CN114669452B - 一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质，超薄芯片背胶涂覆方法包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。本申请具有可以对经过DBG工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。

Description

一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质

技术领域

本申请涉及半导体封装的领域，尤其是涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质。

背景技术

十九世纪五十年代，随着晶体管的发明，人类社会迎来了信息时代。遵循着摩尔定律晶圆制备工艺从最初的几十微米发展到了现在的几纳米，封装工艺也从开始的双列直插封装、小外形封装等传统封装发展到了目前的晶圆级封装、3D封装等先进封装。

伴随着手机、电脑等消费类电子产品多功能、小型化、低能耗的多样化趋势，封装后的芯片要求具备轻、薄、短、小的特点。因此晶圆级封装中芯片的研磨厚度也从开始的几百微米发展到了现在的几十微米。

目前常规的晶圆级封装工艺完成芯片正面的bumping后先将晶圆研磨到目标厚度，然后贴背胶对晶圆背面进行保护，最后再将晶圆切割成单颗芯片；但针对超薄芯片，晶圆在研磨过程、背胶贴膜、背胶烘烤、背面打标、划片贴膜等过程中极易造成晶圆裂片、隐裂等严重异常。目前解决这一问题的有效方法为采用先切后磨的DBG工艺（Dicing beforeGrinding），即先将晶圆切割到目标厚度以下，然后通过研磨到目标厚度使晶圆自动分离为单颗芯片。此方法目前存在的一个问题为研磨后芯片已分离为单颗芯片，无法再通过背胶或涂覆光刻胶等对芯片背面进行保护。

发明内容

为了可以较好的对经过DBG后的芯片的背面进行喷胶保护，本申请提供一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质。

第一方面，本申请提供的一种超薄芯片背胶涂覆方法采用如下的技术方案：

一种超薄芯片背胶涂覆方法，包括：

将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；

将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；

根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。

如今会采用的对晶圆背面进行封装的方式大都是涂胶平台旋转，胶管将光刻胶滴于晶圆的中心区域，利用涂胶平台的旋转来将光刻胶均匀的附着在晶圆背面。但是在当采用DBG工艺对晶圆进行分割后，旋转的涂胶平台极其容易使附着于涂胶平台上的芯片在离心力的作用下被甩飞，同时由于分割的芯片之间有间隔，导致胶液无法顺畅的在晶圆的背面进行流动，同时也会导致胶液渗入至芯片正面而导致芯片失效，因此传统的工艺无法满足这种涂胶的需求。而采用涂胶平台固定以及涂胶喷头移动的方式可以有效地改正芯片受力甩飞的情况，同时使涂胶喷头喷出雾状胶液的方式可以较为均匀的将胶液喷洒在芯片的背面以附着形成背胶，较好的改善了传统的DBG工艺无法形成芯片背胶的技术缺陷。

优选的，判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：

获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；

根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；

根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；

在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。

通过采用上述技术方案，雾状胶液是在涂胶喷头处向外辐射喷出的，喷出涂胶喷头的胶液会大致形成一个圆锥状，且同一单位时间下喷出涂胶喷头的胶液会大致组成一个球面，因此当涂胶喷头上的胶液喷射至一平面上时，越靠近涂胶喷头竖直投影区域的胶液量相较于四周会更大。因此采用这种边沿覆盖重复喷涂的方式可以使胶液覆盖较少的区域可以被二次重复喷涂，而第一喷涂区域中的胶液在喷涂过程中大致会满足厚度均匀的要求，从而使得喷涂厚度较薄的区域可以在多次喷涂的作用下增厚，也不会影响第一喷涂区域中的喷涂厚度。

优选的，确定第一喷涂区域的方法包括：

获取芯片的列宽信息；

根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；

根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；

将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；

根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；

其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。

通过采用上述技术方案，可以将第一喷涂区域尽可能的覆盖完整的芯片，使得第一喷涂区域的边沿可以落在芯片与芯片之间的间隔处，从而使单一的芯片不会因为处于边界的分界处而产生相对不均匀的情况。同时，第一喷涂区域的范围的界定也与夹角相同，因此通过夹角的判断也可以较好的对第一喷涂区域进行界定，同时通过改变垂直距离也可以改变第一喷涂区域在晶圆上的投影范围。

