CN114678297A - 一种半导体加热盘 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体加热盘，包括：底座，以及底部具有敞口的盖体，底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件，盖体下方区域设置分隔罩，盖体与分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接分隔罩的第一连接柱，盖体顶部设置接头，盖体内设置供气体排出第一腔体的抽气通道，及被设置接头内与抽气通道连通的抽气口。通过申请实现晶圆与反应气体均匀接触，对反应气体进行回收利用，避免造成反应气体的浪费，并且能够分隔加热腔体，降低热量损失，而且当反应气体气压较大时，能够起到缓冲均化的作用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产制造设备领域，尤其涉及一种半导体加热盘。
背景技术
在半导体生产制造过程中，需要用到半导体生产制造设备中的加热盘来对执行匀胶工艺后的晶圆进行软烘，并通过向腔室内输入加热气体来对晶圆进行加热处理。在现有的技术中，晶圆难以与反应气体均匀接触，也不便于对反应气体进行回收利用，造成反应气体的浪费，并且传统晶圆加热盘所形成的加热腔体太大，具有热量损失，而且当反应气体气压较大时，难以起到缓冲均化的作用。
有鉴于此，有必要对现有技术中的晶圆等半导体器件进行加热的装置予以改进，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于揭示一种半导体加热盘，用于解决现有技术中的半导体加热盘所存在的诸多缺陷，尤其是为了实现晶圆与反应气体均匀接触，对反应气体进行回收利用，避免造成反应气体的浪费，并且能够分隔加热腔体，降低热量损失，而且当反应气体气压较大时，能够起到缓冲均化的作用。
为实现上述目的，本发明提供了一种半导体加热盘，包括：所述底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件，
盖体下方区域设置分隔罩，所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接所述分隔罩的第一连接柱，所述盖体顶部设置接头，所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道，及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口。
作为本发明的进一步改进，所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体，及连接所述导流盘的第二连接柱，所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道，及与所述通气管道连通的进气口。
作为本发明的进一步改进，所述导流盘开设若干导流孔，所述导流盘下方区域形成第三腔体，导流板的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙，所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通，以通过所述第三腔体连通第一腔体。
作为本发明的进一步改进，所述底座顶部设置与所述盖体连接的支撑块，及内部设置连接工作台组件的支撑柱，所述底座靠近驱动组件的一侧垂直设置导块。
作为本发明的进一步改进，所述工作台组件包括：连接所述支撑柱顶端的底块，所述底块顶部设置加热盘，及设置所述底块与所述加热盘之间的加热区，纵向贯穿所述底块与所述加热区连接的加热导线，所述加热盘上设置若干吸附块，底块外部设置与底块底部连接的侧边框。
作为本发明的进一步改进，所述底块包括：连接加热区的壳体，所述壳体内部围设形成中空腔。
作为本发明的进一步改进，所述驱动组件包括：气缸，所述气缸顶端设置第一连接块，所述第一连接块靠近所述底块的一侧设置第二连接块，所述第二连接块远离第一连接块的一端连接置于衔接壳内的环形叉杆，所述环形叉杆上装配密封罩。
作为本发明的进一步改进，所述第二连接块靠近所述导块的一侧设置与所述导块上作线性滑动的滑动件，以引导所述第二连接块滑动。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
首先，接头通过与抽气口连通的抽气通道来对第一腔体内的反应气体进行抽取，以便于对反应气体进行回收，提高利用率，避免造成反应气体的浪费。
附图说明
图1为本发明半导体加热盘的立体图；
图2为沿图1中的A-A向的剖视图；
图3为沿图2中的B-B向的剖视图；
图4为沿图2中的C-C向的剖视图；
图5为底块与加热盘轴向剖视图；
图6为气缸与第一连接块的立体图；
图7为底座与衔接板的立体图；
图8为盖体与接头的立体剖视图；
图9为分隔罩与第二连接柱的立体剖视图；
图10为图9中标号A处的放大图；
图11为第二连接柱与导流板的立体图。
具体实施方式
