CN114616689A - 发光元件和显示装置 - Google Patents

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引地邦彦
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Abstract

提供了能够改善发光特性的发光元件和显示装置。在每个像素中设置多个阳极电极(11)。像素隔离绝缘膜(12)具有将多个阳极电极(11)中的每个暴露于外部的开口(120)，并在开口(120)中在内壁的厚度方向的中间位置具有檐部(123B)。有机层(13)包括由像素隔离绝缘膜(12)的檐部(123B)切断的CGL(132)，并覆盖开口(120)。阴极电极(14)设置在有机层(13)的位于阳极电极(11)的相对侧的表面上。

Description

发光元件和显示装置
技术领域
本发明涉及发光元件和显示装置。
背景技术
当在未应用像素印刷的有源有机发光二极管(OLED)面板中使用具有低电阻的有机材料时，存在一些已知的问题：有机层泄漏(其是经由有机材料在像素之间的电流泄漏)以及来自有机涂层有缺陷的部分的器件泄漏。如果发生这种电流泄漏，则当特定的像素被照亮时，电流流入相邻的像素，并且导致非预期的像素发光。因此，可能出现诸如色域劣化、颜色配准误差、发光效率劣化和对比度不足等缺陷。
作为这些问题的对策，已知一种结构，其中以切断像素之间的低电阻有机材料的方式设置像素隔离绝缘膜，使得像素彼此绝缘和隔离。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP 2013-112694A
发明内容
技术问题
然而，在其中布置像素隔离绝缘膜的传统技术中，有机膜、阴极电极膜和保护膜的覆盖可能变得劣化并且导致发光特性的劣化。
因此，本公开提供一种能够改善发光性能的发光元件和显示装置。
问题的解决方案
根据本公开，多个第一电极被提供用于相应的像素。绝缘层具有将多个第一电极中的相应第一电极暴露至外部的开口，并且在开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部。有机层覆盖开口，并且包括通过绝缘层的檐部切断的电荷产生层。第二电极被设置在有机层的位于所述第一电极的相对侧的表面上。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光元件的截面图。
图2是根据第一实施例的发光元件的一个示例的示意图。
图3是具有连续CGL的发光元件的截面图。
图4为说明CGL中漏电流影响的示意图。
图5是示意地示出根据第一实施例的第一变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
图6是示出根据第一实施例的第二变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
图7是示出根据第一实施例的第三变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
图8是根据第二实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
图9是示意地表示根据第二实施例的变形例的像素隔离绝缘膜的截面的示意图。
图10是根据第三实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
图11是根据第四实施例的像素隔离绝缘膜的截面图。
图12是根据第五实施例的发光元件的截面图。
图13是根据第六实施例的发光元件的截面图。
图14是根据第七实施例的发光元件的截面图。
具体实施方式
现在将参考一些附图详细说明根据本公开的一些实施例。在下面的实施例中，相同的部分被给予相同的附图标记，并且将省略冗余的解释。
(第一实施例)
由于有源OLED高清晰，很难应用像素打印。因此，在有机气相沉积中进行区域膜形成。采用该方法，在空穴迁移率高的部分中，来自相邻像素之间的电流泄漏成为有机层中的问题。电流泄漏的主要原因包括在有机层中具有高空穴电子迁移率的层中横跨像素的水平方向上的泄漏，以及由于有机涂层性质的劣化导致层变薄的部分中的电压降引起的垂直方向上的泄漏。
作为对该问题的对策，实践公开了通过切断像素之间的低电阻有机材料的方式设置像素隔离绝缘膜。此外，通过在设置在像素之间的像素隔离绝缘膜的阳极部分设置锥形，并增大锥角，从而减小空穴迁移率高的层的厚度以及由此减小迁移率，来抑制泄漏。第一层HIL/HTL等中的电流泄漏也被其阻挡。
然而，利用该技术，当有机层具有包括多个叠层的有机结构时，难以对第二叠层和其后的叠层采取措施。在具有两个或更多个叠层的有机结构中，即使阻断第一层中的HIL/HTL等中的电流泄漏，也难以阻断具有高空穴电子迁移率的层中的电流泄漏。此外，即使当有机层具有一层有机结构时，也会对具有高空穴迁移率的层的膜厚度的设计值施加一些限制，因此，可能变得难以充分地减小有机层的厚度。当是这种情况时，在具有高空穴迁移率的有机层中变得难以抑制电流泄漏，并且电性能、发光性能、可靠性等可能劣化。
[根据第一实施例的发光元件的构造]
图1是根据第一实施例的发光元件的截面图。如图1所示，根据本实施例的发光元件1包括阳极电极11、像素隔离绝缘膜12和有机层13。
阳极电极11以像素为单位电隔离的方式设置，并且还用作反射层，因此，从提高发光效率的观点来看，优选具有尽可能高的反射率。因为阳极电极11被用作阳极，所以阳极电极优选地由具有高空穴注入性质的材料制成。
阳极电极11在层叠方向上的厚度(在下文中，简称为厚度)例如等于或大于30nm并且等于或小于1000nm。例如，阳极电极11的间距(相邻的阳极电极11之间的间隔)为200nm至1000nm左右。阳极电极11的材料的示例包括诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、银(Ag)、以及铝(Al)的金属元素中的一种或者合金。也可以在阳极电极11的表面上提供透明导电膜，例如由氧化铟锡(ITO)制成的透明导电膜。阳极电极11的厚度基于布线电阻和反射率(表面粗糙度)之间的平衡适当地设置。对于所谓的底部发射元件(底面发射元件)，阳极电极11被设置为透明导电膜。
像素隔离绝缘膜12将像素之间的阳极电极11电隔离，并保证阳极电极11和与有机层13接触的阴极电极14之间的绝缘。像素隔离绝缘膜12通过层叠下绝缘层121、中间绝缘层122和上绝缘层123形成。像素隔离绝缘膜12对应于“绝缘层”的示例。
下绝缘层121具有开口，阳极电极11的顶面(面向阴极电极14的表面)通过该开口暴露至外部，并且以横跨顶面至侧面(端面)而覆盖阳极电极11的周缘的方式设置下绝缘层121。下绝缘层121的开口具有在从面向阴极电极14的表面朝向阳极电极11的方向上延伸的锥形内壁121A，该锥形内壁121A被锥形化为使得开口朝向阳极电极11变得越来越小。
