CN114628404B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示面板和显示装置,属于显示技术领域。该显示面板包括衬底基板,包括显示区,显示区包括主显示区和位于主显示区一侧的扇出引线区;驱动层,包括晶体管和数据线;扇出引线层,与数据线连接,包括行引线和列引线;虚设金属线层,包括多条第一行虚设金属线和多条第一列虚设金属线,至少相邻两条行引线之间设有至少一条第一列虚设金属线,至少相邻两条列引线之间设有至少一条第一行虚设金属线,相邻两条扇出引线绝缘;第一触控电极层,间隔排布的多条行延伸线,行延伸线沿行方向延伸;其中,行引线和第一行虚设金属线至少部分区域被行延伸线覆盖。本公开降低不同区域走线对外界光反射的差异,保证显示面板的暗显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
现有技术中,扇出引线通常设置在显示面板的非显示区,该种设计使得显示面板的下边框宽度较宽,不利于实现全面屏设设计。为解决该技术问题,相关技术中,将扇出(Fanout)引线设置在显示区,以此来降低显示面板下边框的宽度,从而增大显示区的面积,达到全面屏设计效果。然而,当将扇出引线设置在显示区时,会将显示区大致分为两个部分,即有扇出引线的区域和无扇出引线的区域。其中,有扇出引线的区域会比无扇出引线的区域多处部分金属走线,这些金属走线会反射外界环境光,造成显示面板外观不良。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板,该显示面板将扇出引线设置于显示区,在实现全面屏设计的同时降低不同区域走线对外界光反射的差异,保证显示面板的暗显示效果。
为实现上述发明目的,本公开采用如下技术方案:
根据本公开的第一个方面,提供一种显示面板,包括:
衬底基板,包括显示区,所述显示区包括主显示区和位于所述主显示区一侧的扇出引线区;
驱动层,设于所述衬底基板的一侧,所述驱动层包括晶体管和数据线层,所述数据线层包括多条数据线,所述数据线和所述晶体管的源/漏极连接,所述数据线沿列方向延伸,沿行方向排列;
扇出引线层,位于所述扇出引线区,包括多条间隔排布的扇出引线,所述扇出引线包括沿行方向延伸的行引线和沿列方向延伸的列引线,所述行引线的一端与所述数据线连接,所述行引线的另一端与所述列引线的一端连接,所述列引线的另一端延伸出所述扇出引线区;
虚设金属线层,与所述扇出引线层同层设置,所述虚设金属线层包括第一虚设区,所述第一虚设区位于所述扇出引线区,所述第一虚设区包括多条沿行方向延伸的第一行虚设金属线和多条沿列方向延伸的第一列虚设金属线,至少相邻两条所述行引线之间设有至少一条所述第一列虚设金属线,至少相邻两条所述列引线之间设有至少一条所述第一行虚设金属线,相邻两条所述扇出引线绝缘;
发光层,设于所述虚设金属线层背离所述衬底基板的一侧,所述发光层包括多个发光器件;
第一触控电极层,设于所述发光层背离所述衬底基板的一侧,所述第一触控电极层包括触控电极走线和间隔排布的多条行延伸线,所述行延伸线沿行方向延伸,所述触控电极走线在所述衬底基板上的正投影环绕在所述发光器件在所述衬底基板上的正投影的周围;
其中,至少部分所述行引线和所述第一行虚设金属线的长度不同,所述行引线在所述衬底基板上的正投影至少部分区域被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖,且所述第一行虚设金属线在所述衬底基板上的正投影至少部分区域被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖。
在本公开的一种示例性实施例中,所述数据线层包括第一数据子区和第二数据子区,所述第二数据子区沿行方向排列于所述第一数据子区的一侧,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线位于所述第一数据子区,所述第二数据线位于所述第二数据子区;
所述扇出引线层包括第一引线子区和第二引线子区,所述第二引线子区沿所述第一数据子区至所述第二数据子区的方向位于所述第一引线子区的一侧,位于所述第一引线子区的所述扇出引线为第一扇出引线,所述第一扇出引线与所述第一数据线连接,位于所述第二引线子区的所述扇出引线为第二扇出引线,所述第二扇出引线与所述第二数据线连接;
其中,所述第一扇出引线的行引线的一端与所述第一数据线连接,所述第一扇出引线的行引线的另一端沿行方向朝所述第二扇出引线方向延伸且延伸末端连接于所述第一扇出引线的列引线的一端,所述第一扇出引线的列引线的另一端延伸出所述扇出引线区;所述第二扇出引线的行引线的一端与所述第二数据线连接,所述第二扇出引线的行引线的另一端沿行方向朝所述第一扇出引线方向延伸且延伸末端连接于所述第二扇出引线的列引线的一端,所述第二扇出引线的列引线的另一端延伸出所述扇出引线区。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动层包括:
有源层,设于所述衬底基板的一侧;
第一栅绝缘层,设于所述有源层背离所述衬底基板的一侧,所述第一栅绝缘层覆盖所述有源层;
栅极,设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧;
第二栅绝缘层,设于所述栅极背离所述衬底基板的一侧,所述第二栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层;
