CN114759059A - 电子装置及其制造方法 - Google Patents

电子装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114759059A
CN114759059A CN202210421319.6A CN202210421319A CN114759059A CN 114759059 A CN114759059 A CN 114759059A CN 202210421319 A CN202210421319 A CN 202210421319A CN 114759059 A CN114759059 A CN 114759059A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting unit
light emitting
substrate
light
diode unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210421319.6A
Other languages
English (en)
Inventor
许嘉修
赵明义
郭书铭
刘育欣
胡顺源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Publication of CN114759059A publication Critical patent/CN114759059A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0331—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/02—Composition of display devices
    • G09G2300/026—Video wall, i.e. juxtaposition of a plurality of screens to create a display screen of bigger dimensions
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0297—Special arrangements with multiplexing or demultiplexing of display data in the drivers for data electrodes, in a pre-processing circuitry delivering display data to said drivers or in the matrix panel, e.g. multiplexing plural data signals to one D/A converter or demultiplexing the D/A converter output to multiple columns
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G09G2320/0295—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明提供一种电子装置，包含：基板、多个导电垫、粘着层以及第一二极管单元、第二二极管单元、第三二极管单元及第四二极管单元，设置于基板上；粘着层具有图案化排列的多个导电粒子，多个导电粒子对应于多个导电垫排列，且多个导电粒子设置的区域与多个导电垫的至少一者的外缘边缘之间的距离介于0μm至30μm之间；第一二极管单元、第二二极管单元、第三二极管单元及第四二极管单元分别通过多个导电粒子与多个导电垫电性连接；其中第一二极管单元与第二二极管单元之间的第一间距不同于第三二极管单元与第四二极管单元之间的第二间距，其中粘着层具有第一高度，第一二极管单元具有第二高度，且第二高度大于第一高度。

Description

电子装置及其制造方法
本案是2018年7月24日提交的，申请号为“201810820379.9”的中国专利申请的分案申请
技术领域
本发明涉及一种电子装置及其制造方法，特别涉及更换电子装置中的发光单元的制程。
背景技术
随着电子产品蓬勃发展，消费者对于电子产品的质量、功能有更高的要求及期望。发光二极管(LED)被预期用于未来的电子产品应用。微型LED(micro LED)技术为一种新兴的电子装置技术，具有微小化(或阵列化)等特征，但由于微型LED的尺寸相当小，在制造过程中一般以批量式进行转移至目标基板(阵列基板)上。而当LED经性能检测(包括光学及电性检测等)后判定不符合设计下，需更换尺寸微小的微型LED，在技术上具有相当的难度。
因此，发展出可有效地进行微型LED的更换(或修补)的方式，乃目前业界所致力的课题之一。
发明内容
在一些实施例中，本发明提供一种电子装置，其特征在于，包括：一基板；多个导电垫，设置于该基板上；一粘着层，设置于该基板上且具有图案化排列的多个导电粒子，其中该多个导电粒子对应于该多个导电垫排列，且该多个导电粒子设置的一区域与该多个导电垫的至少一者的一外缘边缘之间的距离介于0μm至30μm之间；以及一第一二极管单元、一第二二极管单元、一第三二极管单元及一第四二极管单元，设置于该基板上，且分别通过该多个导电粒子与该多个导电垫电性连接；其中该第二二极管单元沿着一第一方向与该第一二极管单元相邻，该第四二极管单元沿着该第一方向与该第三二极管单元相邻，该第三二极管单元沿着一垂直于该第一方向的一第二方向与该第一二极管单元相邻，该第四二极管单元沿着该第二方向与该第二二极管单元相邻，其中该第一二极管单元与该第二二极管单元之间的一第一间距不同于该第三二极管单元与该第四二极管单元之间的一第二间距，其中该粘着层具有一第一高度，该第一二极管单元具有一第二高度，且该第二高度大于该第一高度。
在一些实施例中，本发明提供一种电子装置，其特征在于，包括：一基板；多个导电垫，设置于该基板上；一第一发光单元、一第二发光单元、一第三发光单元及一第四发光单元，设置于该基板上；以及多个导电粒子，其中该第一发光单元、该第二发光单元、该第三发光单元及该第四发光单元分别通过该多个导电粒子与该多个导电垫电性连接，且该多个导电粒子设置的一区域与该多个导电垫的至少一者的一外缘边缘之间的距离介于0μm至30μm之间；其中该第二发光单元沿着一第一方向与该第一发光单元相邻，该第四发光单元沿着该第一方向与该第三发光单元相邻，该第三发光单元沿着一垂直于该第一方向的一第二方向与该第一发光源单元相邻，该第四发光单元沿着该第二方向与该第二发光单元相邻，其中该第一发光单元与该第二发光单元之间的一第一间距不同于该第三发光单元与该第四发光单元之间的一第二间距。
为让本发明的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置的制造方法的流程图；
图2A至2H显示根据本发明一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面示意图；
图3A至3H显示根据本发明另一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面示意图；
图4A显示根据本发明一些实施例中，电子装置的剖面示意图；
图4B显示对应于图4A所示的区域A的俯视示意图；
图5显示根据本发明一些实施例中，电子装置的俯视示意图；
图6显示根据本发明一些实施例中，电子装置的俯视示意图；
图7显示根据本发明一些实施例中，电子装置的俯视示意图。
符号说明
10电子装置的制造方法
100A、100B、100C、100D、100E电子装置；
102、102’第一基板；
