CN114793397A - 一种埋置小间距薄铜基pcb板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种埋置小间距薄铜基PCB板的制作方法，所述方法包括一次激光切割切出铜基外型、一次层压将需要埋置的薄铜基对应压合入芯板中、一次树脂塞埋槽将铜基上形成的间距位置塞树脂、二次激光切割掉铜基连接位、二次层压完成压合。本发明有效避免了薄铜基板的铜基厚度≤0.8mm在埋置过程中存在的缺胶、板翘、介质厚度不均问题，达到埋置小间距薄铜基板制作的效果。
Description
技术领域
本发明涉及印制线路板加工技术领域，具体涉及的是一种埋置小间距薄铜基PCB的制作方法，该PCB主要用于电动汽车BMS电池管理系统。
背景技术
随着新能源电动汽车的快速发展，相应大电流、高电压电池用PCB的需求也得到了快速的增长。由于电动汽车动力电池、BMS电池管理系统使用的PCB需要承载大电流、高电压，因此需要在PCB内埋置铜块，但目前埋置的多为铜厚大于1.5mm的厚铜基，而对于铜基厚度≤0.8mm的薄铜基而言，采用厚铜基的常规方法制作会存在缺胶、板翘、介质厚度不均等品质问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种埋置小间距薄铜基PCB板的制作方法，以解决薄铜基板的铜基厚度≤0.8mm在埋置过程中存在缺胶、板翘、介质厚度不均的问题。
为解决上述技术问题，本发明的目的是通过以下技术方案实现的：提供一种埋置小间距薄铜基PCB板的制作方法，包括：
第一次激光切割，通过第一次激光切割出所需的铜基外形及连接位；
第一次压合，将通过第一次激光切割后的铜基对应嵌入芯板中，然后进行压合；
第一次树脂塞埋槽，对第一次激光切割后铜基上形成的间距位置进行真空塞树脂；
第二次激光切割，通过第二次激光切割切掉所述铜基连接位；
第二次塞树脂埋槽，将第二次激光切割后的连接位进行真空塞树脂，并烘烤及磨平树脂；
第二次层压，从上往下按照第一铜箔、第一PP、芯板、第二PP、第二铜箔的方式进行压合。
进一步地，所述第一次激光切割，包括：
选择FR4环氧树脂板及厚度≤0.8mm的铜基，且在所述铜基上贴高温保护膜，然后将所述铜基覆于所述FR4环氧树脂板上并按照预先设计的图形埋槽保留所述铜基上不同网络铜块之间的连接位进行一次激光切割，以获得所需的铜基外形及连接位。
进一步地，所述第一次激光切割，铜块尺寸公差+0.05 mm /-0.1 mm，铜块酸性蚀刻去毛刺7m/min开一个蚀刻缸；所述铜基厚度为要求厚度+0.1mm。
进一步地，所述连接位间距隔50mm设计有辅助连接位。
进一步地，所述芯板为贴有高温保护膜且电铣有用于嵌入所述铜基电铣槽的芯板。
进一步地，所述第一次树脂塞埋槽，包括：对第一次激光切割后铜基上形成的间距位置进行真空塞树脂，并对应进行烘烤及剥离铜基和芯板上的高温保护膜。
进一步地，所述第二次激光切割，包括：通过第二次激光切割切掉所述铜基连接位，然后在所述铜基上的原连接位中进行填充树脂，以实现所述铜基上不同网络铜块之间的连接。
与现有技术相比，本发明通过一次激光切割切出铜基外型、一次层压将需要埋置的薄铜基对应压合入芯板中、一次树脂塞埋槽将铜基上形成的间距位置塞树脂、二次激光切割掉铜基连接位、二次层压完成压合。通过本发明所述的方法有效避免了薄铜基板的铜基厚度≤0.8mm在埋置过程中存在的缺胶、板翘、介质厚度不均问题，达到埋置小间距薄铜基板制作的效果。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和 “包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/ 或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
实施例1
本实施例提供了一种埋置小间距薄铜基PCB板的制作方法，包括：第一次激光切割；第一次压合；第一次树脂塞埋槽；第二次激光切割；第二次塞树脂埋槽；第二次层压。