中间绝缘层122层叠在下绝缘层121的表面上，该表面是面向阴极电极14的表面。中间绝缘层122被设置为与沿着下绝缘层121的开口的外周的每个点隔开一定距离。换言之，中间绝缘层122具有开口，开口的外周缘定位成远离下绝缘层121的开口一定距离。根据本实施例的中间绝缘层122的开口的内壁122A具有在厚度方向上与阳极电极11垂直的表面。
上绝缘层123层叠在中间绝缘层122的表面上，该表面是面向阴极电极14的表面。上绝缘层123具有开口，该开口的内壁123A是锥形的。阳极电极11侧由内壁123A界定的上绝缘层123的开口的外周具有从中间绝缘层122的开口的外周向内侧缩回一定距离的形状。由内壁123A界定的上绝缘层123的开口的外周沿远离阳极电极11的方向增加。包括上绝缘层123的内壁123A的厚度的部分形成檐部123B，如稍后将描述的。换言之，檐部123B成锥形。
在上绝缘层123的锥形内壁123A上，稍后将描述的有机层13的有机沉积不会非常好地粘附。因此，优选地，相对于内壁121A、内壁122A以及内壁123A的总厚度，保持上绝缘层123的檐部123B的厚度变薄，或者使用小的锥角。以这种方式，可以改善有机层13的有机沉积至内壁123A的粘附。有机层13的有机沉积可改进的最大角度对应于“预定角度”的示例。还可以减小檐部123B的厚度以及锥角。
由下绝缘层121的开口、中间绝缘层122的开口和上绝缘层123的开口形成像素隔离绝缘膜12的开口120。开口120限定发光元件1的发光区域。开口120在平面图中的形状不限于任何特定形状，并且例如是矩形、正方形或圆形。
在本实施例中，沿开口120的周缘，上绝缘层123的开口的边缘比中间绝缘层122的开口的边缘更向开口120的内侧突出，该突出部分作为檐部123B。即，中间绝缘层122的内壁122A沿着开口部120的周缘部相对于上绝缘层123的内壁123A的位于阳极电极11的端部的位置凹入。
通过提供檐部123B，在有机层13中的第一OLED层131和CGL 132被切断，如稍后将描述的。因此，檐部123B的形状(包括檐部的厚度、长度和锥角)和中间绝缘层122的形状(包括其厚度)被确定为使得当气相沉积第一OLED层131和CGL 132时，沿着有机层切断部分P切断第一OLED层131和CGL 132。檐部123B的高度和宽度设置为允许切断第一OLED层131和CGL132的高度和宽度，这取决于上绝缘层123和中间绝缘层122的厚度、材料以及蚀刻条件、开口120的宽度、第一OLED层131和CGL 132的材料和厚度等。
在本实施例中，沿开口120的周缘，下绝缘层121的开口的边缘比上绝缘层123的开口的边缘更朝向开口120的内侧突出。优选地，下绝缘层121的内壁121A的端部的位置与上绝缘层123的内壁123A的端部的位置之间的距离L为一定距离，该端部是在阳极电极11侧上的端部。例如，距离L可以是200nm。通过将距离L设定为一定长度以上，可以改善沿着像素边缘的垂直泄漏。
下绝缘层121、上绝缘层123和中间绝缘层122由包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝的无机绝缘材料中的不同材料制成，由此可以实现蚀刻选择性。本实施例中，作为示例，下绝缘层121和上绝缘层123由氧化硅(SiO2)制成，中间绝缘层122由氮化硅(SiN)制成。然而，仅下绝缘层121、上绝缘层123和中间绝缘层122需要具有蚀刻选择性，并且不同的材料可用于下绝缘层121和上绝缘层123。此外，也可以使用能够实现下绝缘层121和上绝缘层123之间的蚀刻选择性的材料。如上所述，通过使用可以实现蚀刻选择性的材料，变得更容易将下绝缘层121、上绝缘层123和中间绝缘层122中的每个加工成期望的形状。
有机层13包括第一OLED层131、电荷产生层(CGL)132和第二OLED层133的叠层。此外，虽然未示出，有机层13还包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层。
第一OLED层131是蓝色发光层。由于受到电场，通过从阳极电极11注入的一部分空穴与从阴极电极14注入的一部分电子的复合而使第一OLED层131发射蓝光。例如，第一OLED层131包含蓝色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种。蓝色发光材料可以是荧光或磷光材料。例如，通过将2.5wt％的4，4’-双[2-{4-(N，N-二苯氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)混合至DPVBi来形成第一OLED层131。
第一OLED层131通过沉积(例如，气相沉积)形成。通过在檐部123B上的这种沉积，在下绝缘层121的表面上形成在檐部123B下面的“遮挡”区域以及沉积在檐部123B上的元件，该表面是在阴极电极14侧上的表面。第一OLED层131不沉积在这个遮挡区域中，并且因此沿着有机层切断部分P被切断。在气相沉积工艺期间，有机层被檐部123B和已经沉积在檐部123B上的元件切断从而犹如光由此被遮挡的这种现象有时被称为“在有机气相沉积工艺期间的遮挡现象”。
CGL 132是由具有高空穴迁移率的高导电材料制成的电荷产生层，以便供应载流子。CGL 132通过向第一OLED层131提供电子和向第二OLED层133提供空穴来提供等量的电荷，以保持CGL 132中的等电位表面。利用CGL 132，提高了发光效率。
CGL 132通过例如气相沉积的沉积而形成。由于CGL 132层叠在檐部123B上并沉积在第一OLED层131上，因此在下绝缘层121的表面(该表面为阴极电极14侧的表面)上在通过位于檐部123B下部和沉积在檐部123B上的元件而被遮挡的遮挡区中没有发生CGL 132的沉积，并且由于在有机气相沉积过程期间的遮挡现象，沿着有机层切断部分P切断CGL 132。
第二OLED层133为红色和绿色发光层。由于受到电场作用，通过从阳极电极11注入的部分空穴和从阴极电极14注入的部分电子的复合，第二OLED层133发出红光和绿光。第二OLED层133包含例如红色和绿色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和两种电荷传输材料中的至少一种。红色和绿色发光材料可以是荧光或磷光材料。
第二OLED层133通过沉积(例如，气相沉积)形成。第二OLED层133横跨层叠在檐部123B上的CGL 132和层叠在阳极电极11上的CGL 132沉积。虽然CGL 132沿着有机层切断部分P被切断，但是间隔较小。因此，沉积在层叠在檐部123B上的CGL 132上的第二OLED层133与沉积在层叠在阳极电极11上的CGL 132上的第二OLED层133相连。换言之，第二OLED层133填充有机层切断部分P的开口，并且形成一个连续层。
由于有机层切断部分P的开口被填充，形成了像素隔离绝缘膜12和有机层13围成的空间S。该空间S还可以填充有第二OLED层133。
以完全覆盖第二OLED层133的整个表面的方式形成阴极电极14，该表面是位于阳极电极11的相对侧上的表面。阴极电极14由透光的导电膜制成，诸如包含ITO、IZO、ZnO、InSnZnO、MgAg合金或Ag中的两种或更多种的单层膜或层叠膜。对于底部发射元件，可以使用与针对阳极电极11列出的材料相同的材料。
在以上方式中，因为层叠了作为蓝色发光层的第一OLED层131和作为红色发光层和绿色发光层的第二OLED层133，并且从这些层中发射的光被混合，所以从有机层13发射白光。然而，有机层13不限于这种层叠结构，只要有机层13被配置为发射白光即可。例如，有机层13也可以是蓝色发光层和黄色发光层的叠层，或者蓝色发光层和橙色发光层的叠层。
现在将说明使用发光元件1的显示装置。在该显示装置中，在阴极电极14的位于第二OLED层133相对侧的表面上形成保护层。保护层例如由氮化硅、氧化硅或金属氧化物制成。在该显示装置中，在阴极电极14的相对侧，在保护层上还形成有滤光层。滤光层以像素为单位提取发光元件1中产生的白光以作为红光、绿光或蓝光。滤光层布置在例如红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层中的一个面向发光元件1的位置处。
[制造方法]
通过组合通常的半导体工艺制造发光元件1。以下，对发光元件1的制造工序和使用该发光元件1的显示装置的示例进行具体说明。
通过MOS工艺在基板上形成驱动电路层，并且然后将例如光敏树脂涂覆到整个表面上。然后，通过曝光和显影光敏树脂，并且将光敏树脂图案化成预定形状，来形成平滑层。在图案化的同时形成连接孔之后，通过用导电材料填充连接孔形成插塞。在利用溅射形成金属层之后，例如，然后通过例如湿法蚀刻形成以发光元件1为单位(以像素为单位)分离的阳极电极11。
然后形成具有开口120和檐部123B的像素隔离绝缘膜12。具体地，首先，将下绝缘层121、中间绝缘层122、以及上绝缘层123以此处所列的顺序层叠在基板的整个表面上。此时，利用化学气相沉积(CVD)，形成例如SiON或SiN的膜作为下绝缘层121，形成例如SiO2的膜作为中间绝缘层122，并且形成例如SiON或SiN的膜作为上绝缘层123。
然后，例如，通过利用使用光刻法的蚀刻从下绝缘层121、中间绝缘层122、以及上绝缘层123的叠层选择性地仅去除第二绝缘层，在上绝缘层123中形成开口。具体地，例如，在上绝缘层123上形成并曝光(施加图案化)光致抗蚀剂膜。然后，例如，在能够实现上绝缘层123与中间绝缘层122之间的蚀刻选择性的条件下，通过各向异性(或各向同性)干法蚀刻(或湿法蚀刻)将上绝缘层123向下加工至中间绝缘层122的表面。此时，以这样的方式进行蚀刻，使得上绝缘层123的内壁123A(即，檐部123B)变成锥形的。优选地，上绝缘层123的檐部123B形成为相对于开口120的内壁的厚度变薄或具有小的锥角。在加工上绝缘层123之后，剥离光致抗蚀剂。
然后选择性地去除暴露的中间绝缘层122以在中间绝缘层122中形成开口。此时，例如，在可以实现中间绝缘层122、上绝缘层123、和下绝缘层121之间的蚀刻选择性的条件下，通过各向同性干法蚀刻或各向同性湿法蚀刻将中间绝缘层122向下加工至下绝缘层121的表面。因此，形成中间绝缘层122的开口，并且中间绝缘层122的内壁122A的位置从上绝缘层123的内壁123A的端部(该端部是在中间绝缘层122侧的端部)缩进，以形成檐部123B。
然后，选择性地去除暴露的下绝缘层121以形成开口120。此时，例如，在可以实现下绝缘层121与中间绝缘层122之间的蚀刻选择性的条件下，通过各向同性干法蚀刻或各向同性湿法蚀刻将下绝缘层121向下加工至阳极电极11的表面。此时，以下绝缘层121的内壁121A被锥形化(渐缩)的方式执行蚀刻。锥形化以这样的方式执行，即，确保一定的距离作为下绝缘层121的内壁121A的端部和上绝缘层123的内壁123A的端部之间的距离L，该端部是在阳极电极11侧上的端部。
然后，通过真空气相沉积、溅射、或涂覆(如旋涂或模涂)在基板的整个表面以在此列出的顺序形成空穴注入层和空穴传输层。此时，利用沿像素隔离绝缘膜12的开口120设置的檐部123B切断空穴注入层。
然后，通过例如真空气相沉积、溅射、或涂覆(如旋涂或模涂)来形成第一OLED层131。此时，第一OLED层131被沿像素隔离绝缘膜12的开口120形成的檐部123B切断。
然后，例如，通过真空气相沉积、溅射、或涂覆(如旋涂或模涂)形成CGL 132。此时，利用沿像素隔离绝缘膜12的开口120形成的檐部123B切断CGL 132。
通过上述方式，在本实施例中，利用檐部123B，第一OLED层131和CGL 132可以以阳极电极11为单位分隔的方式形成，无需单独图案化第一OLED层和CGL 132。
然后通过例如真空气相沉积、溅射、或涂覆(如旋涂或模涂)形成第二OLED层133。此时，第二OLED层133被相连地形成，而不被檐部123B切断。由于第一OLED层131和CGL 132的切断部分被第二OLED层133填充，从而形成空间S。
然后，通过例如真空气相沉积或溅射在基板的整个表面上形成由上述材料制成的阴极电极14。以上述方式，例如，在真空气氛中，有机层13和阴极电极14可连续地形成在阳极电极11上。这实现了如下元件结构：有机层13和阴极电极14不仅形成在阳极电极11的正上方的区域中，而且形成在相邻的阳极电极11之间(像素之间)的区域中。以上述方式形成发光元件1。
然后，通过例如CVD或溅射在发光元件1上形成保护层。然后，将具有滤光层的密封基板通过粘合层粘合到保护层上。以上述方式，可以制造包括发光元件1的显示装置。
图2是根据第一实施例的发光元件的一个示例的示意图。如图2所示，像素隔离绝缘膜12包括具有开口120的下绝缘层121、中间绝缘层122以及上绝缘层123。檐部123B通过使得中间绝缘层122比上绝缘层123更远离开口120的中心凹入而形成。通过提供檐部123B，第一OLED层131和CGL 132被切断，如在图2中示出的。在图2所示的示例中，形成空间S。
[作用和有利效果]
向根据本实施例的发光元件1注入驱动电流。当该驱动电流经由CGL 132通过阳极电极11和阴极电极14注入有机层13的第一OLED层131和第二OLED层133时，空穴和电子复合并发光。
