CN114765096A - 多层电容器 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极。至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，其中，所述相邻的介电层和内电极的Sn含量满足：介电层的Sn含量为内电极的Sn含量的至少两倍。

Description

多层电容器
本申请要求于2021年1月15日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0006205号韩国专利申请和于2021年5月18日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0064091号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例涉及一种多层电容器。
背景技术
电容器是用于存储电荷的装置，并且当两个电极设置为彼此相对并向其施加电压时，电荷可累积在各个电极中。当施加直流(DC)电压时，电流可在电容器中流动同时存储电荷，但当累积完成时，电流可停止流动。当施加交流(AC)电压时，AC电流可流动同时电极的极性改变。
这样的电容器可根据设置在电极之间的绝缘体的类型包括：铝电解电容器，具有利用铝形成的电极并且在铝电极之间具有薄的氧化物膜；钽电容器，使用钽作为电极材料；陶瓷电容器，使用具有高介电常数的电介质(诸如钛酸钡)；多层陶瓷电容器(MLCC)，使用具有高介电常数的陶瓷材料作为设置在电极之间的电介质；以及薄膜电容器，使用聚苯乙烯膜作为电极之间的电介质。
在电容器之中，多层陶瓷电容器可具有优异的温度特性和频率特性，并且可以以小尺寸实现，使得多层陶瓷电容器已广泛应用于各种领域(诸如高频率电路)。最近，已尝试实现具有更小尺寸的多层陶瓷电容器，为此，介电层和内电极可被构造为具有减小的厚度。然而，当介电层具有减小的厚度时，高温可靠性和耐受电压特性可能劣化，并且已尝试解决这样的问题。
发明内容
本公开的示例实施例在于提供一种可具有改善的高温可靠性和耐受电压特性的多层电容器。
根据本公开的示例实施例，一种多层电容器包括：主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极。至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，其中，所述相邻的介电层和内电极的Sn含量满足：介电层的Sn含量为内电极的Sn含量的至少两倍。
所述相邻的介电层和内电极中的介电层可包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域，并且所述相邻的介电层和内电极中的内电极可包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域。
所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域的厚度之和可小于或等于5nm。
所述第一富Sn区域的厚度可大于所述第二富Sn区域的厚度。
所述第二富Sn区域的厚度可大于所述第一富Sn区域的厚度。
基于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的100mol的Ti含量，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域中包含的Sn含量之和可大于或等于0.8mol。
所述第一富Sn区域中包含的Sn含量可大于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的除所述第一富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
所述第二富Sn区域中包含的Sn含量可大于所述相邻的介电层和内电极中的内电极的除所述第二富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
在所述第一富Sn区域中，Sn含量可从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的介电层的中央减小。
在所述第二富Sn区域中，Sn含量可从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的内电极的中央减小。
在所述界面中，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域可具有相同的Sn含量。
所述相邻的介电层和内电极中的介电层的平均厚度可小于或等于500nm。
所述相邻的介电层和内电极中的内电极的平均厚度可小于或等于400nm。
根据本公开的示例实施例，一种多层电容器包括：主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极。至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分。所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域。所述相邻的介电层和内电极中的内电极包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域。所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域的厚度之和小于或等于5nm。
根据本公开的示例实施例，一种多层电容器包括：主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极。至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域。所述相邻的介电层和内电极中的内电极包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域。基于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的100mol的Ti含量，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域中包含的Sn含量之和大于或等于0.8mol。
附图说明
通过结合附图以及以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器的外观的立体图；
图2是示出沿着图1中的线I-I’截取的多层电容器的截面图；
图3是示出沿着图1中的线II-II’截取的多层电容器的截面图；
图4是示出介电层的一部分和内电极的一部分的放大图；以及
图5和图6是示出介电层和内电极中的Sn含量的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为局限于在此阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。因此，为了描述的清楚，可夸大附图中的要素的形状和尺寸。此外，将使用相同的附图标记描述在各个示例实施例的附图中表示的在相同构思的范围内具有相同功能的要素。
在附图中，相同的要素将由相同的附图标记表示。此外，将省略可能不必要地使本发明的要点模糊的对已知功能和要素的冗余描述和详细描述。在附图中，可夸大、省略或简要地示出一些要素，并且要素的尺寸不必然地反映这些要素的实际尺寸。此外，将理解的是，除非另有说明，否则当一部分“包括”要素时，其还可包括其他要素，而不排除其他要素。
图1是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器的外观的立体图。图2是示出沿着图1中的线I-I’截取的多层电容器的截面图。图3是示出沿着图1中的线II-II’截取的多层电容器的截面图。图4是示出介电层的一部分和内电极的一部分的放大图。图5和图6是示出介电层和内电极中的Sn含量的曲线图。
参照图1至图3，根据示例实施例的多层电容器100可包括主体110以及外电极131和132，主体110包括层叠的多个介电层111以及多个内电极121和122，且介电层111介于内电极121和122之间。多个介电层111可包含Sn成分，内电极121和122可包含Sn成分。此外，多个介电层111中的至少一个介电层的Sn含量可为内电极121和122之中与相应介电层相邻的内电极的Sn含量的至少两倍。
作为示例，至少一对彼此相邻的介电层和内电极均可包含Sn成分。相邻的介电层和内电极的Sn含量满足：介电层的Sn含量为内电极的Sn含量的至少两倍。彼此相邻的介电层和内电极可包括内电极设置在介电层的上表面上的情况或内电极设置在介电层的下表面上的情况。也就是说，在彼此相邻的介电层和内电极中，可以不考虑介电层和内电极的上下位置关系，只要满足一个介电层的Sn含量为一个内电极的Sn含量的至少两倍即可。
另外，至少一个介电层可包括包含Sn成分的钛酸钡组合物。作为示例，每个介电层可包括包含Sn成分的钛酸钡组合物，但实施例不限于此，例如，可具有一部分介电层包含Sn成分的情况。
相应地，作为示例，每个内电极可包含Sn成分，但实施例不限于此，例如，可具有一部分内电极包含Sn成分的情况。
主体110可包括层叠结构，在层叠结构中，多个介电层111沿着第一方向(X方向)层叠，并且主体110可通过例如层叠多个陶瓷生片并烧结多个陶瓷生片来获得。与第一方向(X方向)垂直且彼此垂直的两个方向可分别被定义为第二方向(Y方向)和第三方向(Z方向)。如图1中所示，主体110可具有与直平行六面体类似的形状。主体110中包括的介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷材料，并且可包括钛酸钡(BaTiO3)组合物。具体地，介电层111可包括包含Ba和Ti的基体材料主成分，其中，基体材料主成分可包括表示为BaTiO3或者Ca、Zr等部分溶在BaTiO3中的(Ba，Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3的主成分。此外，如果需要，除陶瓷材料(主成分)之外，介电层111还可包括添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂和分散剂。此外，多个介电层111的上述钛酸钡组合物可包含Sn成分，并且Sn成分可在制造介电层111时以Sn的氧化物的形式被添加。介电层111中存在的Sn成分可在烧制之后增强晶界处的肖特基势垒(Schottky barrier)，并且还可控制介电晶粒的晶粒生长。因此，即使当介电层111形成为具有薄的厚度时，也可改善高温可靠性和耐受电压特性。
多个内电极121和122可形成电容，并且可通过例如在陶瓷生片的一个表面上印刷预定厚度的包括导电金属的膏并烧结该膏来获得。在这种情况下，如图2中所示，多个内电极121和122可包括在主体110的第三方向(Z方向)上暴露并彼此相对的第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可连接到不同的外电极131和132，在被驱动时可具有不同的极性，并且可通过设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111彼此电分离。然而，在示例实施例中，外电极131和132的数量和/或与内电极121和122的连接方式可改变。
用于形成内电极121和122的主成分材料可包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)等，并且也可使用它们的合金。如上所述，内电极121和122可包含Sn成分。内电极121和122中存在的Sn成分可与其他金属形成合金，或者可作为单体(例如，Sn层)存在，并且可在内电极121和122与介电层111之间的界面处扩散和偏析，从而可形成第二富Sn区域221。由于与内电极121和122的主成分(例如，Ni)相比，第二富Sn区域221具有大的电阻，因此当施加DC电压时，与没有设置第二富Sn区域221的示例相比，电压降低的幅度可更大。由于该作用，可减弱介电层111中的电场，因此，可改善多层电容器100的DC偏置电容特性和可靠性。
外电极131和132可形成在主体110的外部，并且可包括连接到第一内电极121的第一外电极131和连接到第二内电极122的第二外电极132。外电极131和132可通过制备包括导电金属的材料的膏并将该膏涂覆到主体110来形成。导电金属的示例可包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)或它们的合金。外电极131和132还可包括包含Ni、Sn等的镀层。
在示例实施例中，内电极121或122的Sn含量可小于与其相邻的介电层111的Sn含量，具体地，多个介电层111中的至少一个介电层的Sn含量可以是与该介电层相邻的内电极121或122的Sn含量的至少两倍。例如，当在制造工艺期间将Sn成分添加到介电层111并且所添加的Sn成分扩散到内电极121和122中时，可获得这种结构。在这种情况下，内电极121和122中存在的大多数Sn成分可源于介电层111，将参照图4至图6对其进行更详细地描述。
彼此相邻的介电层和内电极中的介电层可包括设置在所述彼此相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域211，彼此相邻的介电层和内电极中的内电极可包括设置在所述彼此相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域221。在彼此相邻的第一富Sn区域和第二富Sn区域中，第一富Sn区域中包含的Sn的总含量可以为所述第二富Sn区域中包含的Sn的总含量的至少两倍。如图4中所示，介电层111可包括形成在介电层111与内电极121和122的界面处的第一富Sn区域211。此外，内电极121和122可包括形成在内电极121和122与介电层111的界面处的第二富Sn区域221。第一富Sn区域211和第二富Sn区域221可与其中扩散有被添加到介电层111的Sn成分并且局部地具有高Sn含量的区域对应，并且第一富Sn区域211和第二富Sn区域221的厚度t1和t2之和可小于或等于5nm。在这种情况下，第一富Sn区域211的厚度可大于第二富Sn区域221的厚度(t1>t2)。根据研究，当Sn成分从内电极121和122扩散到介电层111中时，介电层111不包括足够含量的Sn，就厚度比率而言，介电层111中存在的富Sn区域可以以小于整个富Sn区域的20％存在(t1/(t1+t2)<20％)。在示例实施例中，介电层111的Sn含量可以是与该介电层111相邻的内电极121或122的Sn含量的至少两倍，从而可充分地确保Sn含量。然而，根据示例实施例，介电层111的Sn含量可不必然是与该介电层111相邻的内电极121或122的Sn含量的至少两倍。在这种情况下，第一富Sn区域211和第二富Sn区域221的厚度t1和t2之和可调整为小于或等于5nm，在该厚度条件下，可在不极大地降低介电层111及内电极121和122的电特性的情况下确保高温可靠性和耐受电压特性。
第一富Sn区域211和第二富Sn区域221的上述厚度条件可通过例如使Sn成分源自介电层111同时控制烧制条件来获得。例如，当烧制期间的还原气氛较强时，即，当氧分压降低时，Sn的氧化物可被还原，并且从介电层111扩散到内电极121和122的Sn成分的量可增大，第二富Sn区域221的厚度可增大。因此，可如上所述调节第一富Sn区域211和第二富Sn区域221的总厚度以及各个厚度的比率。
基于介电层111的100mol的Ti含量，第一富Sn区域211和第二富Sn区域221中包含的Sn含量之和可大于或等于0.8mol。在这种情况下，Sn成分可以以足够的量存在于介电层111及内电极121和122中，从而可改善高温可靠性和耐受电压特性。此外，第一富Sn区域211中包含的Sn含量可大于介电层111的除第一富Sn区域211之外的区域中包含的Sn含量，这可表示大量的Sn可存在于第一富Sn区域211中。此外，第二富Sn区域221中包含的Sn含量可大于内电极121和122的除第二富Sn区域221之外的区域中包含的Sn含量，并且由于在第二富Sn区域221中充分地确保Sn含量，因此可改善耐受电压特性。
将描述测量介电层111及内电极121和122中的每种元素的含量的方法的示例。在烧结的主体110的一个截面的包括介电层111及内电极121和122的区域中，可使用聚焦离子束(FIB)装置制备薄的分析样品。可使用Ar离子研磨去除薄的样品表面上的受损层，并且可对使用扫描透射电子显微镜-能量弥散X射线(STEM-EDX)获得的图像进行每种成分的映射和定量分析。在这种情况下，根据每种元素的质量分数(也可由摩尔分数表示)，可获得每种成分的定量分析曲线图。图5和图6以线轮廓(line profile)的形式示出了介电层111和内电极121中的Sn含量。尽管在图5和图6中示出了第一内电极121和介电层111中的Sn含量，但可在第二内电极122与介电层111之间的界面处获得类似于以上示例的线轮廓。
参照图5，第一富Sn区域211的Sn含量可从介电层111与内电极121之间的界面B朝向该介电层111的中央减小。类似地，第二富Sn区域221的Sn含量可从该界面朝向该内电极121的中央减小。此外，在介电层111与内电极121之间的界面B上，第一富Sn区域211和第二富Sn区域221可具有相同的Sn含量。
可分别考虑介电层111及内电极121和122的中央区域的Sn含量来确定第一富Sn区域211和第二富Sn区域221的范围。例如，第一富Sn区域211可被限定为从界面B直到区域A1，从界面B起，Sn含量的值可在区域A1中首次表现为与介电层111的中央区域中的Sn含量的值相同。在这种情况下，考虑到介电层111的除第一富Sn区域211之外的区域中的Sn含量相对较低，同时由噪声引起的变化程度较大，介电层111的中央区域中的Sn含量可根据如下方式计算：在厚度方向上距离界面B在介电层111的厚度的1/4至介电层111的厚度的1/2之间的区段C1中的Sn含量的平均值。类似地，第二富Sn区域221可被限定为从界面B到区域A2，从界面B起，Sn含量的值可在区域A2中首次表现为与内电极121的中央区域中的Sn含量的值相同。在这种情况下，考虑到内电极121的除第二富Sn区域221之外的区域中的Sn含量相对较低，同时由噪声引起的变化程度较大，内电极121的中央区域中的Sn含量可根据如下方式计算：在厚度方向上距离界面B在内电极121的厚度的1/4至内电极121的厚度的1/2之间的区段C2中的Sn含量的平均值。除这些方法之外，第一富Sn区域211和第二富Sn区域221可通过更简化的方法来限定，并且可以是例如从界面B直到Sn含量减小转而开始增大的区域。
在图5中的曲线图中，第一富Sn区域211的厚度可大于第二富Sn区域221的厚度，但其示例实施例不限于此。在示例实施例中，如图6中的曲线图中所示，曲线图中第二富Sn区域221的厚度可大于第一富Sn区域211的厚度，并且通过增大第二富Sn区域221的厚度，可增大内电极121与介电层111之间的界面处的电绝缘。图6中的Sn含量分布可通过降低烧制期间的氧分压并使Sn成分更大程度地扩散到内电极121中来获得。
当介电层111及内电极121和122具有减小的厚度时，如上所述获得的改善的耐受电压特性的效果可更突出。介电层111的厚度可小于或等于500nm，内电极121和122的厚度可小于或等于400nm。介电层111的厚度可指的是设置在内电极121和122之间的介电层111的平均厚度。作为测量标准的示例，介电层111的平均厚度可通过扫描主体110在第一方向(X方向)和第三方向(Z方向)上的截面而获得的图像来测量。例如，在使用扫描电子显微镜(SEM)从沿着第一方向和第三方向截取的主体110在第二方向(Y方向)上的中央部分的截面而获得的图像中提取的任意介电层中，可测量在第三方向上等间隔的30个点处的介电层的厚度，并且可计算它们的平均值。可在电容形成部中测量等间隔的30个点处的介电层的厚度，电容形成部可指的是内电极121和122彼此叠置的区域。
类似地，内电极121和122的厚度可指的是平均厚度。在这种情况下，内电极121和122的平均厚度可通过扫描主体110在第一方向(X方向)和第三方向(Z方向)上的截面而获得的图像来测量。例如，在使用扫描电子显微镜(SEM)从沿着第一方向和第三方向截取的主体110在第二方向(Y方向)上的中央部分的截面而获得的图像中提取的任意内电极121和122中，可测量在第三方向上等间隔的30个点处的内电极121和122的厚度，并且可计算它们的平均值。可在电容形成部中测量等间隔的30个点处的内电极121和122的厚度，电容形成部可指的是内电极121和122彼此叠置的区域。
根据上述示例实施例，多层电容器可具有改善的高温可靠性和耐受电压特性。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (25)

1.一种多层电容器，包括：
主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极，
其中，至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，
其中，所述相邻的介电层和内电极的Sn含量满足：介电层的Sn含量为内电极的Sn含量的至少两倍。
2.如权利要求1所述的多层电容器，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的内电极包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域，并且
其中，所述第一富Sn区域中包含的Sn的总含量为所述第二富Sn区域中包含的Sn的总含量的至少两倍。
3.如权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域的厚度之和小于或等于5nm。
4.如权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域的厚度大于所述第二富Sn区域的厚度。
5.如权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第二富Sn区域的厚度大于所述第一富Sn区域的厚度。
6.如权利要求2所述的多层电容器，其中，基于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的100mol的Ti含量，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域中包含的Sn含量之和大于或等于0.8mol。
7.如权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域中包含的Sn含量大于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的除所述第一富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
8.如权利要求2所述的多层电容器，其中，所述第二富Sn区域中包含的Sn含量大于所述相邻的介电层和内电极中的内电极的除所述第二富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
9.如权利要求2所述的多层电容器，其中，在所述第一富Sn区域中，Sn含量从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的介电层的中央减小。
10.如权利要求2所述的多层电容器，其中，在所述第二富Sn区域中，Sn含量从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的内电极的中央减小。
11.如权利要求2所述的多层电容器，其中，在所述界面上，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域具有相同的Sn含量。
12.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层的平均厚度小于或等于500nm。
13.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述相邻的介电层和内电极中的内电极的平均厚度小于或等于400nm。
14.如权利要求1所述的多层电容器，其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括包含Sn成分的钛酸钡组合物。
15.如权利要求1所述的多层电容器，其中，每个介电层均包括包含Sn成分的钛酸钡组合物，每个内电极均包含Sn成分。
16.一种多层电容器，包括：
主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极，
其中，至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的内电极包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域，并且
其中，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域的厚度之和小于或等于5nm。
17.如权利要求16所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域的厚度大于所述第二富Sn区域的厚度。
18.如权利要求16所述的多层电容器，其中，所述第二富Sn区域的厚度大于所述第一富Sn区域的厚度。
19.一种多层电容器，包括：
主体，包括层叠的多个介电层和多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述多个内电极，
其中，至少一对相邻的介电层和内电极均包含Sn成分，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的介电层包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第一富Sn区域，
其中，所述相邻的介电层和内电极中的内电极包括设置在所述相邻的介电层和内电极之间的界面处的第二富Sn区域，并且
其中，基于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的100mol的Ti含量，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域中包含的Sn含量之和大于或等于0.8mol。
20.如权利要求19所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域和所述第二富Sn区域的厚度之和小于或等于5nm。
21.如权利要求19所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域的厚度大于所述第二富Sn区域的厚度。
22.如权利要求19所述的多层电容器，其中，所述第二富Sn区域的厚度大于所述第一富Sn区域的厚度。
23.如权利要求19所述的多层电容器，其中，所述第一富Sn区域中包含的Sn含量大于所述相邻的介电层和内电极中的介电层的除所述第一富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
24.如权利要求19所述的多层电容器，其中，所述第二富Sn区域中包含的Sn含量大于所述相邻的介电层和内电极中的内电极的除所述第二富Sn区域之外的区域中包含的Sn含量。
25.如权利要求19所述的多层电容器，其中，在所述第一富Sn区域中，Sn含量从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的介电层的中央减小，并且
其中，在所述第二富Sn区域中，Sn含量从所述界面朝向所述相邻的介电层和内电极中的内电极的中央减小。
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