CN210657131U - 一种等离子体cvd装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种等离子体CVD装置，机架的工作平台上固定有腔体，腔体的顶部设有微波转换器，腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道及环形抽气道，腔体中部的外周设有若干观察窗，腔体的下部设有开口，腔体的外壁上设有水冷机构，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔内台为中空结构，腔内台的下部设有防泄漏装置。本实用新型的等离子体CVD装置具有结构简单，腔体密封性好，微波泄漏少且使用寿命长的优点，具有很高的实用价值。

Description

一种等离子体CVD装置

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，具体涉及一种等离子体CVD装置。

背景技术

化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入腔体内进行加热，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。现有技术的微波CVD设备结构复杂，且升降机构与腔体之间不设缓冲机构，腔体封闭时升降法兰与腔体之间为刚性硬接触，容易影响升降机构（包括电机）的使用寿命或腔体的密封性。此外，当采用微波作为热源时，现有的腔体结构容易引起微波的泄漏。公开日为2014年9月17日，公开号为CN 104053816A的中国专利文件公开了一种CVD 反应器和用于CVD 反应器的基板支架，具有反应器壳体和处理室，借助进气机构能将处理气体输入处理室内；具有基板支架，其上侧具有一个或多个凹槽，如此设计使得基板仅安设在相对于凹槽的底部被升高的支承区域上；具有加热器，其通过间隙与基板支架的下侧间隔，基板支架的下侧在处于凹槽中心区域下面的中央区域内在从加热器至基板支架的热传递方面设计得与包围中央区域的、处于凹槽靠近边缘区域下方的周边区域不同。加热器设计为基本平坦的热源，气体冲洗装置借助冲洗气体冲洗间隙。间隙具有间隙高度，当从具有第一导热率的第一冲洗气体更换为具有第二导热率的第二冲洗气体时，在周边区域内从加热器至基板支架的热量传输所发生的变化与在中央区域内是不同的。但这种CVD 反应器的基板支架结构过于复杂。

实用新型内容

本实用新型的目的是为解决现有技术的等离子体CVD装置存在的问题，提供一种等离子体CVD装置，具有结构简单，腔体密封性好，微波泄漏少且使用寿命长的优点。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是，一种等离子体CVD装置，设置在机架，所述机架的工作平台上固定有一个圆筒状的腔体，腔体的顶部设有用于将微波导入腔体内的微波转换器，所述微波转换器包括一伸入腔体的内导体，内导体的下方设有用于密封腔体上部的密封介质板，密封介质板下方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道，环形进气道通过环绕腔体布置的进气孔与腔体连通，腔体中部的外周设有若干观察窗，腔体的下部设有开口，开口处设有腔体法兰，腔体法兰上方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形抽气道，环形抽气道通过环绕腔体布置的抽气孔与腔体连通，腔体的外壁上设有水冷机构，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台为中空结构，升降机构上设有腔内台高度微调装置，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔内台的下部设有防泄漏装置，升降台升起时，腔内台位于腔体中部，升降法兰与腔体法兰抵接并密封腔体，升降台降下时，腔内台通过开口移出腔体外。

本实用新型的等离子体CVD装置包括一个圆筒形腔体，腔体的上部设置微波转换器为腔体内的化学气相沉积提供热源，在腔体抽真空并送入混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）时，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片；腔体的下方设置升降机构便于腔体内基材的放置与取出，整体结构简单。其次，本实用新型的升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，当腔内台上升进入腔体内，升降法兰与腔体法兰接触时可以避免直接碰撞，避免了由于硬碰撞对升降机构及电机带来的冲击，延长了升降机构的使用寿命。同时缓冲机构本身的弹性缓冲力可以使升降法兰与腔体法兰之间结合更加紧密，避免升降法兰与腔体法兰之间可能出现的松动，从而确保了等离子腔的密封性。另外，本实用新型腔内台的下部设有防泄漏装置，可以有效防置微波泄漏。本实用新型的等离子体CVD装置具有结构简单，腔体密封性好，微波泄漏少且使用寿命长的优点，具有很高的实用价值。

作为优选，密封介质板上方设有隔离法兰，隔离法兰上设有介质窗板，介质窗板的中央设有窗孔，窗孔的直径是内导体直径的3.5-5.5倍，隔离法兰的外周设有散热孔，散热孔的直径小于微波波长的二十分之一，密封介质板的上下两面都设有密封圈。隔离法兰用于压紧介质密封板，窗孔及其合理的大小用于完善腔体内的微波辐射场形状，完善腔体内的等离子体分布结构，有利于腔体内的化学气相沉积；较小的散热孔可以避免微波泄漏。