104承载基板；
200U、200U1、200U2、200U3第一发光单元；
200U’待更换的第一发光单元；
202第一半导体层；
204第二半导体层；
206量子阱层；
208第一电极；
210第二电极；
302第二基板；
304粘着层；
304m基质；
304p导电粒子；
306装置；
308导电垫；
308E边缘；
200S、302S、304S顶表面；
CL清洗制程；
d1距离；
H1第一高度；
H2第二高度；
LO移除制程；
P1第一间距；
P2第二间距；
P3第三间距；
P4第四间距；
S1界面；
S11、S13、S14、S15、S17、S19、S21步骤
R 区域；
T 检测
VC 空位。
具体实施方式
以下针对本发明电子装置的结构及其制造方法作详细说明。以下叙述提供许多不同的实施例，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定组件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例，这些仅用以举例而非本发明的限定。在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，仅为简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。当叙述一第一材料层设置于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
应理解的是，附图的组件或装置可以所属技术领域具有通常知识者所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如「较低」或「底部」或「较高」或「顶部」，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的组件将会成为在「较高」侧的组件。本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图亦被视为发明说明的一部分。应理解的是，本发明的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小组件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征，而在说明书及附图中，同样或类似的组件将以类似的符号表示。
可理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种组件、组成或部分，这些用语仅用来区别不同的组件、组成或部分，不应被限定。
在此，「约」、「大约」、「实质上」的用语通常表示在一给定值或范围的20％内，较佳是10％内，更佳是5％内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「实质上」的情况下，仍可隐含「约」、「大约」、「实质上」的含义。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
在本发明一些实施例中，关于接合、电性连接的用语，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、电性连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
根据本发明的一些实施例，提供一种电子装置的制造方法，可批量式地更换(或修补)发光单元。所述更换发光单元的步骤可同时更换多个发光单元或依续更换多个发光单元，本发明并不做限制。本发明的制造方法可不受发光单元的尺寸限制，可更换各种不同尺寸的发光单元。所述方法可提升较小尺寸的发光单元的更换效率、质量或良率。
根据本发明的一些实施例，提供一种电子装置，其包含经上述方法更换(或修补)的发光单元，经更换的发光单元的间距可能不相同于其它未经更换的发光单元的间距。
图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置的制造方法10的流程图。在一些实施例中，可于电子装置的制造方法10进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作步骤。在不同的实施例中，所述的一些阶段(或步骤)可以视情况被删除或取代，或者视状况互换步骤的顺序。在不同的实施例中，以下所述的电子装置的部分特征可以被取代或删除，或可添加额外特征于电子装置中。图2A至2H显示根据本发明一些实施例中，使用图1所示的电子装置的制造方法10所形成的电子装置100A于制程中间阶段的剖面示意图。
首先，请参照图1及图2A，在一些实施例中，电子装置的制造方法10包含步骤S11，检测设置于第一基板102上的多个第一发光单元200U(即，实行检测T)，以选择出待更换的第一发光单元200U’。如图2A所示，第一基板102可例如设置于一承载基板104上。在一些实施例中，承载基板104上可例如设置多个第一基板102。在一些实施例中，第一基板102可例如为第一发光单元200U的原生基板(或称为母基板)或非原生基板(非母基板)，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一基板102可包含蓝宝石(sapphire)基板、玻璃基板、红光基板、其它合适的基板或上述的组合，但本发明不限于此。第一基板102的材料例如包含碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓GaP、其它合适的化合物或上述的组合，但本发明不限于此。在一些实施例中，承载基板104可包含硅、玻璃、高分子化合物、金属或陶瓷或上述的组合，但本发明不限于此。所述高分子基板可包含聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或橡胶，但本发明不限于此。
所述第一发光单元200U可例如包含发光二极管(light-emitting diode，LED)、微型发光二极管(micro light-emitting diode or mini light-emitting diode)，但本发明不限于此。一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm)，微型发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米(μm)到300微米(μm)，微型发光二极管(micro LED)的芯片尺寸约为1微米(μm)到100微米(μm)，但本发明并不以此为限。
在一些实施例中，第一发光单元200U可例如包含具有第一半导体层202、第二半导体层204、设置于第一半导体层202及第二半导体层204之间的量子阱(quantum well)层206、及分别与第一半导体层202及第二半导体层204电性连接的第一电极208及第二电极210。所述第一半导体层202与第二半导体层204可具有相反的导电特性。举例而言，在一些实施例中，第一半导体层202为p型半导体而第二半导体层204为n型半导体。在另一些实施例中，第一半导体层202为n型半导体而第二半导体层204为p型半导体。
