CN114639506A - 一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 - Google Patents
一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114639506A CN114639506A CN202210549080.0A CN202210549080A CN114639506A CN 114639506 A CN114639506 A CN 114639506A CN 202210549080 A CN202210549080 A CN 202210549080A CN 114639506 A CN114639506 A CN 114639506A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- copper powder
- conductive
- conductive copper
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 203
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 113
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 19
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 50
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 41
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 14
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 9
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- HHRACYLRBOUBKM-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-tert-butylphenoxy)methyl]oxirane Chemical group C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OCC1OC1 HHRACYLRBOUBKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NLZOGIZKBBJWPB-UHFFFAOYSA-N [Na].[SeH2] Chemical compound [Na].[SeH2] NLZOGIZKBBJWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008747 shengyu Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003879 lubricant additive Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 102220043159 rs587780996 Human genes 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- RBRLCUAPGJEAOP-UHFFFAOYSA-M sodium selanide Chemical compound [Na+].[SeH-] RBRLCUAPGJEAOP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VPQBLCVGUWPDHV-UHFFFAOYSA-N sodium selenide Chemical compound [Na+].[Na+].[Se-2] VPQBLCVGUWPDHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开一种导电铜浆及其制备方法，所述导电铜浆包含30wt%～60wt%的第一铜粉、10wt%～30wt%的第二铜粉、1wt%～5wt%的硒化铜纳米合金和10wt%～35wt%的有机载体，其中，所述第一铜粉是平均粒径为1～3μm的片状铜粉，所述第二铜粉是平均粒径为0.1～0.8μm的球状铜粉。本发明的导电铜浆是一种低温烧结型导电铜浆，可120℃～300℃的低温下在30s～30min内完成快速烧结，制作工艺过程简单，对环境友好零排放，能够避免电镀蚀刻工艺对环境造成的污染，工艺成本大幅度降低。
Description
技术领域
本发明属于电子浆料领域，涉及一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法。
背景技术
随着多媒体信息查询设备的与日俱增，导电浆料作为一种具有特定功能的基础电子材料，在印刷电路板、触摸屏线路、柔性印刷电路等电子线路领域得到广泛应用。