优选的，确定喷涂半径的方法包括：

根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息；

根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。

通过采用上述技术方案，通过改变涂胶喷头的压力可以改变喷涂半径的大小，从而改变喷涂范围，通过改变压力可以在尽量不影响第一喷涂区域大小的情况下增大喷涂范围，从而使喷涂范围的边界可以落在芯片与芯片之间的间隔处。

优选的，获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息；

根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息；

根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息；

根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息；

其中，在第一次进行喷涂的过程中，涂胶喷头的移动轨迹于晶圆上的投影位于晶圆最边沿一行的芯片上。

通过采用上述技术方案，采用这种方式进行设计的轨迹可以满足每一次涂胶喷头的移动都在任意一行的芯片的中线的上方，从而使得每一次采用相同参数进行喷涂的区域的边界点都可以较好的落在芯片与芯片之间的间隔处，从而使芯片背面的背胶覆盖可以较为均匀。

优选的，获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息；

根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息；

根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息；

根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息；

通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。

通过采用上述技术方案，在初次喷涂结束后，由于重叠区域位于喷涂范围的边缘处，喷涂的胶液较薄，因此在检测出厚度差之后，通过高压的雾状胶液快速对重叠区域进行补喷可以对较薄的部分进行补厚。同时，经过计算得到的补喷高度信息也不会影响第一喷涂区域中的背胶厚度。

优选的，在补喷阶段开始之前，任意选择位于第一喷涂区域中的芯片和位于重叠区域中的芯片，并对其芯片背部的背胶厚度进行检测以获取背胶厚度差；

将与芯片大小相同的标记块填补至晶圆的空位中。

通过采用上述技术方案，这种方式可以根据实际的喷涂结果来对应改变补喷阶段时的移动移动速度，同时在检测完毕之后将大小相同的标记块填补至空位中的方式，也可以使补喷阶段的胶液渗入芯片的正面而影响芯片正面的实际使用，使空位周围的芯片可以较好地被得到保护。

优选的，在对每一行进行喷涂之前，获取在对当前行喷涂时的喷涂半径以及喷涂轨迹信息；

获取晶圆的边线信息；

根据晶圆的边线信息、喷涂半径以及喷涂轨迹信息计算涂胶喷头在对每一行进行喷涂时的喷涂起点信息；

其中，当应用所设定的高度信息以及压力信息在喷涂起点对当前行喷涂时，所述喷涂范围完全位于晶圆之外。

通过采用上述技术方案，由于喷涂范围的周向边沿处的喷涂效果较差，但在每一行喷涂的过程中，位于同一行的芯片都会完整的经过涂胶喷头所覆盖的喷涂范围，因此匀速运动的过程中不会造成同一行芯片的背胶的厚度不均。此外，在当喷涂起点及其覆盖的喷涂范围完全位于晶圆之外时，可以使位于边沿处的芯片也可以完整的被喷涂范围扫过，使得边沿处的芯片与该行其他部分的芯片的背胶的均匀性可以保持相近。

第二方面，本申请提供的一种超薄芯片背胶涂覆装置采用如下的技术方案：

一种超薄芯片背胶涂覆装置，包括，

涂胶平台，用于承载载有芯片的磨片膜，经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；

涂胶喷头，用于沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液；

涂胶喷头移动机构，用于根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速移动。

第三方面，本申请提供的一种计算机存储介质，能够存储相应的程序，具有便于实现对经过DBG后的芯片的背面进行喷胶保护的特点，采用如下的技术方案：

一种计算机可读存储介质，存储有能够被处理器加载并执行上述任一种超薄芯片背胶涂覆方法的计算机程序。

综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

1.可以对经过DBG工艺进行切割后的芯片或超薄芯片进行背胶的涂覆；

2.涂覆效果较为均匀，且效率较高，通过重叠流量较低的部分来提高涂覆效率。

附图说明

图1是本发明其中一实施例的涂覆过程的流程示意图。

图2是本发明其中一实施例的涂覆方法的流程示意图。

图3是本发明其中一实施例的确定喷涂范围的流程示意图。

图4是本发明其中一实施例的规划路径时的流程示意图。

图5是本发明其中一实施例的补喷过程的流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图1-5对本申请作进一步详细说明。