下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。
需要理解的是，在本申请中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术方案和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术方案的限制。
尤其需要说明的是，在本发明的实施例中，术语“纵向”是指与地平线或水平面的垂直方向。术语“横向”是指与地平线或水平面的平行方向。术语“纵截面”如无特殊说明均指沿图2中以垂直方向平行于纸面的角度剖切各个部件所形成的截面图。术语“围设”是指在壳体内部形成包围设置。
请参图1至图11所揭示的本发明一种半导体加热盘的一种具体实施方式。
参图1、图2与图6及图7所示，在本实施例中，该半导体加热盘包括：底座10，底座10横向一侧内部设置工作台组件，及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件，驱动组件包括：气缸30。需要说明的是，气缸30可以为电动推杆、气动元件等设备，只要能够实现带动第一连接块31进行升降运动均可。底座10顶部设置与盖体20连接的支撑块11，及内部设置连接工作台组件的支撑柱12，底座10靠近驱动组件的一侧垂直设置导块13。需要说明的是支撑块11的形状不唯一，支撑块11在竖直方向形成的纵截面轮廓即可如图2所示出的形态，还可为“[”字型或弧形，只要能够实现支撑盖体20的支撑块即可，在本实施方式中，优选为“∟”字型的支撑块11以支撑盖体20，支撑块11与盖体20之间是采用螺栓和螺母进行连接的，只要能够实现将盖体20固定在支撑块11上的连接方式即可。
气缸30顶端设置第一连接块31，第一连接块31靠近底块401的一侧设置第二连接块311，第二连接块311远离第一连接块31的一端连接置于衔接壳12内的环形叉杆32，环形叉杆32上装配密封罩33。第二连接块311与环形叉杆32及密封罩33是通过螺栓和螺母进行连接的，只要能够实现将密封罩33固定于环形叉杆32及环形叉杆32固定于第二连接块311的连接方式即可。通过启动气缸30能够带动第一连接块31进行升降运动，使得第一连接块31能够带动第二连接块311进行同步升降运动，从而便于第二连接块311带动环形叉杆32沿N向向上进行抬升运动，进而使环形叉杆32能够带动密封罩33的抵住盖体20，进而形成密封腔体，以防止在注入反应气体时发生泄漏，保障对晶圆进行软烘的安全加工环境。
优选的，第二连接块311靠近导块13的一侧设置与导块13上作线性滑动的滑动件312，以引导第二连接块311滑动，使得第二连接块311在进行升降运动时能够带动滑动件312在导块13上进行同步滑动，从而能够提高第二连接块311在进行升降运动时的稳定性。
如图2、图3与图4及图5所示，工作台组件包括：连接支撑柱12顶端的底块401，底块401顶部设置加热盘402，及设置底块410与加热盘402 之间的加热区406，纵向贯穿底块401与加热区406连接的加热导线405，加热盘402上设置若干吸附块403，底块401外部设置与底块401底部连接的侧边框404。通过支撑柱12能够对底块401进行承托，通过加热导线405 能够对加热区406进行加热，使加热盘402能够通过吸收加热区406产生的热量来对晶圆进行烘烤，实现对晶圆的软烘作业，通过加热盘402上设置的若干吸附块403能够对平面性或曲面性的晶圆进行吸附固定，以防止晶圆在软烘过程中收外部影响导致位移，保证软烘质量。
优选的，底块401包括：连接加热区406的壳体4011，壳体4011内部围设形成中空腔4012，通过壳体4011内部的中空腔4012能够吸收加热区 406多余的热量，防止加热区406的温度过高导致加热盘402对晶圆的烘烤温度过热，从而避免对晶圆造成损坏。
如图3与图8至图11所示，盖体20下方区域设置分隔罩25，分隔罩 25内部设置容纳导流盘27的第二腔体b，及连接导流盘27的第二连接柱26。通过第二连接柱26能够对导流盘27进行固定，通过分隔罩25能够将盖体 20下方的区域进行分隔，以便于对进气区域和抽气区域进行阻隔。盖体20 顶部设置接头21，接头21设置供气体注入第二腔体b的通气管道22，及与通气管道22连通的进气口211。在向接头21内的进气口211注入反应气体的过程中，反应气体将沿图3中箭头100a方向流经通气管道22与导流盘27 接触，并随着反应气体的不断注入使其能够扩散在第二腔体b内。导流盘27 开设若干导流孔271，导流盘27下方区域形成第三腔体c，导流板27的边缘处与分隔罩25之间形成供气体排出的间隙，第二腔体b通过间隙及导流孔271与第三腔体c相连通，以通过第三腔体c连通第一腔体a。在加热盘 402的导热作用下能够将热量传递入第三腔体c内，从而提高第三腔体c内的温度。需要说明的是，第三腔体c是由加热盘402与导流盘27及沿图2 中N方向向上运动后的密封罩33a之间的区域形成的，从而减小了反应气体与晶圆之间的接触空间，使得第三腔体c的腔体空间小于传统的腔体空间，进而能够降低腔体内的热量损失。在反应气体在第二腔体b内扩散的过程中能够向分隔罩的边缘处流动，再通过导流板27的边缘处与分隔罩25之间形成的间隙进入第三腔体c内，并沿图2中100c箭头方向通过若干个导流孔 271进入第三腔体c内，从而便于和晶圆均匀接触，并且能够避免影响加热盘402对晶圆加热的均匀性。通过第二腔体b能够在反应气体的气压较大时，对晶圆起到缓冲均化的作用，从而进一步的避免对圆本体造成损坏。
