CN114792716A - 显示背板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示背板及其制备方法，显示背板包括衬底基板；短波屏蔽层，其设置于所述衬底基板的一侧表面，其中，所述短波屏蔽层具有吸光作用；第一绝缘层，其设置于所述短波屏蔽层且远离所述衬底基板的一侧表面；以及薄膜晶体管层，其设置于所述第一绝缘层，且远离所述衬底基板的一侧表面；所述薄膜晶体管层包括一有源层，所述有源层设置于所述第一绝缘层上；其中，所述短波屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。本申请利用短波屏蔽层吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

Description

显示背板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示背板及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)技术是面板行业的发展趋势，相对于LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。

氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势，被认为是最适合驱动有机发光二极管(OLED)的薄膜晶体管(TFT)的半导体有源材料之一，目前氧化物TFT已广泛地应用在平板显示的背板(如阵列基板)上，由于氧化物半导体对光照比较敏感，所以需要进行遮挡，避免环境光对TFT性能造成影响。尤其对于顶栅自对准型结构的TFT来说，因为其有源层位于比较靠下的层面，因此很容易受到来自于面板下方的外界光源的照射，而氧化物半导体材料对短波，尤其是紫外光非常敏感，从而导致OLED器件的阈值电压会在紫外光的作用下减小，严重影响OLED器件的发光强度，进而导致OLED器件的性能劣化。

现有的OLED器件中，在顶栅自对准型结构的有源层下方采用金属制备金属遮光层，对有源层进行遮挡，从而避免外界光源的照射，使器件的性能保持稳定。但是这种方法有一定的局限性，由于金属遮光层和有源层并不是直接相邻的，二者中间存在着一定厚度的绝缘层，从而使得外界光源可以从侧面进入绝缘层从而照射到有源层，故而OLED器件内部的短波依然很强，金属遮光层无法完全消除外界光源进入的短波，该短波会在金属遮光层与器件的金属层(栅极、源漏极)之间来回反射震荡，并影响OLED器件的阈值，进而降低OLED器件的性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示背板及其制备方法，以解决外界光源进入器件内部的短波难以被消除，从而影响器件的阈值，降低器件性能的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例公开了如下技术方案：

一方面，提供一种显示背板，包括衬底基板；短波屏蔽层，其设置于所述衬底基板的一侧表面，其中，所述短波屏蔽层具有吸光作用；第一绝缘层，其设置于所述短波屏蔽层且远离所述衬底基板的一侧表面；以及薄膜晶体管层，其设置于所述第一绝缘层，且远离所述衬底基板的一侧表面；所述薄膜晶体管层包括一有源层，所述有源层设置于所述第一绝缘层上；其中，所述短波屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

进一步地，所述短波屏蔽层包括：金属膜层，其设置于所述衬底基板的一侧表面；以及金属氧化膜层，其设置于所述金属膜层且远离所述衬底基板的一侧表面。

进一步地，所述金属膜层为单层金属结构，所述单层金属结构所采用的材质为钛；或者，所述金属膜层为叠层金属结构，所述叠层金属结构的最外层的金属层所采用的材质为钛，且该最外层金属层设置于远离所述衬底基板的一侧表面。

进一步地，所述金属膜层的厚度为

所述金属氧化膜层为氧化钛。

进一步地，所述的显示背板还包括：金属遮光层，其设置于所述衬底基板与所述短波屏蔽层之间；其中，所述金属遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

进一步地，所述短波屏蔽层所采用的材质包括金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种；所述短波屏蔽层的厚度为

进一步地，所述短波屏蔽层吸收紫外波段的光。

进一步地，所述薄膜晶体管层包括依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极通过第一通孔连接至所述有源层，且所述源极通过第二通孔连接至所述金属遮光层，所述漏极通过第三通孔连接至所述有源层；所述显示基板还包括：第三绝缘层，其设置于所述源漏极层上；第四绝缘层，其设置于第三绝缘层上；像素定义层，其设置于所述第四绝缘层上，且所述像素定义层开设有一开口，所述开口用以暴露所述源极；以及阳极，其设置于所述开口内，且连接至所述源极。

另一方面，提供一种显示背板的制备方法，包括如下步骤：形成一衬底基板；形成一短波屏蔽层于所述衬底基板的上方；形成一第一绝缘层于所述短波屏蔽层上；以及形成一薄膜晶体管层于所述第一绝缘层上，其中所述薄膜晶体管层包括一有源层，所述有源层形成于所述第一绝缘层上；其中，所述短波屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