作为优选，水冷机构包括设置在密封介质板与环形进气道之间的环形冷却腔、设置在介质窗板上方及环形进气道下方的筒形冷却腔；环形冷却腔的进水口与出水口并列设置且两者之间设有隔板；筒形冷却腔的进水口位于筒形冷却腔的下部，出水口位于筒形冷却腔的上部。水冷机构设置在腔体外壁，用于对腔体进行冷却。

作为优选，筒形冷却腔内设有环绕腔体的螺旋状隔板，螺旋状隔板之间构成螺旋水道。螺旋水道可以确保腔体四周均匀冷却，避免整体结构的筒形水道水流不均匀而引起腔体散热不均匀。

作为优选，隔离法兰的上下两端与腔体的连接面上均设有凹槽，凹槽内设有防止微波泄漏的簧片，所述簧片为铍青铜材质且表面镀金处理。通过弹性簧片可以确保簧片两侧的腔体有效接触，从而防防止微波泄漏。

作为优选，腔内台的中空结构底部设有开口，开口处连接所述的支撑管，所述支撑管包括同轴设置的外管及内管，外管的顶端固定在腔内台底部的开口处，内管的顶端靠近腔内台的中空结构顶部且外周设有向外延伸的扩水板，内管的下端设有进水口，外管的下端设有出水口。支撑管用于支撑腔内台，同时用作腔内台的冷却管道，实际工作时冷却水从内管的底部进入，向上到达扩水板的上方，对腔内台进行充分冷却后由外管向下，从外管的底部流出；设置扩水板可以使冷却水与腔内台充分接触，提高散热效果。

作为优选，腔体为上小下大的三段式阶梯形结构，所述的内导体与密封介质板位于腔体的上段，进气孔及观察窗位于腔体的中段，所述的抽气孔位于腔体的下段，腔体的中段内壁与下段内壁之间采用锥形面过渡。腔体的中段内壁与下段内壁之间的锥形面有利于腔内台的进出，避免腔内台进入腔体时发生碰撞。

作为优选，腔内台为上小下大的阶梯结构，包括位于顶端的顶板及位于顶板下方的基座，基座的外径与腔体中段的内径相适配，基座上部与顶板的连接处设有缩径部，防泄漏装置包括设置在基座中部外周且下端开口的微波吸收环腔，基座的下部外周设有环形槽，环形槽内设有防止微波泄漏的簧片，升降台升起时，簧片与腔体的中段下部内壁抵接。顶板的下方设置缩径部可以增加沿面长度，使腔体内的电磁场集中于顶板上方，并在顶板上方形成等离子体，使腔体内的化学气相沉积物集中于顶板的基材上。微波吸收环腔的横截面呈L形且环绕腔体设置，由于其开口宽度小于微波波长，因此具有防微波泄漏的作用，而下部的簧片在升降台升起时与腔体的中段下部内壁抵接，使腔内台下部与腔体连接，起到防止微波泄漏的作用。

作为优选，升降机构包括竖直设置在机架上的导轨，导轨上设有升降座，所述的升降台固定在升降座上，升降座上设有丝杆螺套，丝杆螺套与竖直设置的升降丝杆螺接，升降丝杆的下端通过联轴器与固定在机架上的电机连接，丝杆的上端枢接在机架的工作平台上。本实用新型通过电机带动丝杆转动，使螺接在丝杆上的丝杆螺套上下移动从而带动导轨上的升降座升降。

作为优选，缓冲机构包括固定在升降法兰底面的3-4根导柱，导柱上套设有弹簧，升降台上设有与导柱对应的导套，导柱穿过所述的导套，其下端固定在升降台下方设置的上固定环上，升降法兰上设有密封圈。当升降法兰上升与腔体法兰抵接时，理论上升降机构上的限位开关动作电机转动应当立即停止，但受电机转动惯性及制造误差等影响，实际上升降法兰上升与腔体法兰抵接时可能出现硬碰撞或升降法兰上升与腔体法兰结合不够紧密的情形；本实用新型在升降法兰下方设置缓冲弹簧，实际控制中升降法兰上升与腔体法兰抵接时电机可以多转一定的角度，而依靠弹簧压缩使避免升降法兰与腔体法兰之间的硬碰撞，这样还可以避免升降法兰与腔体法兰之间结合不够紧密，可以确保腔体的密封。

