CN1146867C - 制造逆磁电阻磁头的方法 - Google Patents

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Abstract

披露了一种制造逆磁电阻磁头的方法。该方法包括制造一个写部分，它包括位于有槽的基片(54)内的底极(56)。底极被填充铜线圈(64)和聚合物(58)。在聚合物部分上制造写间隙(64A)，极尖(72)以及顶极(67)。顶极的顶面被弄成平面，并在顶极上制造底屏蔽(74)，从而形成基本平滑的平面，在其上可以放置读部分。在写部分的顶上制造读部分，它包括第一读间隙(78)，磁阻元件(80)，第二读间隙(84)以及屏蔽(86)。

Description

制造逆磁电阻磁头的方法
本发明涉及一种制造高频、高数据速率和高磁道密度的磁电阻磁头的方法，具体地说涉及制造在其写部分的顶部具有读部分的逆磁电阻磁头的方法。
已经制造了在其读部分的顶部具有写部分的标准的磁电阻磁头(MR)。它被用于磁存储系统中从磁存储介质或盘中检测磁编码信号并把磁编码信息写入存储介质中。在读的方式下，和来自磁存储介质的转变相关的与时间有关的磁场直接调制MR元件的电阻率。在操作中，阻电阻的变化可借助于向规元件通一检测电流并检测渐元件上的电压来检测。所产生的信号可被用于从磁存储介质中恢复信息或数据。
实际的MR元件一般使用铁磁金属合金制成，这是因为它们具有高的导磁率，其中的一个例子是锌铁(NiFe)合金。在电绝缘的基片或芯片的表面上淀积铁磁材料的薄膜。来自磁存储介质的变化的磁场引起MR元件的磁化方向的改变，从而改变检测器的电阻。这现象叫作MR效应。
MR元件本身包括淀积在构成MR元件的磁屏蔽层上的MR材料条。一系列的淀积和蚀刻处理形成限元件的活性区部分。活性区是MR元件检测磁存储介质的磁场变化的区域。变化的磁场使MR元件的电阻率改变。一般的电阻变化的数量级为百分之0.5到百分之2.0。上部磁屏蔽作为MR元件和磁存储介质之间的阻挡层，用来防止和磁头的转变通过相关的变化的磁场向后和元件耦合。这一磁屏蔽也用来保护元件不接收和周围磁存储介质的转变相关的杂散磁场。
由GMR材料制成的巨型MR是MR传感器中一个新的系列。GMR传感器由多层结构的GMR元件构成。这些器件包括磁性材料和非磁性材料层，它们可以是铁磁和非铁磁材料的膜或类似的一组膜。坡莫合金或许是或许不是层结构的一部分。在GMR传感器中，电阻率的改变可以超过百分之65。
影响MR磁头的性能的一个问题是磁头表面可被制成平的或“平面化”的程度。具体地说，在现有的磁头中MR传感器的顶部屏蔽具有刚刚高出MR元件的活性区的一个倾斜区(dip)。这使磁道性能变差。平面化不良也可引起磁头各层之间的电气短路，例如与MR元件接触的层和顶部屏蔽层之间或顶部屏蔽和相继制造的层之间的短路。此外，底部屏蔽通常由铁硅铝磁合金或其它高导磁性材料制造，这些材料用于制造薄膜是相当粗的。这相当粗的表面也可以引起底部屏蔽和接触膜之间的短路问题。使MR读部分平面化的努力已集中在弄平底部屏蔽，使MR传感器上方的绝缘层平面化或弄平顶部屏蔽。这些步骤要增加处理时间，并可能限制设计的灵活性。
影响MR性能的另一个问题是，在聚合物固化期间GMR磁头的极薄的层当中的内部扩散，甚至当使用低温聚合物固化时也存在这问题。这种内部扩散可以影响GMR磁头的效率。
在第一方面，本发明提供一种制造逆磁电阻磁头的方法，该方法包括：
在离磁头的空气承载表面远的基层凹下的部分制造底部磁极；
在底部磁极上方放置聚合物绝缘层和导电线圈，其特征在于还包括：
在底极(56)和极尖(72)之间并邻接聚合物绝缘层(58)的顶面(60)处制造写间隙；
在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖；
在极尖和写间隙的顶部制造具有平的顶表的底屏蔽；
在底屏蔽的顶部上制造第一读间隙；
在接近空气承载面的第一读间隙的部分的顶部形成磁电阻元件
在第一读间隙的部分的顶部制造电接触，电接头使磁电阻元件和逆磁电阻磁头的外部的区域形成电连接；
在电接头和磁电阻元件的顶部制造第二个读间隙；以及
在第二读间隙的顶部制造顶部屏蔽。
在第二方面中，本发明提供一种制造磁电阻磁头的方法，该方法包括：
在远离磁头空气承载面的基层的四部制造底部磁极；
在底部磁极的上方放置聚合物绝缘层和导电线圈；其特征在于还包括：
在底极(56)和极尖(72)之间并邻接远离空气承载面的聚合物绝缘层(58)的顶面(60)处制造写间隙(66A)，其中所述写间隙位于接近空气承载面的底极(56)的顶上；
在写间隙的顶部形成顶部磁极；
在接近空承载面的顶部磁极的顶部制造氧化层；
使氧化层的顶部表面和远离空气承载面的顶部磁极的部分的顶表面平面化；
在氧化层和顶部磁极的顶上制造底屏蔽；
在底部屏蔽的顶上制造第一读间隙；
在和空气承载面接近的第一读间隙部分的顶上形成磁电阻元件；
在第一读间隙部分的顶部制造电接触，所述电接触使磁电阻元件和逆磁电阻磁头的外部区域电气相连；
在电接触和磁电阻元件的顶部制造第二读间隙；以及
在第二读间隙的顶部制造顶部屏蔽。
