CN114639548B - 一种mlpc基板式电镀端子结构电容器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明型涉及一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，包括：第一基板、第二基板；其特征在于,芯子外表面包覆有封装胶；芯子封装于第一基板与第二基板复合主体的内部,第一基板、第二基板与电镀端子形成一体，其制造方法包括:S1、嵌合第一基板；S2、蚀刻第一基板；S3、蚀刻第二基板；S4、叠合第一基板、第二基；S5、第二基板置入芯子；S6、注浇固化处理；S7、叠合第一基板；S8、压合处理；S9、裁切处理；S10、电镀处理。利用基版组合灌胶组立方式,切割基版后采用电镀方式形成电极端子结构作为引出电极，解决传统折弯端子受限问题，实现轻薄化亦可降低产品阻抗，另电极片负极设计面积可实现最大化，提高产品电容量以及使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于电容器技术领域，尤其是一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法。
背景技术
电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，是电路中必不可少的组成部分。由于电子科学技术的发展，电子产品向高频化、小型化、高可靠度方向发展，MLPC导电高分子叠层式电容跳脱传统卷绕式结构，采用电极片并联概念体现低阻高容之电性理想。MLPC导电高分子叠层式电容主要应用消费性电子产品，伴随着电子零件薄型化之全球趋势，电容器产品高度也将随之跟进，传统电容器使用引线框折弯作为端子的结构也将有所局限，折弯空间将被大大的压缩。引线框折弯作为端子的结构导致电子元件薄型化趋势而有所受限,引线框折弯会占据一定的空间,增加电容器的厚度,导致无法对电容器薄型化量产。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，利用基版组合灌胶组立方式,切割基版后采用电镀方式形成电极端子结构作为引出电极，解决传统折弯端子受限问题，实现轻薄化亦可降低产品阻抗，另电极片负极设计面积可实现最大化，提高产品电容量以及使用寿命。
本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的：
一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，包括：第一基板、第二基板；其特征在于,芯子外表面包覆有封装胶；所述的芯子封装于第一基板与第二基板复合主体的内部；所述芯子的电极由导电体从第一基板两侧引出且分别与第一基板两侧的电镀端子电连接；所述的第一基板、第二基板与电镀端子形成一体；
其制造方法包括以下步骤：
S1、嵌合第一基板：将基体上下表面分别镶嵌入第一金属片和第二金属片形成一体,得到第一基板；
S2、蚀刻第一基板：分别对基体上表面的第一金属片与下表面的第二金属片蚀刻出第一沟槽和第二沟槽，分成若干第一金属片与第二金属片；
S3、蚀刻第二基板：对第二基板进行蚀刻镂空出若干阵列分布的矩形通孔，所述的矩形通孔用以放置芯子；
S4、将第二基板叠合在第一基板上表面，所述的第一基板第二基板大小相匹配；
S5、将若干芯子分别置入第二基板中的矩形通孔中；
S6、注浇固化处理：向芯子两侧的阳极端和阴极端注入导电体，接着向芯子与矩形通孔之间的间隙注入封装固化胶，使得芯子、导电体与第二基板结合成一体；
S7、将另外的第一基板叠合在第二基板上表面,将芯子封装在矩形通孔中；
S8、压合处理：将叠合后的两块第一基板与第二基板进行挤压融合，得到粘合一体的复合主体；
S9、裁切处理：将复合主体进行裁切分成若干单体；
S10、电镀处理：对单体进行电镀处理，使得单体阳极端和阴极端形成电镀端子，所述的形成电镀端子包覆于单体两端与单体形成一体，得到基板式电镀端子结构电容器。
进一步的，所述的步骤S2中，蚀刻第一基板中的基体上表面的第一金属片蚀刻出若干第一沟槽,基体下表面的第二金属片蚀刻出若干第二沟槽。
进一步的，所述的步骤S4中,将第二基板叠合在第一基板上表面后,第二基板中的矩形通孔的正投影落在第一基板上表面的第一金属片表面上。
进一步的，所述的步骤S3中蚀刻得到的矩形通孔的长宽高分别大于芯子的长宽高，使得芯子的外表面与矩形通孔的内壁之间有间隙。
进一步的，所述的步骤S10中，对单体进行电镀处理，生成的电镀端子将连接于导电体以及第一基板中的第一金属片和第二金属片的外表面且包覆为一体，分别作芯子引出的阳极与阴极。
进一步的，所述的芯子两侧的阳极端和阴极端注入导电体,其中导电体为导电胶、银浆、或导电材料中的一种。
本发明优点和积极效果是：
1.本发明一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，利用基版组合灌胶组立方式,切割基版后采用电镀方式形成电极端子结构作为引出电极，解决传统折弯端子受限问题，实现轻薄化亦可降低产品阻抗,另电极片负极设计面积可实现最大化，提高产品电容量以及使用寿命。
2.采用基版组合灌胶组立方式,金属片和基体嵌合组成基板，基版与芯子灌胶组合，提高了密封性，起到了屏蔽和防潮的作用，使得产品的稳定性更强，提高了产品的使用寿命。
3.通过对芯子阳极与阴极末端设置导导电体,使得芯子的阳极与阴极分别直接与电镀端子连接,增大了引出导电面积,具备更好的电性引出，可降低产品阻抗。
4.第一基板内侧表面镶嵌有两片彼此分开的第一金属片,且第一金属片与芯子连接，可将芯子产生的热量对外引出，提高了产品的散热性能。
5.芯子两端的电极引出采用电镀方式生成电镀端子，可得到任意结构大小的镀端子，从而解决传统电容器折弯端子受限问题，实现产品的轻薄化。
附图说明
图1是本发明的制造流程示意图。
图2是本发明的产品截面结构示意图。
图3是本发明的第一基板立体结构示意图。
图4是本发明的第一基板截面结构示意图。
图5是本发明的第一基板经蚀刻工艺后的第一基板截面结构示意图。
图6是本发明的第二基板蚀刻后的立体结构示意图。
图7是本发明的第二基板蚀刻后的顶视示意图。
图8是本发明的第二基板置入芯子的示意图。
图9是本发明的第二封装板与芯子灌胶组立体示意图。
图10是本发明的复合主体零件爆炸图。
图11是本发明的基板与芯子压合后的复合主体立体结构图。
图12是本发明的对复合主体切割分成单体的示意图。
图13是本发明的复合主体的截面示意图。
图14是本发明的图13中A的放大图。
图15是本发明的切割后得到的单体顶视截面示意图。
图16是本发明的切割后得到的单体立体结构示意图。
附图标号说明：1、第一基板；2、第二基板；3、电镀端子；4、芯子；5、导电体；6、封装胶；7、封装固化胶；101、基体；102、第一金属片；103、第二金属片；201、矩形通孔；1011、第一沟槽；1012、第二沟槽。
具体实施方式
结合附图对本发明实施例做进一步详述：下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“两侧”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”,等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。
结合附图对本发明实施例做进一步详述：下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-图16所示，一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，包括：第一基板1、第二基板2；其特征在于,芯子4外表面包覆有封装胶6；所述的芯子4封装于第一基板1与第二基板2复合主体的内部；所述芯子4的电极由导电体5从第一基板1两侧引出且分别与第一基板1两侧的电镀端子3电连接；所述的第一基板1、第二基板2与电镀端子3形成一体；
其制造方法包括以下步骤：
S1、嵌合第一基板：将基体101上下表面分别镶嵌入第一金属片102和第二金属片103形成一体,得到第一基板1；
S2、蚀刻第一基板：分别对基体101上表面的第一金属片102与下表面的第二金属片103蚀刻出第一沟槽1011和第二沟槽1012，分成若干第一金属片102与第二金属片103；
S3、蚀刻第二基板：对第二基板2进行蚀刻镂空出若干阵列分布的矩形通孔201，所述的矩形通孔201用以放置芯子4；
S4、将第二基板2叠合在第一基板1上表面，所述的第一基板1第二基板2大小相匹配；
S5、将若干芯子4分别置入第二基板2中的矩形通孔201中，
S6、注浇固化处理：向芯子4两侧的阳极端和阴极端注入导电体5，接着向芯子4与矩形通孔201之间的间隙注入封装固化胶6，使得芯子4、导电体5与第二基板2结合成一体；
S7、将另外的第一基板1叠合在第二基板2上表面,将芯子4封装在矩形通孔201中；
S8、压合处理：将叠合后的两块第一基板1与第二基板2进行挤压融合，得到粘合一体的复合主体；
S9、裁切处理：将复合主体进行裁切分成若干单体；
S10、电镀处理：对单体进行电镀处理，使得单体阳极端和阴极端形成电镀端子，所述的形成电镀端子包覆于单体两端与单体形成一体，得到基板式电镀端子结构电容器。
现有技术传统电容器使用引线框折弯结构作为端子,由于端子引出外壳后，需要对端子进行弯折处理，端子弯折占据了一定的空间，因此电容器轻薄化受到了限制，无法进一步量产更轻量化的产品。传统电容器的封装方式为对叠层的芯子进行注胶一体成型,封装强度与密封性差,而本发明采用基版组合灌胶组立方式,切割基版后采用电镀方式形成电极端子结构作为引出电极，解决传统折弯端子受限问题，提高了生产效率,实现轻薄化亦可降低产品阻抗，另电极片负极设计面积可实现最大化，提高产品电容量以及使用寿命。
如图2所示,第一基板1由基体101、第一金属片102、第二金属片103嵌合组成，其嵌合方式为，将基体101上表面分别镶嵌入第一金属片102，基体101下表面第二金属片103形成一体,得到第一基板1。
如图6-图7所示，第二基板2的大小与第一基板1一致，第二基板2用以置入芯子4，所以第二基板2在与第一基板1叠合前，需对其进行蚀刻处理，蚀刻第二基板：对第二基板2进行蚀刻镂空出若干阵列分布的矩形通孔201，所述的矩形通孔201用以放置芯子4。对第二基板2蚀刻的方式不限于化学蚀刻或物理蚀刻，经蚀刻后的第二基板2端面得到若干阵列分布的矩形通孔201，所蚀刻的矩形通孔201长宽高尺寸不受限制，需根据芯子4的外轮廓的长宽高决定。蚀刻得到的矩形通孔201长宽高尺寸要大于芯子4的外轮廓的长宽高，这样在矩形通孔201内置入芯子4后，矩形通孔201内壁与芯子4外表面之间有足够的缝隙。所述的缝隙用以浇入导电体5和封装固化胶6。使得芯子4与第二基板2粘合成为一体。第一基板1与第二基板2通过压合后形成一体，将芯子4封装在内部得到复合主体。通过对复合主体裁切的，将复合主体分割为若干单体。
一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法,其制造方法包括以下步骤：
S1、嵌合第一基板：将基体101上下表面分别镶嵌入第一金属片102和第二金属片103形成一体,得到第一基板1。具体的，第一基板1由基体101、第一金属片102、第二金属片103组合而成，基体101为绝缘材料，封装芯子4与起绝缘作用。首先对基体101上表面与下表面进行处理，接着在基体101的上表面叠上一片第一金属片102，并将第一金属片102嵌合在基体101的上表面，使得基体101与第一金属片102形成一体。在基体101的下表面叠上一片第二金属片103，使得基体101与第一金属片102、第二金属片103形成一体，得到第一基板1。
S2、蚀刻第一基板：分别对基体101上表面的第一金属片102与下表面的第二金属片103蚀刻出第一沟槽1011和第二沟槽1012，分成若干第一金属片102与第二金属片103。具体的，采用化学或物理方法对基体101上表面的第一金属片102进行蚀刻。所述的步骤S2中，蚀刻第一基板1中的基体101上表面的第一金属片102蚀刻出若干第一沟槽1011,基体101下表面的第二金属片103蚀刻出若干第二沟槽1012。将第一金属片102蚀刻出若干条第一沟槽1011，以第一沟槽1011为分割线，使得第一金属片102完全切断为若干片第一金属片102。对基体101下表面的第二金属片103进行蚀刻，将第二金属片103蚀刻出若干条第二沟槽1012，以第二沟槽1012为分割线，使得第二金属片103完全切断为若干片第二金属片103。其中，第二金属片103在经后续的封装工序加工后，作为引出电极。
S3、蚀刻第二基板：对第二基板2进行蚀刻镂空出若干阵列分布的矩形通孔201，所述的矩形通孔201用以放置芯子4。具体的，在第二基板2上端面刻出若干阵列分布矩形图案，所述的步骤S4中,将第二基板2叠合在第一基板1上表面后,第二基板2中的矩形通孔201的正投影落在第一基板1上表面的第一金属片102表面上。接着以矩形图案为参照进行蚀刻第二基板2，经蚀刻镂空工艺，在第二基板2上得的若干阵列分布的镂空矩形通孔201，所述的矩形通孔201内部用以放置芯子4，其中，所蚀刻的矩形通孔201长宽高尺寸不受限制，需根据芯子4的外轮廓的长宽高决定。蚀刻得到的矩形通孔201长宽高尺寸要大于芯子4的外轮廓的长宽高。
S4、将第二基板2叠合在第一基板1上表面，所述的第一基板1第二基板2大小相匹配。具体的，在第一基板1、第二基板2蚀刻完成后，将第二基板2叠合在第一基板1上表面，对第一基板1、第二基板2进行叠合，使得第一基板1、第二基板2叠合为一体。经叠合后，第二基板2中的若干矩形通孔201成为若干矩形方槽，矩形方槽用以放置芯子4。
S5、将若干芯子4分别置入第二基板2中的矩形通孔201中。具体的，将经叠层后的芯子4分别置入第二基板2中的每个矩形通孔201中，其中芯子4置入在矩形通孔201的中心，使得芯子4的外表面与矩形通孔201的内壁之间形成缝隙，其中缝隙中用以注入装固化胶6与导电体5。
S6、注浇固化处理：向芯子4两侧的阳极端和阴极端注入导电体5，接着向芯子4与矩形通孔201之间的间隙注入封装固化胶6，使得芯子4、导电体5与第二基板2结合成一体。具体的，在将芯子4置入矩形通孔201后，先对芯子4两侧的阳极和阴极端部与矩形通孔201之间的缝隙注入导电体5，使得芯子4两侧的阳极和阴极端部分别与矩形通孔201相对的内壁连接一体，其中导电体5作为为芯子4两极的引出，其中导电体5为导电胶、银浆、或导电材料中的一种。再接着对芯子4另外的两侧面注入封装固化胶6，使得芯子4表面与矩形通孔201相对的内壁连接一体，使得芯子4被封装在第二基板2中的每个矩形通孔201中，并与第二基板2成为以整体。
S7、将另外的第一基板1叠合在第二基板2上表面,将芯子4封装在矩形通孔201中。具体的，第二基板2的下表面与上表面分别叠合上第一基板1，将第一基板1叠合在第二基板2的上表面，此时的第二基板2的下表面与上表面分别叠合上第一基板1。
S8、压合处理：将叠合后的两块第一基板1与第二基板2进行挤压融合，得到粘合一体的复合主体。具体的，两块第一基板1将第二基板2夹合在中间，通过热挤压，使得第一基板1、第二基板2接合为一体，将若干芯子4在其内部形成一体，得到粘合一体的复合主体。
S9、裁切处理：将复合主体进行裁切分成若干单体。具体的，沿着矩形通孔201的边框为外侧裁切路径，将复合主体进行裁切分成若干单体；经裁切后的得到的单体，即为电容器的半成品，单体包括：第一基板1、裁切后粘连在芯子4两侧的第二基板2,此处的第二基板2为经裁切后留在芯子4两侧的第二基板2,芯子4、导电体5，其中单体阳极端和阴极端导电体5的一端面经裁切后在单体两侧端面露出，单体的两侧为第二基板2，单体的上端与下端为第一基板1。
S10、电镀处理：对单体进行电镀处理，使得单体阳极端和阴极端形成电镀端子，所述的形成电镀端子包覆于单体两端与单体形成一体，得到基板式电镀端子结构电容器。所述的步骤S10中，对单体进行电镀处理，生成的电镀端子3将连接于导电体5以及第一基板1中的第一金属片102和第二金属片103的外表面且包覆为一体，分别作芯子4引出的阳极与阴极。
由于采用电镀形成在单体两端部的电镀端子3，电镀端子3形成后连接于第二金属片103、第一金属片102、芯子4两端的导电体5。在空间结构上，可以形成与第二金属片103、第一金属片102、芯子4两端的导电体5紧密附着的金属镀层，所形成的金属镀层不受空间的限制，其中所形成的金属镀层将第二金属片103、第一金属片102、芯子4两端的导电体5裹连接在一起，分别作为芯子4引出的阳极电镀端子3与阴极电镀端子3。镀层不受电容器结构厚度的限制，均可在电容器两端生成电镀端子3，解决传统电容器电极引出折弯端子受限问题，实现轻薄化亦可降低产品阻抗。
需要强调的是，本发明所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本发明并不限于具体实施方式中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本发明的技术方案得出的其他实施方式，同样属于本发明保护的范围。
Claims (6)
1.一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，包括：第一基板(1)、第二基板(2)；其特征在于,芯子(4)外表面包覆有封装胶(6)；所述的芯子(4)封装于第一基板(1)与第二基板(2)复合主体的内部；所述芯子(4)的电极由导电体(5)从第一基板(1)两侧引出且分别与第一基板(1)两侧的电镀端子(3)电连接；所述的第一基板(1)、第二基板(2)与电镀端子(3)形成一体；
其制造方法包括以下步骤：
S1、嵌合第一基板：将基体(101)上下表面分别镶嵌入第一金属片(102)和第二金属片(103)形成一体,得到第一基板(1)；
S2、蚀刻第一基板：分别对基体(101)上表面的第一金属片(102)与下表面的第二金属片(103)蚀刻出第一沟槽(1011)和第二沟槽(1012)，分成若干第一金属片(102)与第二金属片(103)；
S3、蚀刻第二基板：对第二基板(2)进行蚀刻镂空出若干阵列分布的矩形通孔(201)，所述的矩形通孔(201)用以放置芯子(4)；
S4、将第二基板(2)叠合在第一基板(1)上表面，所述的第一基板(1)第二基板(2)大小相匹配；
S5、将若干芯子(4)分别置入第二基板(2)中的矩形通孔(201)中；
S6、注浇固化处理：向芯子(4)两侧的阳极端和阴极端注入导电体(5)，接着向芯子(4)与矩形通孔(201)之间的间隙注入封装固化胶(6)，使得芯子(4)、导电体(5)与第二基板(2)结合成一体；
S7、将另外的第一基板(1)叠合在第二基板(2)上表面,将芯子(4)封装在矩形通孔(201)中；
S8、压合处理：将叠合后的两块第一基板(1)与第二基板(2)进行挤压融合，得到粘合一体的复合主体；
S9、裁切处理：将复合主体进行裁切分成若干单体；
S10、电镀处理：对单体进行电镀处理，使得单体阳极端和阴极端形成电镀端子(3)，所述的形成电镀端子(3)包覆于单体两端与单体形成一体，得到基板式电镀端子结构电容器。
2.根据权利要求1所述的一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，其特征在于：所述的步骤S2中，蚀刻第一基板(1)中的基体(101)上表面的第一金属片(102)蚀刻出若干第一沟槽(1011),基体(101)下表面的第二金属片(103)蚀刻出若干第二沟槽(1012)。
3.根据权利要求1所述的一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，其特征在于：所述的步骤S4中,将第二基板(2)叠合在第一基板(1)上表面后,第二基板(2)中的矩形通孔(201)的正投影落在第一基板(1)上表面的第一金属片(102)表面上。
4.根据权利要求1所述的一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，其特征在于：所述的步骤S3中蚀刻得到的矩形通孔(201)的长宽高分别大于芯子(4)的长宽高，使得芯子(4)的外表面与矩形通孔(201)的内壁之间有间隙。
5.根据权利要求1所述的一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，其特征在于：所述的步骤S10中，对单体进行电镀处理，生成的电镀端子(3)将连接于导电体(5)以及第一基板(1)中的第一金属片(102)和第二金属片(103)的外表面且包覆为一体，分别作芯子(4)引出的阳极与阴极。
6.根据权利要求1所述的一种MLPC基板式电镀端子结构电容器的制造方法，其特征在于：所述的芯子(4)两侧的阳极端和阴极端注入导电体(5),其中导电体(5)为导电胶、银浆中的一种。
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