导电银浆是被广泛地应用于电子元器件等电子工业领域的电子浆料，是以75%以上的贵金属银粉作为导电功能相所制备的。随着精细电子设备的大规模推广，导电银浆也以每年惊人的速度在增长。但是现有技术中导电银浆存在不可抗拒的银离子迁移，低温烧结时其导电性能受到制约，且价格昂贵，需有其他金属填料进行替换。
近年贱金属浆料需求明显增长，且贱金属浆料开发力度逐年增加，其中铜的体积电阻率与银相近，其价格仅是银价格的1/21，是制备导电浆料中较为理想银填料替代品。导电铜粉具有优异的导电性能，已被广泛应用于电子工业、导电涂料、润滑添加剂等多个领域，在电磁屏蔽和微电子封装领域也有着潜在的应用价值。
目前导电铜浆在高温烧结使用较为广泛，但高温烧结铜浆不适用于柔性电子材料，在柔性基体材料中使用低温烧结铜浆尤为重要，但低温烧结铜浆重金属粉不融化，易形成氧化层，影响导电性能。因此，本领域亟需开发出低温快速烧结铜浆，减少金属粉在高温环境中滞留时间，保障金属粉的导电性能，解决现有技术中存在不足。
发明内容
鉴于上述现状，本发明的目的在于提供一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法。本发明的导电铜浆是一种低温烧结型导电铜浆，可120℃～300℃的低温下在30s～30min内完成快速烧结，制作工艺过程简单，对环境友好零排放，能够避免电镀蚀刻工艺对环境造成的污染，工艺成本大幅度降低。本发明的导电铜浆在柔性电子材料中具有广泛应用，同时也可在片式多层陶瓷电容器（MLCC）行业应用。
具体而言，本发明提供一种导电铜浆，所述导电铜浆包含30wt%～60wt%的第一铜粉、10wt%～30wt%的第二铜粉、1wt%～5wt%的硒化铜纳米合金和10wt%～35wt%的有机载体，其中，所述第一铜粉是平均粒径为1～3μm的片状铜粉，所述第二铜粉是平均粒径为0.1～0.8μm的球状铜粉，所述有机载体包括热固型树脂、稀释剂和固化剂。
在一个或多个实施方案中，所述第一铜粉和所述第二铜粉的质量比为3:2～5:1。
在一个或多个实施方案中，所述硒化铜纳米合金的粒径D50为100-300nm。
在一个或多个实施方案中，所述导电铜浆中，硒化铜纳米合金与铜粉的质量比为1:（30~50）。
在一个或多个实施方案中，所述热固型树脂为经过有机硅树脂改造或者氢化改造的热固型双酚A环氧热树脂，所述热固型树脂的数均分子量为100000～250000。
在一个或多个实施方案中，所述热固型树脂的质量与铜粉和硒化铜纳米合金的总质量之比为1:（2～5）。
在一个或多个实施方案中，所述热固型树脂与所述固化剂的质量比为（5～20）:1。
在一个或多个实施方案中，所述导电铜浆还包括0.1wt%～1wt%的助剂，所述助剂包括质量比为（1～4）:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂。
本发明还提供制备本文任一实施方案所述的导电铜浆的方法，所述方法包括：先将热固型树脂、稀释剂和固化剂混合均匀，得到有机载体，再将铜粉、有机载体和硒化铜纳米合金混合后用三辊轧机研磨至细度达到5μm以下。
本发明还提供一种片式多层陶瓷电容器，所述片式多层陶瓷电容器的端电极包含铜/银端浆烧结层、中间层和镍/锡镀层，所述中间层由本文任一实施方案所述导电铜浆烧结而成。
附图说明
图1为本发明的低温快速烧结型导电铜浆应用于MLCC的示意图。图1中，1为内电极，2为陶瓷，3为基底。
图2为测试例4中1210尺寸的MLCC焊接端的冲击强度保留率随弯曲量变化的折线图。图2中，GRJ为含有由本发明的导电铜浆制成的中间层的MLCC，GRM为不含中间层的MLCC。
图3为测试例4中2220尺寸的MLCC焊接端的冲击强度保留率随弯曲量变化的折线图。图3中，GRJ为含有由本发明的导电铜浆制成的中间层的MLCC，GRM为不含中间层的常规MLCC。
具体实施方式
为使本领域技术人员可了解本发明的特点及效果，以下谨就说明书及权利要求书中提及的术语及用语进行一般性的说明及定义。除非另有指明，否则文中使用的所有技术及科学上的字词，均为本领域技术人员对于本发明所了解的通常意义，当有冲突情形时，应以本说明书的定义为准。
本文描述和公开的理论或机制，无论是对或错，均不应以任何方式限制本发明的范围，即本发明内容可以在不为任何特定的理论或机制所限制的情况下实施。
本文中，“包含”、“包括”、“含有”以及类似的用语涵盖了“基本由……组成”和“由……组成”的意思，例如，当本文公开了“A包含B和C”时，“A基本由B和C组成”和“A由B和C组成”应当认为已被本文所公开。
本文中，所有以数值范围或百分比范围形式界定的特征如数值、数量、含量与浓度仅是为了简洁及方便。据此，数值范围或百分比范围的描述应视为已涵盖且具体公开所有可能的次级范围及范围内的个别数值（包括整数与分数）。
本文中，若无特别说明，百分比是指质量百分比，比例是指质量比。
本文中，当描述实施方案或实施例时，应理解，其并非用来将本发明限定于这些实施方案或实施例。相反地，本发明所描述的方法及材料的所有的替代物、改良物及均等物，均可涵盖于权利要求书所限定的范围内。