在一些实施例中，所述第一半导体层202或第二半导体层204可由氮化镓(GaN)形成，但不限于此。在一些实施例中，量子阱层206可包含单量子阱(single quantum well，SQW)或多重量子阱(multiple quantum well，MQW)，量子阱层206的材料可包含氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一电极208及第二电极210可作为发光单元200U的p电极/n电极。在一些实施例中，第一电极208及第二电极210可包括金属导电材料、透明导电材料或前述的组合所形成。所述金属导电材料可包含铜、铝、钨、钛、金、铂、镍、其它合适的金属导电材料、上述的合金或上述的组合，但不限于此。透明导电材料可包含透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)，例如包含铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、其它适合的透明导电材料或上述的组合，但不限于此。
虽然图标中绘示的发光单元为覆晶式(flip chip type)的发光二极管，但本发明不限于此。在另一些实施例中，发光单元亦可为垂直式(vertical type)的发光二极管。
上述检测T可用于测试第一发光单元200U的质量或效能是否符合设计规格。在一些实施例中，检测T可用以测试第一发光单元200U的光电特性，但本发明不限于此。可根据实际需要，利用所属技术领域中已知的合适方法实行检测T。在一些实施例中，可借由检测T所测试结果来选择出待更换的第一发光单元200U’。举例而言，待更换的第一发光单元200U’可能为光电性质表现不符合设计规格或异常(abnormal)的发光单元，但本发明不限于此。举例来说，待更换的(或异常的)发光单元可能是当感应电流或驱动电路给予关闭信号时，发光单元发生闪烁、持续发光或微量发光的情形，或当感应电流或驱动电路给予开启信号时，发光单元发生闪烁、微量发光或无法发光的情形。或者，在一些实施例中，待更换的(或异常的)发光单元可代表所发出光的亮度、波长、或电压不符合设计值的发光单元，但本发明不限于此。在一些实施例中，待更换的(或异常的)发光单元可例如为外观有明显受损或变形的发光单元。应理解的是，虽然图示中仅绘示一个待更换的第一发光单元200U’，但实际上第一基板102上可例如具有多个待更换的第一发光单元200U’。
接着，请继续参照图1及图2A，于步骤S13中，将待更换的第一发光单元200U’从第一基板102上移除。可实行移除制程LO将第一发光单元200U’从第一基板102上移除。如图2B所示，在移除待更换的第一发光单元200U’后，使第一基板102上具有(或形成)一空位VC。在一些实施例中，移除制程LO可包含激光剥离(laser lift off，LLO)制程、干式(或湿式)化学蚀刻、激光轰击(laser bombardment)、或其它合适的制程或上述的组合，但本发明不限于此。移除制程LO可例如对第一基板102与第一发光单元200U’之间的界面S1进行剥离。
接着，请参照图1及图2C至2D，于步骤S15中，将第二发光单元200R转移至第二基板302上，第二发光单元200R的位置对应于第一基板102上的空位VC(即待更换的第一发光单元200U’)。详细来说，第一基板102上若无待更换的第一发光单元200U’，则可例如将第一基板102上的第一发光单元200U转移至第二基板302(例如目标基板)上，此过程可例如包括将第一基板102与第二基板302进行对位(例如透过对位标记来对位，但本发明不限于此)，但假若当第一基板102上有待更换的第一发光单元200U’时，可例如从第一基板102上先移除待更换的第一发光单元200U’，在移除之后，第一基板102会具有(或形成)空位VC，后续此第一基板102上未更换的(即不需更换的)第一发光单元200U会转移至第二基板302(例如目标基板)上，而另一第一基板102’上的第二发光单元200R(此为用以取代被移除的第一发光单元200U’的发光单元)也会转移至第二基板302上，上述的转移步骤可例如需要将第一基板102或另一第一基板102’分别与第二基板302进行对位，故为了提高转移的便利性，或减少转移至第二基板302上的第一发光单元200U’或第二发光单元200R彼此间相互影响，故可例如预先先将第二发光单元200R于第一基板102’上的位置对应于第一基板102上的空位VC的位置。举例来说，若第一基板102上的空位VC位于第二个位置，则可转移第一基板102’上的第二个位置的第二发光单元200R。而本发明不限制须先转移第一基板102上未更换的第一发光单元200U至第二基板302上，或者先转移另一第一基板102’上的第二发光单元200R至第二基板302上，详细内容将于后续说明中叙述。
在一些实施例中，第一基板102’上可例如具有至少一个第二发光单元200R。待更换的第一发光单元200U’与第二发光单元200R可例如为发出大致相同波长的发光单元(例如包括蓝、绿或红色波段的一者，但本发明不限于此)。在一些实施例中，第一基板102’上的第二发光单元200R之间的间距与第一基板102上的第一发光单元200U之间的间距大致相同。在一些实施例中，第一基板102’上的第二发光单元200R的尺寸与第一基板102上的第一发光单元200U的尺寸大致相同。在一些实施例中，形成于第一基板102’上的第二发光单元200R可用以专用于更换(或修补)的发光单元阵列。在一些实施例中，第一基板102’上的第二发光单元200R可例如已先经检测T测试，确认效能为符合设计规格的发光单元。
在一些实施例中，可借由移除制程LO将第一基板102’上对应于空位VC的第二发光单元200R移除，使其转移至第二基板302上。在一些实施例中，移除制程LO可包含激光剥离(LLO)制程、干式(或湿式)化学蚀刻、激光轰击或其它合适的制程或前述的组合，但本发明不限于此。
应理解的是，虽然图示的实施例中仅绘示一个发光单元的移除或更换，但在另一些实施例中，可同时进行多个发光单元的移除或更换。亦即，可形成多个空位VC于第一基板102上，借由另一第一基板102’上多个与空位VC对应的第二发光单元200R进行更换。
此外，如图2C及2D所示，在一些实施例中，电子装置的制造方法10更包含步骤S14，亦即，在将第二发光单元200R转移至第二基板302(步骤S15)之前，可例如形成粘着层304于第二基板302上。粘着层304可例如用以暂时地将第二发光单元200R定位于第二基板302上。在一些实施例中，粘着层304的材料可例如包括光固化型材料、热固化型材料、光热固化型材料、湿气固化型材料、其它合适材料或上述的组合，但本发明不限于此。在一些实施例中，第二发光单元200R可例如部分地嵌入于粘着层304中。在一些实施例中，粘着层304于固化前，可例如具有微粘性，可适度调整设置于其上的第二发光单元200R的位置，减少不同发光单元间彼此碰触或短路问题的发生。
在一些实施例中，粘着层304的材料可例如包含异方性导电膜(anisotropicconductive film，ACF)、异方性导电膏(anisotropic conductive paste，ACP)、非导电性胶膜(non-conductive film，NCF)、非导电性膏(non-conductive paste，NCP)、光阻或前述的组合，但本发明不限于此。异方性导电膜(ACF)或异方性导电膏(ACP)可包含高分子材料及导电粒子(如图所示的304p)，导电粒子可例如提供发光单元及目标基板上的导电垫(例如为阵列基板，但本发明不限于此)之间的电性连接。在使用非导电性胶膜(NCF)、非导电性膏(NCF)或光阻作为粘着层304的实施例中，未更换的第一发光单元200U及第二发光单元200R可借由共晶接合制程(eutectic bonding process)将发光单元与目标基板(例如为阵列基板)接合或电性连接(如图3A至3H所示)。此外，在一些实施例中，可例如借由涂布、喷涂、网印、贴附、转印、黄光显影、其它合适的方法或上述的组合设置粘着层304，但本发明不限于此。在一些实施例中，粘着层304可例如为单层或多层结构的材料。
接着，请参照图1及图2E，于步骤S17中，将第一基板102上未更换的第一发光单元200U转移至第二基板302上。换言之，将图2B所示具有空位VC的第一基板102上的第一发光单元200U转移至第二基板302上。详细而言，在一些实施例中，可例如先将具有空位VC的第一基板102从承载基板104上移除，接着利用装置306用以抓取或传送第一基板102(具有空位VC)，并将第一基板102上的第一发光单元200U转移至第二基板302上。在一些实施例中，第一基板102可例如先与第二基板302进行对位，再将第一基板102上的第一发光单元200U转移至第二基板302。例如，可使用光学或机械的方式进行对位，但本发明不限于此，此外，对位步骤并非是必须的。在一些实施例中，装置306可例如借由真空、静电、磁力或凡德瓦力的方式抓取第一基板102，但本发明不限于此。此外，如图2E所示，第一发光单元200U可例如会避开第二发光单元200R所转移至第二基板302的位置，并暂时定位于粘着层304中。在一些实施例中，第一发光单元200U亦可部分地嵌入于粘着层304中。
此外，在一些实施例中，第二基板302可例如为阵列基板(或目标基板)，但本发明不限于此。第二基板302的材料可例如为玻璃、石英、蓝宝石、塑料、聚合物、其它合适的材料或上述材料的组合，但本发明不限于此。例如，第二基板302可例如作为电子装置100A的驱动基板。详细而言，第二基板302可例如包含驱动电路(未绘示)，驱动电路可例如为有源式驱动电路或被动式驱动电路。驱动电路可例如包括晶体管(例如开关晶体管、驱动晶体管、或其它晶体管)、数据线、扫描线、导电垫、或介电层或其它线路等，但本发明不限于此。开关晶体管可例如用以控制第一发光单元200U或第二发光单元200R的开关。在一些实施例中，驱动电路可借由外部的集成电路(IC)或微芯片等对第一发光单元200U或第二发光单元200R进行控制。在一些实施例中，第二基板302可例如为暂时承载第一发光单元200U或第二发光单元200R的中间基板(如图3A至3H的实施例所示)。
在一些实施例中，前述步骤S15与步骤S17的顺序可以相互换，亦即可先将第一基板102上的第一发光单元200U转移至第二基板302，接着再将第一基板102’上的第二发光单元200R转移至第二基板302，而需注意的是，第一发光单元200U及第二发光单元200R需避免于第二基板302上相互重叠设置，亦即，第一发光单元200U及第二发光单元200R分别电性连接第二基板302上不同的导电垫(未绘示，将于后续说明中叙述)。
接着，请参照图1及图2F，于步骤S19中，可借由移除制程LO移除第一基板102。在一些实施例中，移除制程LO的方法如上所述。举例来说，于移除制程LO中可透过干式(或湿式)化学蚀刻，例如直接把第一基板102蚀刻掉。移除制程LO可例如针对第一基板102与第一发光单元200U或第二发光单元200R之间的界面S1进行剥离。
此外，在一些实施例中，在移除第一基板102(步骤S19)之前，可例如对粘着层304实行固化制程，以将第一发光单元200U及第二发光单元200R固定于粘着层中。在一些实施例中，当粘着层304包括热固化型材料，可例如对粘着层304进行加热步骤以实行固化制程。在一些实施例中，加热步骤的温度范围为约100℃至400℃，但本发明不限于此。在一些实施例中，固化制程的压力范围为约1百万帕(Mpa)至80百万帕(Mpa)，但本发明不限于此。在一些实施例中，当粘着层304包括光固化型材料，可例如对粘着层304照射特定波长的光线以实行固化步骤，可例如照射UV光或一般可见光。在一些实施例中，可例如对粘着层304放置一段长时间以实行固化步骤。此外，在一些实施例中，粘着层304可例如经图案化设置于第二基板302上。在一些实施例中，粘着层304可例如同时具有当成发光单元底部的填充物(underfill)的效果。透过填充物的设置可以减少相邻的发光单元之间彼此发生短路几率或减少导电垫(例如，可参考图4A的导电垫308)的腐蚀。
接着，请参照图1及图2G，在一些实施例中，电子装置的制造方法10更包含步骤S21，对第一发光单元200U或第二发光单元200R的发光面实行清洗制程CL。在一些实施例中，所述发光面可例如为第一发光单元200U或第二发光单元200R的第一半导体层202的顶表面。在一些实施例中，进行移除时的能量可能使第一发光单元200U或第二发光单元200R的第一半导体层202的顶表面(界面S1)变得粗糙。在一些实施例中，第一发光单元200U或第二发光单元200R的第一半导体层202的顶表面(界面S1)的粗糙度的范围介于约0.1μm至2μm之间。在一些实施例中，第一发光单元200U或第二发光单元200R的第一半导体层202的顶表面(界面S1)的粗糙度的范围介于约0.1μm至0.5μm之间。
此外，在一些实施例中，可视状况借由蚀刻步骤清洗第一发光单元200U或第二发光单元200R的发光面，进而改变第一发光单元200U或第二发光单元200R的发光面的粗糙度，改变或调整出光路径。在一些实施例中，所述蚀刻制程包含湿蚀刻制程，但本发明不限于此。
于此，大致完成电子装置100A，如图2H所示，第一发光单元200U或第二发光单元200R设置于第二基板302上，借由粘着层304进行第一发光单元200U或第二发光单元200R的固定。此外，在一些实施例中，可例如对完成组装的电子装置100A进行检测T(未绘示)，测试第一发光单元200U或第二发光单元200R的效能是否正常。
接着，请参照图3A至3H，图3A至3H显示根据本发明另一些实施例中，使用电子装置的制造方法20所形成的电子装置100B于制程中间阶段的剖面示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或组件将以相同或相似的标号表示，其材料与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。图3A至3H所示的电子装置的制造方法20与图2A至2H所示的电子装置的制造方法10类似，其差异在于，在图3A至3H所示的实施例中，可同时对设置于不同第一基板102上的第一发光单元200U进行更换(或修补)。换言之，可同时更换多个第一基板102上的第一发光单元200U。
具体而言，如图3A所示，首先，可对设置于第一基板102上的多个第一发光单元200U进行检测T，以选择出待更换的第一发光单元200U’。详细而言，可例如借由检测T所得到的结果，选择出设置于不同的第一基板102上的待更换的第一发光单元200U’。接着，可例如实行移除制程LO将待更换的第一发光单元200U’从第一基板102上移除，故于不同的第一基板102上可例如形成对应于待更换的第一发光单元200U’的空位VC(如图3B所示)。
接着，如图3C及3D所示，将第一基板102’上的第二发光单元200R同时或分批转移至第二基板302，第二发光单元200R设置的位置例如分别对应于第一基板102上待更换的第一发光单元200U’的空位VC。详细而言，于此实施例中，同一第一基板102’上的第二发光单元200R可例如用于同时或分批更换不同的第一基板102上的第一发光单元200U。在一些实施例中，可同时或分批更换两个以上的第一基板102上的第一发光单元200U，但本发明不限于此。此外，于此实施例中，可例如于第二发光单元200R转移至第二基板302之前，形成粘着层304于第二基板302上。在一些实施例中，第二基板302上的粘着层304可为连续的或是不连续(即图案化的粘着层304)的，可视后续制程需要进行调整。
