下表面的压力差等。
研磨装置13具有研磨平面131并用于借助于研磨平面131沿着加工方向S对硅片100的第二表面102和第一表面101进行研磨。在本实施方式中，研磨装置13可以是砂轮。此外，还可以设想其他类型的研磨装置。
在本公开的实施方式中，第一加工台11的倾角是可以调整的，例如可以通过绕其几何中心转动来调整其倾角，以使得第一加工台11的第一承载平面111相对于研磨装置13的研磨平面131的倾角能够被调整。第二加工台12的倾角可以是可调整的或者可以是固定的，只要能实现第二加工台12的第二承载平面121相对于研磨装置13的研磨平面131平行即可。由此，通过控制加工台的倾角搭配来实现对所加工的硅片的特殊形貌的控制。
下面参照图1和图2，结合该单面减薄设备1来具体说明根据本公开的用于控制硅片的形貌的单面减薄方法。
该单面减薄方法可以依次包括第一承载过程、第一调整过程、第一研磨过程、第二承载过程、第二调整过程和第二研磨过程。具体说明如下。
在第一承载过程中，使硅片100通过其非加工表面即第一表面101贴附在第一加工台11的承载平面即第一承载平面111上。可以理解的是，如上文所述，该贴附可以通过贴附装置以吸附的方式来执行。
图2中以201示出了硅片100此时的形貌。
在第一调整过程中，基于硅片100的中心位置需求厚度C_THK与边缘位置需求厚度E_THK之差对第一加工台11的承载平面111相对于研磨装置13的研磨平面131的倾角进行调整，其中，中心位置需求厚度C_THK和边缘位置需求厚度E_THK分别为硅片100在需要控制成的形貌下的中心位置厚度和边缘位置厚度。
如图1中所示，中心位置需求厚度C_THK与边缘位置需求厚度E_THK之差即为高度差D1。图1示出了该需要控制成的形貌为V形形貌。
在上述调整中，根据需要控制成的V形形貌，第一加工台11进行顺时针转动，使得第一加工台11的承载平面111相对于研磨装置13的研磨平面131的倾角调整成使硅片100的加工表面即第二表面102的最边缘部位能够相比于中心部位被多研磨掉D1厚度。
在第一研磨过程中，通过研磨装置13的研磨平面131对硅片100的加工表面即第二表面102进行研磨。由此，完成对硅片100的第一道加工S1。此时，如上所述，硅片100的第二表面102的最边缘部位相比于中心部位被多研磨掉D1厚度。
图2中以202示出了完成第一道研磨加工之后的硅片100的形貌。
在第二承载过程中，对硅片100进行翻面并使硅片100通过其此时的非加工表面即第二表面102贴附在第二加工台12的承载平面即第二承载平面121上。
可以设想的是，该翻面过程可以由翻面机构例如翻面机械臂来执行，并且如上所述，该贴附可以通过贴附装置以吸附的方式来执行。
图2中以203示出了硅片100被翻面后的形貌，并且以204示出了硅片100被贴附在第二加工台12的承载平面121上时的形貌。
在第二调整过程中，将第二加工台12的承载平面121相对于研磨平面131的倾角调整至零。也就是说，使第二加工台12的承载平面121相对于研磨平面131平行。
在第二研磨过程中，通过研磨平面131对硅片100的此时的加工表面即第一表面101进行研磨。由此，完成对硅片100的第二道加工S2。
图2中以205示出了完成第二道研磨加工后但未从贴附中释放的硅片100的形貌，并且以206示出了从贴附中释放后的硅片100的形貌。
通过上述方法，可以理解的是，在本公开的实施方式中，第一加工台11要构造成使得第一承载平面111相对于研磨平面131的倾角能够调整到基于硅片100的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差确定的角度以用于硅片100的第二表面102的研磨；并且第二加工台12要构造成使得第二承载平面121相对于研磨平面131平行以用于硅片100的第一平面101的研磨。通过这种方式，可以有效且稳定地对硅片的形貌进行控制，且在不变动原本的生产模式下进行。
在本公开的实施方式中，该单面减薄方法还可以包括补偿过程，在该补偿过程中，中心位置需求厚度C_THK与边缘位置需求厚度E_THK之差根据硅片100在第一研磨过程之前的中心位置厚度与边缘位置厚度之差即实际高度差D2被补偿，以使第一加工台11的承载平面111相对于研磨平面131的倾角的调整能够基于补偿过的中心位置需求厚度C_THK与边缘位置需求厚度C_THK之差进行。