进一步地，所述短波屏蔽层的形成步骤包括：形成一金属膜层于所述衬底基板的上方；以及采用氧气或一氧化二氮等离子体对所述金属膜层的表面进行氧化处理，形成一金属氧化膜层于所述金属膜层上。

进一步地，所述衬底基板的形成步骤之后，所述短波屏蔽层的形成步骤之前还包括：形成一金属遮光层于所述衬底基板上；其中，所述金属遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域；在所述短波屏蔽层的形成步骤中，采用打印的方法在所述金属遮光层上沉积金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种，形成所述短波屏蔽层。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：短波屏蔽层在衬底基板上的正投影至少覆盖有源层在衬底基板上的正投影区域，对于氧化物半导体TFT(薄膜晶体管)电学性能造成影响的主要是短波长波段的光，短波屏蔽层吸收紫外波段的光，紫外波段的光为波长范围在10-400nm的非可见光，即利用短波屏蔽层吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：同时采用金属遮光层和短波屏蔽层有利于进一步地增强显示背板的遮光效果，提供器件的性能。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：采用金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种形成短波屏蔽层，并同时采用金属遮光层和短波屏蔽层有利于进一步地增强显示背板的遮光效果，提供器件的性能。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例1提供的显示背板的整体结构示意图。

图2为本申请实施例1提供的第二绝缘层形成的结构示意图。

图3为本申请实施例1提供的开口形成的结构示意图。

图4为本申请实施例2提供的显示背板的整体结构示意图。

图5为本申请实施例3提供的显示背板的整体结构示意图。

附图部件标识如下：

1、衬底基板； 2、金属遮光层；

3、短波屏蔽层； 4、第一绝缘层；

5、薄膜晶体管层； 6、第三绝缘层；

7、第四绝缘层； 8、像素定义层；

9、阳极； 91、开口；

51、有源层； 52、栅极绝缘层；

53、栅极层； 54、第二绝缘层；

55、源漏极层； 501、第一通孔；

502、第二通孔； 503、第三通孔；

31、金属膜层； 32、金属氧化膜层；

551、源极； 552、漏极。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例1

如图1所示，本实施例提供一种显示背板，其包括衬底基板1、短波屏蔽层3、第一绝缘层4以及薄膜晶体管层5。

衬底基板1可以为柔性的基板，也可以为刚性的基板。

短波屏蔽层3包括金属膜层31以及金属氧化膜层32。该短波屏蔽层3可以吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层51的性能造成影响。

具体的，金属膜层31设置于衬底基板1上，厚度为

金属氧化膜层32设置于金属膜层31上，该金属氧化膜层32由金属膜层31的表面被氧化形成的。金属膜层31可以为单层金属结构或者单层金属结构，若金属膜层31为单层金属结构的话，则该单层金属结构采用的材质为钛金属；若金属膜层31为叠层的金属结构的话，则该叠层的金属结构可以为钼-铝-钛的金属结构，只要能够确保该金属结构的最外层金属层所采用的材质为钛金属即可。因此，无论金属膜层31为单层金属结构或者叠层金属结构，金属氧化膜层32都是由钛金属被氧化而成的氧化钛，该氧化钛能够有效地吸收的在一定波长范围内光，从而有效地避免短波对薄膜晶体管有源层51的影响，进而提升整个显示背板的性能。进一步地，本实施例的金属膜层31还可以作为遮光金属层，对有源层51起到遮光的作用。

第一绝缘层4设置于短波屏蔽层3上，且延伸至衬底基板1的表面，具体的，该第一绝缘层4设置于金属氧化膜层32上。第一绝缘层4的厚度为

优选为

其在不增加整个显示背板的厚度同时，也具有良好的隔绝水氧的性能。

如图1-图2所示，薄膜晶体管包括依次设置的有源层51、栅极绝缘层52、栅极层53、第二绝缘层54以及源漏极层55。其中，有源层51为铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)。源漏极层55包括源极551和漏极552，源极551通过第一通孔501连接至有源层51，且源极551通过第二通孔502连接至金属膜层31，漏极552通过第三通孔503连接至有源层51。

本实施例中，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层51在衬底基板1上的正投影区域。换句话来说，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影与有源层51在衬底基板1上的正投影完全重合，如此，对于氧化物半导体TFT(薄膜晶体管)电学性能造成影响的主要是短波长波段的光，短波屏蔽层3吸收紫外波段的光，该紫外波段的光为波长范围在10-400nm的非可见光，即利用短波屏蔽层3吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层51的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

如图1-图3所示，本实施例中，显示背板还包括第三绝缘层6、第四绝缘层7、像素定义层8以及阳极9。具体的，第三绝缘层6、第四绝缘层7依次设置于源漏极层55上。像素定义层8设置于第四绝缘层7上，且像素定义层8开设有一开口91，开口91用以暴露源极551。阳极9设置于开口91内，且连接至源极551。