如图2、图4与图8及图10所示，盖体20与分隔罩25之间的区域形成第一腔体a，及连接分隔罩25的第一连接柱24，盖体20内设置供气体排出第一腔体a的抽气通道23，及被设置接头21内与抽气通道23连通的抽气口 212。在注入反应气体的过程中，同时接头21将通过内部的抽气口212与开设盖体20内部的抽气通道23抽取第一腔体a内的空气，首先空气将通过分隔罩25的边缘处与盖体20之间间隙通道进行流动，并汇聚成沿图4中的100b 箭头方向进行流动的气流，最后通过抽气口212抽出，并通过配合进气口211 向第二腔体b注入反应气体，从而能够将第二腔体b与第三腔体c内的一部分空气置换为反应气体，随着进气口211与抽气口212对第二腔体b与第三腔体c内空气不断的进行置换，使得第二腔体b与第三腔体c内将充满反应气体，进而能够通过反应气体来防止晶圆表面的胶膜氧化，其次进气口211与抽气口212将会同时向腔体内注入反应气体和抽出与晶圆接触后的反应气体，使接触后的反应气体沿分隔罩25的边缘处与盖体20之间间隙通道进行流动抽出，以便于对反应气体进行回收，提高利用率，避免造成反应气体的浪费，并且反应气体在通过该间隙通道流出时，能够减小气流对加热盘对晶圆加热均匀性的影响。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种半导体加热盘，包括：底座，以及底部具有敞口的盖体，所述底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件，其特征在于，
盖体下方区域设置分隔罩，所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接所述分隔罩的第一连接柱，所述盖体顶部设置接头，所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道，及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口。
2.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体，及连接所述导流盘的第二连接柱，所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道，及与所述通气管道连通的进气口。
3.根据权利要求2所述的半导体加热盘，其特征在于，所述导流盘开设若干导流孔，所述导流盘下方区域形成第三腔体，导流板的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙，所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通，以通过所述第三腔体连通第一腔体。
4.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，所述底座顶部设置与所述盖体连接的支撑块，及内部设置连接工作台组件的支撑柱，所述底座靠近驱动组件的一侧垂直设置导块。
5.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，
所述工作台组件包括：连接所述支撑柱顶端的底块，所述底块顶部设置加热盘，及设置所述底块与所述加热盘之间的加热区，纵向贯穿所述底块与所述加热区连接的加热导线，所述加热盘上设置若干吸附块，底块外部设置与底块底部连接的侧边框。
6.根据权利要求5所述的半导体加热盘，其特征在于，
所述底块包括：连接加热区的壳体，所述壳体内部围设形成中空腔。
7.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，所述驱动组件包括：气缸，所述气缸顶端设置第一连接块，所述第一连接块靠近所述底块的一侧设置第二连接块，所述第二连接块远离第一连接块的一端连接置于衔接壳内的环形叉杆，所述环形叉杆上装配密封罩。
8.根据权利要求7所述的半导体加热盘，其特征在于，所述第二连接块靠近所述导块的一侧设置与所述导块上作线性滑动的滑动件，以引导所述第二连接块滑动。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: Zhicheng semiconductor equipment technology (Kunshan) Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 215000, No. 889 Zhonghua Road, Bacheng Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |