JP2022109873A - 積層型キャパシター - Google Patents

Abstract

【課題】積層型キャパシターを提供する。【解決手段】本発明の一実施形態は、複数の誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで積層された複数の内部電極を含む本体と、上記本体の外部に形成され、上記内部電極と接続された外部電極と、を含む積層型キャパシターであって、上記複数の誘電体層は、Ｓｎ成分が含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、上記内部電極はＳｎ成分を含み、上記複数の誘電体層のうち少なくとも１つは、上記内部電極のうち隣接した内部電極と比べてＳｎの含量が２倍以上である、積層型キャパシターを提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、積層型キャパシターに関する。

キャパシターは、電気を貯蔵することができる素子であって、基本的に、２つの電極を対向させ、電圧をかけると各電極に電気が蓄積されるものである。直流電圧を印加した場合には、電気が蓄電されながらキャパシターの内部に電流が流れるが、蓄積が完了すると、電流が流れなくなる。一方、交流電圧を印加した場合には、電極の極性が交番しながら交流電流が流れるようになる。

かかるキャパシターは、電極の間に備えられる絶縁体の種類によって、アルミニウムで電極を構成し、上記アルミニウム電極の間に薄い酸化膜を備えるアルミニウム電解キャパシター、電極材料としてタンタルを用いるタンタルキャパシター、電極の間にチタン酸バリウムなどの高誘電率の誘電体を用いるセラミックキャパシター、電極の間に備えられる誘電体として、高誘電率系セラミックを多層構造として用いる積層セラミックキャパシター（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）、電極の間の誘電体としてポリスチレンフィルムを用いるフィルムキャパシターなど、様々な種類に区分され得る。

中でも、積層セラミックキャパシターは、温度特性及び周波数特性に優れており、小型に実現可能であるという利点を有することから、近年、高周波回路などの様々な分野で多く応用されている。近年、積層セラミックキャパシターをさらに小さく実現するために、誘電体層と内部電極を薄く形成する試みが続けられている。誘電体層が薄くなる場合、高温信頼性及び耐電圧特性が低下するという問題があり、当技術分野では、それを解決しようとする試みが行われ続けられている。

本発明の一目的は、高い高温信頼性及び耐電圧特性が向上可能な積層型キャパシターを提供することにある。

上述の課題を解決するための方法として、本発明は、一例によって積層型キャパシターの新たな構造を提案する。具体的に、複数の誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで積層された複数の内部電極を含む本体と、上記本体の外部に形成され、上記内部電極と接続された外部電極と、を含む積層型キャパシターであって、上記複数の誘電体層は、Ｓｎ成分が含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、上記内部電極はＳｎ成分を含み、上記複数の誘電体層のうち少なくとも１つは、上記内部電極のうち隣接した内部電極と比べてＳｎの含量が２倍以上である。

一実施形態において、上記誘電体層は、上記内部電極との界面に形成された第１Ｓｎリッチ領域を含み、上記内部電極は、上記誘電体層との界面に形成された第２Ｓｎリッチ領域を含むことができる。

一実施形態において、上記第１及び第２Ｓｎリッチ領域の厚さの和は５ｎｍ以下であることができる。

一実施形態において、上記第１リッチ領域は、上記第２Ｓｎリッチ領域より厚いことができる。

一実施形態において、上記第２リッチ領域は、上記第１Ｓｎリッチ領域より厚いことができる。

一実施形態において、上記第１及び第２Ｓｎリッチ領域にそれぞれ含まれたＳｎの含量の和は、上記誘電体層のＴｉの含量１００モルに対して０．８モル以上であることができる。

一実施形態において、上記第１Ｓｎリッチ領域に含まれたＳｎの含量は、上記誘電体層において上記第１Ｓｎリッチ領域を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多いことができる。

一実施形態において、上記第２Ｓｎリッチ領域に含まれたＳｎの含量は、上記内部電極において上記第２Ｓｎリッチ領域を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多いことができる。

一実施形態において、上記第１Ｓｎリッチ領域は、上記界面から上記誘電体層の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少することができる。

一実施形態において、上記第２Ｓｎリッチ領域は、上記界面から上記内部電極の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少することができる。