接着，如图3E所示，将第一基板102上未更换的第一发光单元200U可例如分别转移至第二基板302上。如图3所示，第一发光单元200U会避开第二发光单元200R的位置，暂时定位于粘着层304中。第一发光单元200U及二发光单元200R可例如部分地嵌入于粘着层304中。接着，如图3F所示，可例如借由移除制程LO分别移除第一基板102。移除制程LO可例如针对第一基板102与第一发光单元200U或第二发光单元200R之间的界面S1进行剥离。在一些实施例中，亦可于前述移除制程LO后，对第一发光单元200U及第二发光单元200R的发光面实行清洗制程CL。接着，如图3G所示，第一发光单元200U及经更换的第二发光单元200R可例如借由粘着层304暂时地固定于第二基板302上。在一些实施例中，粘着层304或第二基板302可例如具有可挠特性，可借由拉伸粘着层304或第二基板302调整形成于第二基板302上的第一发光单元200U及第二发光单元200R彼此之间的间距，提升电子装置的质量，减少发光单元间因彼此太近而造成短路的几率。
在此实施例中，第二基板302可例如作为中间基板，用以暂时承载来自不同的第一基板102上的第一发光单元200U或需更换的第二发光单元200R。接着，如图3H所示，可例如将第二基板302移除，并将粘着层304以及暂时固定于第二基板302上的第一发光单元200U或第二发光单元200R转移至第三基板402上。在此实施例中，所述第三基板402可例如为阵列基板。例如，第三基板402可例如作为电子装置的驱动基板。详细而言，第三基板402可例如包含驱动电路(未绘示)，而驱动基板的叙述如上所述在此步再重复叙述。在一些实施例中，前述粘着层304以及形成于上的第一发光单元200U及第二发光单元200R可转移至不同的第三基板402或同一第三基板402上。
在此实施例中，未更换的第一发光单元200U或第二发光单元200R可例如借由共晶接合制程(eutectic bonding process)与第三基板402接合。详细而言，可例如借由共晶接合制程使第一发光单元200U或第二发光单元200R与第三基板402形成电性连接。在一些实施例中，形成的电子装置100B可例如为拼接式显示器(tiled display)，第一发光单元200U及经更换的第二发光单元200R可例如设置于彼此相邻的不同的第三基板402上，但本发明不限于此。
接着，请参照图4A，图4A显示根据本发明一些实施例中，电子装置100A的剖面示意图。承前述，在一些实施例中，粘着层304的材料可包含异方性导电膜(ACF)或异方性导电膏(ACP)。详细而言，在一些实施例中，粘着层304可例如包含高分子材料作为基质304m及分布于其中的导电粒子304p。在一些实施例中，高分子材料可例如包括有机材料，但本发明不限于此。有机材料可例如包含环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acylic resin)如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺、聚酯、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、其它合适的材料或前述的组合，但本发明不限于此。此外，在一些实施例中，导电粒子304p可例如是具有可压缩特性的聚合物表面镀上导电材料、锡球或上述的组合，但本发明不限于此。导电材料的材料可例如包含镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、锡(Sn)、铝(Al)、镁(Mg)、钯(Pd)、铱(Ir)、铑(Rh)、钌(Ru)、锌(Zn)、其它合适的导电材料、上述的合金或上述的组合，但本发明不限于此。在一些实施例中，导电粒子304p的粒径的范围为约1μm至30μm之间，但本发明不限于此。在一些实施例中，导电粒子304p的粒径的范围为约1μm至10μm之间。
如图4A所示，在一些实施例中，粘着层304中的导电粒子304p可例如设置于第一发光单元200U或第二发光单元200R的电极(例如第一电极208与第二电极210)及第二基板302上的导电垫308之间。于此，第二基板302可例如作为阵列基板，导电垫308可例如与设置于第二基板302上的驱动电路电性连接。导电粒子304p可例如与第一发光单元200U或第二发光单元200R的电极(例如第一电极208与第二电极210)与导电垫308接触，用以将第一发光单元200U与第二基板302上的导电垫308之间以及第二发光单元200R与第二基板302上的导电垫308之间的电性连接。此外，如图4A所示，大部分的导电粒子304p可例如设置于第一发光单元200U与第二基板302上的导电垫308之间或第二发光单元200R与第二基板302上的导电垫308之间。
在一些实施例中，导电垫308可例如包括金属导电材料、透明导电材料或上述的组合。所述金属导电材料可例如包含铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、其它合适的材料或前述的组合，但本发明不限于此。所述透明导电材料可例如包含氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(IZO)、铟镓氧化锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、其它合适的材料或前述的组合，但本发明不限于此。
此外，如图4A所示，粘着层304可例如具有第一高度H1，第一发光单元200U或第二发光单元200R具有第二高度H2。第一高度H1可例如定义为第二基板302的顶表面302S至粘着层304的顶表面304S之间于第二基板302的法线方向(沿Z方向)上的最大距离，第二高度H2可例如定义为第二基板302的顶表面302S至第一发光单元200U或第二发光单元200R的顶表面200S之间于第二基板302的法线方向(沿Z方向)上的最大距离。在一些实施例中，第二高度H2可例如大于第一高度H1。粘着层304可例如包括遮光或吸光的材料，即粘着层304可例如作为第一发光单元200U或第二发光单元200R的遮光层，故可以不用于第二基板302上额外设置遮光层。
接着，请参照图4B，其对应于图4A所示的区域A的俯视示意图(于XY平面的俯视示意图)。应理解的是，于图4B中省略部分组件，例如第一发光单元200U，以清楚说明导电粒子304p与导电垫308。如图4B所示，粘着层304可例如具有图案化排列的导电粒子304p。详细而言，导电粒子304p可例如对应于导电垫308的位置排列，导电粒子304p可例如对应于发光单元的电极(例如第一电极208及第二电极210)的位置排列。换言之，大部分的导电粒子304p与导电垫308或发光单元的电极(第一电极208及第二电极210)可例如于基质304m的法线方向上重叠设置。在一些实施例中，导电粒子304p可例如围绕导电垫308，而导电粒子304p设置或分布的区域可定义为区域R。在一些实施例中，区域R与导电垫308的外缘边缘308E之间的距离d1的范围可例如介于约0μm至30μm之间。承前述，图案化设计排列的导电粒子304p可例如减少粘着层304中的导电粒子304p的使用量，可降低因不同导电垫308上的导电粒子304p彼此靠得太近而造成短路。于一些实施例中，粘着层304可例如具有矩阵式排列的导电粒子(未绘示)，即导电粒子呈规则性的设置于粘着层304中。于一些实施例中，粘着层304中的导电粒子可例如未经图案化，例如导电粒子可随机的分布于粘着层304中。
此外，应理解的是，导电垫308的形状并不限于图示中绘示圆形，在其它实施例中，导电垫308可根据实际需求，具有任意合适的形状，例如包括矩形、多边形，但本发明不限于此。
