CN101335131A - 一种改良的芯片型电解电容器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种改良的芯片型电解电容器的制造方法。其制造过程简单，产品的阻值率低、产品良率高，成本低。将金属箔片冲压出数个单元基片，在所述各单元基片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层，其特征在于：在所述各单元基片的阳极一端的表面上除去所述氧化层而形成阳极，在所述单元基片未除去所述氧化层的部分涂布导电高分子和碳、具有粘着特性的金属导体形成阴极，就制成芯片型电容器单元。
Description
(一)技术领域
本发明涉及电容器的制造领域，具体为一种改良的芯片型电解电容器的制造方法。
(二)背景技术
芯片型电解电容器作为被动组件运用在半导体部件领域。一般的微型积层型电容器主要由多层介电层与多层金属层叠加构成，其体积小。美国第US6249424号专利公布了一种有单一铝芯片电容器，该电容器由阳极与阴极中间隔离一隔离层所构成，其中阳极上包覆有介电氧化膜，导电性碳胶层及银胶层所构成的阴极与阳极之间有导电高分子层，而隔离层隔绝阴极、阳极构成铝芯片电容器。此电容器要增加电容值必须以并联的方式，将多个电容器叠加使电容值相加，并将叠加后的铝芯片电容器进行封装，从阳极与阴极端分别引出二导脚，形成完整的电容器。其缺点是制造过程复杂而导致产品良率低，成本高，电阻大。
(三)发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其制造过程简单，产品的阻值率低、产品良率高，成本低。
其技术方案是这样的：将金属箔片冲压出数个单元基片，在所述各单元基片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层，其特征在于：在所述各单元基片的阳极一端的表面上除去所述氧化层而形成阳极，在所述单元基片未除去所述氧化层的部分涂布导电高分子和碳、具有粘着特性的金属导体形成阴极，就制成芯片型电容器单元。
其进一步特征在于：所述芯片型电容器单元其阳极、阴极分别固定于导线架，以引出阳极、阴极的终端电极，并于所述芯片型电容器外部封装绝缘层；将数个所述电容器单元堆栈于一体，并以黏着特性的金属导体、导电胶、金胶、白金胶或银胶将阳极黏合在一起，而形成堆积型电容器；
所述堆栈型电容器制作过程中，将数个所述电容器单元堆栈于一体，利用雷射焊接、超音波焊接或电阻焊接将各电容器单元的阳极连为一体或者用铆钉将阳极结合为一体；所述除去氧化层的方法，可以用雷射蚀刻、喷砂蚀刻、电浆蚀刻或者强酸蚀刻方法进行；所述具有粘着特性的金属导体为银胶。
使用本发明加工芯片型电解电容器，其制造过程简单，成本低，其通过除去氧化层得到电容器阳极的方式可以减小阻值，且可以大幅增加整体电容的特性。
(四)附图说明
图1为本发明提供的改良的芯片型电解电容器单元结构示意图；
图2为多个芯片型电解电容器单元叠加的电解电容器结构示意图；
图3为改良的芯片型电解电容器成品结构示意图。
(五)具体实施方式
下面结合附图具体描述本发明的制造方法：
见图1、图3，将金属箔片冲压出数个单元基片2，在所述各单元基2片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层3，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层8，然后在各单元基片2的阳极4一端的表面上除去氧化层3而形成阳极，在单元基片2未除去氧化层3的部分依次涂布导电高分子10和碳胶9、具有粘着特性的导电金属11，形成阴极5，就制成芯片型电容器单元1。
将芯片型电容器单元1的阳极4、阴极5分别固定于一导线架的支脚上，引出阳极4、阴极5的终端电极，在芯片型电容器单元1表面覆盖上绝缘隔热树脂，使芯片型电容器单元1安装于电路板上，或以焊接的方式安装于电路板上(图中为表达)。
见图2，将数个电容器单元1的阳极叠加接合，就制成堆积型电解电容器6。
堆积型电解电容器制造实施例一：
将已加工好的数个电容器单元1的阳极4叠加，用具有粘着特性的金属导体7、导电胶、金胶、白金胶、银胶将阳极4粘合在一起，就制成堆积型电解电容器6。
堆积型电解电容器制造实施例二：
将已加工好的数个电容器单元1的阳极4分别叠加，用铆钉将分别阳极4连接固定，制成堆积型电解电容器6。
堆积型电解电容器制造实施例三：
将已加工好的数个电容器单元1的阳极4分别叠加，利用雷射焊接、超音波焊接或电阻焊接方式将阳极4连接，制成堆积型电解电容器6。
Claims (6)
1、一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，将金属箔片冲压出数个单元基片，在所述各单元基片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层，其特征在于：在所述各单元基片的阳极一端的表面上除去所述氧化层而形成阳极，在所述单元基片未除去所述氧化层的部分涂布导电高分子和碳、具有粘着特性的金属导体形成阴极，就制成芯片型电容器单元。
2、根据权利要求1所述一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其特征在于：所述芯片型电容器单元其阳极、阴极分别固定于导线架，以引出阳极、阴极的终端电极，并于所述芯片型电容器外部封装绝缘层；
3、根据权利要求1所述一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其特征在于：将数个所述电容器单元堆栈于一体，并以黏着特性的金属导体、导电胶、金胶、白金胶或银胶将阳极黏合在一起，而形成堆积型电容器。
4、根据权利要求3所述一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其特征在于：所述堆栈型电容器制作过程中，将数个所述电容器单元堆栈于一体，利用雷射焊接、超音波焊接或电阻焊接将各电容器单元的阳极连为一体或者用铆钉将阳极结合为一体。
5、根据权利要求1所述一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其特征在于：所述除去氧化层的方法，可以用雷射蚀刻、喷砂蚀刻、电浆蚀刻或者强酸蚀刻方法进行。
6、根据权利要求3所述一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，其特征在于：所述具有粘着特性的金属导体为银胶。
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| CN114639548A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-06-17 | 丰宾电子（深圳）有限公司 | 一种mlpc基板式电镀端子结构电容器及其制造方法 |
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