本发明是一种制造用来从磁存储介质中读出磁存储信息的逆磁电阻磁头的方法。该方法包括下列步骤：在远离磁电阻磁头的空气承载面的基层的四下部分制造底部磁和在底部磁极上方没置聚合物绝缘层和连接线圈。在底部磁极的顶上聚合物的顶面下制造写间隙。在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖。在极大和写间隙的顶部制造顶部磁和顶部磁极被弄成平面。在顶部磁极的顶上制造底屏蔽。如果需要可把底部屏蔽弄成平面。另一种方案是；底屏蔽可弄成平面而顶磁极不弄成平面。在底部屏蔽的顶上制造第一读间隙。在接近空气承载面的第一读间隙部分的顶上形成磁电阻元件。在第一读间隙的顶部的顶上制造电接触，所述电接触使磁电阻元件和磁电阻磁头的外部区域相连。在电接触和磁电阻元件的顶部制造第二读间隙层。在第二读间隙的顶部上制造顶部屏蔽。最后，在顶屏蔽的顶部制造氧化物的基层。
另外，顶磁极和底屏蔽还可以制成一个元件，并把这样结合的顶磁极/底屏蔽的顶表面弄成平面。
现在结合附图只以举例的方式说明本发明的实施例，其中：
图1A是现有技术中磁电阻磁头的层结构图；
图1B是现有的磁电阻磁头的空气承载面的层结构图；
图2是在平面化之前的磁电阻磁头的写部分的底部磁极的层结构图；
图3是在平面化之后的磁电阻磁头的写部分的底部磁极的层结构图；
图4是写部分的底部的层结构图，表示在写间隙中凹下的沟道
图5是磁电阻磁头的写部分的层结构图；
图6是使用本发明的写部分的底部实施例的层结构图，表示在写间隙中凹下的沟道；
图7是图6的实施例的层结构图；
图8A-8C是碰阻磁头的写部分的空气承载面的层结构，表示制造极尖的另一种万法；
图9A-9D是磁电阻磁头的写部分的空气承载面的层结构，表示制造极尖的另一种方法；
图10是磁电阻磁头的写部分的空气承载面的层的截面图；
图11完整的磁电阻磁头的层结构的截面图；
图12是完整的磁电阻磁头的空气承载面的层结构的截面图。
图1A是现有的磁电阻(MR)磁头10的层结构的截面图。图1的MR磁头表示一种标准的MR磁头，它具有位于磁头的读部分的顶部的写部分。MR磁头10包括基层氧化物12，底屏蔽14，第一读间隙氧化物层16，电接触18，MR元件20，第二读间隙氧化物层22，顶屏蔽/底磁极24，写间隙氧化物层26，聚合物绝缘层28a，28b和28c，导电线圈层30a和30b，以及顶极32。
底屏蔽14被淀积在基层氧化物12上。然后在底屏蔽14上淀积第一读间隙氧化物层16。接着，在磁场中淀积MR元件20并被成形。MR元件20是MR磁头10在读操作期间检测与来自磁存储介质的转变有关的磁场的部分。电接触18然后被淀积在阳元件20和第一读间隙氧化物层16上。然后淀积第二读间隙氧化物层22。两个氧化物层16和22包括读间隙，在其内部制造机元件20。接着，顶屏蔽/底极24被淀积。顶屏蔽/底极24一般用来提供MR磁头10的读部分以及MR磁头的写部分的底极的顶屏蔽。
淀积写间隙氧化物层26，接着淀积聚合物绝缘层28a，导电线圈层30a，聚合物绝缘层28b，导电线圈层30b以及聚合物绝缘层28c。最后，淀积顶极32从而完成MR磁头10的制造顶屏蔽/底极24和顶极32在写操作期间提供MR磁头10的写能力。导电线圈30和聚合物绝缘层28的数量由MR磁头10的写部分的所需电感确定。不过，每个聚合物绝缘层必须在200℃至400℃之间的温度下被固化，其时间长短取决于具体的聚合物。只有这一用于固化处理的温度范围的下半部分才能避免MR磁头10的读部分的磁特性的可能劣化。此外，高于200℃的任何固化温度将使GMR器件的磁性能变差。这限制了可用作MR磁头读部分的绝缘层的聚合物的选择。
如图18所示，MR磁头10被这样制造，使其第二读间隙氧化物层22的顶面不是平的或不进行平面化。第二读间隙刻匕物层22的非平面的表面要求MR磁头10的相继淀积的层也不是平的或平面化。具体地说，用基层氧化物层33覆盖的顶极32可以偏离MR磁头10的中心，这可以劣化从MR磁头10写的磁道的质量。此外，希望机磁头10的每个淀积层是一平的或被平面化，以防止以后淀积的层缩短而使MR磁头10不能操作。
图2是表示底极56的空气承载面52附近的层结构的截面图。可逆的MR磁头50包括基层54，底极56，具有顶面60和下沉部分62的聚合物绝缘层58以及导电线圈64。读出沿51相对于空气承载面52被识别。
在一个实施例中，为了制造可逆磁头50，由板状坡莫合金制成的底极56被首先淀积在基层54四部。基层54中的四部通过化学蚀刻和离子铣制成。聚合物绝缘层58和导电线圈64填充底板56以上的部分。一般由铜制造的导电线圈64可排成一排置于聚合物绝缘层58中，或如图2所示，可以多排设置。导电线圈64和聚合物绝缘层58的数量影响可逆MR磁头50写部分的电感。
如图2所示，聚合物绝缘层58的顶面60可以有些不规则。由于在固化处理期间损失的聚合物而出现下沉部分62。在本发明中，重要的是聚合物绝缘层58的顶面加被弄平或平面化，从而使淀积在顶面50的顶上的可逆吸磁头50的其余的层被淀积在平的表面上。这样，便必须消除包括下沉部分62的顶面60的任何粗糙的不平的部分。