第一源漏层,设于所述第二栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述第一源漏层包括源极和漏极;
所述数据线层与所述第一源漏层同层设置,所述数据线与所述漏极连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述发光层包括:
第一电极层,设于所述虚设金属线层背离所述衬底基板的一侧,所述第一电极层包括多个间隔排列的第一电极;
像素定义层,设于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层设有暴露所述第一电极的开口,所述开口和所述第一电极一一对应;
发光功能层,至少部分设于所述开口内,且设于所述第一电极层背离所述衬底基板的表面;
第二电极层,设于所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧;
所述触控电极走线在所述衬底基板上的正投影环绕在所述开口在所述衬底基板上正投影的周围。
在本公开的一种示例性实施例中,所述触控电极走线包括:
多个电极单元,一个电极单元在所述衬底基板上的正投影对应环绕在一个发光器件在所述衬底基板上正投影的周围,所述电极单元为具有多个顶点的多边形,相邻两个电极单元的至少部分顶点相接触形成交叉点,所述行延伸线设于所述交叉点。
在本公开的一种示例性实施例中,所述电极单元为具有四个顶点的四边形,相邻两个电极单元的顶点相接触。
在本公开的一种示例性实施例中,所述触控电极走线包括多条沿第一方向延伸的第一走线和多条沿第二方向延伸的第二走线,所述第一走线和所述第二走线交叉形成网格结构,所述第一方向与行方向具有第一夹角,所述第一夹角大于0°小于90°,所述第二方向与列方向具有第二夹角,所述第二夹角大于0°小于90°,所述行延伸线设于所述第一走线和所述第二走线的交叉点。
在本公开的一种示例性实施例中,所述交叉点沿行方向朝远离所述交叉点的方向延伸,形成所述行延伸线,且延伸末端不与所述触控电极走线连接。
在本公开的一种示例性实施例中,当相邻两条所述列引线中设有所述第一行虚设金属线时,所述第一行虚设金属线的一端连接于其中一条所述列引线,所述第一行虚设金属线的另一端沿行方向朝另一条所述列引线方向延伸且延伸末端与另一条所述列引线间设有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中,当相邻两条所述行引线中设有所述第一列虚设金属线时,所述第一列虚设金属线与两条所述行引线间均设有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中,所述虚设金属线层还包括:
第二虚设区,位于所述主显示区,所述第二虚设区包括多条沿行方向延伸的第二行虚设金属线和多条沿列方向延伸的第二列虚设金属线;
所述第二行虚设金属线在所述衬底基板上的正投影至少部分被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖。
根据本公开的第一个方面,提供一种显示装置,包含如第一方面所述的显示面板。
本公开提供的显示面板,将现有技术中的位于非显示区的扇出引线设置于显示区,从而实现显示面板的全面屏设计。其中,扇出引线设于显示区的扇出引线区,扇出引线包括行引线和列引线。虚设金属线包括位于扇出引线区的第一虚设区,第一虚设区包括第一行虚设金属线和第一列虚设金属线,第一行虚设金属线设于相邻两个列引线之间,第一列虚设金属线设于相邻两个行引线之间,通过第一行虚设金属线、第一列虚设金属线、行引线和列引线组合,使得位于扇出引线区的不同区域的走线在总体外观上达到一定的平衡,降低不同区域走线对外界光反射的差异。另外,由于部分行引线和第一行虚设金属线的长度不同,本公开通过在第一触控电极层设置行延伸线,并使行引线和第一行虚设金属线的部分区域被行延伸线遮盖,从而降低行引线和第一行虚设金属线由于长度不同而导致的外观差异,进一步降低不同区域走线对外界光反射的差异,保证显示面板的暗显示效果。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本公开示例性实施例中显示面板结构示意图;
图2是本公开示例性实施例中衬底基板结构示意图;
图3是本公开示例性实施例中数据线层和扇出引线层结构示意图;
图4是本公开示例性实施例中第二虚设区的虚设金属线结构示意图;
图5是本公开示例性实施例中行引线间设置第一列虚设金属线结构示意图;
图6是本公开示例性实施例中列引线间设置第一行虚设金属线结构示意图;
图7是本公开示一例性实施例中第一触控电极层覆盖第二虚设区的虚设金属线的结构示意图;
图8是本公开一示例性实施例中第一触控电极层覆盖行引线和第一列虚设金属线结构示意图;
图9是本公开一示例性实施例中第一触控电极层覆盖列引线和第一行虚设金属线结构示意图;
图10是本公开另一示例性实施例中第一触控电极层结构示意图;
图11是本公开又一示例性实施例中第一触控电极层结构示意图;
图12是本公开再一示例性实施例中第一触控电极层结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下:
1-衬底基板;11-显示区;111-主显示区;112-扇出引线区;2-驱动层;21-数据线;2a-第一数据子区;2b-第二数据子区;211-第一数据线;212-第二数据线;213-有源层;214-第一栅绝缘层;215-栅极;216-第二栅绝缘层;217-层间介质层;218-第一源漏层;18S-源极;18D-漏极;219-钝化层;220-第一平坦层;221-第二源漏层;222-第二平坦层;31-扇出引线;31a-第一扇出引线;31b-第二扇出引线;311-行引线;312-列引线;3a-第一引线子区;3b-第二引线子区;41-第一行虚设金属线;42-第一列虚设金属线;43-第二行虚设金属线;44-第二列虚设金属线;5-发光层;51-第一电极层;52-像素定义层;521-开口;53-发光功能层;54-第二电极层;50-发光器件;6-第一触控电极层;61-触控电极走线;611-电极单元;610a-交叉点;612-第一走线;613-第二走线;62-行延伸线;610b-交叉点;X-第一方向;Y-第二方向;7-封装层;8-第二触控电极层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
现有技术中,扇出引线通常设置在显示面板的非显示区,该种设计使得显示面板的下边框宽度较宽,不利于实现全面屏设设计。为解决该技术问题,相关技术中,将扇出(Fanout)引线设置在显示区,以此来降低显示面板下边框的宽度,从而增大显示区的面积,达到全面屏设计效果。然而,当将扇出引线设置在显示区时,会将显示区大致分为两个部分,即有扇出引线的区域和无扇出引线的区域。其中,有扇出引线的区域会比无扇出引线的区域多处部分金属走线,这些金属走线会反射外界环境光,造成显示面板外观不良。而且,有扇出引线的区域由于不同位置处扇出引线的走线方式不同,会造成对环境光反射程度的不同,从而也造成显示装置的外观不良。这种不良在息屏或者低灰阶时会更加明显。
相关技术中,为了改善上述外观不良现象,通常会在无扇出引线区的区域设计外观补偿线,在有扇出引线的区域也设计一部分外观补偿线,通过外观补偿来改善上述外观不良现象。然而,相关技术中的外观补偿方案对上述外观不良现象的改善效果有限。
如图1至图7所示,本公开实施方式中提供一种显示面板,包括衬底基板1、驱动层2、扇出引线层、虚设金属线层、发光层5和第一触控电极层6。其中。衬底基板1包括显示区11,显示区11包括主显示区111和位于主显示区111一侧的扇出引线区112;驱动层2,设于衬底基板1的一侧,驱动层2包括晶体管和数据线层,数据线层包括多条数据线21,数据线21和晶体管的源/漏极连接,数据线21沿列方向延伸,沿行方向排列;扇出引线层,位于扇出引线区112,包括多条间隔排布的扇出引线31,扇出引线31包括沿行方向延伸的行引线311和沿列方向延伸的列引线312,行引线311的一端与数据线21连接,行引线311的另一端与列引线312的一端连接,列引线312的另一端延伸出扇出引线区112;虚设金属线层,与扇出引线层同层设置,虚设金属线层包括第一虚设区,第一虚设区位于扇出引线区112,第一虚设区包括多条沿行方向延伸的第一行虚设金属线41和多条沿列方向延伸的第一列虚设金属线42,至少相邻两条行引线311之间设有至少一条第一列虚设金属线42,至少相邻两条列引线312之间设有至少一条第一行虚设金属线41,相邻两条扇出引线31绝缘;发光层5,设于虚设金属线层背离衬底基板1的一侧,发光层5包括多个发光器件50;第一触控电极层6,设于发光层5背离衬底基板1的一侧,第一触控电极层6包括触控电极走线61和间隔排布的多条行延伸线62,行延伸线62沿行方向延伸,触控电极走线61在衬底基板1上的正投影环绕在发光器件50在衬底基板1上的正投影的周围;其中,至少部分行引线311和第一行虚设金属线41的长度不同,行引线311在衬底基板1上的正投影至少部分区域被行延伸线62在衬底基板1上的正投影所覆盖,且第一行虚设金属线41在衬底基板1上的正投影至少部分区域被行延伸线62在衬底基板1上的正投影所覆盖。
本公开提供的显示面板,将现有技术中的位于非显示区的扇出引线31设置于显示区11,从而实现显示面板的全面屏设计。其中,扇出引线31设于显示区11的扇出引线区112,扇出引线31包括行引线311和列引线312。虚设金属线包括位于扇出引线区112的第一虚设区,第一虚设区包括第一行虚设金属线41和第一列虚设金属线42,第一行虚设金属线41设于相邻两个列引线312之间,第一列虚设金属线42设于相邻两个行引线311之间,通过第一行虚设金属线41、第一列虚设金属线42、行引线311和列引线312组合,使得位于扇出引线区112的不同区域的走线在总体外观上达到一定的平衡,降低不同区域走线对外界光反射的差异。另外,由于部分行引线311和第一行虚设金属线41的长度不同,本公开通过在第一触控电极层6设置行延伸线62,并使行引线311和第一行虚设金属线41的部分区域被行延伸线62遮盖,从而降低行引线311和第一行虚设金属线41由于长度不同而导致的外观差异,进一步降低不同区域走线对外界光反射的差异,保证显示面板的暗显示效果。
下面结合附图对本公开实施方式提供的显示面板的各部件进行详细说明:
本公开提供一种显示面板,该显示面板可以是OLED(Organic Light-EmittingDiode,有机发光二极管)显示面板。
衬底基板1可以为无机材料的衬底基板1,也可以为有机材料的衬底基板1。举例而言,在本公开的一种实施方式中,衬底基板1的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料,或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中,衬底基板1的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol,PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol,PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone,PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)或其组合。衬底基板1也可以为柔性衬底基板,举例而言,在本公开的一种实施方式中,衬底基板1的材料可以为聚酰亚胺(polyimide,PI)。衬底基板1还可以为多层材料的复合,举例而言,在本公开的一种实施方式中,衬底基板1可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
如图2所示,衬底基板1包括显示区11,显示区11包括主显示区111和位于主显示区111一侧的扇出引线区112。在本公开中,主显示区111和扇出引线区112均位于显示区11,也即,主显示区111和扇出引线区112对应的显示面板的区域均可以显示画面。其中,扇出引线区112主要用来设置扇出引线31,主显示区111不设置有扇出引线31。主显示区111和扇出引线区112在显示区11中所占的比例及形状本公开不做限定,具体可根据显示面板的实际需求进行设定。在一些实施例中,扇出引线区112沿列方向位于主显示区111的一侧,主显示区111在显示区11中所占的比例大于扇出引线区112在显示区11中所占的比例。
如图1和图2所示,驱动层2设于衬底基板1的一侧,驱动层2包括晶体管和数据线层,数据线层包括多条数据线21,数据线21和晶体管的源/漏极连接,数据线21沿列方向延伸,沿行方向排列。
在本公开一些实施例中,驱动层2还包括栅线层和像素电路,栅线层包括多条栅线(图未示),栅线沿行方向延伸,沿列方向排列,栅线和数据线21相互交叉界定出多个像素区。像素电路设于像素区,像素电路包括晶体管和电容,其可以是7T1C、7T2C、6T1C或6T2C等像素电路,其中,nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容(用字母“C”表示)。晶体管包括栅极215、源极18S和漏极18D,栅线与晶体管的栅极215连接。
数据线21和栅线可以为一层导电材料,也可以为多层导电材料的层叠。举例而言,在本公开的一种实施方式中,数据线21可以包括依次层叠的第一导电材料层、第二导电材料层和第一导电材料层,即呈现三明治结构。其中,第一导电材料层可以选用耐腐蚀的金属或者合金,例如可以选用钼;第二导电材料层可以选用高导电率的金属或者合金,例如可以选用铜、铝、银等。再举例而言,在本公开的另一种实施方式中,数据线21可以包括一层导电材料,例如数据线21的材料可以为钼。栅线可以与数据线21包含同样的导电材料。
在本公开一些实施例中,驱动层2可由多层膜结构构成,以像素电路中的晶体管为顶栅型晶体管为例,驱动层2还包括有源层213、第一栅绝缘层214、栅极215、第二栅绝缘层216和第一源漏层218。有源层213设于衬底基板1的一侧;第一栅绝缘层214设于有源层213背离衬底基板1的一侧,第一栅绝缘层214覆盖有源层213;栅极215设于第一栅绝缘层241背离衬底基板1的一侧;第二栅绝缘层216设于栅极215背离衬底基板1的一侧,第二栅绝缘层216覆盖栅极215和第一栅绝缘层214;第一源漏层218设于第二栅绝缘层216背离衬底基板1的一侧,第一源漏层218包括源极18S和漏极18D;数据线层与第一源漏层218同层设置,数据线21与漏极18D连接。栅线与栅极215同层设置,栅线连接于栅极215。
在一些实施例中,驱动层2还包括层间介质层217、钝化层219、第一平坦层220、第二源漏层221和第二平坦层222。其中,层间介质层217设于第二栅绝缘层216和第一源漏层218之间,并覆盖第二栅绝缘层216。钝化层219覆盖第一源漏层218;第一平坦层220覆盖钝化层219;第二源漏层221设于第一平坦层220背离衬底基板1的表面,且与第一源漏层218连接;第二平坦层222覆盖第二源漏层221和第一平坦层220。当驱动层2还包括第二源漏层221时,数据线21可以与第二源漏层221同层设置。
如图3所示,扇出引线层,位于扇出引线区112,包括多条间隔排布的扇出引线31,扇出引线31包括沿行方向延伸的行引线311和沿列方向延伸的列引线312,行引线311的一端与数据线21连接,行引线311的另一端与列引线312的一端连接,列引线312的另一端延伸出扇出引线区112,与电路板等结构连接。在此需说明的是,每条行引线311的长度可以不同,同样地,每条列引线312的长度也可以不同,具体根据实际的连接情况进行设置。扇出引线层可与数据线层同层设置,也可与数据线层不同层设置。举例而言,扇出引线层设于数据线层背离衬底基板1的一侧,扇出引线31通过过孔与数据线21连接。
在本公开一些实施例中,数据线层包括第一数据子区2a和第二数据子区2b,第二数据子区2b沿行方向排列于第一数据子区2a的一侧,数据线21包括第一数据线211和第二数据线212,第一数据线211位于第一数据子区2a,第二数据线212位于第二数据子区2b。在具体实施例中,第二数据子区2b沿行方向位于第一数据子区2a的右侧。
扇出引线层包括第一引线子区3a和第二引线子区3b,第二引线子区3b沿第一数据子区2a至第二数据子区2b的方向位于第一引线子区3a的一侧。在具体实施例中,第二引线子区3b沿行反向位于第一引线子区3a的右侧。位于第一引线子区3a的扇出引线31为第一扇出引线31a,第一扇出引线31a与第一数据线211连接,位于第二引线子区3b的扇出引线31为第二扇出引线31b,第二扇出引线31b与第二数据线212连接。其中,第一扇出引线31a的行引线311的一端与第一数据线211连接,第一扇出引线31a的行引线311的另一端沿行方向朝第二扇出引线31b方向延伸且延伸末端连接于第一扇出引线31a的列引线312的一端,第一扇出引线31a的列引线312的另一端延伸出扇出引线区112;第二扇出引线31b的行引线311的一端与第二数据线212连接,第二扇出引线31b的行引线311的另一端沿行方向朝第一扇出引线31a方向延伸且延伸末端连接于第二扇出引线31b的列引线312的一端,第二扇出引线31b的列引线312的另一端延伸出扇出引线区112。在一些实施例中,为了便于扇出引线31的列引线312与电路板连接,各扇出引线31的列引线312大致位于扇出引线区112的中间区域。
如图5和图6所示,虚设金属线层与扇出引线层同层设置,虚设金属线层包括第一虚设区,第一虚设区位于扇出引线区112,即在衬底基板1上的正投影位于扇出引线区112,也即,第一虚设区与扇出引线区112正对设置。第一虚设区包括多条沿行方向延伸的第一行虚设金属线41和多条沿列方向延伸的第一列虚设金属线42,至少相邻两条行引线311之间设有至少一条第一列虚设金属线42,至少相邻两条列引线312之间设有至少一条第一行虚设金属线41,相邻两条扇出引线31绝缘。也即,部分相邻两条行引线311之间设置有第一列虚设金属线42,且这相邻两条行引线311之间可设置一条或多条第一列虚设金属线42,部分相邻两条列引线312之间设置有第一行虚设金属线41,且这相邻两条列引线312之间可设置一条或多条第一行虚设金属线41。虚设金属线的设置位置具体根据行引线311和列引线312的设置位置进行调整。
在本实施例中,第一行虚设金属线41用于补偿列引线312区域缺少行引线311的外观缺陷,第一列虚设金属线42用于补偿行引线311区域缺少列引线312的外观缺陷。第一行虚设金属线41和第一列虚设金属线42的长度根据实际的容纳空间以及补偿需求进行设定。具体地,每条第一行虚设金属线41的长度相互间可相同或不同,每一条第一列虚设金属线42的长度相互间也可相同或不同。在实际应用中,部分第一行虚设金属线41的长度与行引线311的长度不同。
如图6所示,在本公开一些实施例中,当相邻两条列引线312中设有第一行虚设金属线41时,第一行虚设金属线41的一端连接于其中一条列引线312,第一行虚设金属线41的另一端沿行方向朝另一条列引线312方向延伸且延伸末端与另一条列引线312间设有间隙。
如图5所示,当相邻两条行引线311中设有第一列虚设金属线42时,第一列虚设金属线42与两条行引线311间均设有间隙。
如图4所示,在本公开一些实施例中,虚设金属线层还包括第二虚设区,位于主显示区111,即第二虚设区正对主显示区111设置。第二虚设区包括多条沿行方向延伸的第二行虚设金属线43和多条沿列方向延伸的第二列虚设金属线44。第二行虚设金属线43用于补偿主显示区111缺少行引线311的外观缺陷,第二列虚设金属线44用于补偿主显示区111缺少列引线312的外观缺陷。第二行虚设金属线43和第二列虚设金属线44的设置方式可有多种。在本公开一些实施例中,第二虚设区具有多个间隔排列的虚设单元,每个虚设单元包含两条第二列虚设金属线44和连接于两条第二列虚设金属线44之间的一条第二行虚设金属线43。在另一些实施例中,第二行虚设金属线43和第二列虚设金属线44相交成网格结构。
如图1所示,发光层5设于虚设金属线层背离衬底基板1的一侧,发光层5包括多个发光器件50。像素电路的数量与发光器件50的数量相同,且一一对应地与各发光器件50连接,以便分别控制各个发光器件50发光。
在本公开一些实施例中,发光层5包括第一电极层51、像素定义层52、发光功能层53和第二电极层54。其中,第一电极层51设于虚设金属线层背离衬底基板1的一侧,第一电极层51包括多个间隔排列的第一电极。第一电极可以为阳极。像素定义层52设于第一电极层51背离衬底基板1的一侧,像素定义层52设有暴露第一电极的开口521,开口521和第一电极一一对应;开口521在衬底基板1上的正投影可以为圆形、椭圆形或多边形等,具体本公开不做限定。发光功能层53至少部分设于开口521内,且设于第一电极层51背离衬底基板1的表面。发光功能层53可包括沿背离衬底基板1的方向依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层,可通过使空穴和电子在发光材料层复合成激子,由激子辐射光子,从而产生可见光,具体发光原理在此不再详述。第二电极层54设于发光功能层53背离衬底基板1的一侧。第二电极层54可以为阴极。
在本公开一些实施例中,显示面板还可包括封装层7,封装层7覆盖于发光层5背离衬底基板1的表面,其可用于保护发光层5,阻隔外界的水、氧对发光器件50造成侵蚀。
如图1、图7至图12所示,第一触控电极层6设于发光层5背离衬底基板1的一侧,具体可设置于封装层7背离衬底基板1的一侧。第一触控电极层6包括触控电极走线61和间隔排布的多条行延伸线62,行延伸线62沿行方向延伸,触控电极走线61在衬底基板1上的正投影环绕在发光器件50在衬底基板1上的正投影的周围。具体地,触控电极走线61的图案设计可根据像素定义层52的开口521图案进行设定。
