CN114725240A - 一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的属于半导体制造技术领域，具体为一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法，包括蓄水箱，所述蓄水箱的顶部设有箱盖，所述蓄水箱的底部固定安装若干支撑腿，所述蓄水箱的内侧固定安装温度传感器，所述蓄水箱上安装有超声波组件，且蓄水箱的底端安装有加热结构，所述加热结构包括加热组件、搅拌组件和驱动组件，所述蓄水箱的底部左侧安装加热组件，所述蓄水箱的底端内壁连接搅拌组件，所述蓄水箱的底部右侧安装驱动组件，本发明能有效去除硅料脏污盒胶，杜绝金属扩散，转运损耗，一方面能去除脏污、胶，又能有效的保证料的品质，较其他的洗料方法能够减少过程损耗，另外一方面可以减少生产辅材的损耗。

Description

一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法。
背景技术
基于半导体光伏效应的太阳电池已经得到了广泛的应用，当前主流的太阳电池是基于硅晶体材料，硅晶体材料主要使用的原料为晶体硅，在产品生产过程中，总有一些产品会有异常或者其他原因导致作料，作为原材料使用的硅在生产过程中总是会出现一些较脏含胶的原料，在我们生产活动中不能避免此类原料，而硅晶体材料生产过程中原料脏污、含胶对产品印象是非常大的影响，属于必须去除项。
现有的方法对料的预处理效果不理想，还是有边角脏污、胶无法清理干净，为此，我们提出一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法。
发明内容
鉴于上述和/或现有一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法中存在的问题，提出了本发明。
因此，本发明的目的是提供一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法，能够解决上述提出现有的问题。
为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，本发明提供了如下技术方案：
一种硅晶体材料的厚片处理装置，包括蓄水箱，所述蓄水箱的顶部设有箱盖，所述蓄水箱的底部固定安装若干支撑腿，所述蓄水箱的内侧固定安装温度传感器；
所述蓄水箱上安装有超声波组件，且蓄水箱的底端安装有加热结构；
所述加热结构包括加热组件、搅拌组件和驱动组件，所述蓄水箱的底部左侧安装加热组件，所述蓄水箱的底端内壁连接搅拌组件，所述蓄水箱的底部右侧安装驱动组件，所述加热组件与所述搅拌组件相连接，所述搅拌组件与所述驱动组件相连接。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述蓄水箱的内壁底端固定安装隔板，且隔板的内壁开设有若干通孔。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述超声波组件包括固定板和超声波换能器，所述蓄水箱的左侧固定安装固定板，所述固定板的顶部固定安装超声波发生器，所述蓄水箱的两端内壁均固定安装超声波换能器，且超声波发生器与超声波换能器相连接。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述搅拌组件包括第二空心管，所述蓄水箱的底端内壁通过防水轴承转动连接第二空心管，且第二空心管远离蓄水箱的内壁固定安装第一挡板，所述第二空心管的两端内壁均固定安装若干搅拌空心管，且搅拌空心管远离第二空心管的一端固定安装第二挡板，所述第二空心管的底部固定安装第三空心管。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述驱动组件包括第二L形板和第二皮带轮，所述蓄水箱的底部右侧固定安装第二L形板，所述第二L形板上固定安装箱体，所述箱体的内壁固定安装伺服电机，所述伺服电机的输出轴固定安装转轴。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述转轴上固定安装第一皮带轮，所述第二皮带轮的内壁固定安装第三空心管，所述第一皮带轮与所述第二皮带轮通过皮带传动连接。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述加热组件包括第一L形板和第一空心管，所述蓄水箱的底部左侧固定安装第一L形板，所述第一L形板上固定安装气泵，所述气泵的输入端固定安装第一管道，所述气泵的输出端固定安装第二管道。
作为本发明所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置的一种优选方案，其中：所述第一空心管的一端内壁固定安装第二连接板，所述第二连接板的内壁固定安装第三空心管，所述第一空心管远离第二连接板的内壁固定安装第一连接板，所述第一连接板的内壁固定安装第二管道，所述第一空心管的内壁两端均固定安装连接杆，两组所述连接杆之间固定安装支撑块，所述支撑块上固定安装U形加热管。
一种硅晶体材料的厚片处理装置的处理方法，包括具体步骤如下：
步骤一：打开箱盖，在蓄水箱中加入水，并通过加热结构将水加热到＞80°；
步骤二：将硅晶体材料放入到蓄水箱中，并关闭箱盖，与此同时，通过超声波组件对硅晶体材料进行清理；
步骤三：在清理的同时，通过加热结构水煮30-40min，以杜绝金属扩散。
与现有技术相比：
1.通过打开箱盖，在蓄水箱中加入水，并通过加热结构将水加热到＞80°，然后将硅晶体材料放入到蓄水箱中，并关闭箱盖，与此同时，通过超声波组件对硅晶体材料进行清理，在清理的同时，通过加热结构水煮30-40min，以杜绝金属扩散，本发明能有效去除硅料脏污盒胶，杜绝金属扩散，转运损耗，一方面能去除脏污、胶，又能有效的保证料的品质，较其他的洗料方法能够减少过程损耗，另外一方面可以减少生产辅材的损耗，如酸等；
2.当需要加热时，通过气泵使空气依次经过第一管道和第二管道流入到第一空心管中，当空气流入到第一空心管中时，则会通过U形加热管对流入到第一空心管中的空气进行加热，加热后的空气则会经过第三空心管和第二空心管流入到搅拌空心管中，流入到搅拌空心管中的空气则会流入到水中，从而实现对水进行加热，直至将水加热到合适的温度，若是需要对水进行降温，则可通过加入新的水使其温度进行降低，其中，在加热的同时，通过伺服电机使转轴进行旋转，当转轴旋转时，则会带动第一皮带轮进行旋转，旋转的第一皮带轮则会通过皮带带动第二皮带轮进行旋转，当第二皮带轮旋转时，则会带动第三空心管进行旋转，旋转的第三空心管则会带动第二空心管上的搅拌空心管进行旋转，旋转的搅拌空心管则会对水进行搅拌，从而使水的加热更均匀，通过驱动组件使搅拌组件对水进行搅拌，搅拌的同时再通过加热组件对水进行加热，具有使水的受热更均匀，从而会提高加热效果，以及会提高硅晶体材料的清理质量。
附图说明
图1为本发明结构正视示意图；
图2为本发明图1中A处结构放大示意图；
图3为本发明图1中B处结构放大示意图；
图4为本发明图1中C处结构放大示意图；
图5为本发明图1中D处结构放大示意图；
图6为本发明蓄水箱结构示意图。
图中：蓄水箱2、箱盖21、支撑腿22、温度传感器23、隔板3、通孔31、固定板41、超声波发生器42、超声波换能器43、第一L形板51、气泵52、第一管道53、第二管道54、第一空心管55、第一连接板551、第二连接板552、连接杆56、支撑块57、U形加热管58、第二空心管61、第一挡板62、搅拌空心管63、第二挡板64、第三空心管65、第二L形板71、箱体72、伺服电机73、转轴74、第一皮带轮75、皮带76、第二皮带轮77。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明提供一种硅晶体材料的厚片处理装置及处理方法，请参阅图1-图6，包括具体步骤如下：
步骤一：打开箱盖21，在蓄水箱2中加入水，并通过加热结构将水加热到＞80°；