如图3所示，包括下沉部分62的顶面60的所有不平的粗糙部分已被消除了。这一般用下面两种方法之一实现。首先，形成聚合物绝缘层58的聚合物材料被这样淀积，使得顶面60高于底板56。然后对顶面60进行涂覆反应离子深腐蚀处理与/或化学机械抛光，直到聚合物绝缘层58的顶面60光滑并和底极56相齐为止。第二，形成聚合物绝缘层58的聚合物材料可被沉积使其具有粗糙的顶面60和下沉部62(如图2所示)。可以这样淀积硅石层，使其顶面略高于底极56。然后，在硅石层的顶上涂覆光刻胶，当光刻胶变硬时，由于表面张力会相当平整。然后可对光刻胶和硅石层进行涂覆反应离子深腐蚀处理，使得以相同的速度除去硅石和光刻胶，直到聚合物绝缘层58的顶面60光滑且完全平坦为止。
如图4所示，可逆MR磁头50还包括具有顶表面68和沟道70的写间隙氧化物层66。写间隙氧化物层66被淀积在聚合物绝缘层58的顶面60的顶上。写间隙氧化物层66可白各种绝缘材料制成，例如氧化硅，氧化铝或钻石状的碳。沟道70位于空气承载面52附近，被用离子铣成写间隙氧化物层66；从而限定沟道70下方的实际的写间隙66a。这使得可以极精确地限定极尖72(见图5和图10)。其理由是，在平的表面上涂上光刻胶，从而用光刻胶掩模对特征更精确地显影(development)，沟道70下方的空气承载面处的写间隙氧化物层66a的高度范围约为0.1至1.0微米，最佳范围为大约0.2至0.8微米。
如图5所示，极尖72位于可逆MR磁头50的空气承载面52的尾沿73处。极尖72是由高磁矩材料例如氮化铁或钻铁制成的插入件。高磁矩材料比在标准的MR磁头中使用的坡莫合金能够支持较大密度的磁通。形成极尖72的高磁矩插入件使磁通集中因而可以写窄的磁道。
形成极尖72的高磁矩材料被镀在或被溅射在沟道70内，直到它明显地高于写间隙氧化物层66的顶面68为止。高磁矩插入件的厚度取决于写入部分的磁性材料。该厚度的一股范围为0.5到2.0微米，对于极尖的磁道宽度的一般值的范围为2.0到5.0微米。在一个使用例如钻铁(Co90 Fe10)的镀层插入件的最佳实施例中，可以使用例如镍钒(Ni80 V20)的非磁籽晶层，然后它形成一对写间隙。然后对高磁矩材料的凸出的部分加上掩模，在其周围镀上坡莫合金，从而获得一个近似水平的表面。然后除去插入件上方的格模并镀上所需厚度的完整的屏蔽，顶极/底屏蔽74组合的顶面很可能不规则，可用化学机械抛光除去。
图6和图7是本发明第一实施倒的层结构图。它们和图4图5类似。因此，相同的层和元件都标以相同的标号，如图6、图7所示，聚合物绝缘层58大于图4、图5所示的绝缘层。因此，淀积在聚合物绝缘层58顶部的写间隙氧化物层66没有平的顶面68。在本发明的这一实施例中，远离空气承载面52的间隙氧化物层66比前一实施例中的薄得多。在间隙氧化物层66的顶上制造顶极67。顶极67可用高磁矩材料制成。接着；用上述的方法淀积氧化物75并被弄平。氧化物75例如可以是硅石。然后在顶极61和氧化物75的顶上淀积底屏蔽74，然后可以把它弄平。这可能未必需要，因为氧化物75已被弄平。
在图6图7所示的实施例中，在屏蔽74被淀积之前淀积顶极67并弄平。当然可以不先把顶极67弄平而在其顶上淀积底屏蔽74。并然后把底屏蔽74弄平。还可以用一个组合的顶极/底屏蔽元件代替顶极67和底屏蔽74而省略氧化物层75。组合的顶极/底屏蔽的顶面应该被弄平。
图6和图7的实施例提供了一种好的分辨率零截面(definitionZero throot)，这对于好的性能是需要的。
图8A至8C是制造极尖72的第二种不同方法的层结构图。在图8a至8c中，极尖72被镀或溅射到沟道70中。然后对形成极尖72的极材料进行离子铣，从而提供极尖72的合适的宽度。然后在写间隙氧化物层66的顶面68和极尖72的顶上制造底屏蔽74，接着把底屏蔽74弄成平面。
图9A-9D是形成极尖72的第三种方法的层结构图。如图9A-9D所示，一层高磁矩材料被镀或射到写间隙氧化物层66的顶上。然后对极尖72的侧面进行离子铣，从而使其具有合适的宽度。剥离光刻胶层71可被涂在极尖72的顶上，并可以制造附加的氧化物层。然后可以制造底层蔽74，并把其弄平。
虽然上述的参照图5和图8A到图8C以及图9A到图9C说明的形成极尖72的方法全都是针对形成图2至图5和图10中所示的一种MR磁头进行说明的，但参照这些图中任一个图说明的所有方法都可以用于参照图6图7所述的使用本发明的MR磁头中。
图10是可逆MR磁头50的写部分的空气承载面52的层结构图。如图10所示，极尖72位于底板56的正上方；写间隙氧化物层66的基本部分位于底极56和极尖72之间。作为写间隙氧化物层66的基本距离的底板56和极尖72之间的距离范围大约为1,000至10,000埃，最佳范围大约为2,000至8,000埃。在一个最佳实施例中，底极56的高度范围为大约2.0至4.0微米，形成在聚合物绝缘层58的顶面60和顶面68之间的写间隙氧化物层66的高度范围约为2,000至8,000埃，极尖72的高度范围约为5,000至20,000埃，在写间隙氧化物层66的顶面68和底屏蔽74的顶面76之间的底屏蔽74的高度范围约为1.5至4.0微米。
图11是包括可逆MR磁头50的写部分和读部分的整个的可逆MR磁头50的层结构。一旦把底屏蔽74淀积被弄平之后，就可在底屏蔽74的平面上淀积读部分的其余的层。在一系列平面上的淀积减轻了短路，这在标准的MR磁头中是一个主要问题。
一旦可逆MR磁头50的写部分被制成之后，便在底屏蔽74的顶上淀积第一读间隙氧化物层78。在一个最佳实施例中，第一读间隙氧化物层78的高度小于4000埃。在可逆MR磁头50的尾沿73附近的第一读间隙氧化物层78上制造MR元件80。MR元件80可以是一片膜或合成膜的结构。MR元件80的特定例子不影响本发明的可用性。然后淀积电接触82，接着是第二读间隙氧化物层84，顶屏蔽86，以及基层氧化物层88。在一个最佳实施例中，第二读间隙氧化物层84的高度小于4000埃。此外，根据具体应用如果需要可在MR读部分中加入边界控制稳定层，永久磁性稳定层，与/或防止感应的或低电路电阻的附加接触层。
图12是表示读写部分的可逆MR磁头50的层结构图。如图12所示，底极56，极尖72，以及MR元件80被互相对齐。本发明改善了MR传感器对于极尖和顶极的对齐精度，因为只有一个或两个中间掩模层使掩模对准复杂化，而在先有技术的非可逆限磁头中有10个或更多个中间接模屡，在形成可从磁存储介质中精确地读写信息的MR头时，底极56；极尖72以及微元件80的对齐是重要的。
图11、12所示的可逆MR磁头50具有图2至5以及图10所示类型的写部分。在图11、12所示的可逆MR磁头的结构也可用于参照图6和图7所述的使用本发明的写部分中。
本发明的可逆MR磁头50有若干优点。首先，实现了顶极的精确限定。第二，MR元件80和顶极72之间的距离比现有技术减小了。这便允许可逆MR磁头50以较高的线密度在盘上写信息。第三，顶极的平面化使得读部分和写部分偏移(to be off set)，而顶极上没有例如图1B现有技术所示的下沉部分。第四，对顶屏蔽使用铁硅铝磁合金或其它粗糙的膜由于粗糙将不会引起短路，因为只有顶屏蔽表面上方的膜是覆盖层。第五，在形成读部分之前形成写部分使得能够使用高温固化聚合物例如聚酰亚胺和苯环丁烷(BCB)而不会使MR传感器的磁性能或其它性能劣化。第六，在形成读部分之前形成写部分使得可以使用旋转阀(spin valve)和巨(giant)MR传感器，因为高温聚合物固化可引起在巨MR传感器或旋转阀的极薄层当中的内部扩散，这样便使其无效。通过在读部分形成之前完成全部高温固化，对巨MR与/或旋转阀传感器的使用加上了新的限制。具体地说，用于读部分和写部分的材料可比现有技术互相独立地最佳化到较大的程度。
在上述说明中，极尖用高磁矩材料制成，但也可以用非高磁矩材料制成。
虽然参照最佳实施例对本发明进行了说明，但本领域的技术人员将会理解，不脱离本发明的构思可在形式上和细节上作出多种改变。
以上的说明以举例的方式被给出了，可以理解，本领域的枝术人员不脱离本发明的范围可以作出各种修正。

Claims (103)

1.一种制造逆磁电阻磁头的方法，该方法包括：
在远离磁头的空气承载面(52)的基层(54)的凹部制造底极(56)；
在底极的上方设置聚合物绝缘层(58)和导电线圈(64)；其特征在于包括：
在底极(56)和极尖(72)之间并邻接聚合物绝缘层(58)的顶面(60)处制造写间隙；
在接近空气承载面的写间隙中制造高磁矩材料的极尖(72)；
在极尖和写间隙的顶上制造具有弄成平面的顶面的底屏蔽(74)；
在底屏蔽的顶上制造第一读间隙(78)；
在接近空气承载面的第一读间隙的部分的顶上形成磁电阻元件(80)；
在第一读间隙部分的顶上制造电接触(82)，所述电接触连接磁电阻元件和逆磁电阻磁头的外部区域；
在电接触和磁电阻元件的顶上制造第二个读间隙(84)；以及
在第二读间隙的顶上制造顶屏蔽(86)。
2.如权利要求1的方法，其中制造具有平面的顶面的底屏蔽的步骤还包括：
在极尖和写间隙的顶上制造顶极(67)；
把顶极的顶面弄成平面；以及
在顶极的顶上制造底屏蔽。
3.如权利要求2的方法，其中使顶极的顶面成为平面的步骤包括：
在顶极的顶面的顶上淀积氧化物层(75)；
在氧化物层的顶上涂上光刻胶层；并且
反应离子蚀刻氧化层和光刻胶层，直到顶极的顶面基本光滑为止。
4.如权利要求1所述的方法，还包括通过化学机械抛光技术使底屏蔽的顶面成为平面的步骤。
5.如权利要求2所述的方法，还包括通过化学机械抛光技术使底屏蔽的顶面成为平面的步骤。
6.如权利要求3所述的方法，还包括通过化学机械抛光技术使底屏蔽的顶面成为平面的步骤。
7.如权利要求1所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
8.如权利要求2所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
9.如权利要求3所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
10.如权利要求4所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
11.如权利要求5所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
12.如权利要求6所述的方法，其中制造底极的步骤还包括：
把聚合物镀在基层中。
13.如权利要求1的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