本申请实施例公开一种超薄芯片背胶涂覆方法，应用于经过DBG工艺进行切割的晶圆的背胶的涂覆上。该方法通过一涂覆装置实现，该涂覆装置包括用于承载晶圆的涂胶平台、涂胶喷头以及一控制涂胶喷头在三维空间方向上进行运动的涂胶喷头移动机构。其中，涂胶喷头用于与胶桶相连，且涂胶喷头始终位于涂胶平台的上方并向下喷射雾化的胶液。

作为完整的背胶涂覆过程，参照图1，其包括：

STEP1：将经过bumping后的晶圆放置于划片膜上并根据芯片所在的位置进行切割。其中，切割深度为目标研磨厚度+10-30um。

STEP2：将经过切割的晶圆的bump面朝下贴附于磨片膜上。其中，磨片膜采用硬度高且耐高温的树脂膜制成。

STEP3：使用磨片机对晶圆的背面进行研磨并研磨至目标厚度，以使晶圆被分离为若干独立的芯片。其中，芯片之间相互组合仍然保留为晶圆的外形轮廓。

STEP4：将研磨后的晶圆保留在磨片膜上，并将磨片膜的外形轮廓修整为与晶圆的外形轮廓相同的结构。

STEP5：将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上。

STEP6：根据芯片的排列方式使涂胶喷头移动机构控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂。

STEP7：将完成涂覆后的晶圆使用曝光机进行曝光。其中，在掩膜板的作用下，每颗芯片的背胶会变成小分子。

STEP8：将曝光后的晶圆使用单片显影机进行显影，将芯片背部的小分子的背胶显掉形成PIN1圆点，用于后续贴装对位。

STEP9：将显影后的晶圆进行高温固化，使背胶贴在芯片背面进行保护并进行管脚位置识别。

STEP10：将固化后的晶圆进行倒膜，使芯片的bump面朝上。

其中，传统的背胶涂覆装置会要求晶圆固定在一个可以旋转的涂胶平台上，涂胶喷头对应的在涂胶平台的上方喷射胶液，并通过涂胶平台的旋转使胶液可以均匀地附着在晶圆的背板上。但经过DBG工艺后的晶圆会被分为若干个芯片，经过上述方式对芯片的背板涂覆背胶时，会导致单个芯片受到涂胶平台旋转的影响而向外飞出，因此在涂覆的过程中难以对芯片的背部进行背胶的涂覆。

通过STEP1-STEP10可知，采用该种涂覆方式在涂覆过程中涂胶平台并不会进行移动或是转动，而是通过控制涂胶喷头沿着既定的轨迹进行移动并对应喷射雾状的胶液使得每一芯片都可以较为均匀的在背部形成一层背胶，因此该种方式避免了芯片会飞出的情况，更适用于超薄芯片的背胶涂覆上。同样也可知，该方案较为关键的部分即为如何在STEP6中通过控制涂胶喷头来使得各个芯片的背部都可以均匀的涂覆上背胶。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中关于STEP6中对涂胶喷头在涂覆过程中具体的控制方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，如无特殊说明，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。参照图2，所述方法的主要流程描述如下。

步骤S100：获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息。

其中，涂胶喷头采用喷射出雾化状胶液的喷头实现，并且始终位于涂胶平台的上方并向正下方喷射。其中，经过涂胶喷头的胶液大致以锥形的形状向下辐射喷出，同时从涂胶喷头喷出的胶液会在未来的同一时刻中大致位于以涂胶喷头为球心所在的球面上，因此，当涂胶喷头朝向正下方喷射至一平面上时，越靠近涂胶喷头正下方投影的部分的喷射密度更大，并向外扩散而逐渐减少。

由于晶圆位于涂胶平台上，因此涂胶喷头距离晶圆的高度信息即指涂胶喷头与晶圆之间在竖直方向上垂直距离，涂胶喷头的压力信息即为涂胶喷头喷射胶液时通过泵等增压设备对胶液增加的压力，在压力的作用下，胶液会从涂胶喷头的喷口处喷出。

步骤S200：根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心。

其中，在压力保持恒定的情况下，涂胶喷头处喷出的胶液的夹角相同，此时通过改变涂胶喷头与晶圆之间相间隔的高度，可以改变涂胶喷头喷出的液体在晶圆上的喷涂范围（为一圆形区域），并且随着高度的增加，喷涂范围所囊括的区域越大。在保持高度恒定的情况下，通过增大压力可以增大涂胶喷头喷射的角度以及单位时间的喷射量，而涂胶喷头喷射的角度越大，在晶圆上对应的喷涂范围也就越大。

因此，通过压力信息可以对应的得知涂胶喷头的喷口角度，因此通过喷口角度以及高度信息使用三角函数的计算可以对应的换算得到晶圆上的喷涂半径。而涂胶喷头于晶圆上的投影中心即为涂胶喷头于晶圆上的竖直投影点，该投影点可以看为一个质点。

步骤S300：根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域。

其中，在得知投影中心以及对应的喷涂半径时，即可对应模拟出完整的喷涂范围的所在的区域。当该喷涂范围被分为若干个喷涂区域时，越靠近涂胶喷头正下方投影的部分的喷射密度更大，位于中心的喷涂区域的密度会大于外围的其它的喷涂区域的密度，同时，越位于中心的喷涂区域的密度随着半径的增加密度的变化量也越小。因此，通过框定一个较为合理的第一喷涂区域的范围以近似将第一喷涂区域中的喷涂密度看做恒等。

参照图3，对于第一喷涂区域的确定方法，其包括：

步骤S310：获取芯片的列宽信息。

其中，芯片在晶圆中呈矩阵状分布，而芯片的行和列可以通过预先设定的方式被确定，但是在涂覆的过程中，芯片的行和列始终不会发生改变。而芯片的列宽信息即指沿列方向上的芯片的宽度信息，这一般是在芯片设计的过程中即被设定好的，可以通过预先输入的方式或是激光采集的方式得到。

步骤S320：根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息。

其中，在晶圆上，每一行芯片之间都由于被切割而具有一定的间距，而需注意的是，涂胶喷头与晶圆上的投影中心需始终位于芯片列宽的中心线上（即每一行芯片的中心点的连线上，一般来说，经过切割后的芯片的中心点都处于同一直线上），因此，每一个芯片之间的间隔与投影中心的间隔都可以通过列宽信息计算得到。若忽略间距的间隔长度，位于投影中心相邻的间隔与投影中心之间的直线距离为列宽的一半，此外，每向外一个的间距与投影中心之间的距离即只需在此基础上不断加上一个列宽即可。而若需要计算间距的间隔长度，只需在此基础上对应的加上间距的间隔长度即可。

步骤S330：根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息。

其中，在当高度信息与间隔距离信息都可知的情况下，加之高度信息与间隔距离信息之间的夹角始终恒定为90°，因此即可对应的通过计算得知每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息。

步骤S340：将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息。

其中，芯片间隔位置信息指代的是每一行芯片之间的间隔所在的位置，预设的角度信息所对应的即为以涂胶喷头为原点向外辐射在晶圆上构成的第一喷涂区域的范围，一般来说，预设的角度信息会被设定在50°-60°之间，作为可选的一种实施方式，预设的角度信息被选用为60°。而对应于间隔距离信息有多个，因此夹角信息也对应的具有多个。一般来说，预设的角度信息会恰好位于两个夹角信息之间，而最接近的夹角信息即为夹角信息与预设的角度信息之间的差值最小的一个数据，并对应的获取该角度信息所对应的芯片间隔位置信息。

步骤S350：根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同。

从前述可知，通过增大涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离可以增大整体的喷涂范围，对应的，晶圆上某一点至涂胶喷头之间与垂直方向的夹角也会减小。因此应用这个特性，在目标芯片间隔位置信息不变的情况下，通过改变涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离可以改变目标芯片间隔所对应的夹角信息的大小，当夹角信息小于预设的角度信息时，即增加涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，对应的，当夹角信息大于预设的角度信息时，即减小涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离。