如图7至图9所示,在本公开一些实施例中,触控电极走线61包括多条沿第一方向X延伸的第一走线612和多条沿第二方向Y延伸的第二走线613,第一走线612和第二走线613交叉形成网格结构,该网格结构在衬底基板1上的正投影环绕在发光器件50的周围。第一方向X与行方向具有第一夹角,第一夹角大于0°小于90°,第二方向Y与列方向具有第二夹角,第二夹角大于0°小于90°,行延伸线62设于第一走线612和第二走线613的交叉点610a。
在一些实施例中,交叉点610a沿行方向朝远离交叉点610a的方向延伸,形成行延伸线62,且其延伸末端不与触控电极走线61连接。如图7和图10所示,具体地,交叉点610a沿行方向朝远离交叉点610a的左侧或右侧延伸,以在交叉点610a的左侧或右侧形成行延伸线62。如图11所示,在本公开另一些实施例中,交叉点610a沿行方向朝远离交叉点610a的两侧延伸,形成行延伸线62,即,交叉点610a沿行方向朝远离交叉点610a的左侧和右侧延伸,形成行延伸线62。
如图12所示,在本公开另一些实施例中,触控电极走线61包括多个电极单元611,一个电极单元611在衬底基板1上的正投影对应环绕在一个发光器件50在衬底基板1上正投影的周围,电极单元611为具有多个顶点的多边形,相邻两个电极单元611的至少部分顶点相接触形成交叉点610b,行延伸线62设于交叉点610b。具体地,电极单元611具有四个顶点的四边形,相邻两个电极单元611的顶点相接触。电极单元611大致可为菱形或长方形。在该实施例中,行延伸线62的设置方式也可以有多种,具体可参见上述实施例中的描述内容。
如图3所示,在本公开中,至少部分行引线311和第一行虚设金属线41的长度不同。为了便于扇出引线31的列引线312的延伸端与电路板等连接,列引线312通常位于扇出引线区112的中间区域,此时,行引线311为了能够与数据线21连接,某些行引线311的长度较长,一般都长于第一行虚设金属线41的长度。因此,虽然第一行虚设金属线41的设置在一定程度上减少了走线的外观差异,但由于其与行引线311长度的不同,仍会造成显示面板对外界光的反射差异。
如图8、图9所示,在本公开中,行引线311在衬底基板1上的正投影至少部分区域被行延伸线62在衬底基板1上的正投影所覆盖,且第一行虚设金属线41在衬底基板1上的正投影至少部分区域被行延伸线62在衬底基板1上的正投影所覆盖。本公开通过在第一触控电极层6设置行延伸线62,并使行引线311和第一行虚设金属线41的部分区域被行延伸线62遮盖,从而降低行引线311和第一行虚设金属线41由于长度不同而导致的外观差异,进一步降低不同区域走线对外界光反射的差异,保证显示面板的暗显示效果。行延伸线62的长度及延伸方向可根据实际的行引线311或第一行虚设金属线41的长度及位置进行设置。
如图7所示,在一些实施例中,第二行虚设金属线43在衬底基板1上的正投影至少部分被行延伸线62在衬底基板1上的正投影所覆盖。同样地,行延伸线62的长度及延伸方向可根据实际的第二行虚设金属线43的长度及位置进行设置。
在一些实施例中,不同行延伸线62的延伸方向及长度均相同,以在保证对行引线311、第一行虚设金属线41、第二行虚设金属线43遮盖效果的同时,保持第一触控电极层6不同区域图案的一致性,以更好地实现不同区域走线对外界光反射的均一性,进一步提高显示面板在息屏或灰阶时的显示效果。在此需说明的是,不同行延伸线62的延伸方向相同,是指不同行延神线均向交叉点610a(610b)的左侧延伸,或向交叉点610a(610b)的右侧延伸,或均向交叉点610a(610b)的左右两侧延伸。
如图1所示,在本公开一些实施例中,显示面板还包括第二触控电极层8,设于第一触控电极层6背离衬底基板1的一侧。第二触控电极层8的图案不做限定。在实际应用中,通过感应第一触控电极层6和第二触控电极层8间的电容变化,确定触控位置。
本公开实施方式还提供一种显示装置,包括显示面板,该显示面板可为上述任意实施方式的显示面板,其具体结构和有益效果可参考上文中显示面板的实施方式,在此不再赘述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑、电视等电子设备,在此不再一一列举。
应可理解的是,本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式,并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是,本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式,并且将使本领域技术人员能够利用本公开。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括显示区,所述显示区包括主显示区和位于所述主显示区一侧的扇出引线区;
驱动层,设于所述衬底基板的一侧,所述驱动层包括晶体管和数据线层,所述数据线层包括多条数据线,所述数据线和所述晶体管的源/漏极连接,所述数据线沿列方向延伸,沿行方向排列;
扇出引线层,位于所述扇出引线区,包括多条间隔排布的扇出引线,所述扇出引线包括沿行方向延伸的行引线和沿列方向延伸的列引线,所述行引线的一端与所述数据线连接,所述行引线的另一端与所述列引线的一端连接,所述列引线的另一端延伸出所述扇出引线区;
虚设金属线层,与所述扇出引线层同层设置,所述虚设金属线层包括第一虚设区,所述第一虚设区位于所述扇出引线区,所述第一虚设区包括多条沿行方向延伸的第一行虚设金属线和多条沿列方向延伸的第一列虚设金属线,至少相邻两条所述行引线之间设有至少一条所述第一列虚设金属线,至少相邻两条所述列引线之间设有至少一条所述第一行虚设金属线,相邻两条所述扇出引线绝缘;
发光层,设于所述虚设金属线层背离所述衬底基板的一侧,所述发光层包括多个发光器件;
第一触控电极层,设于所述发光层背离所述衬底基板的一侧,所述第一触控电极层包括触控电极走线和间隔排布的多条行延伸线,所述行延伸线沿行方向延伸,所述触控电极走线在所述衬底基板上的正投影环绕在所述发光器件在所述衬底基板上的正投影的周围;
其中,至少部分所述行引线和所述第一行虚设金属线的长度不同,所述行引线在所述衬底基板上的正投影至少部分区域被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖,且所述第一行虚设金属线在所述衬底基板上的正投影至少部分区域被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖;
所述虚设金属线层还包括:
第二虚设区,位于所述主显示区,所述第二虚设区包括多条沿行方向延伸的第二行虚设金属线和多条沿列方向延伸的第二列虚设金属线;
所述第二行虚设金属线在所述衬底基板上的正投影至少部分被所述行延伸线在所述衬底基板上的正投影所覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述数据线层包括第一数据子区和第二数据子区,所述第二数据子区沿行方向排列于所述第一数据子区的一侧,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线位于所述第一数据子区,所述第二数据线位于所述第二数据子区;
所述扇出引线层包括第一引线子区和第二引线子区,所述第二引线子区沿所述第一数据子区至所述第二数据子区的方向位于所述第一引线子区的一侧,位于所述第一引线子区的所述扇出引线为第一扇出引线,所述第一扇出引线与所述第一数据线连接,位于所述第二引线子区的所述扇出引线为第二扇出引线,所述第二扇出引线与所述第二数据线连接;
其中,所述第一扇出引线的行引线的一端与所述第一数据线连接,所述第一扇出引线的行引线的另一端沿行方向朝所述第二扇出引线方向延伸且延伸末端连接于所述第一扇出引线的列引线的一端,所述第一扇出引线的列引线的另一端延伸出所述扇出引线区;所述第二扇出引线的行引线的一端与所述第二数据线连接,所述第二扇出引线的行引线的另一端沿行方向朝所述第一扇出引线方向延伸且延伸末端连接于所述第二扇出引线的列引线的一端,所述第二扇出引线的列引线的另一端延伸出所述扇出引线区。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动层包括:
有源层,设于所述衬底基板的一侧;
第一栅绝缘层,设于所述有源层背离所述衬底基板的一侧,所述第一栅绝缘层覆盖所述有源层;
栅极,设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧;
第二栅绝缘层,设于所述栅极背离所述衬底基板的一侧,所述第二栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层;
第一源漏层,设于所述第二栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述第一源漏层包括源极和漏极;
所述数据线层与所述第一源漏层同层设置,所述数据线与所述漏极连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层包括:
第一电极层,设于所述虚设金属线层背离所述衬底基板的一侧,所述第一电极层包括多个间隔排列的第一电极;
像素定义层,设于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层设有暴露所述第一电极的开口,所述开口和所述第一电极一一对应;
发光功能层,至少部分设于所述开口内,且设于所述第一电极层背离所述衬底基板的表面;
第二电极层,设于所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧;
所述触控电极走线在所述衬底基板上的正投影环绕在所述开口在所述衬底基板上正投影的周围。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极走线包括:
多个电极单元,一个电极单元在所述衬底基板上的正投影对应环绕在一个发光器件在所述衬底基板上正投影的周围,所述电极单元为具有多个顶点的多边形,相邻两个电极单元的至少部分顶点相接触形成交叉点,所述行延伸线设于所述交叉点。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述电极单元为具有四个顶点的四边形,相邻两个电极单元的顶点相接触。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极走线包括多条沿第一方向延伸的第一走线和多条沿第二方向延伸的第二走线,所述第一走线和所述第二走线交叉形成网格结构,所述第一方向与行方向具有第一夹角,所述第一夹角大于0°小于90°,所述第二方向与列方向具有第二夹角,所述第二夹角大于0°小于90°,所述行延伸线设于所述第一走线和所述第二走线的交叉点。
8.根据权利要求5或7所述的显示面板,其特征在于,所述交叉点沿行方向朝远离所述交叉点的方向延伸,形成所述行延伸线,且延伸末端不与所述触控电极走线连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当相邻两条所述列引线中设有所述第一行虚设金属线时,所述第一行虚设金属线的一端连接于其中一条所述列引线,所述第一行虚设金属线的另一端沿行方向朝另一条所述列引线方向延伸且延伸末端与另一条所述列引线间设有间隙。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当相邻两条所述行引线中设有所述第一列虚设金属线时,所述第一列虚设金属线与两条所述行引线间均设有间隙。
11.一种显示装置,其特征在于,包含如权利要求1-10任一项所述的显示面板。
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CN117795682A (zh) * | 2022-07-28 | 2024-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN115274708A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-11-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2024040385A1 (zh) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
WO2024060129A1 (zh) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105652498A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 上海中航光电子有限公司 | 一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置 |
CN108595053A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109541865A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN109791745A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-05-21 | 夏普株式会社 | 显示面板 |
CN110286534A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及其显示装置 |
CN112310125A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN112654917A (zh) * | 2019-07-26 | 2021-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置、显示基板的制作方法及驱动方法 |
CN112714956A (zh) * | 2019-08-27 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
KR102283459B1 (ko) * | 2015-01-02 | 2021-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN106935598B (zh) * | 2017-04-05 | 2019-08-27 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及其制造方法、触控面板和触控装置 |
-
2021
- 2021-08-24 CN CN202110972788.2A patent/CN114628404B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105652498A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 上海中航光电子有限公司 | 一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置 |
CN109791745A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-05-21 | 夏普株式会社 | 显示面板 |
CN108595053A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109541865A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN110286534A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及其显示装置 |
CN112654917A (zh) * | 2019-07-26 | 2021-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置、显示基板的制作方法及驱动方法 |
CN112714956A (zh) * | 2019-08-27 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN112310125A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Also Published As
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