本实施例中，第一绝缘层4为缓冲层，第二绝缘层54为介电层，第三绝缘层6为钝化层，第四绝缘层7为平坦层。第一绝缘层4、第二绝缘层54、第三绝缘层6、第四绝缘层7、栅极绝缘层52等膜层可以由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少两种的混合制成。氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx。

本实施例所提供的显示背板，其应用于显示装置。如本领域技术人员所熟知的，上述的显示背板可以用于OLED显示，因此该显示背板可以与不同的器件相结合形成OLED显示装置，由于显示背板内设有短波屏蔽层3，因此，在外界光源从显示装置的侧面进入从而照射到有源层51时，短波屏蔽层3可以有效地吸收外界光源中的短波可见光，从而防止短波可见光在金属层(栅极、源漏极)之间来回反射震荡，减少对OLED器件阈值的影响，进而提升OLED器件的整体性能。当然，为了实现OLED显示装置的各种功能，显示背板还可以包括本实施中未提及的其他结构，在此不一一赘述。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实施例还提供一种显示背板的制备方法，其包括如下步骤S11)-S18)。

S11)形成一衬底基板1，参照图2。

S12)形成一短波屏蔽层3于所述衬底基板1的上，参照图2。

本实施例中，短波屏蔽层3的形成步骤包括如下步骤S121)-S122)。

S121)形成一金属膜层31于所述衬底基板1的上表面，参照图2。具体的，在衬底基板1的上表面溅渡一层厚度为

的金属膜层31。金属膜层31可以为单层金属结构或者单层金属结构，若金属膜层31为单层金属结构的话，则该单层金属结构采用的材质为钛金属；若金属膜层31为叠层的金属结构的话，则该叠层的金属结构可以为钼-铝-钛的金属结构，只要能够确保该金属结构的最外层金属层所采用的材质为钛金属即可。

S122)采用氧气或一氧化二氮等离子体(Plasma)对所述金属膜层31的表面进行氧化处理，形成一金属氧化膜层32于所述金属膜层31上，参照图2。具体的，在化学气相沉积机内，采用氧气或一氧化二氮等离子体(Plasma)对金属膜层31(钛金属)的表面进行氧化处理，以形成金属氧化膜层32，即氧化钛。该氧化钛能够有效地吸收的在一定波长范围内光，从而有效地避免短波对薄膜晶体管有源层51的影响，进而提升整个显示背板的性能。进一步地，本实施例的金属膜层31还可以作为遮光金属层，对有源层51起到遮光的作用。

S13)形成一第一绝缘层4于所述短波屏蔽层3上，参照图2。具体的，在金属氧化膜层32的上表面沉积一层厚度为

优选为

该第一绝缘层4在不增加整个显示背板的厚度同时，也具有良好的隔绝水氧的性能。

S14)形成一薄膜晶体管层5于所述第一绝缘层4上，其中所述薄膜晶体管层5包括一有源层51，所述有源层51形成于所述第一绝缘层4上，参照图2。

本实施例中，薄膜晶体管形成的步骤包括如下步骤S141)-S145)。

S141)形成一有源层51于所述第一绝缘层4上，参照图2。具体的，在第一绝缘层4上沉积IGZO材料形成有源层51，并通过黄光蚀刻工艺定义有源层51图案。

S142)形成一栅极绝缘层52于所述有源层51上，参照图2。具体的，采用化学气相沉积的方式在有源层51上沉积无机材料，形成栅极绝缘层52。该栅极绝缘层52可以由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少两种的混合制成。氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx。

S143)形成一栅极层53于所述栅极绝缘层52上，参照图2。具体的，采用物理气相沉积的方式在栅极绝缘层52上沉积金属材料形成栅极层53，并通过黄光和湿蚀刻定义栅极图案，同时对有源层51进行导体化处理。

S144)形成一第二绝缘层54于所述栅极层53上，且该第二绝缘层54延伸至所述衬底基板1上，其中，所述第二绝缘层54开设有第一通孔501、第二通孔502以及第三通孔503，参照图2。具体的，采用化学气相沉积的方式在栅极层53上沉积无机材料，形成第二绝缘层54。该第二绝缘层54可以由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少两种的混合制成。氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx。

S145)在所述第一通孔501、所述第二通孔502以及所述第三通孔503内沉积金属材料，形成源漏极层55，参照图3。其中，采用黄光和湿蚀刻源漏极层55定义出源极551、漏极552的图案。