其中，第一次激光切割，包括：首先选择FR4环氧树脂板及厚度≤0.8mm的铜基（本实施例中铜基厚度为要求厚度+0.1mm），接着在所述铜基上贴高温保护膜，然后将所述铜基覆于所述FR4环氧树脂板上并按照预先设计的图形埋槽保留所述铜基上不同网络铜块之间的连接位进行第一次激光切割，以获得所需的铜基外形及连接位，而在获得的铜基上对应形成的连接位对应间距隔50mm还设计有辅助连接位。
本实施例第一次激光切割，铜块尺寸公差+0.05 mm /-0.1 mm，铜块酸性蚀刻去毛刺7m/min开一个蚀刻缸。
第一次压合，包括：首先将贴有高温保护膜的芯板对应电铣，以铣出所需要的槽，以用于嵌入所述经过第一次激光切割后的铜基；然后将铜箔、PP、嵌有铜基的芯板进行压合。
第一次树脂塞埋槽，包括：对第一次激光切割后铜基上形成的间距位置进行真空塞树脂，并对应进行烘烤及剥离铜基和芯板上的高温保护膜。由于第一次压合PP会部分流入到间隔位中，但是其量较小，因此需要通过真空塞树脂的方式将间隔位塞满树脂。
第二次激光切割，包括：通过第二次激光切割切掉所述铜基连接位，然后在所述铜基上的原连接位中进行填充树脂，以实现所述铜基上不同网络铜块之间的连接。
第二次塞树脂埋槽，包括：将第二次激光切割后的连接位进行真空塞树脂，然后进行烘烤，并对应磨平树脂。
第二次层压，从上往下按照第一铜箔、第一PP、芯板、第二PP、第二铜箔的方式进行压合。第二PP为高导热PP。
综上所述，本发明通过一次激光切割切出铜基外型、一次层压将需要埋置的薄铜基对应压合入芯板中、一次树脂塞埋槽将铜基上形成的间距位置塞树脂、二次激光切割掉铜基连接位、二次层压完成压合。通过上述方法达到埋置小间距薄铜基板制作的效果，杜绝常规方法埋置小间距薄铜基形成的缺胶、板翘、介质厚度不均等品质问题。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种埋置小间距薄铜基PCB板的制作方法，其特征在于，包括：
第一次激光切割，通过第一次激光切割出所需的铜基外形及连接位；
第一次压合，将通过第一次激光切割后的铜基对应嵌入芯板中，然后进行压合；
第一次树脂塞埋槽，对第一次激光切割后铜基上形成的间距位置进行真空塞树脂；
第二次激光切割，通过第二次激光切割切掉所述铜基连接位；
第二次塞树脂埋槽，将第二次激光切割后的连接位进行真空塞树脂，并烘烤及磨平树脂；
第二次层压，从上往下按照第一铜箔、第一PP、芯板、第二PP、第二铜箔的方式进行压合。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次激光切割，包括：
选择FR4环氧树脂板及厚度≤0.8mm的铜基，且在所述铜基上贴高温保护膜，然后将所述铜基覆于所述FR4环氧树脂板上并按照预先设计的图形埋槽保留所述铜基上不同网络铜块之间的连接位进行一次激光切割，以获得所需的铜基外形及连接位。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一次激光切割，铜块尺寸公差+0.05 mm /-0.1 mm，铜块酸性蚀刻去毛刺7m/min开一个蚀刻缸；所述铜基厚度为要求厚度+0.1mm。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述连接位间距隔50mm设计有辅助连接位。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述芯板为贴有高温保护膜且已电铣有用于嵌入所述铜基电铣槽的芯板。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一次树脂塞埋槽，包括：对第一次激光切割后铜基上形成的间距位置进行真空塞树脂，并对应进行烘烤及剥离铜基和芯板上的高温保护膜。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二次激光切割，包括：通过第二次激光切割切掉所述铜基连接位，然后在所述铜基上的原连接位中进行填充树脂，以实现所述铜基上不同网络铜块之间的连接。
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