接着，请参照图5，图5显示根据本发明一些实施例中，电子装置100C的俯视示意图(于XY平面的俯视示意图)。在一些实施例中，电子装置100C是由前述电子装置的制造方法10形成的电子装置。在一些实施例中，由于原先设置于第一基板102上的第一发光单元200U例如借由黄光制程进行制造或排列，因此，原先设置于第一基板102上的第一发光单元200U之间的间距的误差较小(例如小于约±5μm，但本发明不限于此)。另一方面，更换后的第二发光单元200R可例如借由装置306进行放置，由于装置306的机台本身可控制的间距误差可能较大(例如小于约±15μm，但本发明不限于此)。因此，在一些实施例中，于第二基板302上的第一发光单元200U及第二发光单元200R之间的间距可能与第一发光单元200U之间的间距不同。
于本文中使用的用语“间距”可定义为一发光单元的区域(像素)的中心点及与其相邻的另一发光单元的区域(像素)的中心点之间的距离。又或者“间距”可定义为一发光单元的区域(像素)的左边边缘与其相邻的另一发光单元的区域(像素)的中心点之间的左边边缘之间的距离。需注意的是，上述两个发光单元需发射出相同的颜色光(例如，红光、绿光或蓝光等，但本发明不限于此)。此外，一个发光单元的区域可例如于俯视方向上，以发光单元结构的第一半导体层202的边界来定义。
在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U1以方便说明)及与其沿第一方向(Y方向)相邻的另一第一发光单元200U(标记为200U2)之间具有第一间距P1。第一间距P1定义为第一发光单元200U1的中心点与第一发光单元200U2的中心点于第一方向(Y方向)上的距离，又或者，第一间距P1定义为第一发光单元200U1的左边边缘与第一发光单元200U2的左边边缘于第一方向(Y方向)上的距离。在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U3)及与其沿第一方向(Y方向)相邻的一第二发光单元200R之间具有第二间距P2。第二间距P2定义为第一发光单元200U3的中心点与第二发光单元200R的中心点于第一方向(Y方向)上的距离，又或者，第二间距P2定义为第一发光单元200U3的左边边缘与第二发光单元200R的左边边缘于第一方向(Y方向)上的距离。在一些实施例中，第一间距P1与第二间距P2可例如不同。在一些实施例中，第一间距P1与第二间距P2之间的差异的范围可例如约介于0.1μm至20μm之间。在一些实施例中，第一间距P1与第二间距P2之间的差异的范围可例如约介于1μm至20μm之间，但本发明不限于此。
此外，在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U1)及与其沿第二方向(X方向)相邻的另一第一发光单元200U(标记为200U3)之间具有第三间距P3。第三间距P3为第一发光单元200U1的中心点与第一发光单元200U3的中心点的于第二方向(X方向)上的距离，又或者，第三间距P3定义为第一发光单元200U1的上边边缘与第一发光单元200U3的上边边缘于第二方向(X方向)上的距离。在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U2)及与其沿第二方向相邻的一第二发光单元200R之间具有第四间距P4。第四间距P4定义为第一发光单元200U2的中心点与第二发光单元200R的中心点的第二方向(X方向)上的距离，又或者，第四间距P4定义为第一发光单元200U2的上边边缘与第二发光单元200R的上边边缘于第二方向(X方向)上的距离。在一些实施例中，第三间距P3与第四间距P4可例如不同。在一些实施例中，第三间距P3与第四间距P4之间的差异的范围可例如约介于0.1μm至20μm之间或为1μm至20μm之间。
于图5所示的实施例中，上述的第一间距P1与第二间距P2或者第三间距P3与第四间距P4之间的比较，需选择第一发光单元200U(包括第一发光单元200U1至第一发光单元200U3)及第二发光单元200R可例如为发射相同颜色的光，例如蓝光，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一发光单元200U(包括第一发光单元200U1至第一发光单元200U3)及第二发光单元200R可例如为发射红光或绿光。在一些实施例中，第一发光单元200U(包括第一发光单元200U1至第一发光单元200U3)或第二发光单元200R例如发射蓝光，而于第一发光单元200U(包括第一发光单元200U1至第一发光单元200U3)或第二发光单元200R上方例如额外设置波长转换层(例如量子点或有机荧光材料，但本发明不限于此)，透过波长转换层将蓝光激发产生其它颜色的光，例如包括红光或绿光，但本发明不限于此。
接着，请参照图6，根据本发明一些实施例中，电子装置100D的俯视示意图(于XY平面的俯视示意图)。于图6所示的实施例中，电子装置100D的第一发光单元200U及第二发光单元200R可例如发射不相同颜色的光线，例如，部分第一发光单元200U或第二发光单元200R可例如发射红光，部分第一发光单元200U或第二发光单元200R可发射绿光，部分第一发光单元200U或第二发光单元200R可发射蓝光。图示中绘示相同网点的第一发光单元200U或第二发光单元200R可例如具有相同的颜色。
相似地，在此实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U1)及与其沿第一方向相邻的另一第一发光单元200U(标记为200U2)之间具有第一间距P1。在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U3)及与其沿第一方向相邻的一第二发光单元200R之间具有第二间距P2。在一些实施例中，第一间距P1与第二间距P2可例如不同。在一些实施例中，第一间距P1与第二间距P2之间的差异的范围可例如介于0.1μm至约20μm或为约1μm至约20μm。
此外，在一些实施例中，一第一发光单元200U及(标记为200U1)与其沿第二方向相邻的另一第一发光单元200U(标记为200U3)之间具有第三间距P3。在一些实施例中，一第一发光单元200U(标记为200U2)及与其沿第二方向相邻的一第二发光单元200R之间具有第四间距P4。在一些实施例中，第三间距P3与第四间距P4可例如不同。在一些实施例中，第三间距P3与第四间距P4之间的差异的范围可例如约介于0.1μm至20μm或1μm至20μm。
接着，请参照图7，图7显示根据本发明一些实施例中，电子装置100E的俯视示意图(于XY平面的俯视示意图)。图7所示的实施例与图5所示的实施例相似，其差异在于图7中的电子装置100E为拼接式电子装置。如图7所示，第一发光单元200U及第二发光单元200R设置于邻近但不同的第三基板402上。
综上所述，本发明一些实施例提供的电子装置的制造方法，可批量式地更换(或修补)发光单元，具体而言，所述方法可同时更换多个发光单元，可例如不受发光单元尺寸的局限应用于各种尺寸的发光单元。所述制造方法有助于改善微型LED装置中发光单元的更换效率或良率。
虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域的技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (5)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板；
多个导电垫，设置于该基板上；
一粘着层，设置于该基板上且具有图案化排列的多个导电粒子，其中该多个导电粒子对应于该多个导电垫排列，且该多个导电粒子设置的一区域与该多个导电垫的至少一者的一外缘边缘之间的距离介于0μm至30μm之间；以及
一第一二极管单元、一第二二极管单元、一第三二极管单元及一第四二极管单元，设置于该基板上，且分别通过该多个导电粒子与该多个导电垫电性连接；
其中该第二二极管单元沿着一第一方向与该第一二极管单元相邻，该第四二极管单元沿着该第一方向与该第三二极管单元相邻，该第三二极管单元沿着一垂直于该第一方向的一第二方向与该第一二极管单元相邻，该第四二极管单元沿着该第二方向与该第二二极管单元相邻，
其中该第一二极管单元与该第二二极管单元之间的一第一间距不同于该第三二极管单元与该第四二极管单元之间的一第二间距，其中该粘着层具有一第一高度，该第一二极管单元具有一第二高度，且该第二高度大于该第一高度。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该第一二极管单元及该第三二极管单元之间的一第三间距不同于该第二二极管单元及该第四二极管单元之间的一第四间距。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该第一间距与该第二间距的差异范围介于0.1μm至20μm之间。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该第三间距与该第四间距的差异范围介于0.1μm至20μm之间。
5.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板；
多个导电垫，设置于该基板上；
一第一发光单元、一第二发光单元、一第三发光单元及一第四发光单元，设置于该基板上；以及
多个导电粒子，其中该第一发光单元、该第二发光单元、该第三发光单元及该第四发光单元分别通过该多个导电粒子与该多个导电垫电性连接，且该多个导电粒子设置的一区域与该多个导电垫的至少一者的一外缘边缘之间的距离介于0μm至30μm之间；
其中该第二发光单元沿着一第一方向与该第一发光单元相邻，该第四发光单元沿着该第一方向与该第三发光单元相邻，该第三发光单元沿着一垂直于该第一方向的一第二方向与该第一发光源单元相邻，该第四发光单元沿着该第二方向与该第二发光单元相邻，
其中该第一发光单元与该第二发光单元之间的一第一间距不同于该第三发光单元与该第四发光单元之间的一第二间距。
CN202210421319.6A 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法 Pending CN114759059A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762598021P 2017-12-13 2017-12-13
US62/598,021 2017-12-13
CN201810820379.9A CN109920812B (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810820379.9A Division CN109920812B (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114759059A true CN114759059A (zh) 2022-07-15

Family

ID=66959569

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210422287.1A Pending CN114759060A (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法
CN201810820379.9A Active CN109920812B (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法
CN202210421319.6A Pending CN114759059A (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210422287.1A Pending CN114759060A (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法
CN201810820379.9A Active CN109920812B (zh) 2017-12-13 2018-07-24 电子装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10878734B1 (zh)
KR (1) KR20190070851A (zh)
CN (3) CN114759060A (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7333226B2 (ja) * 2019-08-28 2023-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
CN110660346A (zh) * 2019-09-19 2020-01-07 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种Micro Led显示面板及其检测方法
CN110580876B (zh) * 2019-09-30 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 发光器件控制电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置
WO2021064509A1 (ja) * 2019-10-04 2021-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN112649711B (zh) * 2019-10-12 2022-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
US11574895B2 (en) * 2019-12-19 2023-02-07 Innolux Corporation Method of manufacturing electronic device
CN110992834A (zh) * 2019-12-19 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111210781B (zh) * 2020-03-09 2022-10-14 诺肯科技股份有限公司 Led背光驱动电路及其位址设定方法
US11257407B2 (en) * 2020-04-23 2022-02-22 Facebook Technologies, Llc Display diagnostic system
CN112614439B (zh) * 2020-12-22 2022-11-22 业成科技（成都）有限公司 显示装置
CN113053297A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素驱动方法和显示装置
CN113421954B (zh) * 2021-05-21 2023-06-09 友达光电股份有限公司 显示装置与其制造方法
WO2023019522A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片的巨量转移方法、显示面板和显示装置
KR20230050800A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 주식회사 엘엑스세미콘 디스플레이 패널의 화소를 구동하는 집적회로, 화소 구동 장치, 및 화소 오류 검출 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005173299A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Optrex Corp 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の基板
US7045375B1 (en) * 2005-01-14 2006-05-16 Au Optronics Corporation White light emitting device and method of making same
JP5302915B2 (ja) * 2009-03-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置及び制御方法
KR101073226B1 (ko) * 2010-03-17 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101886799B1 (ko) * 2011-11-15 2018-08-08 서울반도체 주식회사 엘이디 조명장치
US20150267907A1 (en) * 2013-02-11 2015-09-24 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Seamlessly interconnected light sheet tiles
US9449818B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-20 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Double sided Si(Ge)/Sapphire/III-nitride hybrid structure
KR102192522B1 (ko) * 2014-08-06 2020-12-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102388912B1 (ko) * 2014-12-29 2022-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법
KR101688163B1 (ko) * 2015-03-30 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102319315B1 (ko) * 2015-05-14 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102604368B1 (ko) * 2016-07-28 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 구동 회로, 컨트롤러 및 구동방법
TWI723207B (zh) * 2016-08-18 2021-04-01 新世紀光電股份有限公司 微型發光二極體及其製造方法
KR102613339B1 (ko) 2016-08-30 2023-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치, 컨트롤러
US10340256B2 (en) * 2016-09-14 2019-07-02 Innolux Corporation Display devices

Also Published As

Publication number Publication date
CN109920812B (zh) 2022-05-06
CN109920812A (zh) 2019-06-21
US10878734B1 (en) 2020-12-29
CN114759060A (zh) 2022-07-15
KR20190070851A (ko) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109920812B (zh) 电子装置及其制造方法
US20190181122A1 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
KR102603494B1 (ko) 디스플레이 장치
CN107251237B (zh) 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
CN107924866B (zh) 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
TWI733238B (zh) 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
US10403537B2 (en) Inorganic light emitting diode (ILED) assembly via direct bonding
EP3640990A1 (en) Micro light emitting diode display panel and manufacturing method therefor
US10177016B2 (en) Pre-screening method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
JP6159477B2 (ja) 反射バンク構造及び発光デバイスを組み込むための方法
KR102694326B1 (ko) 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법
JP2018515942A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
US20150332635A1 (en) Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display
CN116682924A (zh) 一种发光装置及其制造方法
US20210119098A1 (en) Substrate mounting method and electronic-component-mounted substrate
CN111128843A (zh) Micro LED的转移方法
CN108022945A (zh) 显示装置及其形成方法
US20200235128A1 (en) Display module and repairing method of the same
EP4131385A1 (en) Stacked structure, display screen and display device
EP3857602B1 (en) Display module and repairing method of the same
CN112531093A (zh) 发光装置及其制造方法
CN111599833B (zh) 显示面板及其制造方法
US20240304749A1 (en) Encapsulation process method for wafer-level light-emitting diode dies
US20240038933A1 (en) Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same
CN115699320A (zh) 器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination