CN111937154A - 具有改善的分辨率和可靠性的电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种电致发光显示器件(100)，包括设置在基底(110)上的多个像素(120)，每个像素由一个或多个基本发射区(121a，121b，121c)形成，每个基本发射区具有设置在所述基板(110)上的基电极(102a，102b，102c)和OLED叠层(105)，OLED叠层(105)包括设置在所述基电极(102a，102b，102c)上的电致发光层，器件(100)还包括布置在OLED叠层的顶部上的共用电极(107)，所述器件的特征在于：‑属于两个相邻基本发射区(121a，121b)的两个相邻基电极(102a，102b)由具有绝缘表面的填充元件(103)分开，填充元件(103)填充所述相邻基电极(102a，102b)之间的区域(111)并使所述相邻基电极(102a，102b)彼此电绝缘；所述具有绝缘表面的填充元件(103)的至少与基电极(102a，102b)接触的表面由绝缘材料制成；分隔件(104)位于填充元件(103)上方并将OLED叠层(105)的电致发光层与两个相邻的基本发光区(121a，b)分开。

Description

具有改善的分辨率和可靠性的电致发光器件
技术领域
本发明涉及光电子器件和元件的领域，更准确地说，涉及OLED(有机发光二极管)型的电致发光器件。更具体地说，本发明涉及改善OLED型的显示屏的显示颜色范围以及分辨率的可靠性。它涉及简单的OLED器件和串联型OLED器件。
背景技术
有机电致发光器件引起了对平面屏幕和薄屏幕照明器件的相当大的兴趣。OLED器件的工作寿命随着电流密度或亮度的增加而降低，因为大量空穴和电子穿过有机层会引起有机组分的电化学二次反应。解决这个问题的一个具体方法是使用两个或多个叠加的OLED二极管(所谓的串联器件)，其目的在于在高亮度下实现更长的工作寿命。在串联OLED结构中，多个电致发光单元通过互连层如透明导电层(TCL)或电荷产生层(CGL)串联堆叠。此外，电子注入层(EIL)还在降低第一电致发光单元中的TCL或CGL的电子注入势垒中起重要作用。在相同的电流密度下，与单个电致发光器件相比，具有两个叠加的电致发光单元的串联OLED能够表现出双倍的亮度。因此，与具有单个单元的常规OLED的效率和工作寿命相比，能够改善串联OLED的效率和工作寿命。
OLED显示屏通常包括由竖向和水平导电迹线的栅格控制的各个像素的矩阵结构；这种结构能够允许像素的单独寻址。这在图1中示意性地示出，这将在下面解释。在彩色屏幕中，每个像素被细分为各种颜色(通常为三种或四种，包括红色、绿色和蓝色)的子像素，这些子像素协作以便发射所需颜色的光点(像素)。图3(a)示出了这种屏幕的截面。在子像素的电极顶部沉积OLED叠层，其覆盖矩阵的整个表面，并且在该示例中，其发射白光。在这种情况下，子像素的RGB(红-绿-蓝)或RGBW(红-绿-蓝-白)原色由位于OLED叠层上方的滤色器产生。产生原色的另一种方式是将OLED层构造为具有不同发射颜色的子像素。由于构造OLED层的方法相当复杂并且可获得的分辨率非常有限，所以在这种情况下甚至优选保持最多的共用层(即覆盖矩阵整个表面的层)，通常是传输电荷载流子的层，并且仅构造发光层。然而，在上述两种情况下，观察到相邻像素或子像素可以通过电容耦合或通过特别是经过OLED叠层的共用导电层的杂散电流而相互作用。
图3(b)中示出了此杂散电流的一个实例，其将在下文中解释。本领域技术人员通过术语串扰已知相邻像素之间的这种不期望的相互作用；在彩色屏幕的情况下，这尤其导致不期望的颜色改变。OLED器件中串扰现象的理论方面已经研究了很长时间(参见例如D.Braun的出版物“Crosstalk in Passive Matrix Polymer LED Displays”，其出现于1998年期刊Synthetic Metals 92，p.107-113。
众所周知，在单二极管OLED器件的情况下，串扰现象在具有串联二极管的OLED器件中加剧。串联叠加结构的互连层具有相当高的导电率，并且在层的平面中观察到杂散电流。当子像素的尺寸减小时，这个问题变得更加明显。除了串扰后果的数字校正(其相当于接受串扰现象并减少其对图像的影响)之外，已知用于在源头对抗串扰，即，用于减少像素或子像素水平处的物理现象的各种方法。
对于简单的OLED器件，为了防止与封装层中的湿气相关的短路问题，已知的是将每个像素分开以便将它们彼此隔离。文献EP2927985描述了这样一种结构，其中每个像素为气密密封并与其相邻像素隔离。制造这种结构需要许多复杂的方法步骤。通过辅助分隔元件例如壁来限定像素区域也是已知的，如文献US9419245中所述。这些方法复杂并且导致显著的额外成本。
考虑到上述问题，本发明的一个目的是至少部分地弥补上述在先技术的缺点，并提出一种用于OLED显示设备的结构，该结构使得即使对于非常小尺寸(通常小于5μm)的像素，对于具有非常小的像素间间距的结构，或者对于具有串联二极管的显示器也能够显著地减小横向杂散电流。
本发明的另一个目的是提出这样一种方法，该方法使得可以限制用于微型电致发光器件的像素之间的杂散电流。
发明内容
本发明适用于一种电致发光显示器件，该器件包括沉积在基底上的多个像素，每个像素由一个或多个基本发射区形成，其中每个基本发射区包括沉积在所述基底上的基电极和沉积在所述基电极上的电致发光层，并且所述器件包括沉积在所述电致发光层上的共用电极。
根据本发明的第一特征，属于两个相邻基本发射区的两个相邻基电极由具有绝缘表面的填充元件分开，该填充元件填充所述相邻基电极之间的区域并且使相邻基电极彼此电绝缘。
所述具有绝缘表面的填充元件的至少与所述基电极接触的表面由绝缘材料制成；具有绝缘表面的整个所述填充元件可以由绝缘材料制成。
根据本发明的另一个特征，所述填充元件的绝缘材料突出到所述基电极的表面的一部分上。
根据本发明的又一特征，分隔件位于所述填充元件上方，并将两个相邻的基本发射区的电致发光层分开；这消除了水平地传播到电致发光层中基底的漏电流。
所述共用电极的一部分通过共形沉积技术，优选通过ALD(原子层沉积)沉积。
因此，本发明的第一目的是一种电致发光显示器件，其包括沉积在基底上的多个像素，每个像素由一个或多个基本发射区形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底上的基电极以及包括沉积在所述基电极上的电致发光层的OLED叠层。所述电致发光显示器件包括沉积在所述OLED叠层上的共用电极。所述电致发光显示器件的特征在于：
-属于两个相邻基本发射区的两个相邻基电极由具有绝缘表面的填充元件分离，所述填充元件填充所述相邻基电极之间的区域并且使所述相邻基电极彼此电绝缘，
-所述具有绝缘表面的填充元件的至少与所述基电极接触的表面由绝缘材料制成；
-分隔件位于所述填充元件上方，并且将两个相邻的基本发射区的OLED叠层的电致发光层分开。
所述共用电极有利地通过共形沉积技术，优选通过ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)来沉积，以便获得通过分隔件的连续性。OLED叠层的层有利地通过定向(即，非共形)沉积技术，例如热蒸发来沉积，以便能够通过分隔件将它们分开。
有利地，所述填充元件的绝缘材料突出在所述基电极的表面的一部分上。
在一个实施例中，在两个相邻的分隔件之间并且由它们界定的顶部电极延伸，沉积在所述OLED叠层和所述共用电极之间。该顶部电极不具有任何功能优点；相反，在向上发射型器件的情况下，该顶部电极吸收光。该顶部电极可以用于在共用电极的沉积期间保护OLED叠层。
在一个有利的实施例中，不存在该顶部电极，并且共用电极实现每个基本发射区的电极功能，即，实现顶部发射器件的阴极功能或实现反向器件的阳极。
在一个实施例中，在两个相邻的分隔件之间并且由两个相邻的分隔件界定的电荷载流子注入层延伸，沉积在所述OLED叠层和所述共用电极之间。该载流子注入层能够将载流子注入OLED叠层(在所谓的标准OLED器件的情况下是电子，或者在所谓的反向OLED器件的情况下是空穴，这些术语“标准”和“反向”在下面定义)中，并且能够在沉积共用电极时保护OLED叠层。该电荷载流子注入层可以特别地由氧化钼或氧化钨制成，优选的厚度在0.5nm和5nm之间。
我们在此陈述，本领域技术人员称OLED器件为这样的“标准”，其中空穴的注入在基底的近表面上进行，电极的注入在与基底相对的表面上进行，而在所谓的“反转”器件中，电子注入在基底的近表面上，空穴注入在与基底相对的表面上。
在另一个实施例中，具有绝缘表面的所述填充元件和所述分隔件构成从基底向上延伸的阻挡元件。所述分隔件可以填充所述相邻基电极之间区域的顶部。
在另一实施例中，具有绝缘表面的整个填充元件由绝缘材料制成。所述分隔件可以包括所述共用电极。
这些实施例可以彼此组合。
在所有这些实施例中，显示器件可以包括沉积在共用电极顶部上的封装系统。所述封装系统可以包括聚合物层和无机层，无机层优选为氧化物。显示器件可以包括沉积在共用电极和聚合物层之间的无机层，无机层优选为氧化物。显示器件可以包括沉积在所述共用电极顶部或所述封装系统顶部上的平滑层。
根据本发明的所述OLED显示器件可以包括沉积在共用电极上或者优选地沉积在封装系统上或者甚至更优选地沉积在所述平滑层上的滤色器系统。
根据本发明的显示器件可以包括两个叠加的OLED叠层，这两个叠层然后通常由电荷产生层分开。
本发明的另一个目的是一种电致发光显示器件，其包括沉积在基底上的多个像素，每个像素由一个或多个基本发射区形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底上的基电极和包括沉积在所述基电极上的电致发光层的OLED叠层。所述电致发光显示器件包括沉积在所述OLED叠层顶部上的共用电极。所述电致发光显示器件的特征在于：
-属于两个相邻基本发射区的两个相邻基电极由具有绝缘表面的填充元件分离，所述填充元件填充所述相邻基电极之间的区域并且使所述相邻基电极彼此电绝缘，
-所述具有绝缘表面的填充元件的至少与所述基电极接触的表面由绝缘材料制成，
-分隔件位于所述填充元件上方，将两个相邻基本发射区的OLED叠层的电致发光层分开，并且填充所述相邻基电极之间区域的顶部。
具有绝缘表面的所述填充元件通常包括与相邻的基电极接触的绝缘层，该绝缘层能够使相邻的基电极彼此电绝缘；所述填充元件可以包括其它功能层，例如共用电极。在两个相邻的基本发射区之间的自然空间(其通常为沟槽的形式)中延伸的分隔件通常包括沉积在共用电极顶部上的平滑层(平坦化层)；如果该平滑层不存在，则分隔件可以包括空的空间(即空气)。
这些实施例可以彼此组合。
所述共用电极有利地通过共形沉积技术，优选通过ALD或CVD来沉积。有利地，所述填充元件的绝缘材料突出在所述基电极的表面的一部分上。OLED叠层的层通过定向沉积技术，例如通过热蒸发来沉积。
在一个实施例中，在两个相邻的分隔件之间，并且由两个相邻的分隔件界定的顶部电极延伸，沉积在所述OLED堆叠和所述共用电极之间。顶部电极可以用于在共用电极的沉积期间保护OLED叠层。顶部电极可以不存在，则共用电极实现每个基本发射区的电极的功能，即，对于标准器件是阴极的功能，或者对于反向器件是阳极的功能。
在该实施例的变型中，在两个相邻的分隔件之间并且由所述分隔件界定的电荷载流子注入层延伸，沉积在所述OLED堆叠和所述共用电极之间。该电荷载流子注入层能够将电荷载流子注入OLED叠层(在顶部发射型OLED器件的情况下是电子，或者在所谓的反转OLED器件的情况下是空穴)中，并且能够在沉积共用电极时保护OLED叠层。该电荷载流子注入层可以特别地由氧化钼或氧化钨制成，优选的厚度在0.5nm和5nm之间。
在所有这些实施例中，显示器件可以包括沉积在共用电极顶部的封装系统。所述封装系统可以包括聚合物层和无机层，无机层优选为氧化物。显示器件可以包括沉积在共用电极和聚合物层之间的无机层，无机层优选为氧化物。显示器件可以包括沉积在所述共用电极顶部或所述封装系统顶部上的平滑层。
根据本发明的所述OLED显示器件可以包括沉积在共用电极上或者优选地沉积在封装系统上或者甚至更优选地沉积在所述平滑层上的滤色器系统。
根据本发明的显示器件可以包括两个叠加的OLED叠层，这两个叠层然后通常由电荷产生层分开。
附图说明
图1至图3示出了OLED器件和显示器的已知的一般方面。图4至图8示出了本发明的各方面和实施例；它们不旨在限制本发明的范围。
图1示出了已知类型的OLED类型的矩阵屏幕的电路图。
图2示出了具有不同颜色的子像素的布置的三个已知示例，用于形成能够显示所需颜色的像素。
图3示意性地示出了根据在先技术的OLED显示器中的像素的垂直截面，该OLED显示器具有白色发射和滤色器。图3(a)示出了若干像素；图3(b)示出了具有三个子像素的单个像素。图3(c)示出了没有滤色器的彩色像素的实施例。
图4是示出根据本发明的一个实施例的器件的截面图。
图5是示出根据本发明另一实施例的结构器件的截面图。
图6示意性地示出了根据本发明的串联型器件的垂直截面；图6(b)示意性地示出了图6(a)的细节，即形成OLED层的有机层的叠层。图6(c)示出了一种变型，图6(d)示意性地示出了在该变型中的分隔件顶部上的OLED层的叠层。
图7和图8示出了分别在图4和图5中示出的器件的变型。
在本说明书中使用以下数字标记：
Figure BDA0002715271800000071
Figure BDA0002715271800000081
Figure BDA0002715271800000091
具体实施方式
图1示意性地示出了已知类型的OLED显示器10的电路，其包括能够产生图像的像素矩阵单元12，和控制单元36。OLED二极管14及其控制电路16设置成形成在像素矩阵单元12中的像素，所述像素矩阵包括行(水平的)和列(竖向的)。控制像素12的每个电路16包括多个薄膜晶体管18，20(通常采用CMOS(互补金属氧化物半导体)或TFT(薄膜晶体管)技术)和电容器22。控制单元36控制用于行30的控制电路和视频寻址电路32，以及用于寻址像素列的电源电路34；电源电路34提供像素电路36的寻址并控制OLED二极管14的光发射。用于行的控制电路连接到导电迹线38，寻址像素矩阵的扫描线。用于行的控制电路根据来自控制单元36的信号来选择扫描线38，并施加电压以便接通位于所选扫描行38上的TFT 18。视频寻址电路32连接到导电迹线40，寻址视频信号的列。视频寻址电路32从控制单元36接收视频信号，并将电压发送到在由相应控制电路30选择的行的导电迹线上的列的视频导电迹线40上。该电压信号通过所选择的像素行的OLED二极管14的TFT 18进入到电容器32中。控制TFT20发送与在OLED二极管14处记录的电压相对应的电流，并且因此，所选择的行38的OLED二极管14发射光。
电源电路34连接到导电迹线42，为像素列供电；电源电路34通过所选择的像素行的导电迹线32和TFT20向OLED二极管14供电。
这种寻址OLED二极管以形成像素矩阵中的像素的原理本身是已知的，其还可以以本身已知的方式应用于寻址OLED二极管以形成彩色显示设备的像素矩阵中的子像素，其中每个像素包括具有不同颜色的多个子像素(通常为三个或四个)；此处将结合图2进行解释。图2(a)、图2(b)和图2(c)示出了这些子像素51、52、53、54的几何布置的三个示例，用于形成能够显示所需颜色的像素50。在这些图中，子像素是红色51、蓝色52和绿色53，并且可以如图2(c)中那样另外包括白色子像素54，用于增加像素50的亮度。图2(a)中的布置已知缩写为“RGB条纹”，这是最普遍的。图2(b)中的布置已知缩写为“RGB四元组”，图2(c)中的布置已知缩写为“RGBW四元组”。
刚刚参照图1和2描述的寻址原理是可以为关于本发明实现的寻址原理之一。可以通过控制由形成子像素的OLED层发射的颜色或者通过修改由子像素发射的光的白色的滤色器来获得颜色，如将在下面参照图3解释的。
图3示意性地示出了根据在先技术的OLED微显示器；它示出了本发明试图解决的问题。图3(a)示出了器件70的结构的整体示意图：可以看到基底71(CMOS或TFT型的，寻址电路和部件未示出)、用于由填充(“间隙填充”)元件75分开的子像素的控制电极72，73，74、能够发射白光的OLED层76、封装层77、形成像素90的蓝色滤色器91，红色滤色器92和绿色滤色器93、以及作为保护覆盖层的玻璃晶片78。子像素的尺寸通常为约3.5μm至5μm。应当注意，在根据在先技术的这种器件中，OLED层76在器件的整个表面上延伸。
图3b示出了与图3(a)所示的器件类似的器件的放大图；该视图限于单个像素90。子像素首先由允许对其单独寻址的电极72，73，74限定，并且由相应的滤色器91，92，93限定，这些滤色器将OLED层76发射的光修改为在器件的整个表面上延伸的白色发射。控制相邻子像素72，73的两个电极之间的空间可以由填充元件75填充，所述OLED层76包括夹在两个电荷传输层81，82之间的发光层80本身。更准确地说，在典型的器件中，层81包括空穴注入和传输层，层82包括电子注入和传输层。然而，也可以使用所谓的“反转”叠层，在这种情况下，层82包括空穴注入和传输层，层81包括电子注入和传输层。层81和82可以分别包括实现各自的两个电荷注入和传输功能的单个层，或者多个层，例如用于注入的层和用于传输各自电荷的另一个层。共用电极85释放电荷。
根据在先技术的这种器件表现出杂散电流；这在图3(b)中示出。这是因为，如果当子像素(例如73)接通时，主电流沿最短方向(即相对于基底71垂直)直接(由粗箭头标记)通过OLED层，则该电流中的一些沿着其它导电迹线传播，只要这些导电迹线具有足够低的电阻率。因此，观察到杂散电流，其在电荷传输层81中传播，即在基底的平面中传播，然后穿过相邻子像素72或73中的OLED层。该杂散电流由虚线箭头标记。这导致在相邻子像素中的杂散光发射，其改变显示器的图像分辨率并降低其颜色的保真度。本发明试图提供一种用于减小这种杂散电流的装置。
图3(c)示出了另一种已知类型的器件，其中像素90的颜色不是如图3(a)和3(b)中的器件那样由为三个子像素中的每一个提供了滤色器的白色发射OLED元件产生，而是由提供了直接发射红、蓝和绿的电致发光层95，96，97的三个子像素产生。在该实施例中，每个子像素95，96，97具有其自己的寻址电极98a，98b，98c，但是用于注入和传输电荷(例如空穴)的第一层83和/或用于注入和传输电荷(例如电子)的第二层84与共用电极99是共用的，以简化器件的制造。杂散电流的问题与关于图3(b)描述的相同；空穴注入和传输层83的贡献在这些杂散电流中占优势。
图4示出了根据本发明第一实施例的器件100的截面图。该器件包括基底110，在基底上沉积了限定像素120的三个子像素121a，121b，121c。在该示例中，每个子像素表示基本发射区。
基底110特别适用于器件100，基底110特别地可以是由硅、玻璃或塑料材料制成的用于柔性器件的基底。基底110尤其可以是已知类型的CMOS硅基底，其包括寻址像素120和子像素121的电路；寻址像素和子像素的这些方面不构成本发明的一部分。
基本发射区(子像素)由多个层形成，对于每个子像素，此处将从直接沉积在基底上的层开始列举这些层，基底为电极102；这些子像素的电极102此处由标记102a，102b，102c表示。在电极的顶部沉积OLED电致发光层，形成叠层105、可选的顶部注入层106、以及共用共形电极107。根据器件的类型，可以添加平坦化层108和滤色器109。更准确地说，如果使用滤色器，为了避免光损耗，平坦化层是特别有利的。即使在没有滤光器的情况下，平坦化层也可以形成辅助封装系统的基础，该辅助封装系统可以包括例如无机层和/或玻璃盖。如上所述，使用滤色器的需要取决于形成子像素的OLED层的发射颜色。
两个相邻的基本发射区电极(子像素)(例如电极102a和102b)由此处称为自然空间(“间隙”)的空间111隔开，而无论它们是否属于同一像素。根据本发明的基本特征，该自然空间111填充有具有绝缘表面103的填充元件，称为“间隙填充”。具有绝缘表面103的所述填充元件可以与子像素电极102稍微重叠，以便形成边缘112。在一个特定实施例中，不仅填充元件103的表面而且其整个体积都由绝缘材料制成。它可以例如由基于光敏树脂(也称为光致抗蚀剂)或二氧化硅的组合物制备。
具有绝缘表面的分隔件104设置在具有绝缘表面的填充元件103的顶部上。分隔件的壁可以是竖向的。分隔件104将两个相邻子像素102的OLED层105和顶部注入层106的叠层分开。在特定实施例中，不仅分隔件表面而且其整个体积都由绝缘材料制成。可以由光敏树脂制造；可以使用负型的光敏树脂，其使得可以产生相当硬的或甚至悬垂的侧壁。也可使用无机介电材料。
OLED叠层105通常通过热蒸发沉积。该技术形成高度定向的沉积，因此OLED叠层105基本上仅沉积在水平表面上，而不沉积在分隔件的竖向壁上。OLED叠层105的层因此被分隔件中断，换言之：OLED叠层105的层通过分隔件而不连续，它们被像素化。
像素化顶部注入层106可以由像素化顶部电极代替(即，每个基本发射区具有其自己的顶部注入层或顶部电极层)。该顶部电极层可以由诸如铝(Al)、银(Ag)等的薄金属制成；该层也可通过热蒸发沉积，在这种情况下，其将仅沉积在水平表面上。应当注意，在附图中，当该顶部电极层代替所述顶部注入层时，该顶部电极层对应于由数字标记106标识的层。
为了在所有像素中连接顶部注入层106或顶部电极，或者在没有沉积顶部注入层和像素化电极的情况下连接OLED叠层105的最后一层，需要共用附加电极107，因此该附加电极不会被分隔件104切断。该共用电极107必须通过允许共形沉积的技术来沉积。它可以通过薄膜的原子沉积技术(缩写为ALD，“原子层沉积”)或通过透明导电氧化物(TCO)的化学气相沉积(CVD)来制成。在TCO中，可以合适地提及的是可能掺杂有铝的ZnO(缩写为AZO(铝掺杂的氧化锌))、SnO2、以及掺杂有锡的氧化铟(缩写为ITO(铟锡氧化物))；这些TCO是本领域技术人员已知的。在外围(图中未示出)，该共用电极107连接到适于在相应像素电极102被寻址时接通OLED105的电位。如果通过金属蒸发沉积顶部电极106，则该电极将(或多或少)由分隔件104像素化，并且在这种情况下，共用共形电极107将在顶部注入层106的小瓦片之间形成电连接。
在根据本发明的器件101的该实施例中，完全阻挡了OLED 105中的横向杂散电流。这种结构的另一个优点是，共形共用电极107，特别是通过ALD沉积的，是致密的不渗透薄膜，其用作封装并保护OLED叠层105免受湿气和氧气的影响。如果例如通过封装中的针孔发生故障，特别是导致黑点的故障，则该故障不能在更大的表面区域上延伸，因为分隔件104和共用电极107将每个像素(或多或少)密封地隔离以防止例如水的扩散。因此，如果所述故障仅影响子像素，则其甚至可能对于器件的用户不可见。
图4中的实施例在分隔件104的壁不完全竖向并且不完全隔离相邻的基本发射区的情况下保持其优点：这仍然显著地增加了两个相邻OLED叠层105之间的横向电阻，并减少了串扰现象。
我们在此更精确地描述形成根据该第一实施例的器件的各个层；该描述仅为示例，而不限制本发明的范围。
以已知的方式，具有有源矩阵的基底110可以为包括CMOS技术中的晶体管的CMOS(硅)基底，或者是包括TFT晶体管(通常由a-Si、多晶硅、或者金属或有机氧化物制成)的玻璃或塑料类型的基底。
像素电极102为铝(Al)或任何其他金属的层，其典型厚度为20nm至1000nm，优选为100nm至300nm，可选地覆盖有TiN或MoO3的细层，或覆盖有透明导电氧化物(缩写为TCO)等。像素电极可以由TCO制成，特别是在向下发射通过透明基底的显示器的实施例中，或者在向上和向下发射的透明显示器的实施例中。
显示器子像素的尺寸通常在1μm和100μm之间，优选在2μm和50μm之间，甚至更优选在2μm和10μm之间。子像素之间的距离为约0.1μm和10μm，并且优选地在0.2μm和1.0μm之间。
填充元件103(间隙填充)可以为光敏树脂、环氧树脂、无机电介质(例如SiO2，Si3N4或Al2O3)。电极上的重叠部分(边缘112)的宽度在0和0.5μm，优选在0.05μm和0.25μm之间。
分隔件104可由光敏树脂、环氧树脂、无机电介质(例如SiO2，Si3N4或Al2O3等)构成。分隔件的宽度约等于像素之间的距离。
OLED叠层105可以为白色OLED，具有单个电池或具有串联电池或具有多个电池，厚度通常在50nm和500nm之间，优选在80nm和250nm之间。OLED叠层105可以向上或向下发射，或者在两个面上发射。OLED叠层105的各层的沉积通过定向方法例如热蒸发来进行。
顶部注入层106(或在适用的情况下为顶部电极)沉积在两个相邻分隔件104之间的空间中。如果沉积顶部电极，则其可由反射性金属(例如铝(Al)或银(Ag))制成，对于底部发射其厚度通常为25nm至100nm，对于顶部发射或在两个面上发射其厚度通常为1nm至15nm。可以通过定向方法例如热蒸发来进行沉积。
在相反的情况下，沉积在顶部注入层106或顶部电极(如果存在后者之一的话)或OLED叠层105的顶部上的共用电极107通常为透明的导电氧化物，例如ZnO、AZO、ITO、SnO2或其他。通过高度共形沉积方法如ALD、PECVD或其他方法来沉积共用电极。共用电极的厚度通常在20nm和300nm之间。
平坦化层(平滑层)108通常为使用溶液(通过旋涂或喷涂等)沉积的有机材料(诸如光敏树脂或环氧树脂)。
滤色器109是在先技术的滤色器，例如由着色树脂制造。滤色器可以由彩色光敏树脂或图案型干涉滤色器等制成。
图5示出了根据本发明的器件的第二实施例，该结构重复了第一实施例中的大部分部件；图5示出了形成像素213的三个基本发射区201a，201b，201c。以截面视图呈现的器件200包括由沟槽形式的自然空间211分隔的子像素的基底210和电极202。绝缘层223设置在该自然空间211中，更准确地说，设置在该自然空间的壁上，在电极像素202上具有边缘212(重叠)。绝缘层223实现了具有绝缘表面的填充元件203的作用。
形成叠层的OLED电致发光层205沉积在子像素电极202和所述绝缘层223上，然后沉积顶部注入层206或顶部电极(顶部注入层206是优选的，但顶部注入层206或顶部电极两者都是任选的)、共形电极207、任选的且实现分隔件204的作用的平坦化层(也称为平滑层)208、和滤色器209。在没有平滑层208的情况下，在共用电极207上方的自然空间可以保持为空，该空隙实现分隔件204的作用，或者其可以由封装系统的元件填充。
该实施例使得可以使用具有竖向壁的子像素电极202之间的自然空间作为分隔件。由于子像素电极202的壁是导电的，所以它们必须用绝缘层223覆盖；绝缘层223也可以稍微覆盖电极像素202的边缘，这降低了短路的风险，但是增加了制造方法的复杂性。所述绝缘层223可以为通过诸如ALD、PECVD等的共形沉积方法沉积的电介质薄膜，例如氧化铝、二氧化硅等的层。绝缘层223可以使用有机层，例如光敏树脂的薄层；绝缘层223通常可以通过光刻法来制造，如图4所示留下轻微的回程(重叠)，以避免边缘上的短路。
我们在此更精确地描述形成根据该第二实施例的器件的各个层；该描述仅为示例，而不限制本发明的范围。
基底200、像素电极202、OLED叠层205、可选的共用电极220、共形电极207、可选的平坦化层208和滤色器209重复第一实施例的组成。
在像素电极202的顶部上沉积能够在用于OLED的有机层中注入电荷载流子(根据OLED器件的几何形状，为电子或空穴)的导电材料的薄层(图中未示出)。当蚀刻绝缘层223时，该薄层保护像素表面。薄层的厚度在1nm和50nm之间，优选在5nm和15nm之间。所述薄层可以由TiN制成，或者优选地由导电透明氧化物(特别是：氧化锡(SnO2)、掺杂锡的氧化铟(ITO)、氧化锌(ZnO)或掺杂铝的氧化锌(AZO))制成。如果绝缘层223的所述蚀刻涉及氧等离子体，则优选所述薄层由氧化物制成。
为了制造绝缘层223，可以通过ALD在基底的整个表面上沉积TiO2的薄层(厚度通常在5nm和20nm之间)。接着，通过旋涂沉积已知类型的光敏聚合物层(例如TEKR-003PM)；对于所示的参考，厚度可以在0.5μm和1μm之间。接着，通过光刻法界定像素的有源表面；在像素的边界处具有小的重叠(通常在0.1μm和0.2μm之间)。接着通过使用HF的湿法刻蚀去除TiO2；这不会侵蚀TiN层，因此保护了像素电极。材料的这种选择(TiN上的TiO2)是成功实施本发明的该实施例的基本手段。接下来，移除光敏聚合物层以便打开像素之间的空间。TiO2层的剩余部分因此形成绝缘层223。
在另一实施例中，对于绝缘层223，可以有利地使用通过ALD或CVD以共形方式沉积的另一绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅或氮化硅。代替该层的湿法蚀刻，可以使用干法蚀刻技术，特别是反应干法蚀刻(RIE)。
接下来，沉积有机层以形成OLED二极管以及阴极。以这种方式，获得了所示的结构，其中像素被沟槽分开，并且该沟槽的壁由绝缘层223绝缘。所述沟槽可以可选地在基底210中延伸，特别是如果沟槽的制造涉及蚀刻步骤。
除了在TiO2中，绝缘层223可以为由通过ALD、PECVD等沉积的另一材料例如Al2O3、SiO2、Si3N4等形成的介电薄层。该层的厚度通常为约5nm至25nm，通过光刻法模制。
可选的顶部电极可以以厚度在4nm和10nm之间的非常细的银或铝层的形式产生。如果不存在顶部电极，则共用电极207实现每个基本发射区的电极功能。在这种情况下，在两个相邻的分隔件之间，并且由两个相邻的分隔件界定，有利地延伸有由能够将载流子注入OLED叠层的材料制成的用于注入载流子的层206；该材料可以使用氧化钼或氧化钨。该层的厚度通常在0.5nm和5nm之间。
本发明无差别地应用于基本发射区为像素或子像素的情况，并且应用于它们发射白光或彩色光的情况；如果所述子像素的OLED层都发射白光，则滤色器109的存在对于允许以彩色显示子像素是必要的。
应当注意，为了简化的原因，图4和图5都没有示出器件的封装系统。如从文献US8,693,396或US9,082,999中已知的，封装系统可以包含三层氧化铝/聚合物/氧化铝复合物。平滑层108可以沉积在最后的三层系统层的顶部。在一种变型中，本发明通过使用共用共形电极107作为第一个三层复合层，使得可以简化该封装系统。这种变型在图7(图4中的器件的变型)和图8(图5的变型)中示出，其中附图标记220，221和222分别表示封装系统、聚合物层和氧化物层，氧化物层尤其能够是二氧化硅或氧化铝。平滑层108则位于最后的封装层的顶部，在这种情况下，最后的封装层是氧化物层222。应当注意，共用共形电极107用作环境大气的阻挡层并保护下面的层。共用共形电极本身可以代表封装系统(知道平滑层和可选的滤色器充当机械保护)，即使这不是优选实施例。
我们在此参照图6描述本发明的第三实施例，其具有串联型OLED器件的结构。图6(a)示出了这种器件130，其特征在于由电荷产生层132分开的两个OLED叠层131，133的叠加。对于具有绝缘表面103的填充元件和具有绝缘表面104的分隔件的结构，该器件遵照上述第一实施例。在该图中，没有平滑层和滤色器，根据由形成像素的基本发光区发射的颜色，可选的是，也没有封装层。
图6(b)更详细地示出了形成OLED叠层的层的叠层。第一OLED叠层131和第二OLED叠层133各自包括将电子注入到电致发光层1312，1332中的电子注入和传输层1311，1331，以及将空穴注入到所述电致发光层1312、1332中的空穴注入和传输层1313，1333。第一OLED叠层131的电子注入和传输层1311和第二OLED叠层133的空穴注入和传输层1333由电荷产生层132分开。在一种变型中(图中未示出)，层的顺序可以颠倒，因此电子注入和传输层可以位于相应的电致发光层的下面，空穴注入和传输层可以位于相应的电致发光层的上面。
在图6(c)所示的有利变型中，电致发光层1312，1332(仅在图6(b)中示出)被结构化，即，电致发光层1312，1332仅沉积在基本发射区上，而不包括由具有绝缘表面的填充元件占据的区域并且也不包括分隔件。这种结构化的沉积可以通过模板获得；这是一种本身已知的技术。在该变型中，仅空穴注入和传输层1313，1333和/或电子注入和传输层1311，1331沉积在显示器的整个表面上，包括沉积在由具有绝缘表面的填充元件和分隔件占据的区域上。在该区域中，获得了在图6(d)中示意性示出的叠层141，143：这不是“OLED叠层”，因为它不包括电致发光层，因此不发光。然而，在不存在具有绝缘表面的分隔件元件的情况下，杂散电流将穿过这些注入层和传输层，这将有助于本发明旨在消除的串扰现象。原则上，也可以使用模板技术沉积空穴注入和传输层1313，1333以及电子注入和传输层1311，1331，但是这将增加处理时间，将有降低工业效率的风险，并且将因此引起不可接受的额外成本。
示例
下面通过示例说明本发明，但这些示例不限制本发明的范围。这些示例涉及实施例和通常用于制得各种实施例的相应结构的材料。
根据如图2(c)所示的“RGBW四元组”类型的布置中，制得具有1280×1024像素矩阵的OLED微显示器，每个像素具有四个子像素。像素的尺寸为9.4μm×9.4μm，子像素的尺寸为4.7μm×4.7μm。使用由滤色器着色的白色像素。微显示器的显示屏的总尺寸是12.03mm×9.63mm。
包括2560×2048子像素的像素矩阵的电路利用有源矩阵(CMOS技术)沉积在直径为200mm的硅基底110上。像素的电极层102由铝制成，尺寸为3.7μm×3.7μm。沉积氧化硅层并通过光刻法结构化以产生间隙填充。(也可以沉积光致抗蚀剂清漆或可交联聚合物，然后将其结构化)。然后在间隙填充上沉积有机分隔件(通过沉积和构造负性光致抗蚀剂或另一类型的可交联清漆)。或者，可以通过使用各向异性蚀刻沉积和构造无机材料(如Al2O3或SiO2)来制造分隔件。
通过掩模(以便限制在各个像素表面上的沉积)的热蒸发，将OLED层(白光)的叠层沉积在该组件上，具体如下：
-代替标准阴极、半透明金属型，通过热蒸发沉积厚度为0.3-5nm的氧化钼电子注入层106。
-在MoO3层的顶部，通过ALD沉积TCO层(例如AZO、ZnO或SnO2)；该沉积覆盖上述阴极的电连接。厚度在25nm和300nm之间。
可以在TCO层上添加薄层封装，但是TCO层也可以单独实现封装层的功能。在该组件上(优选在沉积在封装系统顶部的平滑层上)沉积滤色器和可选的玻璃盖或用于保护微显示器屏幕的其它装置。接下来，切割硅晶片以释放微显示器，微显示器可以集成在更复杂的电子器件中。
本发明的目的概述
根据第一目的，本发明涉及一种电致发光显示器件100，200，包括沉积在基底110，210上的多个像素120，213，每个像素由一个或多个基本发射区121a，121b，121c；201a，201b，201c形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底110，210上的基电极102a，102b，102c；202a，202b，202c，以及通过定向沉积技术例如热蒸发沉积的OLED叠层105，205，所述OLED叠层包括电致发光层，电致发光层通过定向非共形沉积技术例如热蒸发沉积在所述基电极102a，102b，102c；202a，202b，202c上，并且所述器件100包括共用电极107，207，共用电极107，207通过诸如ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)的共形沉积技术沉积在所述OLED叠层的顶部上，所述器件的特征在于：
-属于两个相邻的基本发射区121a，121b；201a，201b的两个相邻的基电极102a，102b；202a，202b由具有绝缘表面的填充元件103，203分开，该填充元件103，203填充所述相邻的基电极102a，102b；202a，202b之间的区域111，211并且使所述相邻的基电极彼此电绝缘；
-所述具有绝缘表面的填充元件103，203的至少与所述基电极102a，102b；202a，202b接触的表面由绝缘材料制成；
-分隔件104，204位于所述填充元件103，203上方并且将两个相邻的基本发射区121a，121b；201a，201b的OLED叠层105，205的电致发光层分开；
-OLED叠层105，205的层被分隔件104，204中断；
-共用电极107，207在分隔件104，204上方是连续的。
该第一实施例的变型1：
器件的特征在于，在两个相邻的分隔件104之间，并且由两个相邻的分隔件104界定的导电透明层106延伸，能够将电荷载流子注入OLED叠层，导电透明层106沉积在所述OLED叠层105和所述共用电极107之间，所述导电透明层的厚度优选地在0.5nm和5nm之间。
该第一实施例的变型2：
器件(可选地根据变型1)的特征在于，所述导电透明层106通过定向沉积技术例如热蒸发来沉积。
该第一实施例的变型3：
器件(可选地根据变型1或2中任一个)的特征在于，所述导电透明层106优选地为氧化钼或氧化钨。
该第一实施例的变型4：
器件(可选地根据变型1至3中任一个)的特征在于，具有绝缘表面103的所述填充元件和所述分隔件104构成从基底110向上延伸的阻挡元件。
该第一实施例的变型5：
器件(可选地根据变型1至4中任一个)的特征在于，具有绝缘表面103的任何填充元件由绝缘材料制成。
该第一实施例的变型6：
器件(可选地根据变型1至3中任一个)的特征在于，所述分隔件204填充所述相邻基电极202a，202b之间区域的顶部。
该第一实施例的变型7：
根据变型6的器件的特征在于，所述分隔件204包括所述共用电极207。
该第一实施例的变型9：
器件(可选地根据变型1至8中任一个)的特征在于，其包括沉积在共用电极207的顶部上的封装系统220。
该第一实施例的变型9：
根据变型8的器件的特征在于，所述封装系统220包括聚合物层221和无机层，无机层优选为氧化物222。
该第一实施例的变型10：
根据变型9的器件的特征在于，其包括沉积在共用电极207和聚合物层221之间的无机层，无机层优选为氧化物。
该第一实施例的变型11：
器件(可选地根据变型1至10中任一个)的特征在于，其包括沉积在所述共用电极107，207的顶部上或所述封装系统220的顶部上的平滑层108，208。
该第一实施例的变型12：
器件(任选地根据变型1至11中任一个)的特征在于，其包括滤色器109，209的系统，滤色器109，209的系统沉积在共用电极107，207上，或优选地沉积在封装系统220上，或更优选地沉积在所述平滑层108，208上。
该第一实施例的变型13：
器件(可选地根据变型1至12中的任一项)的特征在于，其包括两个叠加的OLED叠层131，133。
该第一实施例的变型14：
根据变型13的器件的特征在于，两个OLED叠层131，133由电荷产生层132分开。
该第一实施例的变型15：
器件(可选地根据变型例1至14中任一个)的特征在于，所述填充元件103，203的绝缘材料突出在所述基电极102a，102b；202a，202b的表面的一部分上。
根据第二实施例，本发明涉及一种电致发光显示器件200，包括沉积在基底210上的多个像素213，每个像素由一个或多个基本发射区201a，201b，201c形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底210上的基电极202a，202b，202c，以及包括电致发光层的OLED叠层205，电致发光层通过定向非共形沉积技术例如热蒸发沉积在所述基电极202a，202b，202c上，并且所述器件200包括共用电极207，共用电极207通过诸如ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)的共形沉积技术沉积在所述OLED叠层的顶部上，所述器件的特征在于：
-属于两个相邻的基本发射区202a，202b的两个相邻的基电极202a，202b由具有绝缘表面的填充元件203分开，该填充元件203填充所述相邻的基电极202a，202b之间的区域211并且使所述相邻的基电极彼此电绝缘；
-所述具有绝缘表面的填充元件203的至少与所述基电极202a，202b接触的表面由绝缘材料制成；
-分隔件204位于所述填充元件203上方并且将两个相邻的基本发射区201a，201b的OLED叠层205的电致发光层分开；
-所述分隔件204填充所述相邻基电极202a，202b之间区域的顶部；
-OLED叠层205的层通过分隔件204而不连续(即，它们被分隔件中断)，而共用电极207通过分隔件204为连续的(即，它在分隔件上方为连续的)。
该第二实施例的变型1：
根据第二实施例的器件的特征在于，所述分隔件204包括所述共用电极207。
该第二实施例的变型2：
器件(任选地根据变型1)的特征在于，其包括沉积在共用电极207顶部上的封装系统220。
该第二实施例的变型3：
根据变型2的器件的特征在于，所述封装系统220包括聚合物层221和无机层，无机层优选为氧化物222。
该第二实施例的变型4：
根据变型3的器件的特征在于，其包括沉积在共用电极207和聚合物层221之间的无机层，无机层优选为氧化物。
该第二实施例的变型5：
器件(可选地根据变型1至4中任一个)的特征在于，其包括沉积在所述共用电极107，207的顶部上或所述封装系统220的顶部上的平滑层108，208。
该第二实施例的变型6：
器件(可选地根据变型1至5中任一个)的特征在于，其包括滤色器209的系统，滤色器209的系统沉积在共用电极207上、或优选地沉积在封装系统220上、或甚至更优选地沉积在所述平滑层208上。
该第二实施例的变型7：
器件(可选地根据变型1至6中任一个)的特征在于，其包括两个叠加的OLED叠层，这两个OLED叠层可由电荷产生层分开。
该第二实施例的变型8：
器件(可选地根据变型1至7中任一个)的特征在于，所述填充元件203的绝缘材料突出在所述基电极202a，202b的表面的一部分上。
该第二实施例的变型9：
器件(任选地根据变型1至8中任一个)的特征在于，在两个相邻的分隔件204之间并且由所述分隔件204界定的导电透明层延伸，所述导电透明层能够将电荷载流子注入到OLED叠层中，所述导电透明层沉积在所述OLED叠层205和所述共用电极207之间，所述导电透明层的厚度优选地在0.5nm和5nm之间。
该第二实施例的变型10：
根据变型9的器件的特征在于，通过定向沉积技术如热蒸发来沉积所述导电透明层。
该第二实施例的变型11：
根据变型9或10的器件的特征在于，所述导电透明层优选地为氧化钼或氧化钨。
该第二实施例的变型12：
器件(任选地根据变型1至8中任一个)的特征在于，在两个相邻的分隔件204之间并且由分隔件204界定的顶部电极延伸，该顶部电极是任选的，并且可以以厚度在4nm和10nm之间的非常细的银或铝层的形式制成并且通过定向沉积技术如热蒸发来沉积。
如果不存在顶部电极，则共用电极207实现每个基本发射区的电极的功能。
该第二实施例的变型13：
根据变型12的器件的特征在于，所述顶部电极由例如铝(Al)、银(Ag)或其它的薄金属制成；该层也可以通过热蒸发沉积，在这种情况下，该层将仅沉积在水平表面上。

Claims (31)

1.一种电致发光显示器件(100，200)，包括沉积在基底(110，210)上的多个像素(120，213)，每个像素由一个或多个基本发射区(121a，121b，121c；201a，201b，201c)形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底(110，210)上的基电极(102a，102b，102c；202a，202b，202c)，以及通过诸如热蒸发的定向沉积技术沉积的OLED叠层(105，205)，所述OLED叠层包括沉积在所述基电极(102a，102b，102c；202a，202b，202c)上的电致发光层，并且所述器件(100)包括通过诸如ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)的共形沉积技术沉积在所述OLED叠层顶部上的共用电极(107，207)，所述器件的特征在于：
-属于两个相邻基本发射区(121a，121b；201a，201b)的两个相邻基电极(102a，102b；202a，202b)由具有绝缘表面的填充元件(103，203)分开，所述填充元件(103，203)填充所述相邻基电极(102a，102b；202a，202b)之间的区域(111，211)并且使所述相邻基电极(102a，102b；202a，202b)彼此电绝缘；
-所述具有绝缘表面的填充元件(103，203)的至少与所述基电极(102a，102b；202a，202b)接触的表面由绝缘材料制成；
-分隔件(104，204)位于所述填充元件(102，203)的顶部上并且将两个相邻的基本发射区(121a，121b；201a，201b)的所述OLED叠层(105，205)的所述电致发光层分开；
-所述OLED叠层(105，205)的层被所述分隔件(104，204)中断；
-所述共用电极(107，207)在所述分隔件(104，204)上方是连续的。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在两个相邻的分隔件(104)之间并由此界定的导电透明层(106，206)延伸，能够将电荷载流子注入所述OLED叠层，所述导电透明层(106，206)沉积在所述OLED叠层(105)和所述共用电极(107)之间，所述导电透明层的厚度优选地在0.5nm和5nm之间。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述导电透明层通过定向沉积技术，例如热蒸发来获得。
4.根据权利要求2或3所述的器件，其特征在于，所述导电透明层优选地为氧化钼或氧化钨。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其特征在于，具有绝缘表面的所述填充元件(103)和所述分隔件(104)构成从所述基底(110)向上延伸的阻挡元件。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其特征在于，具有绝缘表面(103)的任何填充元件由绝缘材料制成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，所述分隔件(204)填充所述相邻基电极(202a，202b)之间的区域的顶部。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述分隔件(204)包括所述共用电极(207)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(207)的顶部上的封装系统(220)。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述封装系统(220)包括聚合物层(221)和无机层，所述无机层优选为氧化物(222)。
11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(207)和所述聚合物层(221)之间的无机层，所述无机层优选为氧化物。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(107，207)的顶部上或所述封装系统(220)的顶部上的平滑层(108，208)。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括滤色器(109，209)的系统，所述滤色器(109，209)的系统沉积在所述共用电极(107，207)上、或优选地沉积在所述封装系统(220)上、或甚至更优选地沉积在所述平滑层(108，208)上。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括两个叠加的OLED叠层(131，133)。
15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述两个OLED叠层(131，133)由电荷产生层(132)分开。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的器件，其特征在于，所述填充元件(103，203)的绝缘材料突出在所述基电极(102a，102b；202a，202b)的表面的一部分上。
17.一种电致发光显示器件(200)，包括沉积在基底(210)上的多个像素(213)，每个像素由一个或多个基本发射区(201a，201b，201c)形成，每个基本发射区包括沉积在所述基底(210)上的基电极(202a，202b，202c)，以及OLED叠层(205)，所述OLED叠层(205)包括沉积在所述基电极(202a，202b，202c)上的电致发光层，并且所述器件(200)包括共用电极(207)，所述共用电极(207)通过诸如ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)的共形沉积技术沉积在所述OLED叠层顶部上，所述器件的特征在于：
-属于两个相邻基本发射区(201a，201b)的两个相邻基电极(202a，202b)由具有绝缘表面的填充元件(203)分开，所述填充元件(203)填充所述相邻基电极(202a，202b)之间的区域(211)并且使所述相邻基电极(202a，202b)彼此电绝缘；
-所述具有绝缘表面的填充元件(203)的至少与所述基电极(202a，202b)接触的表面由绝缘材料制成；
-分隔件(204)位于所述填充元件(203)的顶部上并且将两个相邻的基本发射区(201a，201b)的所述OLED叠层(205)的所述电致发光层分开；
-所述分隔件(204)填充所述相邻基电极(202a，202b)之间区域的顶部；
-所述OLED叠层(205)的层被所述分隔件(204)中断；
-所述共用电极(207)在所述分隔件(204)上方是连续的。
18.根据权利要求17所述的器件，其特征在于，所述分隔件(204)包括所述共用电极(207)。
19.根据权利要求17至18中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(207)的顶部上的封装系统(220)。
20.根据权利要求19所述的器件，其特征在于，所述封装系统(220)包括聚合物层(221)和无机层(优选为氧化物(222))。
21.根据权利要求20所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(207)和所述聚合物层(221)之间的无机层，所述无机层优选为氧化物。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括沉积在所述共用电极(107，207)的顶部上或所述封装系统(220)的顶部上的平滑层(108，208)。
23.根据权利要求17至22中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括滤色器(209)的系统，所述滤色器(209)的系统沉积在所述共用电极(207)上、或优选地沉积在所述封装系统(220)上、或甚至更优选地沉积在所述平滑层(208)上。
24.根据权利要求17至23中任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括两个叠加的OLED叠层。
25.根据权利要求24所述的器件，其特征在于，所述两个OLED叠层由电荷产生层分开。
26.根据权利要求17至25中任一项所述的器件，其特征在于，所述填充元件(203)的绝缘材料突出在所述基电极(202a，202b)的表面的一部分上。
27.根据权利要求17至26中任一项所述的器件，其特征在于，在两个相邻的分隔件(204)之间并由所述两个相邻的分隔件(204)界定的导电透明层延伸，所述导电透明层能够将电荷载流子注入到所述OLED叠层中，所述导电透明层沉积在所述OLED叠层(205)与所述共用电极(207)之间，所述导电透明层的厚度优选地在0.5nm与5nm之间。
28.根据权利要求27所述的器件，其特征在于，所述导电透明层通过定向沉积技术，例如热蒸发来沉积。
29.根据权利要求27或28所述的器件，其特征在于，所述导电透明层优选地为氧化钼或氧化钨。
30.根据权利要求17至26中任一项所述的器件，其特征在于，在两个相邻的分隔件(204)之间并且由所述分隔件界定的顶部电极以4nm至10nm之间的厚度延伸，并且通过定向沉积技术，例如热蒸发来沉积。
31.根据权利要求30所述的器件，其特征在于所述顶部电极层由薄金属例如铝(Al)或银(Ag)制成。
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