CN117051371A - 一种加热基座及基片加热镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种加热基座及基片加热镀膜方法，基座包括：真空罩、基片罩、加热装置、基片夹具和升降装置；基片罩连接冷却装置，以实现冷却；基片罩顶部与真空罩密封连接，基片罩底部与加热装置密封连接；基片夹具与基片罩可拆卸，以固定基片；加热装置上设有多个气体进出口，加热气体进入加热装置并加热，以实现基片加热；冷却气体进入加热装置，以实现加热装置冷却；加热装置底部与升降装置连接，升降装置驱动加热装置带动真空罩和基片罩往复升降，实现基片在真空腔内升降至预设的镀膜位置。本发明具有结构紧凑、加热均匀性高且控制精准等优点，解决了因加热不均匀、基片易位移及基片装夹困难而导致基片镀膜质量低的问题，实现基片高质量镀膜。
Description
技术领域
本发明属于半导体真空镀膜技术领域，具体涉及一种加热基座及基片加热镀膜方法，用于实现镀膜基片的升降和高温加热。
背景技术
现有用于真空镀膜的加热基座，一方面通过不同行程的上下运动实现基片的升降，一方面通过加热器对基片进行均匀性加热，以保证在不同温度下都具有较好的加热均匀性，进而保证镀膜质量。与此同时，还要对加热器进行冷却，防止过热，影响设备安全。
传统的加热器很难满足真空镀膜的要求，例如，通过固体接触进行的加热很难实现高均匀性加热，通过背压气体辅助加热又容易改变基片的位置，且真空吸附基片的方式不适用于真空镀膜，又由于基片厚度太薄，也不方便装夹。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构紧凑、操作简单、加热均匀性高、控制精准且适用范围广的加热基座及基片加热镀膜方法。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种加热基座，包括：真空罩、基片罩、加热装置、基片夹具和升降装置；所述基片罩与冷却装置连接，以实现基片罩冷却；所述基片罩顶部与真空罩密封连接，基片罩底部与加热装置密封连接；所述基片夹具可拆卸设置在基片罩侧部，用于实现基片固定在基片罩内；所述加热装置上设有加热气体进出口，气体进入加热装置并进行加热，加热至预设温度的气体进入基片罩内，以实现基片加热；所述加热装置上还设有冷却气体进出口，冷却气体进入加热装置，以实现加热装置冷却，惰性气体先对加热装置进行冷却，然后再被加热装置加热；所述加热装置底部与升降装置连接，在升降装置的驱动下，加热装置进行往复升降，并带动真空罩和基片罩往复升降，以实现基片在真空腔内升降至预设的镀膜位置。
作为本发明的进一步改进，所述加热装置包括加热气管、环形加热器、上隔板和下隔板，所述加热气管通过上隔板和下隔板固定在环形加热器内，所述下隔板与升降装置连接，所述上隔板与基片罩连接，加热气管上设有气体进出口，以实现惰性气体进入加热气管内，在环形加热器的加热作用下，气体升温至预设温度，并从加热气管输出至基片罩内，以实现基片罩内基片升温至预设的镀膜温度。
作为本发明的进一步改进，所述加热装置还包括冷却通道、过渡气管和储气环，所述冷却通道环绕在环形加热器外沿，形成加热装置的筒壁；所述过渡气管和储气环设置在冷却通道底部，所述过渡气管的一端设有第二进气口，过渡气管的另一端与冷却通道的第一进气口连通，冷却通道的第一出气口与储气环连通，储气环的第二出气口与加热气管的第四进气口连通；惰性气体依次流经第二进气口、过渡气管和第一进气口后进入冷却通道，绕环形加热器外沿流动一周后进入储气环，待储气环内的气体压力达到预设值后，打开第二出气口，气体经第三进气口进入加热气管，进行加热；加热达到预设温度后，气体经加热气管的第三出气口进入基片罩内。
作为本发明的进一步改进，多个加热气管沿竖直方向串联堆叠在环形加热器内。
作为本发明的进一步改进，所述储气环上设有泄压阀。
作为本发明的进一步改进，所述基片罩顶部设有环形的基片挡板，用于限制基片在竖直方向上的移动；所述基片罩侧部设有夹具入口，以实现基片夹具进出基片罩。
作为本发明的进一步改进，所述基片挡板与夹具入口之间的距离小于2mm。
作为本发明的进一步改进，所述基片夹具包括弧形支撑片、电动弹簧和弧边，弧边设置在弧形支撑片外侧，电动弹簧位于弧形支撑片与弧边的连接处，所述弧形支撑片用于承载基片，弧边用于实现所述基片夹具与基片罩密封连接，当基片在基片罩内夹紧固定后，电动弹簧用于推动弧形支撑片远离基片。
作为本发明的进一步改进，所述升降装置包括：连接杆、空心主轴、平衡杆和底座，所述空心主轴顶部与加热装置底部密封连接，空心主轴底部与设置在底座内的驱动电机连接，在驱动电机的驱动下，空心主轴带动加热装置进行往复升降；底座上设有连接杆和平衡杆，所述连接杆中部与空心主轴连接，连接杆两侧分别连接平衡杆，所述平衡杆用于辅助空心主轴升降。
作为本发明的进一步改进，所述空心主轴内设有加热气体进气管、加热气体出气管、基片冷却气体进气管和基片冷却气体出气管；所述加热气体进气管与第二进气口连接，以实现惰性气体进入加热基座，加热气体出气管与基片罩连接，以实现惰性气体排出加热基座；基片冷却气体进气管和基片冷却气体出气管与基片罩连接，以实现冷却气体进出基片罩。
作为一个总的技术构思，本发明还提供了基于上述加热基座的基片加热镀膜方法，包括以下步骤：
S1、对真空罩进行抽真空，并利用基片夹具将基片放置到基片罩内的预定位置；
S2、通过加热气体进气管将惰性气体输入加热基座，惰性气体经过第二进气口、过渡气管、第一进气口后进入冷却通道，绕环形加热器外沿流动一周后进入储气环；
S3、待储气环内气体压力达到预设值后，打开第二出气口，气体经第三进气口进入加热气管，环形加热器对惰性气体进行加热；加热达到预设温度后，气体通过第三出气口进入基片罩内；
S4、利用电动弹簧将基片夹具的弧形支撑片移动到基片周边，以防止弧形支撑片对基片的受压和受热造成影响；
S5、结合工艺气体输送速度、基片罩泄漏速度以及抽真空速度的相对大小，确定真空罩内的真空度，待真空罩内真空度符合预定要求后，进行镀膜工艺；
S6、镀膜工艺结束后，首先利用电动弹簧将基片夹具的弧形支撑片复位，然后对基片罩进行泄压，基片在自身重力的作用下重新回落到基片夹具上，取出基片，关闭环形加热器，最后关闭输入气体，完成一次镀膜工艺。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、本发明的加热基座，通过在基片罩底部设置加热装置，并且惰性气体先对加热装置进行冷却，再被加热装置加热，升温后的惰性气体由加热装置输送至基片罩内，利用加热后的惰性气体均匀填充在基片与基片罩之间，当基片放置在基片罩上后，既实现了基片加热，又可以利用气压将基片夹紧，使得加热气体与基片充分接触，有效提高了基片的受热均匀性；与此同时，通过将基片罩与外置的冷却装置连接，实现了基片罩和基片的快速冷却；进一步地，在升降装置的驱动下，加热基座往复升降，实现了基片罩在真空腔内升降至预设的镀膜位置，提高了加热基座的使用灵活性，本发明具有行程大、体积小、加热均匀性好、成本低等优势。
2、本发明的加热基座，通过利用待加热气体对环形加热器先进行冷却，然后利用环形加热器对具有一定温度的气体进行加热，可达到事半功倍的加热效果；而且，此种加热方式不依赖于加热器的热均匀性，降低了对加热器的要求。完全利用加热气体对基片进行加热，显著提升了基片的温度均匀性；与此同时，利用气体压力对基片进行夹紧，也解决了背压气体影响基片定位的问题。进一步地，利用双平衡杆的设计提高了加热基座升降运动过程中不同行程的平稳性，以防出现卡壳现象。
3、本发明的基片加热镀膜方法，首先利用惰性气体对加热装置进行冷却，确保了加热装置运行稳定；然后利用加热器对此惰性气体进行加热，充分利用了加热器降温和气体加热两种方式的优点，在冷却了加热器的同时也提高了气体的加热速度；当加热装置内达到预设的气体压力后，开始对气体进行加热，气体加热至预设温度后，直接从加热装置进入基片罩内，既可以利用气压将基片压紧固定在基片罩内，避免基片在镀膜过程中跑偏，又可以利用加热气体对基片进行快速、均匀加热，实现了基片罩内各处温度基本一致，再结合背压气体的配合，实现了基片各处均匀受热，最终实现了基片高质量镀膜。
附图说明
图1为本发明加热基座的结构原理示意图。
图2为本发明中加热装置的结构原理示意图。
图3为本发明中加热装置另一视角的结构原理示意图。
图4为本发明中加热装置底部的结构原理示意图。
图5为本发明中加热气管的结构原理示意图，其中，图(a)为俯视图，图(b)为立体图。
图6为本发明中隔板的结构原理示意图，其中，图(a)为上隔板，图(b)为下隔板。
图7为本发明中空心主轴的结构原理示意图。