一旦随着从第一OLED层131发出的光和从第二OLED层133发出的光混合而产生白光，白光在阳极电极11和阴极电极14之间被重复地反射，穿过阴极电极14、保护层和滤色器，并且被提取。具体地，从有机层13发射并且穿过阴极电极14的白光被例如滤光层颜色分离成红色、绿色和蓝色(RGB)光。换言之，从发光元件1发出的白光中，红光选择性地穿过红色滤光层，绿光选择性地穿过绿色滤光层，并且蓝光选择性地穿过蓝色滤光层。以这种方式，使用一组发光元件1作为一个像素显示图像，每个发光元件1发射R、G或B色光。
在包括发光元件1的显示装置中，有机层13和阴极电极14完全连续沉积而不以像素为单位图案化。
图3是具有连续CGL的发光元件的截面图。类似于根据本实施例的发光元件1，发光元件2包括阳极电极21、像素隔离绝缘膜22、第一OLED层23、CGL 24、第二OLED层25和阴极电极26。但是，像素隔离绝缘膜22在开口的内壁中间没有檐部。因此，在常规发光元件2中，如图3所示，第一OLED层23和CGL 24未被以阳极电极21为单位(以像素为单位)切断。所以，相邻像素经由作为具有高空穴迁移率的层的CGL 24电连接。
图4为说明CGL中的漏电流的影响的示意图。横截面301表示电流流入对应于红色滤光层27A的阳极电极21A中的状态。横截面302表示电流流入对应于绿色滤光层27B的阳极电极21B的状态。横截面303表示电流流入对应于蓝色滤光层27C的阳极电极21C的状态。
如在横截面301中，当电流流入阳极电极21A和阴极电极26时，在第一OLED层23中对应于红色滤光层27A的位置处发生光发射。电流然后通过CGL 24流入第二OLED层25。此时，电流横跨CGL 24泄漏到相邻像素。因此，电流流到与绿色滤光层27B和蓝色滤光层27C相对应的位置，并且在第二OLED层25中与红色滤光层27A、绿色滤光层27B和蓝色滤光层27C相对应的位置处发生光发射。因此，生成红光和绿光，并且通过红色滤光层27A提取红光，并且通过绿色滤光层27B提取绿光。
如在横截面302中，当电流流入阳极电极21B和阴极电极26时，在第一OLED层23中对应于绿色滤光层27B的位置处发生光发射。电流然后通过CGL 24流入第二OLED层25。此时，电流横跨CGL 24泄漏到相邻像素。因此，电流流到与红色滤光层27A和蓝色滤光层27C对应的位置，并且在第二OLED层25中与红色滤光层27A、绿色滤光层27B和蓝色滤光层27C对应的位置处发生光发射。因此，生成红光和绿光，并且通过红色滤光层27A提取红光，并且通过绿色滤光层27B提取绿光。
如在横截面303中，当电流流入阳极电极21C和阴极电极26时，在第一OLED层23中与蓝色滤光层27C对应的位置处发生光发射。电流然后通过CGL 24流入第二OLED层25。此时，电流横跨CGL 24泄漏到相邻像素。因此，电流流入对应于红色滤光层27A和绿色滤光层27B的位置，并且在第二OLED层25中对应于红色滤光层27A、绿色滤光层27B和蓝色滤光层27C的位置处发生光发射。因此，在通过蓝色滤光层27C提取蓝光的同时，生成红光和绿光，并且通过红色滤光层27A提取红光，并且通过绿色滤光层27B提取绿光。
如上所述，在常规发光元件2中，因为除了施加有电流的像素以外的像素也被激发并且被致使发光，所以发光特性劣化。相比之下，在本实施例中，在像素隔离绝缘膜12的开口120的内壁的中部设有檐部123B，通过檐部123B切断第一OLED层131和CGL 132。具体地，因为CGL 132被切断，所以CGL 132在相邻像素之间电隔离，同时有机层13和阴极电极14连续地且完全地跨越阳极电极11形成。
通过将包括具有檐部123B的开口120的像素隔离绝缘膜12设置到以像素为单位设置的阳极电极11，可以在像素之间电隔离CGL 132。因此，在有机层13横跨整个像素连续沉积的结构中，可以抑制电流泄漏。通过上述方式，可以抑制来自除施加有电流的像素以外的像素的激发和光发射，并提高电荷注入效率(在该示例中，空穴注入效率)和发光效率。此外，由于减少了向相邻像素的电流泄漏，还可以抑制颜色混合的机会。
(第一变形例)
在根据本变形例的发光元件1中，中间绝缘层122具有与根据第一实施例的形状不同的形状。图5是示意地表示根据第一实施例的第一变形例的像素隔离绝缘膜的横截面的示意图。图5的横截面201至204所表示的像素隔离绝缘膜12包括具有不同形状的中间绝缘层122。
在根据第一实施例的发光元件1中，中间绝缘层122的开口的内壁122A具有与阳极电极11的表面垂直的锥形形状。在以下的说明中，将根据第一实施例的发光元件1中的像素隔离绝缘膜12的形状称为标准形状。
与此相反，横截面201中的内壁122A具有锥形形状，其中开口的尺寸从阴极电极14侧朝向阳极电极11侧增大，即，具有在与檐部123B相反的方向上渐缩的形状。在该示例中，中间绝缘层122的开口的在阴极电极14侧的端部的位置比上绝缘层123的开口的在阳极电极11侧的端部的位置更远离开口的中心。
以与在横截面201中相同的方式，在横截面202中的内壁122A具有在与檐部123B相反的方向上渐缩的形状。然而，在该示例中，中间绝缘层122的开口的位于阴极电极14侧的端部的位置与上绝缘层123的开口的位于阳极电极11侧的端部的位置相一致。
在横截面203中的内壁122A具有锥形形状，其中，开口的尺寸从阴极电极14侧朝向阳极电极11侧减小，即，具有在与檐部123B相同的方向上渐缩的形状。在该示例中，中间绝缘层122的开口的在阴极电极14侧的端部的位置比上绝缘层123的开口的在阳极电极11侧的端部的位置更远离开口的中心。
横截面204中的内壁122A相对于开口的中心具有凹陷形状。在图5中，中间绝缘层122的开口的在阴极电极14侧的端部的位置与上绝缘层123的开口的在阳极电极11侧的端部的位置相一致。然而，中间绝缘层122的开口的位于阴极电极14侧的端部的位置也可以比上绝缘层123的开口的位于阳极电极11侧的端部的位置更远离开口的中心。
对于根据本变形例的发光元件1，可以使用横截面201至204中的任一个。通过横截面201至204的任何形状，由于在有机气相沉积工艺期间发生的遮挡现象，第一OLED层131和CGL 132被切断。
如上所述，根据本变形例的发光元件1包括具有与标准形状不同的形状的像素隔离绝缘膜12，但是即使采用这样的像素隔离绝缘膜12也切断了CGL 132。因此，可以抑制电流泄漏，并且抑制除了施加有电流的像素之外的像素的激发和光发射，并且改善发光特性。在上述方式中，像素隔离绝缘膜12的形状并不局限于任何特定的形状，只要能够通过由于设置檐部123B而在有机气相沉积工艺期间发生遮挡现象来切断CGL 132即可。
(第二变形例)
图6是示出了根据第一实施例的第二变形例的像素隔离绝缘膜的横截面的示意图。在根据本变形例的发光元件1中，如图6所示，上绝缘层123与下绝缘层121在开口侧的端部之间的距离比图1所示的像素隔离绝缘膜12的距离长。
通过以上述方式增加从上绝缘层123在开口侧的端部至下绝缘层121在开口侧的端部的距离，可以减少第二OLED层133、阴极电极14和保护膜的涂覆特性的劣化。
(第三变形例)
图7是示出了根据第一实施例的第三变形例的像素隔离绝缘膜的横截面的示意图。在根据本变形例的发光元件1中，如图7所示，将上绝缘层123的厚度设置为大于图1中所示的像素隔离绝缘膜12中所包括的上绝缘层123的厚度。另外，内壁123A的锥角设定为比图1所示的像素隔离绝缘膜12所包括的内壁123A的锥角小。
以这种方式，通过减小内壁123A的锥角，即使当上绝缘层123厚时，第一OLED层131和CGL 132也被切断。所以，发光元件1的像素隔离绝缘膜12能够选择是减小上绝缘层123的厚度还是减小内壁123A的锥角，以切断第一OLED层131和CGL 132。
(第二实施例)
接着，说明第二实施例。根据本实施例的发光元件1与根据第一实施例的不同之处在于，除了下绝缘层121、中间绝缘层122、上绝缘层123以外，在像素隔离绝缘膜12中还增加有其他的层。除了像素隔离绝缘膜12的形状之外，根据本实施例的发光元件1具有与图1所示的结构相同的结构。
图8是根据第二实施例的图像隔离绝缘膜的横截面图。根据本实施例的像素隔离绝缘膜12包括位于下绝缘层121下方的最下位绝缘层124，如横截面211所示。像素隔离绝缘膜12的开口120以包括最下位绝缘层124的开口的方式形成。
最下位绝缘层124的开口的内壁具有比下绝缘层121的开口的内壁的位于阳极电极11侧的端部更远离开口120的中心的区域。换言之，最下位绝缘层124的开口的内壁具有比下绝缘层121的开口的内壁的在阳极电极11侧的端部更远离开口120的中心凹入的区域。以这种方式，下绝缘层121的一部分形成檐部121B。
从光滑性的角度看，檐部121B的高度优选地设置为尽可能小到允许设置在有机层13中的第一OLED层131的阳极电极11侧上的空穴注入层由此切断的程度。例如，基于下绝缘层121和最下位绝缘层124的厚度和材料以及蚀刻条件、开口120的宽度以及空穴注入层的材料和厚度，檐部121B的高度和宽度设置为允许由此切断空穴注入层的高度和宽度。利用最下位绝缘层124切断的层不限于空穴注入层，并且可切断有机层13的其他层。
最下位绝缘层124通过以下描述的方法形成。选择性地去除下绝缘层121，以形成开口并且暴露最下位绝缘层124。然后，选择性地去除暴露的最下位绝缘层124，以形成最下位绝缘层124的开口。此时，例如，在能够实现最下位绝缘层124与下绝缘层121之间的蚀刻选择性的条件下，通过各向同性干法蚀刻或各向同性湿法蚀刻将最下位绝缘层124向下处理至阳极电极11的表面。因此，形成最下位绝缘层124的开口，并且最下位绝缘层124的内壁从下绝缘层121的端部(该端部是在最下位绝缘层124侧上的端部)凹入，以形成檐部121B。该檐部121B对应于“下端层切断檐部”的示例。
通过提供最下位绝缘层124并形成檐部121B，有机层13的空穴注入层在有机气相沉积工艺期间在气相沉积时由于遮挡现象而被切断。换言之，有机层13的空穴注入层以阳极电极11为单位(以像素为单位)被切断。在该实施例中，通过檐部121B切断空穴注入层，但是在阳极和阴极颠倒的结构中，通过檐部121B切断有机层13中的电子注入层。换言之，空穴注入层或电子注入层是位于有机层13的端部的层，并且位于阳极电极11侧的这些层中的一个对应于下端层并且由檐部121B切断。
以与第一实施例相同的方式，在有机气相沉积过程期间在蒸汽沉积时，由于通过檐部123B实现的遮挡现象切断第一OLED层131和CGL 132。
以如上所述的方式，根据本实施例的发光元件1具有以像素为单位切断的空穴注入层。在这些像素之间，可以隔离空穴注入层17。因此，在具有跨越整个像素共享的发光层的元件结构中，可以抑制电流泄漏。此外，因为可以抑制空穴注入层中的电流泄漏，可以增加空穴注入层的厚度，使得可以进一步改善空穴注入效率，并且结果，可以改善发光效率。
(变形例)
根据本变形例的发光元件1包括与层叠3层以上的发光层对应的像素隔离绝缘膜12。图9是示意地表示第二实施例的变形例的像素隔离绝缘膜的横截面的示意图。根据本实施例的发光元件1的像素隔离绝缘膜12具有被示出为横截面212或213的形状。
具有横截面212的像素隔离绝缘膜12包括第二中间绝缘层125和位于上绝缘层123的顶部的第二上绝缘层126。第二中间绝缘层125的内壁被定位成比第二上绝缘层126的端部更远离开口120的中心，该端部是第二中间绝缘层125侧的端部。利用该结构，第二上绝缘层126的一部分形成檐部126B。
按照与第一实施例中描述的中间绝缘层122和上绝缘层123相同的步骤制造第二中间绝缘层125和第二上绝缘层126。
在这个示例中，有机层13具有以三个层堆叠的OLED层。这三层OLED层从阳极电极11侧分别称为第一层、第二层和第三层。第一CGL层叠在第一层与第二层之间，并且第二CGL层叠在第二层与第三层之间。
在有机气相沉积过程中，由于通过提供檐部123B实现的遮挡现象使得以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断第一层和第一CGL。在有机气相沉积过程期间由于通过提供檐部126B实现的遮挡现象而以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断第二层和第二CGL。
具有横截面213的像素隔离绝缘膜12包括位于上绝缘层123顶部的第二中间绝缘层125、第二上绝缘层126、第三中间绝缘层127和第三上绝缘层128。第二中间绝缘层125的内壁被定位成比第二上绝缘层126的端部更远离开口120的中心，该端部是第二中间绝缘层125侧上的端部。利用该结构，第二上绝缘层126的一部分形成檐部126B。第三中间绝缘层127的内壁被定位成比第三上绝缘层128的端部更远离开口120的中心，该端部是在第三中间绝缘层127侧的端部。利用该结构，第三上绝缘层128的一部分形成檐部128B。
第二中间绝缘层125和第二上绝缘层126、以及第三中间绝缘层127和第三上绝缘层128按照与第一实施例中描述的中间绝缘层122和上绝缘层123相同的过程来制造。
在这个示例中，有机层13具有以四个层堆叠的OLED层。这四个OLED层从阳极电极11侧分别称为第一层、第二层和第三层、以及第四层。第一CGL层叠在第一层和第二层之间，第二CGL层叠在第二层和第三层之间；并且第三CGL层叠在第三层与第四层之间。