一実施形態において、上記界面において上記第１及び第２Ｓｎリッチ領域は、Ｓｎの含量が互いに同一であることができる。

一実施形態において、上記誘電体層の平均厚さは５００ｎｍ以下であることができる。

一実施形態において、上記内部電極の平均厚さは４００ｎｍ以下であることができる。

一方、本発明の他の側面は、複数の誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで積層された複数の内部電極を含む本体と、上記本体の外部に形成され、上記内部電極と接続された外部電極と、を含む積層型キャパシターであって、上記複数の誘電体層は、Ｓｎが含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、上記内部電極はＳｎを含み、上記誘電体層は、上記内部電極との界面に形成された第１Ｓｎリッチ領域を含み、上記内部電極は、上記誘電体層との界面に形成された第２Ｓｎリッチ領域を含み、上記第１及び第２Ｓｎリッチ領域の厚さの和が５ｎｍ以下である、積層型キャパシターを提供する。

本発明の一例による積層型キャパシターによると、高温信頼性及び耐電圧特性が向上することができる。

本発明の一実施形態による積層型キャパシターの外観を概略的に示した斜視図である。 図１の積層型キャパシターにおいてＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。 図１の積層型キャパシターにおいてＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。 誘電体層と内部電極の一部を拡大して示したものである。 誘電体層と内部電極におけるＳｎの含量を示したグラフである。 誘電体層と内部電極におけるＳｎの含量を示したグラフである。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。

なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。

図１は本発明の一実施形態による積層型キャパシターの外観を概略的に示した斜視図である。図２は図１の積層型キャパシターにおいてＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。図３は図１の積層型キャパシターにおいてＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。そして、図４は誘電体層と内部電極の一部を拡大して示したものであり、図５及び図６は誘電体層と内部電極におけるＳｎの含量を示したグラフである。

図１から図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層型キャパシター１００は、誘電体層１１１、及びこれを挟んで積層された複数の内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、外部電極１３１、１３２と、を含む。ここで、複数の誘電体層１１１は、Ｓｎ成分が含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、内部電極１２１、１２２はＳｎ成分を含む。そして、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも１つは、内部電極１２１、１２２のうち隣接したものと比べてＳｎの含量が２倍以上である。

本体１１０は、複数の誘電体層１１１が第１方向（Ｘ方向）に積層された積層構造を有し、例えば、複数のグリーンシートを積層してから焼結することで得ることができる。ここで、第１方向（Ｘ方向）に垂直で、且つ互いに垂直な２つの方向をそれぞれ第２方向（Ｙ方向）及び第３方向（Ｚ方向）と定義する。図１に示した形態のように、本体１１０は直方体と類似の形状を有することができる。本体１１０に含まれた誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック材料を含むことができ、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系組成物を含む。具体的に、誘電体層１１１は、Ｂａ及びＴｉを含む母材主成分を含むことができる。ここで、上記母材主成分は、ＢａＴｉＯ_３またはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶された（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｃａ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３などで表される主成分を含むことができる。また、誘電体層１１１には、主成分であるこのようなセラミック材料とともに、必要に応じて、添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、及び分散剤などがさらに含まれることができる。さらに、複数の誘電体層１１１の上述のチタン酸バリウム系組成物はＳｎ成分を含有し、誘電体層１１１の製造時に、Ｓｎ酸化物の形態で添加されることができる。誘電体層１１１に存在するＳｎ成分は、焼成後にグレインバウンダリーのショットキー障壁（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ）を強化することができ、また、誘電体グレインの粒成長を調節することができる。これにより、誘電体層１１１が薄い厚さで形成された場合にも、高温信頼性及び耐電圧特性が向上することができる。

複数の内部電極１２１、１２２は、静電容量を形成するものであり、一例として、セラミックグリーンシートの一面に導電性金属を含むペーストを所定の厚さで印刷した後、それを焼結することで得ることができる。この場合、複数の内部電極１２１、１２２は、図２に示した形態のように、本体１１０の互いに対向する第３方向（Ｚ方向）に露出した第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、互いに異なる外部電極１３１、１３２と連結され、駆動時に互いに異なる極性を有することができ、これらの間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に分離されることができる。但し、外部電極１３１、１３２の個数や内部電極１２１、１２２との連結方式は、実施形態によって変わり得る。