图8为本发明中底座的结构原理示意图。
图9为本发明中基片罩的结构原理示意图。
图10为本发明中基片夹具的结构原理示意图。
图11为本发明中连接杆的结构原理示意图。
图12为本发明中基片进行加热镀膜的流程示意图。
图例说明：1、真空罩；2、基片罩；3、加热装置；4、波纹管；5、连接杆；6、基片夹具；7、空心主轴；8、平衡杆；9、底座；31、冷却通道；32、加热气管；33、环形加热器；34、第一进气口；35、第一出气口；36、第二进气口；37、泄压阀；38、第二出气口；39、第三出气口；321、第三进气口；361、过渡气管；362、储气环；331、上隔板；332、下隔板；61、弧形支撑片；62、电动弹簧；63、弧边；21、基片挡边；22、夹具入口；51、平衡杆匹配孔；52、主轴固定孔；71、加热气体进气管；72、加热气体出气管；73、基片冷却气体进气管；74、基片冷却气体出气管。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
实施例1
如图1至图11所示，本发明的加热基座，包括：真空罩1、基片罩2、加热装置3、基片夹具6和升降装置。基片罩2与冷却装置连接，以实现基片罩2冷却。基片罩2顶部与真空罩1密封连接，基片罩2底部与加热装置3密封连接；基片夹具6可拆卸设置在基片罩2侧部，用于实现基片固定在基片罩2内。加热装置3上设有加热气体进出口，气体进入加热装置3并进行加热，加热至预设温度的气体进入基片罩2内，以实现基片加热。加热装置3上还设有冷却气体进出口，冷却气体进入加热装置3，以实现加热装置3冷却，惰性气体先对加热装置3进行冷却，然后再被加热装置3加热。也就是说，进入加热基座内的气体是同一种气体，先对加热装置3进行冷却，再被加热装置3加热，最后进入基片罩2内对基片进行加热。加热装置3底部与升降装置连接，在升降装置的驱动下，加热装置3进行往复升降，并带动真空罩1和基片罩2往复升降，以实现基片在真空腔内升降至预设的镀膜位置。
本实施例中，加热装置3包括加热气管32、环形加热器33、上隔板331和下隔板332。加热气管32通过上隔板331和下隔板332固定在环形加热器33内，下隔板332与升降装置连接，上隔板331与基片罩2连接，加热气管32上设有气体进出口，以实现惰性气体进入加热气管32内，在环形加热器33的加热作用下，气体升温至预设温度，并从加热气管32输出至基片罩2内，以实现基片罩2内基片升温至预设的镀膜温度。
如图2至图6所示，本实施例中，环形加热器33嵌入加热装置的筒壁，并且在竖直方向上均匀分布，可对加热装置的中间区域形成一个封闭的加热场，气体经过多个竖直放置的加热气管32加热后，加热气体的温度更加均匀，且不依赖于加热场的均匀分布就可以实现加热气体的温度均匀。
本实施例中，加热装置3还包括冷却通道31、过渡气管361和储气环362，冷却通道31环绕在环形加热器33外沿，形成加热装置3的筒壁。过渡气管361和储气环362设置在冷却通道31底部，过渡气管361的一端设有第二进气口36，过渡气管361的另一端与冷却通道31的第一进气口34连通，冷却通道31的第一出气口35与储气环362连通，储气环362的第二出气口38与加热气管32的第四进气口321连通。惰性气体依次流经第二进气口36、过渡气管361和第一进气口34后进入冷却通道31，绕环形加热器33外沿流动一周后进入储气环362。由此，可完成环形加热器33侧面和底部的冷却。待储气环362内的气体压力达到预设值后，打开第二出气口38，气体经第三进气口321进入加热气管32，进行加热。加热达到预设温度后，气体经加热气管32的第三出气口39进入基片罩2内，对基片罩2内基片进行加热。
本实施例中，多个加热气管32沿竖直方向串联堆叠在环形加热器33内。加热装置进行正常工作后，从加热气体入口输入的气体先可以对加热装置进行冷却，待气体绕加热装置运行一周后进入加热器进行加热，而此时的气体已经具有一定的初始温度，可缩短在加热器中进行加热的时间，提高效率。
本实施例中，储气环362上设有泄压阀37，防止储气环362压力过大，避免出现危险。
如图9所示，本实施例中，基片罩2顶部设有环形的基片挡板21，用于限制基片在竖直方向上的移动。基片罩2侧部设有夹具入口22，以实现基片夹具6进出基片罩2。
