CN113913780A

CN113913780A - 等离子体cvd设备

Info

Publication number: CN113913780A
Application number: CN202111164996.6A
Authority: CN
Inventors: 赵月
Original assignee: New Advantage Industry Group Co ltd
Current assignee: New Advantage Industry Group Co ltd
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2021-09-30
Publication date: 2022-01-11

Abstract

本发明公开了一种等离子体CVD设备，腔体包括由底板、侧壁及壁及顶盖围合构成的内腔，侧壁内设有侧壁冷却腔，顶盖上设有均匀进气装置，底板上设有均匀排气装置，内腔的下部设有用于放置基材的平台，平台内部设有平台冷却腔，机架上的微波源与波导同轴转换装置连接，波导同轴转换装置的同轴输出端外导体与底板上的微波输入孔连接，内导体与平台冷却腔底部的开口相连，内导体内套设有冷却液输入管。本发明的等离子体CVD设备具有结构简单，效率高、基材取放操作方便且腔体体积小的优点。

Description

等离子体CVD设备

技术领域

本发明属于化学气相沉积设备技术领域，具体涉及一种等离子体CVD设备。

背景技术

化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入腔体内进行加热，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。现有技术的等离子体CVD设备其微波通常从腔体顶部输入，由于沉积平台设置在腔体的底部，因此这种结构的微波输入端与沉积平台很远，微波的利用率不高；另一方面，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体无法向上开启，而只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难，影响了工作效率。此外，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体竖向尺寸较长，体积较大。公开日为2020年2月18日，公开号为CN110804732A的中国专利文件公开了一种等离子体CVD装置，机架的工作平台上固定有一个圆筒状的腔体，腔体的顶部设有微波转换器，腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道及环形抽气道，腔体中部的外周设有若干观察窗，腔体的下部设有开口，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔平台通过支撑管固定在升降台上，腔平台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔平台的下部设有防泄漏装置。但这种等离子体CVD装置的微波从腔体顶部输入，由于沉积平台设置在腔体的底部，因此这种结构的微波输入端与沉积平台很远，微波的利用率不高；另一方面，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体无法向上开启，而只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难，影响了工作效率。此外，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体竖向尺寸较长，体积较大。

发明内容

本发明的目的是为解决现有技术等离子体CVD设备存在微波利用率不高，效率较低及只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难、影响工作效率且腔体竖向尺寸较长，体积大的问题，提供一种等离子体CVD设备，具有微波利用率高、基材取放操作方便且腔体体积小的优点。

本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是，一种等离子体CVD设备，包括机架及设置在机架上的腔体，所述腔体包括底板、可开启地设置在底板上的圆筒状侧壁及固定在侧壁上端的顶盖，底板、侧壁及顶盖围合构成所述腔体的内腔，侧壁内设有侧壁冷却腔，顶盖上设有均匀进气装置，底板上设有均匀排气装置，内腔的下部设有用于放置基材的平台，所述平台通过绝缘支撑环设置在底板上，平台内部设有平台冷却腔，平台冷却腔的底部设有开口，底板的中部设有微波输入孔；所述的机架上设有微波源，所述的微波源与波导同轴转换装置连接，所述波导同轴转换装置的同轴输出端的外导体与底板上的微波输入孔连接，同轴输出端的内导体为中空结构，内导体内套设有冷却液输入管，内导体的内壁与冷却液输入管的外壁之间构成冷却液输出通道，所述的内导体穿过微波输入孔与平台冷却腔底部的开口相连，所述冷却液输入管的上端位于平台冷却腔内。

本发明的腔体由底板、可开启地设置在底板上的圆筒状侧壁及固定在侧壁上端的顶盖围合构成内腔，用于放置基材的平台设置在内腔的下部，平台内部设有平台冷却腔，平台冷却腔的底部设有开口，底板的中部设有微波输入孔，微波输入部分包括微波源及波导同轴转换装置，波导同轴转换装置的同轴输出端的外导体与底板上的微波输入孔连接，同轴输出端的内导体穿过底板上的微波输入孔与平台冷却腔底部的开口连接；这样，平台除了用于放置基材外，还作为腔体中的微波辐射元件；而内导体除作为微波输入元件外，还在内部套设了冷却液输入管，即同时作为冷却液管道使用。与现有技术的微波从腔体顶部输入不同，本发明的微波从微波源经过波导同轴转换装置后从腔体的底部输入，其中平台以天线发射的形式将微波直接导入腔体，使腔内气体在平台上方形成等离子体，使腔内的化学气相沉积物集中于平台的基材上。由于本发明的平台同时用作基材放置平台及微波辐射元件，因此微波的利用率很高；同时，这种结构还可以改善腔内的微波辐射场形状，改善腔内的等离子体的分布结构，有利于腔内的化学气相沉积。另一方面，由于发明与微波输入相关的部件设置在腔体的下方，因此本发明的腔体可以向上开启，即在保持底板不动的情况下，将侧壁及顶盖从底板上升起，使放置基材的内台完全露出，这样就大大方便了基材的取放，解决了现有腔体只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难、影响工作效率的问题。此外，由于平台用作腔体中的微波辐射元件，因此省去了现有技术中设置在腔体顶部的微波转换部件，腔体的竖向尺寸大大缩短，使得腔体体积显著缩小，解决了现有技术的腔体竖向尺寸较长，体积大的问题。同时，由于本发明在平台中设置了平台冷却腔，利用中空结构的微波输入元件内导体作为平台的冷却通道，可以对腔内平台进行充分的冷却，大大提高了平台的冷却效果。

作为优选，波导同轴转换装置为呈十字形的四端口结构，所述的微波源通过调配器与波导同轴转换装置连接，波导同轴转换装置上与波导管相对的一侧设有波导短路活塞，与同轴输出端相对的一侧设有同轴短路段，所述的内导体穿过同轴短路段且与同轴短路段下端的短路板电连接。本发明采用同轴输入方式代替现有技术中通常采用的波导探针输入方式，使微波场集中于平台附近，不但可以提高效率，而且大大缩短了腔体的竖向高度，缩小了腔体体积。波导短路活塞及同轴短路段均用于调节波导同轴转换装置的技术参数，使其满足转换要求。

作为优选，内导体与同轴短路段的短路板滑动连接，短路板上设有簧片槽，簧片槽内设有簧片，所述内导体通过簧片与同轴短路段的短路板滑动连接；短路板下方的内导体延伸段上设有压紧螺母，压紧螺母与短路板之间设有弹簧。在内导体与短路板之间设置簧片，可以确保内导体与短路板之间接触良好；压紧螺母与弹簧配合，用于将平台压紧于绝缘环上，确保平台稳定可靠。

作为优选，内导体的下端与平台冷却接头连接，平台冷却接头上设有平台冷却腔进液口和平台冷却腔出液口；所述的平台冷却腔进液口与冷却液输入管连接，所述的平台冷却腔出液口与冷却液输出通道连接；冷却液输入管的顶端设有环形扩散板，所述环形扩散板设置在平台冷却腔高度方向的中部。在冷却液输入管的顶端设置环形扩散板，可以确保输入的冷却液首先与平台冷却腔的顶部接触，从而提高平台上部（基材放置处）的冷却效果。

作为优选，平台的顶部中央嵌设有散热板，所述散热板构成所述平台冷却腔的腔顶，散热板的上表面与平台的顶面在同一平面上，散热板的外周与平台之间设有密封圈。在平台的顶部中央嵌设材质的导热性能比平台更好的散热板，可以提高平台上表面的散热效果；密封圈可以防止平台冷却腔内的冷却液进入内腔。

作为优选，平台为圆形的平板状结构，平台的上表面及下表面均与底板的上表面平行，所述外导体的内径与微波输入孔的直径相同，微波输入孔的上沿设有倒角；所述的绝缘环为石英玻璃，绝缘环的上下两端分别嵌设在平台及底板上，绝缘环与平台及底板之间均设有密封环。在微波输入孔的上沿设置倒角可以改善微波的输入匹配指标；石英玻璃具有绝缘与耐高温的特点，可以满足腔内高温下的绝缘要求；而密封环可以使内腔与外界隔离，确保腔体的密封性能。

作为优选，内腔为上小下大的阶体轴结构，包括上腔与下腔，上腔与下腔之间通过锥面段过渡连接，用于放置基材的平台设置在下腔的中部，腔体的侧壁上设有若干贯穿侧壁的观察窗，所述的观察窗包括水平观察窗及倾斜观察窗，腔体的侧壁上还设有测温孔。上小下大的内腔结构及上、下腔之间的锥面段过渡结构可以从整体上完善腔内的微波辐射场形状，完善腔内的等离子体的分布结构，有利于腔内的化学气相沉积。观察窗用于观察腔内基材上的沉积情况，通常为3-6个，水平或倾斜设置；测温孔用于设置温度探头，用于检测腔内的工作温度，确保腔内温度在化学气相沉积工艺要求的范围内。

作为优选，侧壁为双层结构，侧壁冷却腔包括位于侧壁上部的环形腔及位于侧壁下部且与环形腔连通的筒形腔，侧壁冷却腔进液口设置在筒形腔的底部，侧壁冷却腔出液口设置在环形腔的顶部；侧壁的底部设有支撑圈，侧壁冷却腔的进液口设置在支撑圈上，支撑圈的底面与底板之间设有密封圈。双层结构的侧壁便于构成侧壁冷却腔，而设置与内腔形状及腔内温度分布适配的环形水冷腔和筒形水冷腔，可以使腔体的散热效果达到最佳。另外在侧壁的底部设置支撑圈可以增加侧壁与底板的接触面积，确保腔体结构的稳定及密封。

作为优选，顶盖上设有凹腔，凹腔处设有顶盖冷却腔，顶盖冷却腔内竖直设有进液管，所述进液管的上端开口位于顶盖冷却腔的顶部，进液管的下端开口靠近顶盖冷却腔的底部，进液管的底端设有导流板，所述导流板与顶盖冷却腔的底面平行，顶盖冷却腔的排液口设置在顶盖冷却腔的顶部。顶盖冷却腔用于对顶盖进行冷却，可以提升腔体的整体冷却效果。

作为优选，顶盖底面中央设有与侧壁配合的下凸台，所述的均匀进气装置包括设置在下凸台底面呈环形的进气扩散槽，所述进气扩散槽与设置在顶盖上的进气口连通，进气扩散槽的槽口设有盖板，沿盖板的周向均匀设有进气孔；所述的均匀排气装置包括环绕底板上的微波输入孔均匀布置的排气孔，底板的底面设有覆盖所述排气孔的集气槽，所述的集气槽上设有排气口。在顶盖底面设置下凸台，并在下凸台的底面设置与进气口连通的进气扩散槽，则进入腔体的混合气体可以均匀地分散到进气扩散槽中，并通过进气扩散槽盖板上的进气孔均匀进入内腔，确保腔内混合气体分布均匀。排气时腔内的气体通过均匀分布的排气孔进入集气槽，再由排气口集中排出。另外，在顶盖与侧壁顶面之间设置簧片用于防止微波泄漏。

本发明的有益效果是：它有效地解决了现有技术等离子体CVD设备存在微波利用率不高，效率较低及只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难、影响工作效率且腔体竖向尺寸较长，体积较大的问题，本发明的等离子体CVD设备具有结构简单，效率高、基材取放操作方便且腔体体积小的优点，具有很高的实用价值。

附图说明

图1是本发明等离子体CVD设备的一种剖视图；

图中：1.机架，2.底板，3.侧壁，4.顶盖，5.平台，6.绝缘支撑环，7.平台冷却腔，8.微波输入孔，9.微波源，10.波导同轴转换装置，11.外导体，12.内导体，13.冷却液输入管，14.冷却液输出通道，15.调配器，16.波导短路活塞，17.同轴短路段，18.短路板,19. 簧片槽，20.簧片，21.压紧螺母，22.弹簧，23.平台冷却接头，24.平台冷却腔进液口,25.平台冷却腔出液口，26.环形扩散板，27.散热板， 28.倒角，29.密封环， 30.上腔，31.下腔，32.锥面段，33.水平观察窗，34.倾斜观察窗，35.环形腔，36.筒形腔，37. 侧壁冷却腔进液口，38.侧壁冷却腔出液口，39.支撑圈，40.密封圈，41.顶盖冷却腔，42.进液管，43.导流板，44.排液口，45.进气扩散槽，46.进气口，47.盖板，48.进气孔，49.排气孔，50.集气槽，51.排气口。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图对本发明技术方案的具体实施方式作进一步的说明。

实施例1

在如图1所示的实施例1中，一种等离子体CVD设备，包括机架1及设置在机架上的腔体，所述腔体包括底板2、可开启地设置在底板上的圆筒状侧壁3及固定在侧壁上端的顶盖4，底板、侧壁及顶盖围合构成所述腔体的内腔，侧壁为双层结构，侧壁内设有侧壁冷却腔，侧壁冷却腔包括位于侧壁上部的环形腔35及位于侧壁下部且与环形腔连通的筒形腔36，侧壁冷却腔进液口37设置在筒形腔的底部，侧壁冷却腔出液口38设置在环形腔的顶部；侧壁的底部设有支撑圈39，侧壁冷却腔的进液口设置在支撑圈上，支撑圈的底面与底板之间设有密封圈40。顶盖上设有均匀进气装置，顶盖底面中央设有与侧壁配合的下凸台，所述的均匀进气装置包括设置在下凸台底面呈环形的进气扩散槽45，所述进气扩散槽与设置在顶盖上的进气口46连通，进气扩散槽的槽口设有盖板47，沿盖板的周向均匀设有进气孔48。底板上设有均匀排气装置，所述的均匀排气装置包括环绕底板上的微波输入孔均匀布置的排气孔49，底板的底面设有覆盖所述排气孔的集气槽50，所述的集气槽上设有排气口51。

本实施例内腔的下部设有用于放置基材的平台5，所述平台通过绝缘支撑环6设置在底板上，所述的绝缘环为石英玻璃，绝缘环的上下两端分别嵌设在平台及底板上，绝缘环与平台及底板之间均设有密封环29。平台为圆形的平板状结构，平台的上表面及下表面均与底板的上表面平行，平台内部设有平台冷却腔7，平台冷却腔的底部设有开口，平台的顶部中央嵌设有散热板27，所述散热板构成所述平台冷却腔的腔顶，散热板的上表面与平台的顶面在同一平面上，散热板的外周与平台之间设有密封圈。底板的中部设有微波输入孔8；所述的机架上设有微波源9，微波源采用频率为2450MHz的大功率微波，通过WR-340的波导管、三螺调配器15与波导同轴转换装置10连接，所述波导同轴转换装置的同轴输出端的外导体11与底板上的微波输入孔连接，所述外导体的内径与微波输入孔的直径相同，微波输入孔的上沿设有倒角28。同轴输出端的内导体12为中空结构，内导体内套设有冷却液输入管13，内导体的内壁与冷却液输入管的外壁之间构成冷却液输出通道14，所述的内导体上端穿过微波输入孔与平台冷却腔底部的开口相连，所述冷却液输入管的上端位于平台冷却腔内。内导体的下端与平台冷却接头23连接，平台冷却接头上设有平台冷却腔进液口24和平台冷却腔出液口25；所述的平台冷却腔进液口与冷却液输入管连接，所述的平台冷却腔出液口与冷却液输出通道连接；冷却液输入管的顶端设有环形扩散板26，所述环形扩散板设置在平台冷却腔高度方向的中部。

本实施例的波导同轴转换装置为呈十字形的四端口结构，波导同轴转换装置上与波导管相对的一侧设有波导短路活塞16，与同轴输出端相对的一侧设有同轴短路段17，所述的内导体穿过同轴短路段且与同轴短路段下端的短路板18电连接。内导体与同轴短路段的短路板滑动连接，短路板上设有簧片槽19，簧片槽内设有簧片20，所述内导体通过簧片与同轴短路段的短路板滑动连接；短路板下方的内导体延伸段上设有压紧螺母21，压紧螺母与短路板之间设有弹簧22。

本实施例的内腔为上小下大的阶体轴结构，包括上腔30与下腔31，上腔与下腔之间通过锥面段32过渡连接，用于放置基材的平台设置在下腔的中部，腔体的侧壁上设有若干贯穿侧壁的观察窗，所述的观察窗包括两个水平观察窗33及两个倾斜观察窗34，腔体的侧壁上还设有测温孔，测温孔内设有温度探头。

本实施例的顶盖上还设有凹腔，凹腔处设有顶盖冷却腔41，顶盖冷却腔内竖直设有进液管42，所述进液管的上端开口位于顶盖冷却腔的顶部，进液管的下端开口靠近顶盖冷却腔的底部，进液管的底端设有导流板43，所述导流板与顶盖冷却腔的底面平行，顶盖冷却腔的排液口44设置在顶盖冷却腔的顶部；顶盖与侧壁顶面之间设有用于防止微波泄漏的簧片。

本发明的腔体由底板、可开启地设置在底板上的圆筒状侧壁及固定在侧壁上端的顶盖围合构成内腔，用于放置基材的平台设置在内腔的下部，平台内部设有平台冷却腔，平台冷却腔的底部设有开口，底板的中部设有微波输入孔，微波输入部分包括微波源及波导同轴转换装置，波导同轴转换装置的同轴输出端的外导体与底板上的微波输入孔连接，同轴输出端的内导体穿过底板上的微波输入孔与平台冷却腔底部的开口连接；这样，平台除了用于放置基材外，还作为腔体中的微波辐射元件；而内导体除作为微波输入元件外，还在内部套设了冷却液输入管，即同时作为冷却液管道使用。与现有技术的微波从腔体顶部输入不同，本发明的微波从微波源经过波导同轴转换装置后从腔体的底部输入，其中平台以天线发射的形式将微波直接导入腔体，对腔体抽真空并送入混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）时，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。由于本发明的平台同时用作基材放置平台及微波辐射元件，因此微波的利用率很高；同时，这种结构还可以改善腔内的微波辐射场形状，改善腔内的等离子体的分布结构，有利于腔内的化学气相沉积。另一方面，由于发明与微波输入相关的部件设置在腔体的下方，因此本发明的腔体可以向上开启，即在保持底板不动的情况下，将侧壁及顶盖从底板上升起，使放置基材的内台完全露出，这样就大大方便了基材的取放。此外，由于平台用作腔体中的微波辐射元件，因此省去了现有技术中设置在腔体顶部的微波转换部件，腔体的竖向尺寸大大缩短，使得腔体体积显著缩小。同时，由于本发明在平台中设置了平台冷却腔，利用中空结构的微波输入元件内导体作为平台的冷却通道，可以对腔内平台进行充分的冷却，大大提高了平台的冷却效果。

除上述实施例外，在本发明的权利要求书及说明书所公开的范围内，本发明的技术特征或技术数据可以进行重新选择及组合，从而构成新的实施例，这些都是本领域技术人员无需进行创造性劳动即可实现的，因此这些本发明没有详细描述的实施例也应视为本发明的具体实施例而在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种等离子体CVD设备，包括机架（1）及设置在机架上的腔体，其特征是，所述腔体包括底板（2）、可开启地设置在底板上的圆筒状侧壁（3）及固定在侧壁上端的顶盖（4），底板、侧壁及顶盖围合构成所述腔体的内腔，侧壁内设有侧壁冷却腔，顶盖上设有均匀进气装置，底板上设有均匀排气装置，内腔的下部设有用于放置基材的平台（5），所述平台通过绝缘支撑环（6）设置在底板上，平台内部设有平台冷却腔（7），平台冷却腔的底部设有开口，底板的中部设有微波输入孔（8）；所述的机架上设有微波源（9），所述的微波源与波导同轴转换装置（10）连接，所述波导同轴转换装置的同轴输出端的外导体（11）与底板上的微波输入孔连接，同轴输出端的内导体（12）为中空结构，内导体内套设有冷却液输入管（13），内导体的内壁与冷却液输入管的外壁之间构成冷却液输出通道（14），所述的内导体穿过微波输入孔与平台冷却腔底部的开口相连，所述冷却液输入管的上端位于平台冷却腔内。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述的波导同轴转换装置为呈十字形的四端口结构，所述的微波源通过调配器（15）与波导同轴转换装置连接，波导同轴转换装置上与波导管相对的一侧设有波导短路活塞（16），与同轴输出端相对的一侧设有同轴短路段（17），所述的内导体穿过同轴短路段且与同轴短路段下端的短路板（18）电连接。

3.根据权利要求2所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述内导体与同轴短路段的短路板滑动连接，短路板上设有簧片槽（19），簧片槽内设有簧片（20），所述内导体通过簧片与同轴短路段的短路板滑动连接；短路板下方的内导体延伸段上设有压紧螺母（21），压紧螺母与短路板之间设有弹簧（22）。

4.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述内导体的下端与平台冷却接头（23）连接，平台冷却接头上设有平台冷却腔进液口（24）和平台冷却腔出液口（25）；所述的平台冷却腔进液口与冷却液输入管连接，所述的平台冷却腔出液口与冷却液输出通道连接；冷却液输入管的顶端设有环形扩散板（26），所述环形扩散板设置在平台冷却腔高度方向的中部。

5.根据权利要求4所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述平台的顶部中央嵌设有散热板（27），所述散热板构成所述平台冷却腔的腔顶，散热板的上表面与平台的顶面在同一平面上，散热板的外周与平台之间设有密封圈。

6.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述的平台为圆形的平板状结构，平台的上表面及下表面均与底板的上表面平行，所述外导体的内径与微波输入孔的直径相同，微波输入孔的上沿设有倒角（28）；所述的绝缘环为石英玻璃，绝缘环的上下两端分别嵌设在平台及底板上，绝缘环与平台及底板之间均设有密封环（29）。

7.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述内腔为上小下大的阶体轴结构，包括上腔（30）与下腔（31），上腔与下腔之间通过锥面段（32）过渡连接，用于放置基材的平台设置在下腔的中部，腔体的侧壁上设有若干贯穿侧壁的观察窗，所述的观察窗包括水平观察窗（33）及倾斜观察窗（34），腔体的侧壁上还设有测温孔。

8.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述的侧壁为双层结构，侧壁冷却腔包括位于侧壁上部的环形腔（35）及位于侧壁下部且与环形腔连通的筒形腔（36），侧壁冷却腔进液口（37）设置在筒形腔的底部，侧壁冷却腔出液口（38）设置在环形腔的顶部；侧壁的底部设有支撑圈（39），侧壁冷却腔的进液口设置在支撑圈上，支撑圈的底面与底板之间设有密封圈（40）。

9.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备，其特征在于，所述顶盖上设有凹腔，凹腔处设有顶盖冷却腔（41），顶盖冷却腔内竖直设有进液管（42），所述进液管的上端开口位于顶盖冷却腔的顶部，进液管的下端开口靠近顶盖冷却腔的底部，进液管的底端设有导流板（43），所述导流板与顶盖冷却腔的底面平行，顶盖冷却腔的排液口（44）设置在顶盖冷却腔的顶部。

10.根据权利要求1-9任一项所述的等离子体CVD设备，其特征在于，顶盖底面中央设有与侧壁配合的下凸台，所述的均匀进气装置包括设置在下凸台底面呈环形的进气扩散槽（45），所述进气扩散槽与设置在顶盖上的进气口（46）连通，进气扩散槽的槽口设有盖板（47），沿盖板的周向均匀设有进气孔（48）；所述的均匀排气装置包括环绕底板上的微波输入孔均匀布置的排气孔（49），底板的底面设有覆盖所述排气孔的集气槽（50），所述的集气槽上设有排气口（51）。