因而经过步骤S310-S350步骤后，在保持涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上后，第一喷涂区域于列方向上的顶点始终位于其中一行芯片与另一行芯片之间的间距中，同时，位于第一喷涂区域覆盖的芯片均可以被视为使用单次喷涂即可覆盖至所需的背胶的厚度。

在此基础上，同时可以将喷涂范围于列方向上的顶点也限定在其中一行芯片与另一行芯片之间。具体，其包括：

步骤S360：根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息。

其中，由于间隔距离信息有若干个，喷涂半径在预设的压力信息下以及通过步骤S310-S350设定的高度信息的作用下也为一个可以计算得到的准确值，因此喷涂半径会落入两个相邻的间隔距离信息之间，因此通过与各个间隔距离信息之间进行比较即可得知最接近喷涂半径的间隔距离信息。

步骤S370：根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。

同样的，由涂胶喷头的特性可知，通过调整压力信息可以改变喷涂半径的大小从而改变喷涂范围的大小。因此，当喷涂半径大于所选定的间隔距离信息时，通过减小压力可以将喷涂半径趋近于间隔距离信息，反之，当喷涂半径小于所选定的间隔距离信息时，通过增大压力可以将喷涂半径趋近于间隔距离信息。

因此，在经过步骤S360和S370后，喷涂范围于列方向上的顶点也被限定在其中一行芯片与另一行芯片之间。

步骤S400：对涂胶喷头的进行路径进行规划，其中，在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。

其中，第一喷涂区域中的区域可以近似被看完均匀喷涂的效果，而位于第一喷涂区域外的部分则相比于第一喷涂区域而言喷涂的厚度较薄，因此将第一喷涂区域之外的部分进行重复喷涂。而作为具体的路径规划方法，参照图4，其包括：

步骤S410：获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息。

步骤S420：根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息。

其中，间距信息代表了相邻两次对行进行喷涂的过程中，两根中心线之间的距离，两次喷涂过程中的间距信息由于第一喷涂区域之外的部分受到了重叠，因而实际在计算过程中间距信息即为一次完整的喷涂所对应的喷涂半径加上第一喷涂区域的区域半径信息。

步骤S430：根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息。

其中，若行与行之间的空隙忽略不计，则将间距信息除以列宽信息即可得到间隔行信息。而若间距信息需要考虑行与行之间的间隔的宽度，可以将若干个间隔的宽度去除后再除以列宽信息以得到间隔行信息，同时也可以直接除以列宽信息并向下取整以对应得到间隔行信息。

步骤S440：根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息。

其中，在第一次进行喷涂的过程中，涂胶喷头的移动轨迹于晶圆上的投影位于晶圆最边沿一行的芯片上，并且需要强调的是，涂胶喷头于晶圆上的投影始终位于任意一行芯片的中线上。因此，在对第一行芯片进行喷涂的过程中，通过间隔行信息即可得知下一行所需要进行喷涂的芯片是那一行，以及之后需要对哪几行芯片进行喷涂。

此外，在得知需要对哪几行的晶圆进行喷涂时，对于进一步的路径规划可以是之字形往复，也可以以晶圆的同一侧作为起点进行喷涂，优选采用沿着晶圆的同一侧作为起点进行喷涂，在所有行都匀速喷涂的前提下，相邻行的背胶的干湿程度都会接近相同。

另外，当晶圆上芯片的行数无法恰好满足间隔行信息的倍数时，即无法恰好使晶圆另一端的一行芯片被涂胶喷头正对，因此在规划最后一次涂胶喷头的路径时，需要将涂胶喷头的路径规划至晶圆的外侧（即假定晶圆沿着行的方向会向外延伸）以完成最后一次喷涂，以使第一喷涂区域之外的区域可以完整的在晶圆的边界喷涂两次以完成所需的喷涂需求。

步骤S500：对喷涂后的晶圆进行烘干。

在经过该步骤后，喷涂于晶圆上的胶液会被初步烘干。但该步骤也可以直接省略，通过在涂胶平台上附带加热功能即可在对胶液进行喷涂的过程中同步对胶液进行加热烘干。这种方式可以能将喷涂在芯片背面的胶液同步进行快速烘干，使其快速凝固在芯片背面，避免胶液通过间隙渗入至芯片侧面和正面而对芯片造成影响。