本实施例中，基片挡板21与夹具入口22之间的距离小于2mm。在保证基片顺利通过的前提下，同时方便基片被加热气体进行压紧。
真空罩2在镀膜时为一恒定真空度，基片罩2和基片夹具6组成的恒压空间具有恒定的泄漏速率，泄漏的气体和工艺气体一致，因此，可结合工艺气体输送速度、基片罩泄漏速度以及抽真空速度用以保证镀膜时真空腔内气压符合工艺要求。
如图10所示，本实施例中，基片夹具6包括弧形支撑片61、电动弹簧62和弧边63。弧边63设置在弧形支撑片61外侧，电动弹簧62位于弧形支撑片61与弧边63的连接处，弧形支撑片61用于承载基片，弧边63用于实现所述基片夹具6与基片罩2密封连接，当基片在基片罩2内夹紧固定后，电动弹簧62用于推动弧形支撑片61远离基片。
基片放置在弧形支撑片61上，当基片被传送到预设位置时，即弧边63和基片罩2的夹具入口22重合后，通入的加热气体将基片压紧在基片罩2的基片挡板21上，保证基片在进行镀膜工艺时的位置不变。当基片被压紧后，电动弹簧62通电，推动弧形支撑片61往两边移动，避免部分加热气体被弧形支撑片61遮挡，防止基片受压和受热不均。
基片罩2和基片夹具6共同组成一个恒压空间，用以保证对基片的压力不变。而且，恒压空间全部为均匀加热后的气体，同时构成一个恒温空间，可对基片直接进行加热，提高基片表面的加热均匀性。
如图7、图8和图11所示，本实施例中，升降装置包括：连接杆5、空心主轴7、平衡杆8和底座9。空心主轴7顶部与加热装置3底部密封连接，且空心主轴7与加热装置3的连接处还设置了波纹管4，以提高加热基座的密封性能。空心主轴7底部与设置在底座9内的驱动电机连接，在驱动电机的驱动下，空心主轴7带动加热装置3进行往复升降。底座9上设有连接杆5和平衡杆8，连接杆5中部通过主轴固定孔52与空心主轴7连接，连接杆5两侧分别通过平衡杆匹配孔51连接平衡杆8，平衡杆8用于辅助空心主轴7升降，提高加热基座移动的平稳性。
本实施例中，空心主轴7内穿设有加热气体进气管71、加热气体出气管72、基片冷却气体进气管73和基片冷却气体出气管74。加热气体进气管71与第二进气口36连接，以实现惰性气体进入加热基座，加热气体出气管72与基片罩2连接，以实现惰性气体排出加热基座。基片冷却气体进气管73和基片冷却气体出气管74与基片罩2连接，以实现冷却气体进出基片罩2。基片冷却装置的气体从基片冷却气体进气管73直接进入基片罩2，然后从基片冷却气体出气管74输出，不仅可用于基片的降温，还可用于真空腔室的降温。加热气体进气管71和基片冷却气体进气管73输送的惰性气体种类相同，有利于保护真空环境。其主要用于以下两种工况：一是同一基片需要在不同温度下进行镀膜工艺，需要快速对基片降温的工况。二是镀膜设备在经过长时间的工作后，导致温度过高，需要降温的工况。
实施例2
如图12所示，本发明提供了基于实施例1中的加热基座实施的基片加热镀膜方法，包括以下步骤：
S1、对真空罩1进行抽真空，并利用基片夹具6将基片放置到基片罩2内的预定位置。在驱动电机和空心主轴7的带动下，加热基座整体升高至预设的镀膜位置。
S2、通过加热气体进气管71将惰性气体输入加热基座，惰性气体经过第二进气口36、过渡气管361、第一进气口34后进入冷却通道31，绕环形加热器33外沿流动一周后进入储气环362。惰性气体绕环形加热器33外周流动的过程中，既可以降低环形加热器33的温度，又可以提高惰性气体自身的温度，提高加热基座内的热能利用率。
S3、待储气环362内气体压力达到预设值后，打开第二出气口38，气体经第三进气口321进入加热气管32，环形加热器33对惰性气体进行加热；加热达到预设温度后，气体通过第三出气口39进入基片罩2内。一方面，利用气压将基片压紧在基片罩2的基片挡板21上，实现基片固定；另一方面，将加热气体充满基片罩2，对基片进行快速、均匀的加热。直接利用气体对基片进行加热，可极大地提高基片表面温度的均匀性，而且基片被加热气体完全覆盖，也提高了基片的加热速度。
S4、利用电动弹簧62将基片夹具6的弧形支撑片61移动到基片周边，以防止弧形支撑片6对基片的受压和受热造成影响。
S5、结合工艺气体输送速度、基片罩泄漏速度以及抽真空速度的相对大小，确定真空罩1内的真空度，待真空罩1内真空度符合预定要求后，进行镀膜工艺。
S6、镀膜工艺结束后，首先利用电动弹簧62将基片夹具6的弧形支撑片61复位，然后对基片罩2进行泄压，基片在自身重力的作用下重新回落到基片夹具6上，取出基片，关闭环形加热器33，最后关闭输入气体，完成一次镀膜工艺。
在上述步骤中，若中间涉及不同温度下的多次镀膜工艺，则利用基片冷却气体和加热气体的互相作用对基片表面的温度进行调控后，继续返回步骤S1，进行迭代。
本实施例中，首先利用惰性气体对加热装置进行冷却，确保了加热装置运行稳定；然后利用加热器对此惰性气体进行加热，充分利用了加热器降温和气体加热两种方式的优点，在冷却了加热器的同时也提高了气体的加热速度；当加热装置内达到预设的气体压力后，开始对气体进行加热，气体加热至预设温度后，直接从加热装置进入基片罩内，既可以利用气压将基片压紧固定在基片罩内，避免基片在镀膜过程中跑偏，又可以利用加热气体对基片进行快速、均匀加热，实现了基片罩内各处温度基本一致，再结合背压气体的配合，实现了基片各处均匀受热，最终实现了基片高质量镀膜。
虽然本发明以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (11)
1.一种加热基座，其特征在于，包括：真空罩(1)、基片罩(2)、加热装置(3)、基片夹具(6)和升降装置；所述基片罩(2)与冷却装置连接，以实现基片罩(2)冷却；所述基片罩(2)顶部与真空罩(1)密封连接，基片罩(2)底部与加热装置(3)密封连接；所述基片夹具(6)可拆卸设置在基片罩(2)侧部，用于实现基片固定在基片罩(2)内；所述加热装置(3)上设有加热气体进出口，气体进入加热装置(3)并进行加热，加热至预设温度的气体进入基片罩(2)内，以实现基片加热；所述加热装置(3)上还设有冷却气体进出口，冷却气体进入加热装置(3)，以实现加热装置(3)冷却，惰性气体先对加热装置(3)进行冷却，然后再被加热装置(3)加热；所述加热装置(3)底部与升降装置连接，在升降装置的驱动下，加热装置(3)进行往复升降，并带动真空罩(1)和基片罩(2)往复升降，以实现基片在真空腔内升降至预设的镀膜位置。
2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述加热装置(3)包括加热气管(32)、环形加热器(33)、上隔板(331)和下隔板(332)，所述加热气管(32)通过上隔板(331)和下隔板(332)固定在环形加热器(33)内，所述下隔板(332)与升降装置连接，所述上隔板(331)与基片罩(2)连接，加热气管(32)上设有气体进出口，以实现惰性气体进入加热气管(32)内，在环形加热器(33)的加热作用下，气体升温至预设温度，并从加热气管(32)输出至基片罩(2)内，以实现基片罩(2)内基片升温至预设的镀膜温度。
3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述加热装置(3)还包括冷却通道(31)、过渡气管(361)和储气环(362)，所述冷却通道(31)环绕在环形加热器(33)外沿，形成加热装置(3)的筒壁；所述过渡气管(361)和储气环(362)设置在冷却通道(31)底部，所述过渡气管(361)的一端设有第二进气口(36)，过渡气管(361)的另一端与冷却通道(31)的第一进气口(34)连通，冷却通道(31)的第一出气口(35)与储气环(362)连通，储气环(362)的第二出气口(38)与加热气管(32)的第四进气口(321)连通；惰性气体依次流经第二进气口(36)、过渡气管(361)和第一进气口(34)后进入冷却通道(31)，绕环形加热器(33)外沿流动一周后进入储气环(362)，待储气环(362)内的气体压力达到预设值后，打开第二出气口(38)，气体经第三进气口(321)进入加热气管(32)，进行加热；加热达到预设温度后，气体经加热气管(32)的第三出气口(39)进入基片罩(2)内。
4.根据权利要求3所述的加热基座，其特征在于，多个加热气管(32)沿竖直方向串联堆叠在环形加热器(33)内。
5.根据权利要求3所述的加热基座，其特征在于，所述储气环(362)上设有泄压阀(37)。
6.根据权利要求3所述的加热基座，其特征在于，所述基片罩(2)顶部设有环形的基片挡板(21)，用于限制基片在竖直方向上的移动；所述基片罩(2)侧部设有夹具入口(22)，以实现基片夹具(6)进出基片罩(2)。
7.根据权利要求6所述的加热基座，其特征在于，所述基片挡板(21)与夹具入口(22)之间的距离小于2mm。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的加热基座，其特征在于，所述基片夹具(6)包括弧形支撑片(61)、电动弹簧(62)和弧边(63)，弧边(63)设置在弧形支撑片(61)外侧，电动弹簧(62)位于弧形支撑片(61)与弧边(63)的连接处，所述弧形支撑片(61)用于承载基片，弧边(63)用于实现所述基片夹具(6)与基片罩(2)密封连接，当基片在基片罩(2)内夹紧固定后，电动弹簧(62)用于推动弧形支撑片(61)远离基片。
9.根据权利要求3至7中任意一项所述的加热基座，其特征在于，所述升降装置包括：连接杆(5)、空心主轴(7)、平衡杆(8)和底座(9)，所述空心主轴(7)顶部与加热装置(3)底部密封连接，空心主轴(7)底部与设置在底座(9)内的驱动电机连接，在驱动电机的驱动下，空心主轴(7)带动加热装置(3)进行往复升降；底座(9)上设有连接杆(5)和平衡杆(8)，所述连接杆(5)中部与空心主轴(7)连接，连接杆(5)两侧分别连接平衡杆(8)，所述平衡杆(8)用于辅助空心主轴(7)升降。
10.根据权利要求9所述的加热基座，其特征在于，所述空心主轴(7)内设有加热气体进气管(71)、加热气体出气管(72)、基片冷却气体进气管(73)和基片冷却气体出气管(74)；所述加热气体进气管(71)与第二进气口(36)连接，以实现惰性气体进入加热基座，加热气体出气管(72)与基片罩(2)连接，以实现惰性气体排出加热基座；基片冷却气体进气管(73)和基片冷却气体出气管(74)与基片罩(2)连接，以实现冷却气体进出基片罩(2)。
11.一种基于权利要求1至10中任意一项所述加热基座的基片加热镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对真空罩(1)进行抽真空，并利用基片夹具(6)将基片放置到基片罩(2)内的预定位置；
S2、通过加热气体进气管(71)将惰性气体输入加热基座，惰性气体经过第二进气口(36)、过渡气管(361)、第一进气口(34)后进入冷却通道(31)，绕环形加热器(33)外沿流动一周后进入储气环(362)；
S3、待储气环(362)内气体压力达到预设值后，打开第二出气口(38)，气体经第三进气口(321)进入加热气管(32)，环形加热器(33)对惰性气体进行加热；加热达到预设温度后，气体通过第三出气口(39)进入基片罩(2)内；
S4、利用电动弹簧(62)将基片夹具(6)的弧形支撑片(61)移动到基片周边，以防止弧形支撑片(61)对基片的受压和受热造成影响；
S5、结合工艺气体输送速度、基片罩泄漏速度以及抽真空速度的相对大小，确定真空罩(1)内的真空度，待真空罩(1)内真空度符合预定要求后，进行镀膜工艺；
S6、镀膜工艺结束后，首先利用电动弹簧(62)将基片夹具(6)的弧形支撑片(61)复位，然后对基片罩(2)进行泄压，基片在自身重力的作用下重新回落到基片夹具(6)上，取出基片，关闭环形加热器(33)，最后关闭输入气体，完成一次镀膜工艺。
Priority Applications (1)
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| CN202310882698.3A CN117051371A (zh) | 2023-07-18 | 2023-07-18 | 一种加热基座及基片加热镀膜方法 |
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| CN202310882698.3A Pending CN117051371A (zh) | 2023-07-18 | 2023-07-18 | 一种加热基座及基片加热镀膜方法 |
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- 2023-07-18 CN CN202310882698.3A patent/CN117051371A/zh active Pending
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