内部電極１２１、１２２を成す主要構成物質としては、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）などが挙げられ、これらの合金も使用可能である。上述のように、内部電極１２１、１２２はＳｎ成分を含む。内部電極１２１、１２２に存在するＳｎ成分は、他の金属と合金を成すか、単一体（例えば、Ｓｎ層）として存在することができ、後述のように、内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１の界面に拡散及び偏析して第２Ｓｎリッチ領域２２１が形成されることができる。かかるＳｎリッチ領域２２１は、内部電極１２１、１２２の主成分（例えば、Ｎｉ）と比べて電気抵抗が大きいため、ＤＣ電圧が印加された時に、第２Ｓｎリッチ領域２２１がない場合と比べて電圧降下を大きく起こす。このような作用により、誘電体層１１１内での電界が弱くなることができ、これにより、積層型キャパシター１００のＤＣバイアス容量特性及び信頼性が向上することができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の外部に形成され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ接続された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。外部電極１３１、１３２は、導電性金属を含む物質をペーストに製造した後、それを本体１１０に塗布する方法などにより形成されることができる。導電性金属の例として、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金が挙げられる。ここで、外部電極１３１、１３２は、Ｎｉ、Ｓｎなどを含むめっき層をさらに含むことができる。

本実施形態では、内部電極１２１、１２２は、隣接した誘電体層１１１と比べてＳｎの含量が少ない。具体的に、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも１つは、隣接した内部電極１２１、１２２と比べて、Ｓｎの含量が２倍以上である。このような形態は、例えば、製造過程で誘電体層１１１にＳｎ成分を添加し、添加されたＳｎ成分が内部電極１２１、１２２に拡散する場合に得られる。この場合、内部電極１２１、１２２に存在するＳｎ成分のうち殆どは、誘電体層１１１に由来のものであることができる。図４～６を参照して、これを具体的に説明する。

図４に示した形態のように、誘電体層１１１は、内部電極１２１、１２２との界面に形成された第１Ｓｎリッチ領域２１１を含む。そして、内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１との界面に形成された第２Ｓｎリッチ領域２２１を含む。第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１は、誘電体層１１１に添加されたＳｎ成分が拡散し、Ｓｎの含量が局所的に高い領域に該当し、その厚さｔ１、ｔ２の和は５ｎｍ以下であることができる。この際、第１Ｓｎリッチ領域２１１は、第２Ｓｎリッチ領域２２１より厚いことができる（ｔ１＞ｔ２）。本発明者らの研究によると、Ｓｎ成分が内部電極１２１、１２２から誘電体層１１１に拡散する場合、誘電体層１１１にはＳｎが十分な含量で存在せず、誘電体層１１１中に存在するＳｎリッチ領域は、全Ｓｎリッチ領域のうち厚さ比率で２０％未満で存在する傾向を示した。本実施形態では、誘電体層１１１のＳｎの含量が内部電極１２１、１２２と比べて２倍以上であり、Ｓｎ成分が十分に確保されることができる。但し、実施形態によっては、誘電体層１１１のＳｎの含量が必ずしも内部電極１２１、１２２の２倍以上である必要はない。この場合、第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１の厚さｔ１、ｔ２の和は５ｎｍ以下に調節されることができ、このような厚さ条件により、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２の電気的特性を大きく低下させることなく、高温信頼性及び耐電圧特性を確保することができる。

第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１の上述の厚さ条件は、例えば、Ｓｎ成分が誘電体層１１１に由来するようにし、且つ焼成条件を調節することで得ることができる。例えば、焼成時の還元雰囲気が強い場合、すなわち、酸素分圧が低くなる場合に、Ｓｎ酸化物が還元されながら誘電体層１１１から内部電極１２１、１２２へのＳｎ成分の拡散量が多くなり、第２Ｓｎリッチ領域２２１の厚さが増加することができる。このような方式により、第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１の全体的な厚さと各厚さの比率などが調節されることができる。

第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１にそれぞれ含まれたＳｎの含量の和は、誘電体層１１１のＴｉの含量１００モルに対して０．８モル以上であり、この場合、高温信頼性及び耐電圧特性がより向上できる程度の十分な量のＳｎ成分が、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２中に存在することができる。また、第１Ｓｎリッチ領域２１１に含まれたＳｎの含量は、誘電体層１１１において第１Ｓｎリッチ領域２１１を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多いことができ、これは、多量のＳｎ成分が第１Ｓｎリッチ領域２１１に存在することを意味する。また、第２Ｓｎリッチ領域２２１に含まれたＳｎの含量は、内部電極１２１、１２２において第２Ｓｎリッチ領域２２１を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多いことができ、第２Ｓｎリッチ領域２２１にＳｎの含量が十分に確保されることにより、耐電圧特性が向上することができる。

誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２で各元素の含量を測定する方法の例を説明する。焼結が完了した本体１１０の一断面のうち、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２を含む領域から、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置により薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料を、Ａｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去した後、ＳＴＥＭ－ＥＤＸを用いて得られた画像に対して、各成分のマッピングと定量分析を行う。この際、各成分の定量分析グラフは各元素の質量分率で得られるが、これをモル分率に換算して示すこともできる。図５及び図６は、誘電体層１１１と内部電極１２１におけるＳｎの含量をラインプロファイルの形態で示したものである。図５及び図６には、第１内部電極１２１と誘電体層１１１のＳｎ含量を示したが、第２内部電極１２２と誘電体層１１１の界面からも、これに類似の形態のラインプロファイルを得ることができる。

図５を参照すると、第１Ｓｎリッチ領域２１１は、誘電体層１１１と内部電極１２１の界面Ｂから誘電体層１１１の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少することができる。同様に、第２Ｓｎリッチ領域２２１は、界面Ｂから内部電極１２１の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少することができる。また、誘電体層１１１と内部電極１２１の界面Ｂにおいて、第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１はＳｎの含量が互いに同一であることができる。

一方、第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１の範囲はそれぞれ、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２の中央領域におけるＳｎの含量を考慮して決定されることができる。例えば、第１Ｓｎリッチ領域２１１は、界面Ｂから、誘電体層１１１の中央領域におけるＳｎの含量と等しい値のＳｎの含量が初めて現れた領域Ａ１までと定義されることができる。この際、第１Ｓｎリッチ領域２１１外におけるＳｎの含量は相対的に低いのに対し、ノイズなどによる変化の程度が大きいことを考慮して、誘電体層１１１の中央領域におけるＳｎの含量は、界面Ｂから厚さ方向を基準に誘電体層１１１の１／４～１／２の厚さの区間Ｃ１での平均値として求めることができる。これと類似の方式で、第２Ｓｎリッチ領域２２１は、界面Ｂから、内部電極１２１の中央領域におけるＳｎの含量と等しい値のＳｎの含量が初めて現れた領域Ａ２までと定義されることができる。この際、第２Ｓｎリッチ領域２２１以外におけるＳｎの含量は相対的に低いのに対し、ノイズなどによる変化の程度が大きいことを考慮して、内部電極１２１の中央領域におけるＳｎの含量は、界面Ｂから厚さ方向を基準に内部電極１２１の１／４～１／２の厚さの区間Ｃ２での平均値として求めることができる。このような方法の他にも、より簡素化された方法により第１及び第２Ｓｎリッチ領域２１１、２２１を定義してもよく、例えば、界面Ｂから、Ｓｎの含量が減少してさらに増加し始める領域までとしてもよい。

一方、図５のグラフでは、第１Ｓｎリッチ領域２１１が第２Ｓｎリッチ領域２２１より厚い形態を示しているが、必ずしもこのような構造のみが用いられる必要はない。実施形態によっては、図６のグラフに示されたように、グラフでは第２Ｓｎリッチ領域２２１が第１Ｓｎリッチ領域２１１より厚い形態であってもよく、第２Ｓｎリッチ領域２２１の厚さを増加させることで、内部電極１２１と誘電体層１１１の界面での電気絶縁性を増加させることができる。図６のＳｎ含量分布は、例えば、焼成時に酸素分圧を下げ、Ｓｎ成分が内部電極１２１により多く拡散するようにすることで得ることができる。

一方、上述の構造により得られる耐電圧特性などの向上効果は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が従来より薄い場合に顕著にみられることができる。誘電体層１１１の厚さは５００ｎｍ以下であり、内部電極１２１、１２２の厚さは４００ｎｍ以下であることができる。ここで、誘電体層１１１の厚さは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味し得る。測定基準の一例として、誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向（Ｘ方向）及び第３方向（Ｚ方向）の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。例えば、本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の中央部で切断した第１及び第３方向の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によりスキャンした画像から抽出された任意の誘電体層において、第３方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点で測定した厚さは、内部電極１２１、１２２が互いに重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。

これと類似して、内部電極１２１、１２２の厚さは平均厚さを意味し得る。この場合、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の第１方向（Ｘ方向）及び第３方向（Ｚ方向）の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。例えば、本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の中央部で切断した第１及び第３方向の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によりスキャンした画像から抽出された任意の内部電極１２１、１２２において、第３方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、内部電極１２１、１２２が互いに重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。よって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、様々な形態の置換、変形、及び変更が可能であることは、当技術分野の通常の知識を有する者に明らかであり、これも添付の特許請求の範囲に記載の技術的思想に属するといえる。

１００ 積層型キャパシター
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
２１１、２２１ Ｓｎリッチ領域

Claims (16)

1. 複数の誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで積層された複数の内部電極を含む本体と、
   前記本体の外部に形成され、前記複数の内部電極と接続された外部電極と、を含む積層型キャパシターであって、
   前記複数の誘電体層は、Ｓｎ成分が含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、
   前記複数の内部電極はＳｎ成分を含み、
   前記複数の誘電体層のうち少なくとも１つは、前記複数の内部電極のうち隣接した内部電極と比べてＳｎの含量が２倍以上である、積層型キャパシター。
2. 前記誘電体層は、前記内部電極との界面に形成された第１Ｓｎリッチ領域を含み、
   前記内部電極は、前記誘電体層との界面に形成された第２Ｓｎリッチ領域を含む、請求項１に記載の積層型キャパシター。
3. 前記第１Ｓｎリッチ領域及び第２Ｓｎリッチ領域の厚さの和が５ｎｍ以下である、請求項２に記載の積層型キャパシター。
4. 前記第１Ｓｎリッチ領域が、前記第２Ｓｎリッチ領域より厚い、請求項２または３に記載の積層型キャパシター。
5. 前記第２Ｓｎリッチ領域が、前記第１Ｓｎリッチ領域より厚い、請求項２または３に記載の積層型キャパシター。
6. 前記第１Ｓｎリッチ領域及び第２Ｓｎリッチ領域にそれぞれ含まれたＳｎの含量の和が、前記誘電体層のＴｉの含量１００モルに対して０．８モル以上である、請求項２から５のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
7. 前記第１Ｓｎリッチ領域に含まれたＳｎの含量が、前記誘電体層において前記第１Ｓｎリッチ領域を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多い、請求項２から６のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
8. 前記第２Ｓｎリッチ領域に含まれたＳｎの含量が、前記内部電極において前記第２Ｓｎリッチ領域を除いた残りの領域に含まれたＳｎの含量より多い、請求項２から７のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
9. 前記第１Ｓｎリッチ領域は、前記界面から前記誘電体層の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少する、請求項２から８のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
10. 前記第２Ｓｎリッチ領域は、前記界面から前記内部電極の中心方向に向かうにつれてＳｎの含量が減少する、請求項２から９のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
11. 前記界面において前記第１Ｓｎリッチ領域及び第２Ｓｎリッチ領域は、Ｓｎの含量が互いに同一である、請求項２から１０のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
12. 前記複数の誘電体層の平均厚さが５００ｎｍ以下である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
13. 前記複数の内部電極の平均厚さが４００ｎｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
14. 複数の誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで積層された複数の内部電極を含む本体と、
    前記本体の外部に形成され、前記複数の内部電極と接続された外部電極と、を含む積層型キャパシターであって、
    前記複数の誘電体層は、Ｓｎが含有されたチタン酸バリウム系組成物を含み、
    前記複数の内部電極はＳｎを含み、
    前記誘電体層は、前記内部電極との界面に形成された第１Ｓｎリッチ領域を含み、
    前記内部電極は、前記誘電体層との界面に形成された第２Ｓｎリッチ領域を含み、
    前記第１Ｓｎリッチ領域及び第２Ｓｎリッチ領域の厚さの和が５ｎｍ以下である、積層型キャパシター。
15. 前記第１Ｓｎリッチ領域が、前記第２Ｓｎリッチ領域より厚い、請求項１４に記載の積層型キャパシター。
16. 前記第２Ｓｎリッチ領域が、前記第１Ｓｎリッチ領域より厚い、請求項１４に記載の積層型キャパシター。

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