而在沿着步骤S440所规划的路径对晶圆进行喷涂后，由于第一喷涂区域外的部分喷涂的密度较低，虽然有重复喷涂遮盖的情况，但是其厚度往往还是会小于经过第一喷涂区域喷涂的部分中。因此，在第一次喷涂完毕后通过检测各个部分的厚度来对应的进行补喷。对于背胶的厚度的检测，可以任意选择位于第一喷涂区域中的芯片和位于重叠区域中的芯片，对其芯片背部的背胶厚度进行检测以获取背胶厚度差。其中，重叠区域指代的是相邻行次喷涂时喷涂范围的重叠范围处。背胶厚度可以通过测量喷涂后整体芯片的厚度与原芯片的厚度之差来得到，而对应的其二者的差即为背胶厚度差，也可以整体的将背胶的厚度来相减以得到背胶厚度差。

此处，在当将芯片对应的从磨片膜上取下后，再放入原有的晶圆的空位中也难以保持原有的状态，但是直接喷涂会导致胶液直接与磨片膜接触，而使空位四周的芯片的侧面或是正面有直接与胶液接触的可能性。在一种解决方式中，可以将测量的芯片进行标记后直接放入原有的空位中，在补喷完毕后对标记的芯片进行重复的测量或是修磨，或是直接放入受标记的与原有芯片大小相同的方块放入空位中。

在一种可实施的方式下，也可以按照同样的切割工艺以及要求对一块完好的晶圆（表面未进行bumping等任何处理）进行切割，再采用相同的涂覆方法对其进行喷涂，通过对应的检测来记录该批次所有满足该切割工艺要求的晶圆的涂覆方法的参数。这种方式在大批次对同样参数的晶圆进行喷涂时所产生的废品率更低。

其中，对于补喷阶段的具体的涂覆方法，参照图5，包括：

步骤S600：获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息。

步骤S610：根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息。

其中，重叠区域宽度信息指的是重叠区域部分的宽度，其等于喷涂半径减去第一喷涂区域的区域半径。

步骤S620：根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息。

其中，重叠区域中线位置信息指代的是重叠区域沿列方向上的中线的位置，这个中线代表着涂胶喷头在晶圆投影上的移动轨迹，在此处，重叠区域的沿中线的两侧呈对称设置。

步骤S630：根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息。

其中，最大压力下的涂胶喷头会具有最大的喷射角以及最大的喷射流量，在这种高喷射流量的前提下，由于重叠区域与第一喷涂区域之间的厚度差也并不会太大，因此对应的喷射速度也会较高，那么在这种情况下，可以看似在喷射的过程中其厚度是保持均匀的，并不会有太大的误差。此外，同之前步骤中的计算方式，根绝重叠区域宽度可以得知补喷时所需的补喷半径，因此即可对应的计算得到涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息。同样的，由于在前述过程中第一喷涂区域的边界位于芯片之间的间隙处，因而补喷阶段的边界也会位于芯片之间的间隙处。

步骤S640：通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。

其中，该步骤中对于涂胶喷头的移动速度可以通过喷射压力（对应于喷射流量）以及背胶厚度差对应的计算得到。

同时，由于惯性等原因的作用，在高压情况下，位于喷射范围边界的胶液还会呈雾状有一定向外辐射的趋势，而之前在喷涂的过程中第一喷涂区域中也只是假想的流量均匀，因此这种有部分向外辐射出的情况也可以在一定程度提高第一喷涂区间处的均匀性。

此外，由于喷涂范围的周向边沿处的喷涂效果较差，但在每一行喷涂的过程中，位于同一行的芯片都会完整的经过涂胶喷头所覆盖的喷涂范围，因此匀速运动的过程中不会造成同一行芯片的背胶的厚度不均。基于这个特点，在每对每一行的芯片进行喷涂之前（包括补喷阶段），包括：

步骤S10：在对每一行进行喷涂之前，获取在对当前行喷涂时的喷涂半径以及喷涂轨迹信息。

步骤S20：获取晶圆的边线信息。

其中，晶圆的边线信息代表的是晶圆的外圆轮廓。

步骤S30：根据晶圆的边线信息、喷涂半径以及喷涂轨迹信息计算涂胶喷头在对每一行进行喷涂时的喷涂起点信息。

其中，喷涂起点信息代表的是涂胶喷头在每一行进行喷涂时的起点位置，即在该点处时涂胶喷头即开始喷涂胶液，随后再开始移动。当应用所设定的高度信息以及压力信息在喷涂起点对当前行喷涂时，喷涂范围完全位于晶圆之外或与晶圆的轮廓相切。在当喷涂起点及其覆盖的喷涂范围完全位于晶圆之外时，可以使位于边沿处的芯片也可以完整的被喷涂范围扫过，使得边沿处的芯片与该行其他部分的芯片的背胶的均匀性可以保持相近。

对应的，本申请公开的一种超薄芯片背胶涂覆装置还可以包括：

喷涂参数获取模块，用于获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息。

喷涂信息计算模块，用于根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心。

喷涂范围模拟单元，用于根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围。

轨迹模拟单元，用于根据各项参数模拟具体的喷涂轨迹，其中，在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。

晶圆烘干单元，用于对晶圆进行烘干。

以及，补喷单元，用于控制涂胶喷头移动机构以及涂胶喷头对晶圆进行补喷。

对于喷涂范围模拟单元，包括：

列宽信息获取子单元，用于获取芯片的列宽信息。

间隔距离信息计算子单元，用于根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息。

夹角信息计算子单元，用于根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息。

第一芯片间隔位置选取子单元，用于将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息。

涂胶喷头垂直调整子单元，用于根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同。

第二芯片间隔位置选取子单元，用于根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息。

喷头压力调整子单元，用于根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。

对于轨迹模拟单元，包括：

信息获取子单元，用于获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息。

间距信息计算子单元，用于根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息。

间隔行信息计算子单元，用于根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息。

路径信息规划子单元，用于根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息。

对于补喷单元，包括：

重叠区域获取子单元，用于获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息。

重叠区域宽度计算子单元，用于根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息。

重叠区域中线获取子单元，用于根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息。

补喷高度计算子单元，用于根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息。

补喷移动速度计算子单元，用于通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，存储有能够被处理器加载执行时实现如图1-图5流程中所述的各个步骤。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以对本申请的技术方案进行了详细介绍，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制。本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，包括：

将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；

将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；

根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液；

判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：

获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；

根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；

根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；

在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切；

确定第一喷涂区域的方法包括：

获取芯片的列宽信息；

根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；

根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；

将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；

根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；

其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。

2.根据权利要求1所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，确定喷涂半径的方法包括：

根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息；

根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。

3.根据权利要求1所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，

获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息；

根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息；

根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息；

根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息；

其中，在第一次进行喷涂的过程中，涂胶喷头的移动轨迹于晶圆上的投影位于晶圆最边沿一行的芯片上。

4.根据权利要求1所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，

获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息；

根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息；

根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息；

根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息；

通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。

5.根据权利要求4所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于：

在补喷阶段开始之前，对胶液进行烘干，并任意选择位于第一喷涂区域中的芯片和位于重叠区域中的芯片，对其芯片背部的背胶厚度进行检测以获取背胶厚度差；

将与芯片大小相同的标记块填补至晶圆的空位中。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，

在对每一行进行喷涂之前，获取在对当前行喷涂时的喷涂半径以及喷涂轨迹信息；

获取晶圆的边线信息；

根据晶圆的边线信息、喷涂半径以及喷涂轨迹信息计算涂胶喷头在对每一行进行喷涂时的喷涂起点信息；

其中，当应用所设定的高度信息以及压力信息在喷涂起点对当前行喷涂时，所述喷涂范围完全位于晶圆之外。

7.一种超薄芯片背胶涂覆装置，其特征在于，包括，

涂胶平台，用于承载载有芯片的磨片膜，经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；

涂胶喷头，用于沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液；

涂胶喷头移动机构，用于根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速移动；

其中，判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：

获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；

根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；

根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；

在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切；

确定第一喷涂区域的方法包括：

获取芯片的列宽信息；

根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；

根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；

将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；

根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；

其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有能够被处理器加载并执行如权利要求1至6中任一种方法的计算机程序。

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