作为优选，腔内台高度微调装置包括设置在升降台底面的3根导杆及一根手动丝杆，升降台的下方设有丝杆座，丝杆座上设有丝杆螺母及导杆套，手动丝杆与丝杆螺母螺接且其上端枢接在升降台上，手动丝杆的下端设有手柄，所述导杆穿过所述的导杆套，其下端固定在丝杆座下方设置的下固定环上；升降法兰的底面中央设有波纹管上法兰，丝杆座上设有波纹管下法兰，波纹管上法兰与设有波纹管下法兰之间固定有防泄漏波纹管。手动丝杆转动时，可以带动丝杆座连同腔内台一起上下移动；通过手动丝杆可以微调腔内台相对于升降台的高度，确保升降法兰与腔体法兰抵接时，腔内台在腔体内的位置准确；由于升降法兰相对于支撑管为可滑动结构，防泄漏波纹管用于防止该处的微波泄漏。

作为优选，观察窗包括四个水平观察窗及两个倾斜观察窗，六个观察窗均两两对称设置，两对水平观察窗分别设置在腔体中部的两个不同高度上且其观察窗的中心线相互垂直，一对倾斜观察窗设置在腔体中部的两个水平观察窗之间；腔体上还对称设有测温孔。观察窗用于观察腔体内基材上的沉积情况；测温孔用于设置温度探头，用于检测腔体内温度，确保腔内温度在工艺要求的范围内。

作为优选，微波转换器的一端连接三螺调配器，微波转换器的另一端连接短路活塞。三螺调配器用于微波源与微波转换器之间的匹配；短路活塞用于反射转换器另一端的微波，使微波转换器的效率最大化。

本实用新型的有益效果是：它有效地解决了现有技术的微波CVD设备结构复杂，且腔体封闭时升降法兰与腔体之间为刚性接触，影响升降机构的寿命、腔体的密封性及容易引起微波的泄漏的问题，本实用新型的等离子体CVD装置具有结构简单，腔体密封性好，微波泄漏少且使用寿命长的优点，具有很高的实用价值。

附图说明

图1是本实用新型等离子体CVD装置的一种结构示意图；

图2是图1的局部结构示意图；

图3是图1的局部结构示意图。

图中：1.机架，2.工作平台，3.腔体，4.微波转换器，5.内导体，6.密封介质板，7.环形进气道，8.进气孔，9.观察窗，10.腔体法兰，11.环形抽气道，12.抽气孔，13.升降台，14.升降法兰，15.腔内台，16.隔离法兰，17.介质窗板，18.窗孔，19.散热孔，20.密封圈，21.环形冷却腔，22.筒形冷却腔，23.外管，24.内管，25.扩水板，26.顶板，27.基座，28.缩径部，29.微波吸收环腔，30.簧片，31.导轨，32.升降座，33.丝杆螺套，34.升降丝杆，35.联轴器，36.电机，37.导柱，38.弹簧，39.导套，40.上固定环，41.导杆，42.手动丝杆，43.丝杆座，44.丝杆螺母，45.导杆套，46.手柄，47.下固定环，48.波纹管上法兰，49.波纹管下法兰，50.防泄漏波纹管；51.测温孔；52.三螺调配器；53.短路活塞，54.管接头，55.套管。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图对本实用新型技术方案的具体实施方式作进一步的说明。

实施例1

在如图1图2及图3所示的实施例1中，一种等离子体CVD装置，设置在机架1上，所述机架的工作平台2上固定有一个圆筒状的腔体3，腔体的顶部设有用于将微波导入腔体内的微波转换器4，微波转换器的前端通过三螺调配器52与微波源连接，微波转换器的后端连接短路活塞53；本实用新型采用频率为2450MHz的大功率微波，通过WR-340的波导管与微波源连接。所述微波转换器包括一伸入腔体的内导体5，内导体的下方设有用于密封腔体上部的密封介质板6，密封介质板为石英玻璃板，密封介质板下方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道7，环形进气道通过环绕腔体均匀布置的进气孔8与腔体连通，腔体中部的外周设有观察窗9，观察窗包括四个水平观察窗及两个倾斜观察窗，六个观察窗均两两对称设置，两对开口较大的水平观察窗分别设置在腔体中部的两个不同高度上且其观察窗的中心线相互垂直，一对开口较小的倾斜观察窗设置在腔体中部的两个水平观察窗之间；腔体上还对称设有两个测温孔51；腔体的下部设有用于腔内台15进出的开口，开口处设有腔体法兰10，腔体法兰上方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形抽气道11，环形抽气道通过环绕腔体布置的抽气孔12与腔体连通，抽气道通过接口与真空泵连接。机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台13及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰14，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，缓冲机构包括固定在升降法兰底面的4根导柱37，导柱上套设有弹簧38，升降台上设有与导柱对应的导套39，导柱穿过所述的导套，其下端固定在升降台下方设置的上固定环40上，升降法兰上设有密封圈20。用于安置基材的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，升降台升起时，腔内台位于腔体中部，升降法兰与腔体法兰抵接并密封腔体，升降台降下时，腔内台通过开口移出腔体外。

密封介质板上方设有隔离法兰16，隔离法兰上设有介质窗板17，介质窗板为石英玻璃材质，介质窗板的中央设有窗孔18，窗孔的直径是内导体直径的4.5倍，隔离法兰的外周设有散热孔19，散热孔的直径小于微波波长的二十分之一，密封介质板的上下两面都设有密封圈。隔离法兰的上下两端与腔体的连接面上均设有凹槽，凹槽内设有防止微波泄漏的簧片，所述簧片为铍青铜材质且表面镀金处理。

腔体的外壁上设有水冷机构，所述的水冷机构包括设置在密封介质板与环形进气道之间的环形冷却腔21、设置在介质窗板上方及环形进气道下方的筒形冷却腔22；环形冷却腔的进水口与出水口并列设置且两者之间设有隔板，形成环形的水流冷却通道；上下两个筒形冷却腔的进水口均位于筒形冷却腔的下部，出水口位于筒形冷却腔的上部，形成下进水、上出水的水流冷却通道，所有的进水口与出水口均通过管接头54连接冷却水循环系统。

腔内台为中空结构，底部设有开口，开口处连接所述的支撑管，支撑管包括同轴设置的外管23及内管24，外管的顶端固定在腔内台底部的开口处且其开口与腔内台为中空部分连通；内管的顶端靠近腔内台的中空结构顶部且外周设有向外延伸的扩水板25，内管的下端设有进水口，外管的下端设有出水口，实际工作时冷却水从内管的底部进入，向上到达扩水板的上方，对腔内台进行充分冷却后由外管向下，从外管的底部流出。

腔体为上小下大的三段式阶梯形结构，所述的内导体与密封介质板位于腔体的上段，进气孔位于腔体的中段的上部，观察窗位于腔体的中段，所述的抽气孔位于腔体的下段，腔体的中段内壁与下段内壁之间采用锥形面过渡。腔内台为上小下大的阶梯结构，包括位于顶端的顶板26及位于顶板下方的基座27，基座的外径与腔体中段的内径相适配，基座上部与顶板的连接处设有缩径部28，防泄漏装置包括设置在基座中部外周且下端开口的微波吸收环腔29，基座的下部外周设有环形槽，环形槽内设有防止微波泄漏的簧片30，升降台升起时，簧片与腔体的中段下部内壁抵接，簧片为铍青铜材质且表面镀金处理。

升降机构包括竖直设置在机架上的导轨31，导轨上设有升降座32，所述的升降台固定在升降座上，升降座上设有丝杆螺套33，丝杆螺套与竖直设置的升降丝杆34螺接，升降丝杆的下端通过联轴器35与固定在机架上的电机36连接，丝杆的上端枢接在机架的工作平台上，升降机构还包括限位开关，所述限位开关连接电机。电机转动时，通过丝杆螺套带动升降座、升降法兰及腔内台上下移动，升降座上升时，升降法兰用于密封腔体 ，腔内台及腔内台上的基材则进入腔体的中部；升降座下降时，腔内台离开腔体，便于更换腔内台上的基材。

升降机构上设有腔内台高度微调装置，所述腔内台高度微调装置包括设置在升降台底面的3根导杆41及一根手动丝杆42，升降台的下方设有丝杆座43，丝杆座上设有丝杆螺母44及导杆套45，手动丝杆与丝杆螺母螺接且其上端枢接在升降台上，手动丝杆的下端设有手柄46，所述导杆穿过所述的导杆套，其下端固定在丝杆座下方设置的下固定环47上；升降法兰的底面中央设有波纹管上法兰48，升降法兰及波纹管上法兰与外管之间设有聚四氟乙烯材质的套管55，波纹管下法兰与支撑管之间设有密封圈，丝杆座上设有波纹管下法兰49，波纹管上法兰与设有波纹管下法兰之间固定有防泄漏波纹管50。