在有机气相沉积过程中，由于通过提供檐部123B实现了遮挡现象而以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断第一层和第一CGL。在有机气相沉积过程期间，由于通过提供檐部126B实现了遮挡现象而以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断第二层和第二CGL。在有机气相沉积过程中，由于通过提供檐部128B实现了遮挡现象而以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断第三层和第三CGL。
在本变形例中说明的是像素隔离绝缘膜12的形状与包括三层OLED层或四层OLED层的有机层13对应的示例，但是OLED层的层数不限于任何特定的数量，只要像素隔离绝缘膜12具有与OLED层的层数相同的檐部数即可。
如上所述，在根据本实施例的发光元件1中，在包括三个或更多层OLED层和CGL的有机层13中的每个CGL以像素为单位被切断。因此，可以抑制CGL中的电流泄漏。因此，可以抑制除了施加了电流的像素之外的像素的激发和光发射，并且可以改善发光特性。
在本变形例中说明的是像素隔离绝缘膜12具有与要切断的CGL的数量相同的檐部的示例，但是当通过具有檐部的开口120的内壁的倾斜而能切断任何CGL时，可以省略与这种CGL对应的檐部。换言之，当要切断的CGL包括通过开口120的内壁的倾斜而切断的CGL时，可以为像素隔离绝缘膜12提供从要切断的CGL的总数中减去通过倾斜而切断的CGL的数量而获得的数量的檐部。
(第三实施例)
图10是根据第三实施例的像素隔离绝缘膜的横截面图。根据本实施例的发光元件1的像素隔离绝缘膜12具有如横截面221至224中的任一个所示的结构。除了像素隔离绝缘膜12的形状之外，根据本实施例的发光元件1具有与图1所示的结构相同的结构。
具有横截面221的像素隔离绝缘膜12具有以下结构。下绝缘层121具有带有两个台阶的台阶状开口。以如下方式形成下绝缘层121：阴极电极14侧的台阶比阳极电极11侧的台阶从开口的中心凹入得更远。此外，在下绝缘层121的开口的内壁中，在阳极电极11侧的台阶具有锥形形状，使得开口朝向阳极电极11变得更小。
在具有横截面222的像素隔离绝缘膜12中，下绝缘层121和上绝缘层123被定位为使得它们在开口侧的端部彼此一致。
在具有横截面223的像素隔离绝缘膜12中，上绝缘层123的开口的端部设置在比下绝缘层121的端部更靠近开口的中心的位置。
在具有横截面224的像素隔离绝缘膜12中，上绝缘层123和下绝缘层121的开口的内壁成锥形为使得开口朝向阳极电极11变大。此外，上绝缘层123的开口的端部设置在比下绝缘层121的端部更靠近开口的中心的位置处。
根据本实施例的发光元件1包括具有横截面221至224中的任一个的像素隔离绝缘膜12，并包括位于像素隔离绝缘膜12的内壁中间的檐部123B。由此，以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断提供至根据该实施方式的发光元件1的CGL 132。
然而，在图10中所示的结构中，有机膜的沉积质量可能变差，并且导致相对于像素开口的平坦部分较薄的有机结构。OLED电压然后可以在这样的部分中下降，并且可以在具有低电压的区域中在有机器件的垂直方向上引起电流泄漏。因此，当容许在像素隔离绝缘膜12的台阶部分上形成的有机膜的沉积质量的劣化时，通过使用根据本实施例的发光元件1，可以抑制电流泄漏，并且可以抑制除了被施加了电流的像素以外的像素中的激发和发光，并且可以改善发光特性。
(第四实施例)
通过改变如第三实施例中的横截面221中的檐部123B之外的部分的形状，可以控制在有机气相沉积期间如何通过提供檐部结构而实现由于遮挡现象切断有机层13。根据本实施例的发光元件1具有像素隔离绝缘膜12，其以与横截面221中相同的方式改变檐部123B以外的部分的形状。除了像素隔离绝缘膜12的形状之外，根据本实施例的发光元件1具有与图1所示的结构相同的结构。
图11是根据第四实施例的像素隔离绝缘膜的横截面图。根据本实施例的发光元件1的像素隔离绝缘膜12的形状被示出为横截面231或232。
在具有横截面231的像素隔离绝缘膜12中，具有在图8中示出的横截面211的下绝缘层121的形状以与具有在图10中示出的横截面211的下绝缘层121中相同的方式改变。通过改变下绝缘层121的形状，可以改变有机元件沉积在檐部123B下方的方式，并且可以改变檐部123B的高度与有机层13的切断部分之间的关系。
在包括具有横截面231的像素隔离绝缘膜12的发光元件1中，在有机气相沉积过程中，由于通过设置檐部121B实现了遮挡现象而切断空穴注入层。此外，通过改变下绝缘层121的形状来控制如何切断有机层13，在有机气相沉积期间，由于通过提供檐部123B实现了遮挡现象，在蒸汽沉积时可靠地切断第一OLED层131和CGL 132。换言之，包括具有横截面231的像素隔离绝缘膜12的发光元件1包括以阳极电极11为单位(以像素为单位)可靠地切断的第一OLED层131和CGL 132。
在具有横截面232的像素隔离绝缘膜12中，以与具有在图10中示出的横截面221的上绝缘层123中相同的方式改变具有在图9中示出的横截面212的上绝缘层123和第二上绝缘层126的形状。通过改变下绝缘层121的形状，可改变檐部123B下方的有机元件如何沉积，并且通过改变上绝缘层123的形状，可改变檐部126B下方的有机元件如何沉积，并且可改变檐部123B和126B的高度与有机层13的切断部分之间的关系。这里说明的是有机层13具有三层发光层，即第一层、第二层和第三层，并且第一CGL和第二CGL层叠在这些层的相应对之间。
在包括具有横截面232的像素隔离绝缘膜12的发光元件1中，在有机气相沉积过程中，由于通过设置檐部123B和126B实现了遮挡现象而切断第一层、第一CGL、第二层和第二CGL。此外，通过改变上绝缘层123和第二上绝缘层126的形状来控制如何切断有机层13，在气相沉积时可靠地切断第一层、第一CGL、第二层和第二CGL。换言之，对于具有三层发光层的有机层13，包括具有横截面232的像素隔离绝缘膜12的发光元件1包括以阳极电极11为单位(以像素为单位)可靠地切断第一层、第一CGL、第二层和第二CGL。
尽管已经解释了包括具有横截面231或232的像素隔离绝缘膜12的发光元件1的示例，即使当发光元件1包括具有图10中示出的横截面221的像素隔离绝缘膜12时，也可以通过以上述方式改变下绝缘层121的形状来控制如何切断有机层13。
如上所述，在根据本实施例的发光元件1中，通过改变除了檐部123B之外的部分的形状，可以控制在有机气相沉积期间由于通过提供檐部结构实现遮挡现象而切断有机层13的方式。以这种方式，可以可靠地切断包括在目标有机层13中的层，使得可以更可靠地抑制电流泄漏，抑制除施加电流的像素之外的像素的激发和发光，并改善发光性能。
(第五实施例)
在上述实施例中说明的示例中，假设一个连续的下绝缘层121、中间绝缘层122、以及上绝缘层123设置在相邻的阳极电极11之间(像素之间)。相反，在本实施例中，在相邻的阳极电极11之间(像素之间)，中间绝缘层122和上绝缘层123设置为多个。根据该实施例的发光元件1具有与图1所示的结构相同的结构。图12是根据第五实施例的发光元件的截面图。
下绝缘层121奇点地(singularity)连续地布置在相邻的阳极电极11之间。换言之，覆盖直至靠近一个阳极电极11的端部的表面的下绝缘层121延伸以覆盖直至靠近与其相邻的阳极电极11的端部。
然后，在这些相邻的阳极电极11之间设置两个中间绝缘层122，如在图12中示出的。
上绝缘层123单独设置在每个中间绝缘层122的表面上，该表面位于阴极电极14侧。换言之，在相邻的阳极电极11之间还设置有两个上绝缘层123。
在该配置中，在有机气相沉积过程中，由于檐部123B产生的遮挡现象，在阳极电极11和与第一OLED层131相邻的上绝缘层123之间切断第一OLED层131。在有机气相沉积过程中，由于檐部123B产生的遮挡现象，在设置于相邻阳极电极11之间的两个上绝缘层123和下绝缘层121之间也切断第一OLED层131。
在此配置中，在有机气相沉积过程期间，由于通过檐部123B实现的遮挡现象，也在阳极电极11和与CGL 132相邻的上绝缘层123之间切断CGL 132。在有机气相沉积过程中，由于通过檐部123B实现的遮挡现象，在设置于相邻阳极电极11之间的两个上绝缘层123和下绝缘层121之间也切断CGL 132。
第二OLED层133形成为连续层而在像素之间不被切断。
如上所述，在根据该实施例的发光元件1中，在相邻的阳极电极11之间(像素之间)设置多个中间绝缘层122和上绝缘层123。以这种方式，即使中间绝缘层122和上绝缘层123在相邻的阳极电极11之间是不连续的，只要在阳极电极11侧上存在檐部结构，发光元件1就可以具有以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断的CGL 132。因此，根据本实施例的发光元件1也可抑制电流泄漏，抑制除施加了电流的像素之外的像素的激发和发光，并改善发光特性。
(第六实施例)
根据该实施例的发光元件1与根据第一示例的发光元件1的不同之处在于，不提供下绝缘层121。除了下绝缘层121之外，根据该实施例的发光元件1具有与图1所示的结构相同的结构。图13是根据第六实施例的发光元件的横截面图。
在根据本实施例的发光元件1中，不设置下绝缘层121。换言之，平坦绝缘层设置在一个阳极电极11的端部的侧表面和与其相邻的阳极电极11的端部的侧表面之间，而不覆盖阳极电极11的端部附近的表面。
如图13所示，中间绝缘层122设置在覆盖相邻阳极电极11之间的平坦绝缘层上。上绝缘层123设置在每个中间绝缘层122的表面上，该表面是在阴极电极14侧上的表面。
在该配置中，在有机气相沉积过程中，由于上绝缘层123的檐部123B产生的遮挡现象，在阳极电极11和与第一OLED层131相邻的上绝缘层123之间切断第一OLED层131。在该配置中，在有机气相沉积过程期间，由于通过檐部123B实现的遮挡现象，在阳极电极11和与CGL 132相邻的上绝缘层123之间也切断CGL 132。
第二OLED层133形成为在像素之间不被切断的连续层。
如上所述，在根据本实施例的发光元件1中，未设置下绝缘层121，并且中间绝缘层122和上绝缘层123设置在相邻的阳极电极11之间。以这种方式，即使不设置下绝缘层121，只要在阳极电极11侧上存在檐部结构，发光元件1就可以具有以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断的CGL 132。因此，根据本实施例的发光元件1也可抑制电流泄漏，抑制除施加了电流的像素之外的像素的激发和发光，并改善发光特性。
(第七实施例)
在根据本实施例的发光元件1中，中间绝缘层122和上绝缘层123隔着阳极电极11配置。在根据该实施例的发光元件1中，有机层13具有与在图1中示出的布置相同的布置。图14是根据第七实施例的发光元件的横截面图。
在根据本实施例的发光元件1中，中间绝缘层122和上绝缘层123设置为与阳极电极11的各个侧表面紧密接触，如图14所示。中间绝缘层122和上绝缘层123在相邻的阳极电极11之间具有开口。
在该示例中，中间绝缘层122的在开口侧的端部被定位在比上绝缘层123的开口的内壁的在阳极电极11侧的端部更远离开口中心的位置处。因此，檐部123B形成在阳极电极11的外侧上，即，朝向相邻的阳极电极11。
在此配置中，在有机气相沉积工艺期间，由于通过檐部123B实现的遮挡现象，在上绝缘层123与覆盖在阳极电极11之间的绝缘层之间切断第一OLED层131。在有机气相沉积过程中，由于通过檐部123B实现的遮挡现象，在上绝缘层123与覆盖在阳极电极11之间的绝缘层之间也切断CGL 132。
第二OLED层133形成为连续层而在像素之间不被切断。
如上所述，在根据本实施例的发光元件1中，中间绝缘层122和上绝缘层123被布置成其间具有阳极电极11，并且檐部123B朝向阳极电极11的外侧设置。以这种方式，即使当中间绝缘层122和上绝缘层123被布置为在它们之间具有阳极电极11时，发光元件1也能够以阳极电极11为单位(以像素为单位)切断CGL 132。因此，根据本实施例的发光元件1也可抑制电流泄漏，抑制除施加了电流的像素之外的像素的激发和发光，并改善发光特性。
上面已经说明了本公开的一些实施例，但是本公开的技术范围不局限于上述实施例，并且在不背离本公开的实质的范围内，各种修改仍然是可能的。此外，根据这些不同实施例和变形例的元件可适当地组合。
应注意的是，在此描述的效果仅是示例性的并且不是限制性的，并且可以实现任何其他效果。
该技术还可以具有以下配置。
(1)一种发光元件，包括：
多个第一电极，每个第一电极被提供用于对应的像素；
绝缘层，具有将所述多个第一电极中的对应的一个暴露于外部的开口，并且在所述开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部；
有机层，覆盖所述开口并且包括由所述绝缘层的檐部切断的电荷产生层；以及
第二电极，设置在所述有机层的表面上，所述表面是在所述第一电极的相对侧上的表面。
(2)根据(1)的发光元件，其中，所述檐部具有锥形形状。
(3)根据(2)的发光元件，其中，所述檐部的最大厚度比所述内壁的厚度薄，或者所述檐部的锥角等于或小于预定角度。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的发光元件，其中，
所述绝缘层包括多个所述檐部，并且
所述电荷产生层设置为与所述檐部的数量相同，并且每个所述电荷产生层由相应的一个所述檐部切断。
(5)根据(4)所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括通过内壁的倾斜而切断的电荷产生层。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的发光元件，其中，所述檐部的在开口的一侧的端部与绝缘层的定位成比檐部更靠近第一电极的端部在远离开口的中心的方向上隔开预定距离，绝缘层的端部是开口的一侧上的端部。
(7)根据(1)至(5)中任一项所述的发光元件，其中，所述檐部的端部(该端部是开口的一侧上的端部)与绝缘层的定位成比檐部更靠近第一电极的端部与开口的中心相距相同的距离，绝缘层的端部是开口的一侧上的端部。
(8)根据(1)至(5)中任一项所述的发光元件，其中，所述檐部的端部(该端部是开口的一侧上的端部)定位成比绝缘层的位于比檐部更靠近第一电极的端部更靠近开口的中心，该端部是开口的一侧上的端部。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的发光元件，其中，所述绝缘层的区域(该区域是比檐部靠近第一电极定位的区域)具有阶梯形状。
(10)根据(1)至(9)中任一项所述的发光元件，其中，下端层切断檐部设置至绝缘层的端部，该端部是在厚度方向上在第一电极的一侧上的端部。
(11)根据(1)至(10)中任一项所述的发光元件，其中，
设置多个所述发光元件，以及
在所述发光元件之间设置多个所述檐部。
(12)根据(1)至(10)中任一项所述的发光元件，其中，第一电极在比绝缘层的檐部更接近第一电极的区域中在开口中具有凹陷表面，该凹陷表面朝向与开口方向相反的一侧凹陷。
(13)根据(1)至(10)中任一项所述的发光元件，其中，第一电极介于檐部之间使得檐部面向远离第一电极的方向。
(14)一种显示装置，包括：
基板；
多个第一电极，每个第一电极设置在基板上以用于相应像素；
绝缘层，具有将所述多个第一电极中的对应的一个暴露于外部的开口，并且在所述开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部；
有机层，覆盖所述开口并且包括由所述绝缘层的檐部切断的电荷产生层；
第二电极，设置在所述有机层的表面上，所述表面是在所述第一电极的相对侧上的表面；以及
滤光层，布置在所述第二电极的表面上，所述表面是所述有机层的相对侧上的表面。
参考标号列表
1 发光元件
11 阳极电极
12 像素隔离绝缘膜
13 有机层
14 阴极电极
121 下绝缘层
121A 内壁
121B 檐部
122 中间绝缘层
122A 内壁
123 上绝缘层
123A 内壁
123B 檐部
131 第一OLED层
132 CGL
133 第二OLED层
P 有机层切断部分
S 空间

Claims (14)

1.一种发光元件，包括：
多个第一电极，每个第一电极被提供用于对应的像素；
绝缘层，具有将所述多个第一电极中的对应的一个第一电极暴露于外部的开口，并且在所述开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部；
有机层，覆盖所述开口并且包括由所述绝缘层的所述檐部切断的电荷产生层；以及
第二电极，设置在所述有机层的表面上，所述表面是在所述第一电极的相对侧上的表面。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部具有锥形形状。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述檐部的最大厚度比所述内壁的厚度薄，或者所述檐部的锥角等于或小于预定角度。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述绝缘层包括多个所述檐部，并且
所述电荷产生层设置为数量与所述檐部的数量相同，并且每个所述电荷产生层由相应的一个所述檐部切断。
5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括通过所述内壁的倾斜而切断的所述电荷产生层。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部的位于所述开口一侧的端部与所述绝缘层的定位成比所述檐部更靠近所述第一电极的端部在远离所述开口的中心的方向上隔开预定距离，所述绝缘层的所述端部是在所述开口的一侧的端部。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部的位于所述开口的一侧的端部和所述绝缘层的定位成比所述檐部更靠近所述第一电极的端部与所述开口的中心相距相同的距离，所述绝缘层的所述端部为所述开口的一侧的端部。
8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述檐部的位于所述开口的一侧的端部定位成比所述绝缘层的定位成比所述檐部更靠近所述第一电极的端部更靠近所述开口的中心，所述绝缘层的所述端部是所述开口的一侧的端部。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘层的定位为比所述檐部更靠近所述第一电极的区域具有阶梯形状。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，下端层切断檐部设置至所述绝缘层的端部，所述绝缘层的所述端部为在厚度方向上在所述第一电极的一侧的端部。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
设置多个所述发光元件，以及
在所述发光元件之间设置多个所述檐部。
12.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在比所述绝缘层的所述檐部更靠近所述第一电极的区域中，所述第一电极在所述开口中具有凹陷表面，所述凹陷表面朝向与开口方向相反的一侧凹陷。
13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极以所述檐部面向远离所述第一电极的方向的方式介于所述檐部之间。
14.一种显示装置，包括：
基板；
多个第一电极，每个所述第一电极设置在基板上以用于相应像素；
绝缘层，具有将所述多个第一电极中的对应的一个第一电极暴露于外部的开口，并且在所述开口的内壁的厚度方向的中间具有檐部；
有机层，覆盖所述开口并且包括由所述绝缘层的所述檐部切断的电荷产生层；
第二电极，设置在所述有机层的表面上，所述表面是在所述第一电极的相对侧上的表面；以及
滤光层，布置在所述第二电极的位于所述有机层的相对侧的表面上。
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