14.如权利要求2的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
15.如权利要求3的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
16.如权利要求4的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
17.如权利要求5的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
18.如权利要求6的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
19.如权利要求7的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
20.如权利要求8的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
21.如权利要求9的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
22.如权利要求10的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
23.如权利要求11的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
24.如权利要求12的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。
25.如权利要求1的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
26.如权利要求2的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
27.如权利要求3的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
28.如权利要求4的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
29.如权利要求5的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
30.如权利要求6的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
31.如权利要求7的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
32.如权利要求8的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
33.如权利要求9的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
34.如权利要求10的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
35.如权利要求11的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
36.如权利要求12的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
37.如权利要求13的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
38.如权利要求14的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
39.如权利要求15的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
40.如权利要求16的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
41.如权利要求17的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
42.如权利要求18的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
43.如权利要求19的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
44.如权利要求20的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
45.如权利要求21的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
46.如权利要求22的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
47.如权利要求23的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
48.如权利要求24的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。
49.如权利要求1的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
50.如权利要求2的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
51.如权利要求3的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
52.如权利要求4的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
53.如权利要求5的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
54.如权利要求6的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
55.如权利要求7的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
56.如权利要求8的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
57.如权利要求9的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
58.如权利要求10的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
59.如权利要求11的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
60.如权利要求12的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
61.如权利要求13的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
62.如权利要求14的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
63.如权利要求15的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
64.如权利要求16的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
65.如权利要求17的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
66.如权利要求18的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
67.如权利要求19的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
68.如权利要求20的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
69.如权利要求21的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
70.如权利要求22的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
71.如权利要求23的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
72.如权利要求24的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
73.如权利要求25的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
74.如权利要求26的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
75.如权利要求27的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
76.如权利要求28的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
77.如权利要求29的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
78.如权利要求30的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
79.如权利要求31的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
80.如权利要求32的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
81.如权利要求33的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
82.如权利要求34的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
83.如权利要求35的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
84.如权利要求36的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
85.如权利要求37的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
86.如权利要求38的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
87.如权利要求39的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
88.如权利要求40的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
89.如权利要求41的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
90.如权利要求42的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
91.如权利要求43的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
92.如权利要求44的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
93.如权利要求45的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
94.如权利要求46的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
95.如权利要求47的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
96.如权利要求48的方法，还包括：
在写间隙中离子铣沟道(70)；以及
用高磁矩材料填充沟道。
97.如前面任一权利要求的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖的步骤还包括：
在接近空气承载面的写间隙中铣出沟道(70)；
在沟道中级以高磁矩材料的极尖，使得极尖的顶面高于写间隙的顶面(68)；并且
离子铣极尖的第一、第二侧，以便提供极尖的合适宽底。
98.如权利要求1至96任何一个的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖的步骤还包括：
在接近空气承载面的写间隙中离子铣沟道(70)；
在沟道中溅射高磁矩材料的极尖，使得极尖的顶面高于写间隙的顶面(68)；以及离子铣极尖的第一第二侧，从而提供极尖的合适的宽度。
99.如权利要求1至96的任何一种所述的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖的步骤还包括：
在聚合物的顶面的顶上制造第一写间隙层；
在接近空气承载面的第一写间隙层的顶面上镀极尖使得极尖的顶面处在第一平面；
离子铣极尖第一第二侧面从而提供极尖的合适宽度；
在极尖的顶上制造剥离光刻胶层(71)；
在第一写间隙层的顶上制造第二写间隙层，使第二写间隙层的顶面处于第一平面；
除去剥离光刻胶层。
100.如权利要求1至96任何一个的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩极尖的步骤还包括：
在聚合物的顶面的顶上制造第一写间隙层；
在接近空气承载面的第一写间隙层的顶面上溅射极尖，使得极尖的顶面处于第一平面；
离子铣极尖的第一第二侧面，从而提供极尖的合适的宽度；
在极尖的顶上制造剥离光刻胶层(71)；
在第一写间隙层的顶上制造第二写间隙，使得第二写间隙层的顶面处于第一平面；
除去剥离光刻胶层。
101.如权利要求99的方法，还包括：
在第二写间隙层和极尖的顶上制造第三写间隙层。
102.如权利要求100的方法，还包括：
在第二写间隙层和极尖的顶上制造第三写间隙层。
103.一种制造逆磁电阻磁头的方法，该方法包括：
在远离磁头的空气承载面(52)的基层(54)的凹部制造底极(56)；
在底极上方制造聚合物绝缘层(58)和层电线圈(64)，其特征在于还包括：
在底极(56)和极尖(72)之间并邻接远离空气承载面的聚合物绝缘层(58)的顶面(60)处制造写间隙(66A)，其中所述写间隙位于接近空气承载面的底极(56)的顶上；
在写间隙的顶上形成顶极(67)；
在接近空气承载面的顶极的顶上制造氧化物层(75)；
把远离空气承载面的顶极的部分顶面和氧化物层的顶面弄成平面；
在氧化物层和顶极的顶上制造底屏蔽(74)；
在底屏蔽的顶上制造第一读间隙(78)；
在接近空气承载面的第一读间隙部分的顶上形成磁电阻元件(80)；
在第一读间隙部分的顶上制造电接触(82)，电接触电气地连接磁电阻元件和逆磁电阻磁头的外部区域；
在电接触和磁电阻元件的顶上制造第二读间隙(84)；
以及
在第二读间隙的顶上制造顶屏蔽(86)。
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