实施例2

实施例2的筒形冷却腔内设有环绕腔体的螺旋状隔板（图中未画出），螺旋状隔板之间构成螺旋水道，其余和实施例1相同。

除上述实施例外，在本实用新型的权利要求书及说明书所公开的范围内，本实用新型的技术特征或技术数据可以进行重新选择及组合，从而构成新的实施例，这些都是本领域技术人员无需进行创造性劳动即可实现的，因此这些本实用新型没有详细描述的实施例也应视为本实用新型的具体实施例而在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种等离子体CVD装置，设置在机架（1）上，其特征是，所述机架的工作平台（2）上固定有一个圆筒状的腔体（3），腔体的顶部设有用于将微波导入腔体内的微波转换器（4），所述微波转换器包括一伸入腔体的内导体（5），内导体的下方设有用于密封腔体上部的密封介质板（6），密封介质板下方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道（7），环形进气道通过环绕腔体布置的进气孔（8）与腔体连通，腔体中部的外周设有若干观察窗（9），腔体的下部设有开口，开口处设有腔体法兰（10），腔体法兰上方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形抽气道（11），环形抽气道通过环绕腔体布置的抽气孔（12）与腔体连通，腔体的外壁上设有水冷机构，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台（13）及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰（14），升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔内台（15）通过支撑管固定在升降台上，腔内台为中空结构，升降机构上设有腔内台高度微调装置，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔内台的下部设有防泄漏装置，升降台升起时，腔内台位于腔体中部，升降法兰与腔体法兰抵接并密封腔体，升降台降下时，腔内台通过开口移出腔体外。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，密封介质板上方设有隔离法兰（16），隔离法兰上设有介质窗板（17），介质窗板的中央设有窗孔（18），窗孔的直径是内导体直径的3.5-5.5倍，隔离法兰的外周设有散热孔（19），散热孔的直径小于微波波长的二十分之一，密封介质板的上下两面都设有密封圈（20）。

3.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，水冷机构包括设置在密封介质板与环形进气道之间的环形冷却腔（21）、设置在介质窗板上方及环形进气道下方的筒形冷却腔（22）；环形冷却腔的进水口与出水口并列设置且两者之间设有隔板；筒形冷却腔的进水口位于筒形冷却腔的下部，出水口位于筒形冷却腔的上部。

4.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，腔内台的中空结构底部设有开口，开口处连接所述的支撑管，所述支撑管包括同轴设置的外管（23）及内管（24），外管的顶端固定在腔内台底部的开口处，内管的顶端靠近腔内台的中空结构顶部且外周设有向外延伸的扩水板（25），内管的下端设有进水口，外管的下端设有出水口。

5.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，腔体为上小下大的三段式阶梯形结构，所述的内导体与密封介质板位于腔体的上段，进气孔及观察窗位于腔体的中段，所述的抽气孔位于腔体的下段，腔体的中段内壁与下段内壁之间采用锥形面过渡。

6.根据权利要求5所述的等离子体CVD装置，其特征在于，所述的腔内台为上小下大的阶梯结构，包括位于顶端的顶板（26）及位于顶板下方的基座（27），基座的外径与腔体中段的内径相适配，基座上部与顶板的连接处设有缩径部（28），防泄漏装置包括设置在基座中部外周且下端开口的微波吸收环腔（29），基座的下部外周设有环形槽，环形槽内设有防止微波泄漏的簧片（30），升降台升起时，簧片与腔体的中段下部内壁抵接。

7.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，升降机构包括竖直设置在机架上的导轨（31），导轨上设有升降座（32），所述的升降台固定在升降座上，升降座上设有丝杆螺套（33），丝杆螺套与竖直设置的升降丝杆（34）螺接，升降丝杆的下端通过联轴器（35）与固定在机架上的电机（36）连接，丝杆的上端枢接在机架的工作平台上。

8.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，缓冲机构包括固定在升降法兰底面的3-4根导柱（37），导柱上套设有弹簧（38），升降台上设有与导柱对应的导套（39），导柱穿过所述的导套，其下端固定在升降台下方设置的上固定环（40）上，升降法兰上设有密封圈。

9.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，所述腔内台高度微调装置包括设置在升降台底面的3根导杆（41）及一根手动丝杆（42），升降台的下方设有丝杆座（43），丝杆座上设有丝杆螺母（44）及导杆套（45），手动丝杆与丝杆螺母螺接且其上端枢接在升降台上，手动丝杆的下端设有手柄（46），所述导杆穿过所述的导杆套，其下端固定在丝杆座下方设置的下固定环（47）上；升降法兰的底面中央设有波纹管上法兰（48），丝杆座上设有波纹管下法兰（49），波纹管上法兰与设有波纹管下法兰之间固定有防泄漏波纹管（50）。

10.根据权利要求1-9任一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，观察窗包括四个水平观察窗及两个倾斜观察窗，六个观察窗均两两对称设置，两对水平观察窗分别设置在腔体中部的两个不同高度上且其观察窗的中心线相互垂直，一对倾斜观察窗设置在腔体中部的两个水平观察窗之间；腔体上还对称设有测温孔（51）；微波转换器的一端连接三螺调配器（52），微波转换器的另一端连接短路活塞（53）。

Images