具体来说，该补偿过程涉及单面减薄加工前的硅片即在先前最后一笔硅片加工中获得的硅片的平整度修整操作过程，如图3中所示。在该平整度修整操作过程中，可以在先前最后一笔硅片加工中对硅片进行平坦度测量，当然，该平坦度测量例如也可以发生在单面减薄加工之前。通过该平坦度测量，可以获得单面减薄加工之前或更准确地说第一研磨过程之前的硅片100的实际的中心位置厚度与边缘位置厚度之差。
为了获得更准确的需要控制的硅片形貌，需要根据该实际的中心位置厚度与边缘位置厚度之差对中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差进行补偿。由此，第一加工台11的承载平面111相对于研磨平面131的倾角的调整基于补偿过的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差进行，从而消除了由单面减薄加工前的硅片本身的平坦度问题带来的对需要控制的形貌的影响，使得最终获得的硅片形貌更加准确。
可以设想的是第一调整过程和补偿过程可以手动进行。例如，单面减薄设备的操作员可以手动停止该设备或说机台，并基于中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差或基于补偿过的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差手动调整该设备的参数，使得承载平面111相对于研磨平面131的倾角能够调整到对应的倾角，之后，手动启动该设备并重新开始加工。
优选地，第一调整过程可以根据为中心位置需求厚度C_THK和边缘位置需求厚度E_THK的两个设定参数自动进行。
中心位置需求厚度C_THK和边缘位置需求厚度E_THK可以由高度差D1和最终硅片厚度需求THK例如根据下式：C_THK＝THK-1/2*D1和E_THK＝THK+1/2*D1来确定。
例如，可以在该单面减薄设备1的软件部分中增加这两个设定参数以及与其绑定结合的处理(Recipe)及补正功能。当进行至第一调整过程时，第一加工台11可以通过该处理及补正功能根据上述两个设定参数进行调整例如旋转，使得第一加工台11的承载平面111相对于研磨平面131达到对应的倾角。
可以想到的是，该补偿过程也可以通过结合到上述调整中来自动进行。具体地，补偿过程可以通过以下方式自动进行：根据硅片100在第一研磨过程之前的中心位置厚度和边缘位置厚度对上述两个设定参数进行补偿，以使第一加工台11的承载平面111相对于研磨平面131的倾角的调整能够基于补偿过的这两个设定参数自动进行。
可以设想的是，硅片100在第一研磨过程之前的中心位置厚度和边缘位置厚度可以在先前最后一笔硅片加工中通过平坦度测量获得并被自动回馈至处理及补正功能中的上述两个设定参数以对其进行补偿。当进入第一调整过程时，该单面减薄设备可以对处理及补正功能中的补偿过的这两个设定参数进行计算，以使第一加工台11对应计算出的数值进行调整，使得承载平面111相对于研磨平面131达到对应的倾角。
如图3中所示，该自动进行的补偿过程包括判断过程，在该判断过程中，进行第一研磨过程的加工时间点被与设定两个设定参数的设定时间点进行比较，在加工时间点早于设定时间点的情况下，不进行上述补偿；以及在加工时间点晚于设定时间点的情况下，进行上述补偿。
如上文所提到的，在不进行上述补偿的情况下，设备会继续进行加工操作；而在判断进行上述补偿的情况下，通过平坦度测量获得的结果被自动回馈至处理及补正功能中的上述两个设定参数以使第一加工台11直接进行调整，并在此之后继续进行加工操作。这种自动化过程无需手动停止设备，使得整个加工过程能够连续进行，由此提升了生产效率，而且由于判断过程是自动进行的，由此也节省了劳动力。
明显的是，第一加工台11与第二加工台12可以为同一加工台，并且第一加工台11的承载平面111与第二加工台12的承载平面121可以为同一承载平面。
根据上文提到的技术构思，该同一加工台可以构造成使得在对硅片100的第二表面102进行研磨时其承载平面相对于研磨平面131的倾角调整到基于硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差确定的角度；并在对硅片100的第一平面101进行研磨时其承载平面相对于研磨平面131的倾角调整至零。
在这种情况下，除上文提到的可以自动进行的第一调整过程和补偿过程外，第二调整过程也可以自动进行。可以设想的是，第二调整过程可以基于两个设定参数与第一调整过程对应地反向自动进行。
具体地，例如，当在第一调整过程中加工台基于高度差D1或补偿过的高度差D1+D2自动顺时针转动时，则在第二调整过程中该加工台可以基于高度差D1或补偿过的高度差D1+D2自动逆时针转动，以使第二加工台12的承载平面121相对于研磨平面131的倾角调整返回至零。
因此，加工台在第一调整过程中的调整量可根据下式H＝D2+D1对应获得，而在第二调整过程中的调整量可根据下式H＝-D2-D1对应获得。可以想到的是，当H的数值为正时，加工台进行逆时针转动，而当H的数值为负时，加工台进行顺时针转动。
由此，可以仅使用单个加工台就实现对硅片的特殊形貌的控制并使整个单面减薄过程实现自动化。
参照图4，示出了在本公开的实施方式中第一加工台的倾角变化与硅片厚度及形貌的对应关系。需要说明的是，图4中所示的第一加工台的倾角是相对于水平方向而言的，也就是说，此时默认研磨装置13的研磨平面131处于水平方向。
可以看到的是，在状态(1)中，当第一加工台11处于水平方向时，所加工的硅片100具有平面形状的形貌；在状态(2)中，当第一加工台11的右端向下倾斜时，所加工的硅片100具有V形形貌；并且在状态(3)中，当第一加工台11的右端向上倾斜时，所加工的硅片100具有倒V形形貌。
下面参照图5a至图5e对加工台的调整关系进行更清楚地说明。
如图5a所示，当硅片形貌最终需求为图4中的状态(1)即D1＝0um并且最终硅片厚度需求为800um时，设定参数C_THK＝800-0＝800um并且E_THK＝800+0＝800um。如果先前最后一笔硅片加工的测量结果为C_THK＝801um并且E_THK＝800um,即D2＝801-800＝1um，则在第一调整过程中通过加工台调整量H＝D2+D1＝1+0＝1um进行+1um倾角的自动或手动调整，然后在第二调整过程中通过加工台调整量H＝-1-0＝-1um进行-1um倾角的自动或手动调整。
如图5b所示，当硅片形貌最终需求为图4中的状态(2)例如D1＝-5um并且最终硅片厚度需求为800um时，设定参数C_THK＝800-(-5/2)＝802.5um并且E_THK＝800+(-5/2)＝797.5um。如果先前最后一笔硅片加工的测量结果为C_THK＝801um并且E_THK＝800um,即D2＝801-800＝1um，则在第一调整过程中通过加工台调整量H＝D2+D1＝1+(-5)＝-4um进行-4um倾角的自动或手动调整，然后在第二调整过程中通过加工台调整量H＝-1-(-5)＝4um进行+4um倾角的自动或手动调整。
如图5c所示，当硅片形貌最终需求为图4中的状态(2)例如D1＝-5um并且最终硅片厚度需求为800um时，设定参数C_THK＝800-(-5/2)＝802.5um并且E_THK＝800+(-5/2)＝797.5um。如果先前最后一笔硅片加工的测量结果为C_THK＝800um并且E_THK＝801um,即D2＝800-801＝-1um，则在第一调整过程中通过加工台调整量H＝D2+D1＝-1+(-5)＝-6um进行-6um倾角的自动或手动调整，然后在第二调整过程中通过加工台调整量H＝-(-1)-(-5)＝6um进行+6um倾角的自动或手动调整。
如图5d所示，当硅片形貌最终需求为图4中的状态(3)例如D1＝+5um并且最终硅片厚度需求为800um时，设定参数C_THK＝800-(5/2)＝797.5um并且E_THK＝800+(5/2)＝802.5um。如果先前最后一笔硅片加工的测量结果为C_THK＝801um并且E_THK＝800um,即D2＝801-800＝1um，则在第一调整过程中通过加工台调整量H＝D2+D1＝1+5＝6um进行+6um倾角的自动或手动调整，然后在第二调整过程中通过加工台调整量H＝-1-5＝-6um进行-6um倾角的自动或手动调整。
如图5e所示，当硅片形貌最终需求为图4中的状态(3)例如D1＝+5um并且最终硅片厚度需求为800um时，设定参数C_THK＝800-(5/2)＝797.5um并且E_THK＝800+(5/2)＝802.5um。如果先前最后一笔硅片加工的测量结果为C_THK＝800um并且E_THK＝801um,即D2＝800-801＝-1um，则在第一调整过程中通过加工台调整量H＝D2+D1＝-1+5＝4um进行+4um倾角的自动或手动调整，然后在第二调整过程中通过加工台调整量H＝-(-1)-5＝-4um进行-4um倾角的自动或手动调整。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于控制硅片的形貌的单面减薄方法，包括：
第一承载过程：使硅片通过其第一表面贴附在第一加工台的承载平面上；
第一调整过程：基于所述硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差对所述第一加工台的承载平面相对于研磨装置的研磨平面的倾角进行调整，其中，所述中心位置需求厚度和所述边缘位置需求厚度分别为所述硅片在需要控制成的形貌下的中心位置厚度和边缘位置厚度；
第一研磨过程：通过所述研磨装置的所述研磨平面对所述硅片的与所述第一表面相反的第二表面进行研磨；
第二承载过程：对所述硅片进行翻面并使所述硅片通过其第二表面贴附在第二加工台的承载平面上；
第二调整过程：将所述第二加工台的承载平面相对于所述研磨平面的倾角调整至零；以及
第二研磨过程：通过所述研磨平面对所述硅片的所述第一表面进行研磨。
2.根据权利要求1所述的单面减薄方法，其特征在于，还包括补偿过程，在所述补偿过程中，所述中心位置需求厚度与所述边缘位置需求厚度之差根据所述硅片在所述第一研磨过程之前的中心位置厚度与边缘位置厚度之差被补偿，以使所述第一加工台的承载平面相对于所述研磨平面的倾角的所述调整能够基于补偿过的所述中心位置需求厚度与所述边缘位置需求厚度之差进行。
3.根据权利要求1所述的单面减薄方法，其特征在于，所述第一调整过程能够根据为所述中心位置需求厚度和所述边缘位置需求厚度的两个设定参数自动进行。
4.根据权利要求2所述的单面减薄方法，其特征在于，所述第一调整过程能够根据为所述中心位置需求厚度和所述边缘位置需求厚度的两个设定参数自动进行。
5.根据权利要求4所述的单面减薄方法，其特征在于，所述补偿过程能够通过以下方式自动进行：根据所述硅片在所述第一研磨过程之前的中心位置厚度和边缘位置厚度对所述两个设定参数进行补偿，以使所述第一加工台的承载平面相对于所述研磨平面的倾角的所述调整能够基于补偿过的所述两个设定参数自动进行。
6.根据权利要求5所述的单面减薄方法，其特征在于，所述补偿过程包括判断过程，在所述判断过程中，进行所述第一研磨过程的加工时间点被与设定所述两个设定参数的设定时间点进行比较，在所述加工时间点早于所述设定时间点的情况下，不进行所述补偿；以及在所述加工时间点晚于所述设定时间点的情况下，进行所述补偿。
7.根据权利要求1或2所述的单面减薄方法，其特征在于，所述第一加工台与所述第二加工台为同一加工台，并且所述第一加工台的承载平面与所述第二加工台的承载平面为同一承载平面。
8.根据权利要求3至6中的任一项所述的单面减薄方法，其特征在于，所述第一加工台与所述第二加工台为同一加工台，并且所述第一加工台的承载平面与所述第二加工台的承载平面为同一承载平面。
9.根据权利要求8所述的单面减薄方法，其特征在于，所述第二调整过程能够基于所述两个设定参数与所述第一调整过程对应地反向自动进行。
10.一种用于控制硅片的形貌的单面减薄设备，包括：
第一加工台，其具有用于承载硅片的第一表面的第一承载平面；
第二加工台，其具有用于承载所述硅片的与所述第一表面相反的第二表面的第二承载平面；
贴附装置，其用于使所述第一表面贴附在所述第一承载平面上以及使所述第二表面贴附在所述第二承载平面上；以及
研磨装置，其具有研磨平面并用于借助于所述研磨平面对所述硅片的所述第二表面和所述第一表面进行研磨，
其中，所述第一加工台构造成使得所述第一承载平面相对于所述研磨平面的倾角能够调整到基于所述硅片的中心位置需求厚度与边缘位置需求厚度之差确定的角度以用于所述硅片的所述第二表面的研磨，所述中心位置需求厚度和所述边缘位置需求厚度分别为所述硅片在需要控制成的形貌下的中心位置厚度和边缘位置厚度；
并且其中，所述第二加工台构造成使得所述第二承载平面相对于所述研磨平面平行以用于所述硅片的所述第一平面的研磨。
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