搅拌组件包括第二空心管61，蓄水箱2的底端内壁通过防水轴承转动连接第二空心管61，且第二空心管61远离蓄水箱2的内壁固定安装第一挡板62，通过第一挡板62具有避免水流入到第二空心管61中的作用，第二空心管61的两端内壁均固定安装若干搅拌空心管63，搅拌空心管63的内壁开设有若干单向阀，通过单向阀具有避免水流入到搅拌空心管63中的作用，且搅拌空心管63远离第二空心管61的一端固定安装第二挡板64，通过第二挡板64具有避免水流入到搅拌空心管63中的作用，第二空心管61的底部固定安装第三空心管65，驱动组件包括第二L形板71和第二皮带轮77，蓄水箱2的底部右侧固定安装第二L形板71，第二L形板71上固定安装箱体72，箱体72的内壁固定安装伺服电机73，伺服电机73的输出轴固定安装转轴74，转轴74上固定安装第一皮带轮75，第二皮带轮77的内壁固定安装第三空心管65，第一皮带轮75与第二皮带轮77通过皮带76传动连接，加热组件包括第一L形板51和第一空心管55，蓄水箱2的底部左侧固定安装第一L形板51，第一L形板51上固定安装气泵52，气泵52的输入端固定安装第一管道53，气泵52的输出端固定安装第二管道54，第一空心管55的一端内壁固定安装第二连接板552，第二连接板552的内壁固定安装第三空心管65，第一空心管55远离第二连接板552的内壁固定安装第一连接板551，第一连接板551的内壁固定安装第二管道54，第一空心管55的内壁两端均固定安装连接杆56，两组连接杆56之间固定安装支撑块57，支撑块57上固定安装U形加热管58，通过U形加热管58具有对经过的空气进行加热的作用；
步骤二：将硅晶体材料放入到蓄水箱2中，并关闭箱盖21，与此同时，通过超声波组件对硅晶体材料进行清理；
包括蓄水箱2，蓄水箱2的顶部设有箱盖21，蓄水箱2的底部固定安装若干支撑腿22，蓄水箱2的内侧固定安装温度传感器23，蓄水箱2上安装有超声波组件，且蓄水箱2的底端安装有加热结构，加热结构包括加热组件、搅拌组件和驱动组件，蓄水箱2的底部左侧安装加热组件，蓄水箱2的底端内壁连接搅拌组件，蓄水箱2的底部右侧安装驱动组件，加热组件与搅拌组件相连接，搅拌组件与驱动组件相连接，蓄水箱2的内壁底端固定安装隔板3，且隔板3的内壁开设有若干通孔31，通过隔板3具有将硅晶体材料与搅拌组件进行隔开的作用，通过通孔31具有流通水的作用，超声波组件包括固定板41和超声波换能器43，蓄水箱2的左侧固定安装固定板41，固定板41的顶部固定安装超声波发生器42，超声波发生器42又称超声波驱动电源、电子箱、超声波控制器，是大功率超声系统的重要组成部分，超声波发生器作用是把市电转换成与超声波换能器相匹配的高频交流电信号，驱动超声波换能器工作，超声波发生器42具有与外部市电进行连接的作用，蓄水箱2的两端内壁均固定安装超声波换能器43，超声波换能器43的功能是将输入的电功率转换成机械功率即超声波再传递出去，而自身消耗很少的一部分功率，且超声波发生器42与超声波换能器43相连接，通过超声波发生器42和超声波换能器43具有产生超声波的作用；
步骤三：在清理的同时，通过加热结构水煮30-40min，以杜绝金属扩散。
加热结构工作原理：当需要加热时，通过气泵52使空气依次经过第一管道53和第二管道54流入到第一空心管55中，当空气流入到第一空心管55中时，则会通过U形加热管58对流入到第一空心管55中的空气进行加热，加热后的空气则会经过第三空心管65和第二空心管61流入到搅拌空心管63中，流入到搅拌空心管63中的空气则会流入到水中，从而实现对水进行加热，直至将水加热到合适的温度，若是需要对水进行降温，则可通过加入新的水使其温度进行降低，其中，在加热的同时，通过伺服电机73使转轴74进行旋转，当转轴74旋转时，则会带动第一皮带轮75进行旋转，旋转的第一皮带轮75则会通过皮带76带动第二皮带轮77进行旋转，当第二皮带轮77旋转时，则会带动第三空心管65进行旋转，旋转的第三空心管65则会带动第二空心管61上的搅拌空心管63进行旋转，旋转的搅拌空心管63则会对水进行搅拌，从而使水的加热更均匀。
虽然在上文中已经参考实施方式对本发明进行了描述，然而在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，本发明所披露的实施方式中的各项特征均可通过任意方式相互结合起来使用，在本说明书中未对这些组合的情况进行穷举性的描述仅仅是出于省略篇幅和节约资源的考虑。因此，本发明并不局限于文中公开的特定实施方式，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (9)

1.一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，包括蓄水箱(2)，所述蓄水箱(2)的顶部设有箱盖(21)，所述蓄水箱(2)的底部固定安装若干支撑腿(22)，所述蓄水箱(2)的内侧固定安装温度传感器(23)；
所述蓄水箱(2)上安装有超声波组件，且蓄水箱(2)的底端安装有加热结构；
所述加热结构包括加热组件、搅拌组件和驱动组件，所述蓄水箱(2)的底部左侧安装加热组件，所述蓄水箱(2)的底端内壁连接搅拌组件，所述蓄水箱(2)的底部右侧安装驱动组件，所述加热组件与所述搅拌组件相连接，所述搅拌组件与所述驱动组件相连接。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述蓄水箱(2)的内壁底端固定安装隔板(3)，且隔板(3)的内壁开设有若干通孔(31)。
3.根据权利要求1所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述超声波组件包括固定板(41)和超声波换能器(43)，所述蓄水箱(2)的左侧固定安装固定板(41)，所述固定板(41)的顶部固定安装超声波发生器(42)，所述蓄水箱(2)的两端内壁均固定安装超声波换能器(43)，且超声波发生器(42)与超声波换能器(43)相连接。
4.根据权利要求1所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述搅拌组件包括第二空心管(61)，所述蓄水箱(2)的底端内壁通过防水轴承转动连接第二空心管(61)，且第二空心管(61)远离蓄水箱(2)的内壁固定安装第一挡板(62)，所述第二空心管(61)的两端内壁均固定安装若干搅拌空心管(63)，且搅拌空心管(63)远离第二空心管(61)的一端固定安装第二挡板(64)，所述第二空心管(61)的底部固定安装第三空心管(65)。
5.根据权利要求1所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述驱动组件包括第二L形板(71)和第二皮带轮(77)，所述蓄水箱(2)的底部右侧固定安装第二L形板(71)，所述第二L形板(71)上固定安装箱体(72)，所述箱体(72)的内壁固定安装伺服电机(73)，所述伺服电机(73)的输出轴固定安装转轴(74)。
6.根据权利要求5所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述转轴(74)上固定安装第一皮带轮(75)，所述第二皮带轮(77)的内壁固定安装第三空心管(65)，所述第一皮带轮(75)与所述第二皮带轮(77)通过皮带(76)传动连接。
7.根据权利要求1所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述加热组件包括第一L形板(51)和第一空心管(55)，所述蓄水箱(2)的底部左侧固定安装第一L形板(51)，所述第一L形板(51)上固定安装气泵(52)，所述气泵(52)的输入端固定安装第一管道(53)，所述气泵(52)的输出端固定安装第二管道(54)。
8.根据权利要求7所述的一种硅晶体材料的厚片处理装置，其特征在于，所述第一空心管(55)的一端内壁固定安装第二连接板(552)，所述第二连接板(552)的内壁固定安装第三空心管(65)，所述第一空心管(55)远离第二连接板(552)的内壁固定安装第一连接板(551)，所述第一连接板(551)的内壁固定安装第二管道(54)，所述第一空心管(55)的内壁两端均固定安装连接杆(56)，两组所述连接杆(56)之间固定安装支撑块(57)，所述支撑块(57)上固定安装U形加热管(58)。
9.一种硅晶体材料的厚片处理装置的处理方法，其特征在于，包括具体步骤如下：
步骤一：打开箱盖(21)，在蓄水箱(2)中加入水，并通过加热结构将水加热到＞80°；
步骤二：将硅晶体材料放入到蓄水箱(2)中，并关闭箱盖(21)，与此同时，通过超声波组件对硅晶体材料进行清理；
步骤三：在清理的同时，通过加热结构水煮30-40min，以杜绝金属扩散。
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