本实施例中，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层51在衬底基板1上的正投影区域。换句话来说，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影与有源层51在衬底基板1上的正投影完全重合，如此，对于氧化物半导体TFT(薄膜晶体管)电学性能造成影响的主要是短波长波段的光，短波屏蔽层3吸收紫外波段的光，该紫外波段的光为波长范围在10-400nm的非可见光，即利用短波屏蔽层3吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层51的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

S15)形成一第三绝缘层6于所述源漏极层55上，参照图3。具体的，采用化学气相沉积的方式在栅极层53上沉积无机材料，形成第三绝缘层6。该第三绝缘层6可以由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少两种的混合制成。氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx。

S16)形成一第四绝缘层7于所述第三绝缘层6上，参照图3。具体的，采用化学气相沉积的方式在栅极层53上沉积无机材料，形成第四绝缘层7。该第四绝缘层7可以由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少两种的混合制成。氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx。

S17)形成一像素定义层8设置于所述第四绝缘层7上，且使得所述像素定义层8开设有一开口91，所述开口91用以暴露所述源极551，参照图3。具体的，采用黄光工艺在第四绝缘层7上制备像素定义层8，并对像素定义层8进行开孔处理，以形成一用以暴露源极551的开口91。

S18)形成一阳极9于所述开口91内，且连接至所述源极551，参照图1。具体的，在开口91内沉积氧化铟锡或者银金属材料，并通过黄光和湿蚀刻定义阳极9的图案。

本实施例中，在阳极9的形成步骤之后，还可以在阳极9上方形成其他器件，如OLED器件。本实施例所提供的显示背板，其应用于显示装置。如本领域技术人员所熟知的，上述的显示背板可以用于OLED显示，因此该显示背板可以与不同的器件相结合形成OLED显示装置，由于显示背板内设有短波屏蔽层3，因此，在外界光源从显示装置的侧面进入从而照射到有源层51时，短波屏蔽层3可以有效地吸收外界光源中的短波可见光，从而防止短波可见光在金属层(栅极、源漏极)之间来回反射震荡，减少对OLED器件阈值的影响，进而提升OLED器件的整体性能。

实施例2

本实施例提供一种显示背板及其制备方法，其包括实施例1的全部技术方案，其区别在于，显示背板还包括遮光金属层，该遮光金属层设于衬底基板1与短波屏蔽层3之间。

如图4所示，遮光金属层、短波屏蔽层3依次地设置于衬底基板1上。本实施例中，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层51在衬底基板1上的正投影区域，金属遮光层2在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层51在衬底基板1上的正投影区域。换句话说，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影与有源层51在衬底基板1上的正投影完全重合，金属遮光层2在衬底基板1上的正投影与有源层51在衬底基板1上的正投影完全重合，可以使得对有源层51进行双层遮光，从而增强遮光效果。

本实施例中，薄膜晶体管层5包括依次设置的有源层51、栅极绝缘层52、栅极层53、第二绝缘层54以及源漏极层55，其中，源漏极层55包括源极551和漏极552，源极551通过第一通孔501连接至有源层51，且源极551通过第二通孔502连接至金属遮光层2，漏极552通过第三通孔503连接至有源层51。

因此，本实施例所提供的显示背板，同时采用金属遮光层2和短波屏蔽层3有利于进一步地增强显示背板的遮光效果，提供器件的性能。

本实施例提供一种显示背板的制备方法，其包括实施例1显示背板的制备方法全部技术方案，其区别在于，在形成衬底基板1的步骤之后与形成短波屏蔽层3的步骤之前，形成金属遮光层2即可。其中，通过溅渡的方式在衬底基板1上沉积金属材料形成金属遮光层2，以使得后续成型的显示背板具有金属遮光层2和短波屏蔽层3，从而增强显示背板的遮光效果，提供器件的性能。

实施例3

本实施例提供一种显示背板及其制备方法，其包括实施例2的大部分技术方案，其区别在于，短波屏蔽层3的材质不同。

如图5所示，本实施例提供一种显示背板，其依次包括衬底基板1、金属遮光层2、短波屏蔽层3、第一绝缘层4以及薄膜晶体管层5。

短波屏蔽层3所采用的材质包括金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种，且该短波屏蔽层3的厚度为

优选为

本实施例中，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影至少覆盖有源层51在衬底基板1上的正投影区域。换句话来说，短波屏蔽层3在衬底基板1上的正投影与有源层51在衬底基板1上的正投影完全重合，如此，对于氧化物半导体TFT(薄膜晶体管)电学性能造成影响的主要是短波长波段的光，短波屏蔽层3吸收紫外波段的光，该紫外波段的光为波长范围在10-400nm的非可见光，即利用短波屏蔽层3吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层51的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

薄膜晶体管层5包括依次设置的有源层51、栅极绝缘层52、栅极层53、第二绝缘层54以及源漏极层55，其中，源漏极层55包括源极551和漏极552，源极551通过第一通孔501连接至有源层51，且源极551通过第二通孔502连接至金属遮光层2，漏极552通过第三通孔503连接至有源层51。

本实施例还提供一种显示背板的制备方法，其包括在衬底基板1上依次形成金属遮光层2、短波屏蔽层3、第一绝缘层4、薄膜晶体管层5、第三绝缘层6、第四绝缘层7、像素定义层8以及阳极9。本实施例所提供显示背板的制备方法，仅短波屏蔽层3的制备工艺不同于实施例1和实施例2的，其他部件的制备工艺可以参照实施例1和实施例2。

在形成短波屏蔽层3的步骤中，采用打印的方法在金属遮光层2上沉积金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种，形成短波屏蔽层3，该短波屏蔽层3吸收掉入射光源中短波长波段的光，剩下长波长的光由于能量较低，无法对有源层51的性能造成影响，进而提升整个显示背板的性能。

本实施例所提供的显示背板的制备方法，同时采用金属遮光层和短波屏蔽层有利于进一步地增强显示背板的遮光效果，提供器件的性能。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示背板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示背板，其特征在于，包括：

衬底基板；

短波屏蔽层，其设置于所述衬底基板的一侧表面，其中，所述短波屏蔽层具有吸光作用；

第一绝缘层，其设置于所述短波屏蔽层且远离所述衬底基板的一侧表面；以及

薄膜晶体管层，其设置于所述第一绝缘层，且远离所述衬底基板的一侧表面；所述薄膜晶体管层包括一有源层，所述有源层设置于所述第一绝缘层上；

其中，所述短波屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述短波屏蔽层包括：

金属膜层，其设置于所述衬底基板的一侧表面；以及

金属氧化膜层，其设置于所述金属膜层且远离所述衬底基板的一侧表面。

3.根据权利要求2所述的显示背板，其特征在于，

所述金属膜层为单层金属结构，所述单层金属结构所采用的材质为钛；或者，

所述金属膜层为叠层金属结构，所述叠层金属结构的最外层的金属层所采用的材质为钛，且该最外层金属层设置于远离所述衬底基板的一侧表面。

4.根据权利要求3所述的显示背板，其特征在于，

所述金属膜层的厚度为

所述金属氧化膜层为氧化钛。

5.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，还包括：

金属遮光层，其设置于所述衬底基板与所述短波屏蔽层之间；

其中，所述金属遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

6.根据权利要求5所述的显示背板，其特征在于，

所述短波屏蔽层所采用的材质包括金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种；

所述短波屏蔽层的厚度为

7.根据权利要求1-6任一项所述的显示背板，其特征在于，

所述短波屏蔽层吸收紫外波段的光。

8.根据权利要求5所述的显示背板，其特征在于，

所述薄膜晶体管层包括依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极通过第一通孔连接至所述有源层，且所述源极通过第二通孔连接至所述金属遮光层，所述漏极通过第三通孔连接至所述有源层；

所述显示基板还包括：

第三绝缘层，其设置于所述源漏极层上；

第四绝缘层，其设置于第三绝缘层上；

像素定义层，其设置于所述第四绝缘层上，且所述像素定义层开设有一开口，所述开口用以暴露所述源极；以及

阳极，其设置于所述开口内，且连接至所述源极。

9.一种显示背板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成一衬底基板；

形成一短波屏蔽层于所述衬底基板的上方；

形成一第一绝缘层于所述短波屏蔽层上；以及

形成一薄膜晶体管层于所述第一绝缘层上，其中所述薄膜晶体管层包括一有源层，所述有源层形成于所述第一绝缘层上；

其中，所述短波屏蔽层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。

10.根据权利要求9所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述短波屏蔽层的形成步骤包括：

形成一金属膜层于所述衬底基板的上方；以及

采用氧气或一氧化二氮等离子体对所述金属膜层的表面进行氧化处理，形成一金属氧化膜层于所述金属膜层上。

11.根据权利要求9所述的显示背板的制备方法，其特征在于，所述衬底基板的形成步骤之后，所述短波屏蔽层的形成步骤之前还包括：

形成一金属遮光层于所述衬底基板上；

其中，所述金属遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域；

在所述短波屏蔽层的形成步骤中，

采用打印的方法在所述金属遮光层上沉积金属有机框架材料、含氟芳香有机化合物、氧化石墨烯中的至少一种，形成所述短波屏蔽层。

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