本文中，为使描述简洁，未对各个实施方案或实施例中的各个技术特征的所有可能的组合都进行描述。因此，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，各个实施方案或实施例中的各个技术特征可以进行任意的组合，所有可能的组合都应当认为是本说明书记载的范围。
本发明的目的在于提供一种低温快速烧结型铜浆及其制备方法。本发明的低温烧结型导电铜浆可120℃～300℃的低温下在30s～30min内完成快速烧结，制作工艺过程简单，对环境友好零排放，能够避免电镀蚀刻工艺对环境造成的污染，工艺成本大幅度降低。本发明的导电铜浆在柔性电子材料中有广泛应用，同时也可在片式多层陶瓷电容器（MLCC）行业应用。在柔性电路中，刻画电路板通常使用电镀工艺，电镀工艺需要对电镀图形进行蚀刻，使用本发明的导电铜浆可直接进行丝网印刷，无需再基底蚀刻图形。本发明的导电铜浆应用于MLCC的示意图如图1所示，具体为在常规的铜/银端浆烧结后涂覆本发明的低温快速烧结型铜浆（低温端浆），在120℃~300℃低温快速烧结后，电镀镍/锡；在常规的铜/银端浆层之上增加本发明的低温快速烧结型铜浆层后不仅可以改善电镀液侵蚀，更重要的是让MLCC焊接端具有一定的抗冲击特性，可拓展产品在冲击环境下的应用。
本发明的导电铜浆包含铜粉、硒化铜纳米合金和有机载体。
本发明中，铜粉包含第一铜粉和第二铜粉。本发明中，第一铜粉是片状铜粉，其平均粒径为1～3μm，例如1.5μm、2μm、2.5μm；第二铜粉是球状铜粉，其平均粒径为0.1～0.8μm，例如0.2μm、0.4μm、0.6μm。本发明复配使用平均粒径为1～3μm的片状铜粉和平均粒径为0.1～0.8μm的球状铜粉来改善导电铜浆的导电性。本发明的导电铜浆中，第一铜粉的含量可以为30wt%～60wt%，例如40wt%、50wt%、52wt%、55wt%、56wt%、58wt%；第二铜粉的含量可以为10wt%～30wt%，例如12wt%、14wt%、15wt%、18wt%、20wt%、25wt%。第一铜粉和第二铜粉的质量比优选为3:2～5:1，例如7:3、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1，这有利于进一步改善导电性。
适用于本发明的硒化铜纳米合金的粒径D50优选为100-300nm，例如150nm、200nm、250nm。可以采用本发明提供的方法制备硒化铜纳米合金，例如使硒氢化钠溶液和硫酸铜溶液反应生成硒化铜纳米合金。可通过在反应过程中调整pH值来调节硒化铜纳米合金的粒径，pH值越大，反应速率越大，得到硒化铜纳米合金粒径越小。
在一些实施方案中，采用包括以下步骤的方法制备硒化铜纳米合金：
（1）将质量比为（0.8~1.2）:（0.7~1）、例如1.04:1的硒粉和硼氢化钠分散在水中，再通入惰性气体（例如氩气）以驱除溶解氧，在惰性气体的保护下冰浴反应至无色澄清溶液，生成硒氢化钠溶液；
（2）配制浓度为20wt%~45wt%、例如30wt%的硫酸铜水溶液，再加入体积为硫酸铜溶液体积的0.5%～2%、例如0.8%的疏基丙酸，用碱调节溶液的pH值至6.0～10.0、例如7.5；再通入惰性气体（例如氩气）以除去其中的溶解氧，在惰性气体保护下搅拌并加入步骤（1）制备的硒氢化钠溶液，控制反应体系中硫酸铜与硒的质量比为（4.5~5.5）:（0.8~1.5）、例如4.8:1，加热至80℃～120℃、例如110℃，回流0.5～2.0h、例如1h后停止反应，得到硒化铜纳米合金。
反应结束后，可以采用丙酮洗涤、离心、真空干燥等后处理工艺，制得棕色粉末状的硒化铜纳米合金。
本发明中，硒化铜纳米合金作为抗氧化剂，相比常规的抗氧化剂，具有不引入杂质、不影响导电铜浆其他性能的优点。本发明的导电铜浆中，硒化铜纳米合金的含量优选为1wt%～5wt%，例如1.2wt%、1.4wt%、1.6wt%、2wt%、3wt%、4wt%，这有利于改善导电铜浆的抗氧化性能。优选地，本发明的导电铜浆中，硒化铜纳米合金与铜粉的质量比为1:（30~50），例如1:40、1:42、1:45，这有利于保证导电铜浆的导电性和抗氧化性能。
本发明中，有机载体包括热固型树脂、稀释剂和固化剂。本发明的导电铜浆中，有机载体的含量为10wt%～35wt%，例如15wt%、20wt%、25wt%、30wt%。
适用于本发明的热固型树脂可以包括选自环氧树脂、丙烯酸树脂和环氧树脂齐聚物中的一种或多种。热固型树脂优选为热固型双酚A环氧树脂，其具有易改造特性，更优选为经过有机硅树脂改造或者氢化改造的热固型双酚A环氧热树脂，有利于提升导电铜浆低温快速烧结后的抗冲击性能。在一些实施方案中，热固型树脂为经过有机硅树脂改造的热固型双酚A环氧树脂E54。热固型树脂的数均分子量优选为100000～250000，例如120000、150000、200000，有利于改善导电铜浆低温快速烧结后的抗冲击性能。本发明的导电铜浆中，热固型树脂的含量可以为5wt%～25wt%，例如10wt%、12wt%、14wt%、15wt%、16wt%、17wt%、18wt%、20wt%。优选地，本发明的导电铜浆中，热固型树脂与粉体材料（铜粉和硒化铜纳米合金）的质量比为1:2～1:5，例如1:3、1:3.5、1:4、1:4.5，这有利于保证导电性和抗冲击性能。
稀释剂可以是已知的可与热固型树脂搭配使用的各种稀释剂。在一些实施方案中，稀释剂是4-叔丁基苯基缩水甘油醚。本发明的导电铜浆中，稀释剂的含量可以为5wt%～20wt%，例如8wt%、9wt%、10wt%、11wt%、12wt%、15wt%。
适用于本发明的固化剂可以包括选自胺类固化剂、咪唑类固化剂和强氧化性类固化剂中的一种或者多种。通过选择不同的固化剂可实现快速烧结，且可调整固化时间。固化剂优选为潜伏性固化剂。在一些实施方案中，固化剂为胺类固化剂，例如胺类固化剂PL-160。本发明发现PL-160在本发明的导电铜浆中具有明显的抗紫外老化的功效。本发明的导电铜浆中，固化剂的含量可以为0.5wt%～5wt%，例如1wt%、1.5wt%、2wt%、2.5wt%、3wt%。优选地，本发明的导电铜浆中，热固型树脂与固化剂的质量比为5:1至20:1，例如6:1、8:1、10:1、12:1、15:1、17:1，通过控制两者的比例可实现30s～30min不同时间固化。
本发明通过复配特定的热固型树脂和固化剂，例如经过有机硅树脂改造或者氢化改造的热固型双酚A环氧热树脂和胺类潜伏性固化剂，赋予了导电铜浆在低温下的快速烧结性能，烧结温度可以低至120℃~300℃，烧结时间可以为30s～30min。
本发明的导电铜浆还可以包含助剂。适用于本发明的助剂可以包括选自偶联剂、润湿剂、流平剂等中的一种或多种。当导电铜浆包含助剂时，导电铜浆中，助剂的含量可以是0.1wt%～1wt%，例如0.2wt%、0.4wt%、0.6wt%、0.8wt%。在一些实施方案中，助剂包括有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂，两者的质量比可以为1:1到4:1，例如2:1、3:1。有机硅偶联剂能起到偶联剂和润湿剂的作用。
本发明的导电铜浆可通过将导电铜浆的各组分混合均匀而得到。在一些实施方案中，先将热固型树脂、稀释剂和固化剂混合均匀，得到有机载体，再将铜粉、有机载体、硒化铜纳米合金和助剂混合后用三辊轧机研磨至细度达到5μm以下，经过滤、脱泡后得到成品铜浆。过滤可以是使用325目以上的滤网过滤。
本发明的导电铜浆可以应用于片式多层陶瓷电容器中，用于在常规的片式多层陶瓷电容器的外电极（铜/银端浆烧结层）和镍/锡镀层之间形成一中间层，该中间层可以改善电镀液侵蚀，并提升片式多层陶瓷电容器焊接端的抗冲击性能。
本发明还包括一种片式多层陶瓷电容器，所述片式多层陶瓷电容器的端电极包含铜/银端浆烧结层、中间层和镍/锡镀层，所述中间层由本发明的导电铜浆烧结而成。所述铜/银端浆烧结层与片式多层陶瓷电容器的内电极接触，由常规的铜/银端浆烧结而成。优选地，所述中间层由本发明的导电铜浆在120℃~300℃的低温下烧结而成，烧结时间为30s～30min。
下文将以具体实施例的方式阐述本发明。应理解，这些实施例仅仅是阐述性的，并非意图限制本发明的范围。实施例中所用到的方法、试剂和材料，除非另有说明，否则为本领域常规的方法、试剂和材料。实施例中的原料化合物均可通过市售途径购得。
制备例：制备纳米硒化铜
本制备例提供粒径D50为150nm的纳米硒化铜，制备方法如下：
步骤1：将硒粉和硼氢化钠按照质量比为1.04:1放入容器中，加入蒸馏水，再向容器中充入氩气以驱除溶解氧，并在氩气的保护下冰浴反应至无色澄清溶液，生成所需要的硒氢化钠溶液；
步骤2：将硫酸铜放入容器中，加入蒸馏水使其完全溶解，硫酸铜浓度为30%，再加入体积为硫酸铜水溶液体积的0.8%的疏基丙酸，并用氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至7.5；再通入氩气以除去其中的溶解氧，在氩气保护下搅拌并加入步骤1制备的硒氢化钠溶液，加热至110℃，回流1.0h后停止反应，其中硫酸铜与硒氢化钠溶液中硒的投料质量比为4.8:1；
步骤3：待溶液自然冷却至室温后，采用丙酮洗涤、离心、真空干燥后制得棕色粉末状的纳米硒化铜材料，硒化铜粉末粒径D50=150nm。
实施例1
本实施例提供一种低温快速烧结型导电铜浆，该导电铜浆各组分按照质量百分比为：第一铜粉56%，第二铜粉14%，热固型树脂15.1%，稀释剂10.4%，固化剂2.5%，抗氧化剂1.4%，助剂0.6%；
其中，第一铜粉为片状铜粉，第一铜粉的平均粒径为3μm；
第二铜粉为球状铜粉，第二铜粉的平均粒径为0.4μm；
热固型树脂为经过有机硅改造的热固型双酚A环氧树脂E54，数均分子量为120000；
稀释剂为DENACOL EX-146P，4-叔丁基苯基缩水甘油醚；
固化剂为青岛盛宇成化工胺类固化剂PL-160；
抗氧化剂为制备例合成的粒径D50为150nm的纳米硒化铜；
助剂为质量比为2:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂的混合助剂。
本实施例的导电铜浆的制备方法如下：
制备有机载体：将热固型树脂、稀释剂与固化剂混合均匀，在三辊轧机中研磨分散均匀，得到有机载体；
制备导电铜浆：将第一铜粉、第二铜粉、有机载体、抗氧化剂和助剂混合，使用布勒300三辊轧机研磨至细度达到5μm，经325目滤网过滤，脱泡后得到导电铜浆。
实施例2
本实施例提供一种低温快速烧结型导电铜浆，该导电铜浆各组分按照质量百分比为：第一铜粉56%，第二铜粉14%，热固型树脂15.6%，稀释剂10.4%，固化剂2%，抗氧化剂1.4%，助剂0.6%；
其中，第一铜粉为片状铜粉，第一铜粉的平均粒径为3μm；
第二铜粉为球状铜粉，第二铜粉的平均粒径为0.4μm；
热固型树脂为经过有机硅改造的热固型双酚A环氧树脂E54，数均分子量为120000；
稀释剂为DENACOL EX-146P，4-叔丁基苯基缩水甘油醚；
固化剂为青岛盛宇成化工胺类固化剂PL-160；
抗氧化剂为制备例合成的粒径D50为150nm的纳米硒化铜；
助剂为质量比为2:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂的混合助剂。
本实施例的导电铜浆的制备方法如下：
制备有机载体：将热固型树脂、稀释剂与固化剂混合均匀，在三辊轧机中研磨分散均匀，得到有机载体；
制备导电铜浆：将第一铜粉、第二铜粉、有机载体、抗氧化剂和助剂混合，使用布勒300三辊轧机研磨至细度达到5μm，经325目滤网过滤，脱泡后得到导电铜浆。
实施例3
本实施例提供一种低温快速烧结型导电铜浆，该导电铜浆各组分按照质量百分比为：第一铜粉56%，第二铜粉14%，热固型树脂16.1%，稀释剂10.4%，固化剂1.5%，抗氧化剂1.4%，助剂0.6%；
其中，第一铜粉为片状铜粉，第一铜粉的平均粒径为3μm；
第二铜粉为球状铜粉，第二铜粉的平均粒径为0.4μm；
热固型树脂为经过有机硅改造的热固型双酚A环氧树脂E54，数均分子量为120000；
稀释剂为DENACOL EX-146P，4-叔丁基苯基缩水甘油醚；
固化剂为青岛盛宇成化工胺类固化剂PL-160；
抗氧化剂为制备例合成的粒径D50为150nm的纳米硒化铜；
助剂为质量比为2:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂的混合助剂。
本实施例的导电铜浆的制备方法如下：
制备有机载体：将热固型树脂、稀释剂与固化剂混合均匀，在三辊轧机中研磨分散均匀，得到有机载体；
制备导电铜浆：将第一铜粉、第二铜粉、有机载体、抗氧化剂和助剂混合，使用布勒300三辊轧机研磨至细度达到5μm，经325目滤网过滤，脱泡后得到导电铜浆。
实施例4
本实施例提供一种低温快速烧结型导电铜浆，该导电铜浆各组分按照质量百分比为：第一铜粉56%，第二铜粉14%，热固型树脂16.6%，稀释剂10.4%，固化剂1%，抗氧化剂1.4%，助剂0.6%；
其中，第一铜粉为片状铜粉，第一铜粉的平均粒径为3μm；
第二铜粉为球状铜粉，第二铜粉的平均粒径为0.4μm；
热固型树脂为经过有机硅改造的热固型双酚A环氧树脂E54，数均分子量为120000；
稀释剂为DENACOL EX-146P，4-叔丁基苯基缩水甘油醚；
固化剂为青岛盛宇成化工胺类固化剂PL-160；
抗氧化剂为制备例合成的平均粒径为150nm的纳米硒化铜；
助剂为质量比为2:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂的混合助剂。
本实施例的导电铜浆的制备方法如下：
制备有机载体：将热固型树脂、稀释剂与固化剂混合均匀，在三辊轧机中研磨分散均匀，得到有机载体；
制备导电铜浆：将第一铜粉、第二铜粉、有机载体、抗氧化剂和助剂混合，使用布勒300三辊轧机研磨至细度达到5μm，经325目滤网过滤，脱泡后得到导电铜浆。
实施例1-4的导电铜浆的成分汇总于表1。
表1：实施例1-4的导电铜浆的成分（单位：wt%）
测试例1
在不同烧结温度（120℃-300℃）下对实施例1-4的导电铜浆进行烧结，测定烧结一定时间后的拉力，所述拉力为用3M胶带贴在烧结后的导电铜浆表面沿180°的方向使用拉力机测试得到的拉力，将拉力不再变化时的时间认定为导电铜浆在该烧结温度下的完成烧结所需的时间，结果如表2所示。
表2：实施例1-4的导电铜浆的烧结温度与完成烧结所需的时间
实施例2的导电铜浆在210℃下烧结时性能随时间的变化结果如表3所示，其中拉力为用3M胶带贴在烧结后的导电铜浆表面沿180°的方向使用拉力机测试得到的拉力，电阻率是在200□图形测试。
表3：实施例2的导电铜浆在210℃烧结过程中性能变化
从表2的实验结果可以看出，随着固化剂使用量的增加，同温度下烧结时间逐步缩短。但固化剂使用量超过2%以后，导电性能会有所下降，因此固化剂使用量优选控制在2%以内。
测试例2
使用实施例2的导电铜浆作为低温端浆在210℃下烧结制备如图1所示的MLCC，规格为X7R 0603，内电极为镍浆、端电极为导电铜浆，基板为常规PCB板，烧结过程中MLCC容量随时间的变化如表4所示。
表4：实施例2的导电铜浆在210℃烧结过程中MLCC容量变化
测试例3
以实施例2的导电铜浆配方为基础，改变配方中片状铜粉和球状铜粉的质量比，在210℃下烧结150s，电阻率随时间的变化结果如表5所示，其中电阻率是在200□图形测试。
表5：实施例2为基础配方的片粉球粉质量比不同的浆料的电阻率
从表5可以看出，当片状铜粉和球状铜粉的质量比为4:1时，导电铜浆具有最优的导电性。
测试例4
使用实施例2的导电铜浆在210℃下烧结150s制备尺寸为1210和2220的两种MLCC的端电极与镀层之间的中间层，内电极为镍浆、端电极为导电铜浆、焊料为镍，基板为常规PCB板，以不含中间层的MLCC作为对比，进行焊接端抗冲击性能测试，结果如图2和图3所示。
从图2和图3可以看出，无论对于大尺寸（2220）或小尺寸（1210）的MLCC，含中间层的MLCC在经历弯折后焊接端的冲击强度基本不变，在不含中间层的常规MLCC在弯折后焊接端的冲击强度显著降低，表明在端电极和镀层之间引入由本发明的导电铜浆制成的中间层都能够显著提升MLCC焊接端的抗冲击性能。
Claims (10)
1.一种导电铜浆，其特征在于，所述导电铜浆包含30wt%～60wt%的第一铜粉、10wt%～30wt%的第二铜粉、1wt%～5wt%的硒化铜纳米合金和10wt%～35wt%的有机载体，其中，所述第一铜粉是平均粒径为1～3μm的片状铜粉，所述第二铜粉是平均粒径为0.1～0.8μm的球状铜粉，所述有机载体包括热固型树脂、稀释剂和固化剂。
2.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述第一铜粉和所述第二铜粉的质量比为3:2～5:1。
3.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述硒化铜纳米合金的粒径D50为100-300nm。
4.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述导电铜浆中，硒化铜纳米合金与铜粉的质量比为1:（30~50）。
5.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述热固型树脂为经过有机硅树脂改造或者氢化改造的热固型双酚A环氧热树脂，所述热固型树脂的数均分子量为100000～250000。
6.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述热固型树脂的质量与铜粉和硒化铜纳米合金的总质量之比为1:（2～5）。
7.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述热固型树脂与所述固化剂的质量比为（5～20）:1。
8.如权利要求1所述的导电铜浆，其特征在于，所述导电铜浆还包含0.1wt%～1wt%的助剂，所述助剂包括质量比为（1～4）:1的有机硅偶联剂和丙烯酸系列流平剂。
9.制备权利要求1-8中任一项所述的导电铜浆的方法，其特征在于，所述方法包括：先将热固型树脂、稀释剂和固化剂混合均匀，得到有机载体，再将铜粉、有机载体和硒化铜纳米合金混合后用三辊轧机研磨至细度达到5μm以下。
10.一种片式多层陶瓷电容器，其特征在于，所述片式多层陶瓷电容器的端电极包含铜/银端浆烧结层、中间层和镍/锡镀层，所述中间层由权利要求1-8中任一项所述导电铜浆烧结而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210549080.0A CN114639506B (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210549080.0A CN114639506B (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114639506A true CN114639506A (zh) | 2022-06-17 |
| CN114639506B CN114639506B (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=81952964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210549080.0A Active CN114639506B (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114639506B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115642000A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-01-24 | 西北工业大学 | 一种可光子烧结的导电铜浆制备方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102664057A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-12 | 合肥工业大学 | 一种片式陶瓷电容器表层电极用导电铜浆料及其制备方法 |
| BR102012028301A2 (pt) * | 2011-11-04 | 2013-11-26 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Veículo orgânico, pasta eletrocondutora e célula solar |
| CN104021842A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-03 | 西安工程大学 | 一种石墨烯复合铜厚膜导电浆料及其制备方法 |
| CN104505137A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-08 | 南京工业大学 | 一种导电铜浆及其制备方法和用途 |
| CN106205771A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-07 | 金陵科技学院 | 一种抗氧化铜导体浆料的制备方法 |
| CN106981324A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-07-25 | 上海安缔诺科技有限公司 | 一种铜导电浆料及其制备方法和用途 |
| CN112768110A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-07 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种铜浆及片式多层陶瓷电容器 |
| CN113130112A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-07-16 | 苏州锦艺新材料科技有限公司 | 导电性能稳定的铜浆制备方法 |
| CN113707362A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-11-26 | 厦门大学 | 一种高导电铜浆、制备方法、柔性高导电铜膜及其应用 |
| CN113724910A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种铜浆及其制备方法与应用 |
| CN113724912A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-30 | 华昇电子材料(无锡)有限公司 | 一种mlcc用高烧结致密性铜浆及其制备方法 |
| CN114005575A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-01 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 | 抗氧化导电铜浆料及其制备方法和应用 |
-
2022
- 2022-05-20 CN CN202210549080.0A patent/CN114639506B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR102012028301A2 (pt) * | 2011-11-04 | 2013-11-26 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Veículo orgânico, pasta eletrocondutora e célula solar |
| CN102664057A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-12 | 合肥工业大学 | 一种片式陶瓷电容器表层电极用导电铜浆料及其制备方法 |
| CN104021842A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-03 | 西安工程大学 | 一种石墨烯复合铜厚膜导电浆料及其制备方法 |
| CN104505137A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-08 | 南京工业大学 | 一种导电铜浆及其制备方法和用途 |
| CN106205771A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-07 | 金陵科技学院 | 一种抗氧化铜导体浆料的制备方法 |
| CN106981324A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-07-25 | 上海安缔诺科技有限公司 | 一种铜导电浆料及其制备方法和用途 |
| CN112768110A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-07 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种铜浆及片式多层陶瓷电容器 |
| CN113130112A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-07-16 | 苏州锦艺新材料科技有限公司 | 导电性能稳定的铜浆制备方法 |
| CN113707362A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-11-26 | 厦门大学 | 一种高导电铜浆、制备方法、柔性高导电铜膜及其应用 |
| CN113724910A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种铜浆及其制备方法与应用 |
| CN113724912A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-30 | 华昇电子材料(无锡)有限公司 | 一种mlcc用高烧结致密性铜浆及其制备方法 |
| CN114005575A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-02-01 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 | 抗氧化导电铜浆料及其制备方法和应用 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115642000A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-01-24 | 西北工业大学 | 一种可光子烧结的导电铜浆制备方法 |
| CN115642000B (zh) * | 2022-12-23 | 2023-04-07 | 西北工业大学 | 一种可光子烧结的导电铜浆制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114639506B (zh) | 2022-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2455947B1 (en) | Conductive paste composition and electrode including the same | |
| EP1560227B1 (en) | Conductive paste | |
| EP3508286B1 (en) | Silver-coated alloy powder, electrically conductive paste, electronic part, and electric device | |
| EP1884960A1 (en) | Conductive paste and wiring board using it | |
| JP5402350B2 (ja) | 導電性ペーストの製造方法および導電性ペースト | |
| KR20100096111A (ko) | 도전성 페이스트용 구리분말 및 도전성 페이스트 | |
| KR102188447B1 (ko) | 도전성 접착제 조성물 및 그것을 사용한 전자 소자 | |
| US20080090092A1 (en) | Nickel-Coated Copper Powder and Method for Producing the Nickel-Coated Copper Powder | |
| CN113808779B (zh) | 一种片式电阻器低温固化绝缘介质浆料 | |
| EP3125254B1 (en) | Conductive paste | |
| CN114639506B (zh) | 一种低温快速烧结型导电铜浆及其制备方法 | |
| JP3837858B2 (ja) | 導電性接着剤およびその使用方法 | |
| WO2018139463A1 (ja) | 導電性組成物 | |
| CN113257455B (zh) | 一种可低温烧结的无铅导电银浆 | |
| JP2006032165A (ja) | 導電性金属粒子とそれを用いた導電性樹脂組成物及び導電性接着剤 | |
| KR20120004122A (ko) | 전도성 페이스트 및 이를 이용한 전극 | |
| CN111627590A (zh) | 一种片式电感用导电银浆其制备方法 | |
| CN113707359B (zh) | 一种电极膏和导电厚膜及其制备方法 | |
| CN114360762B (zh) | 一种片式电阻用抗银迁移银导体浆料及其制备方法 | |
| KR20170139203A (ko) | 은이 코팅된 구리분말과 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 페이스트 조성물 | |
| KR102007856B1 (ko) | 분산성이 개선된 은 분말의 제조방법 | |
| JPH0367402A (ja) | 導電性組成物 | |
| US11270810B2 (en) | Electrically conductive paste | |
| JP4748158B2 (ja) | 導電性樹脂硬化物及び電子部品モジュール | |
| JP2015108183A (ja) | 銅粉末とその製造方法、及びそれを用いた銅ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |