CN114613868B - 基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 - Google Patents
基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114613868B CN114613868B CN202210145522.5A CN202210145522A CN114613868B CN 114613868 B CN114613868 B CN 114613868B CN 202210145522 A CN202210145522 A CN 202210145522A CN 114613868 B CN114613868 B CN 114613868B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- type silicon
- thickness
- photovoltaic cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0694—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,包括在n型硅片,n型硅片一面依次设置第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极;n型硅片另一面依次设置p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuI层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明具有提升双面n型TOPCon电池效率的特点。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池。
背景技术
晶体硅表面会产生界面态,界面态会影响少数载流子浓度从而降低电池的光电转化效率。双面TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)结构太阳能电池可以避免上述问题。在现有的双面n型TOPCon结构太阳能电池中,正面的重掺杂多晶硅层的场钝化作用可以显著降低晶硅表面少子复合速率,并且超薄的重掺杂多晶硅层可以保证多子的有效隧穿和显著提高多子的传导性能。然而,由于多晶硅的禁带宽度为1.1eV~1.7eV,因此相当一部分的入射可见光会被正面的多晶硅层吸收,电池的效率有待提高。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,具有提升双面n型TOPCon电池效率的特点。
本发明所采用的技术方案是,基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,包括n型硅片,n型硅片反面由近到远依次设置第一隧穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层;所述n型掺杂多晶硅层靠近两端的位置分别设置有背面电极,背面电极贯穿第一钝化减反层;
n型硅片正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层、第二隧穿层、p型CuI层、第二钝化减反层;p型CuI层上与背面电极相对的位置设置有正面电极,正面电极贯穿第二钝化减反层(8)。
本发明的特点还在于:
n型硅片的厚度为50μm~200μm,电阻率为0.1Ω·cm~5Ω·cm。
第一隧穿层的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
n型掺杂多晶硅层厚度为2nm~20nm。
第一钝化减反层的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
p型掺杂发射极层通过扩散工艺形成,厚度为0.5μm~2μm,电阻率为0.1Ω·cm~1Ω·cm。
第二隧穿层的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
p型CuI层通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为80W~100W,衬底温度为20℃,沉积时间为30min~60min,反应室压力为10Pa~20Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为800℃~900℃,退火氛围为空气。
p型CuI层的掺杂浓度为1018cm-3~1020cm-3,厚度为5nm~200nm。
第二钝化减反层的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
本发明的有益效果是:基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,采用p型CuI层代替现有的重掺杂多晶硅层,p型CuI层具有较大的禁带宽度(>3.5eV),在可见光范围内具有更高的透过率,可以提高可见光的入射效率,从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
附图说明
图1是本发明基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池的结构示意图。
图中,1.第一隧穿层,2.n型掺杂多晶硅层,3.第一钝化减反层,4.背面电极,5.p型掺杂发射极层,6.第二隧穿层,7.p型CuI层,8.第二钝化减反层,9.正面电极,10.n型硅片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,如图1所示,包括n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。
n型硅片10的厚度为50μm~200μm,电阻率为0.1Ω·cm~5Ω·cm。
第一隧穿层1的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为2nm~20nm。
第一钝化减反层3的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为0.5μm~2μm,电阻率为0.1Ω·cm~1Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为80W~100W,衬底温度为20℃,沉积时间为30min~60min,反应室压力为10Pa~20Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为800℃~900℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1018cm-3~1020cm-3,厚度为5nm~200nm。p型CuI层具有较大的禁带宽度(>3.5eV),在可见光范围内具有更高的透过率,可以提高可见光的入射效率,从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
第二钝化减反层8的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
实施例1
包括在n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。
n型硅片10的厚度为50μm,电阻率为0.1Ω。
第一隧穿层1的材料为SiO2,厚度为1nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为2nm。
第一钝化减反层3的材料为Si3N4,厚度为60nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为0.5μm,电阻率为0.1Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为SiO2,厚度为1nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为80W,衬底温度为20℃,沉积时间为60min,反应室压力为10Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为800℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1018cm-3,厚度为5nm。
第二钝化减反层8的材料为Si3N4,厚度为60nm。
实施例2
包括在n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。n型硅片10的厚度为200μm,电阻率为5Ω。
第一隧穿层1的材料为SiO2,厚度为5nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为20nm。
第一钝化减反层3的材料为Si3N4,厚度为200nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为2μm,电阻率为1Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为SiO2厚度为5nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为100W,衬底温度为20℃,沉积时间为30min,反应室压力为20Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为800℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1020cm-3,厚度为200nm。
第二钝化减反层8的材料为Si3N4,厚度为200nm。
实施例3
包括在n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。
n型硅片10的厚度为125μm,电阻率为3Ω。
第一隧穿层1的材料为SiO2,厚度为3nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为11nm。
第一钝化减反层3的材料为Si3N4,厚度为130nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为13μm,电阻率为0.6Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为SiO2厚度为3nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为90W,衬底温度为20℃,沉积时间为45min,反应室压力为15Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为850℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1019cm-3,厚度为100nm。
第二钝化减反层8的材料为Si3N4,厚度为130nm。
实施例4
包括在n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。
n型硅片10的厚度为125μm,电阻率为3Ω。
第一隧穿层1的材料为Al2O3,厚度为3nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为11nm。
第一钝化减反层3的材料为Si2N2O,厚度为130nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为13μm,电阻率为0.6Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为Al2O3厚度为3nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为90W,衬底温度为20℃,沉积时间为45min,反应室压力为15Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为850℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1019cm-3,厚度为100nm。
第二钝化减反层8的材料为Si2N2O,厚度为130nm。
实施例5
包括在n型硅片10,n型硅片10反面由近到远依次设置第一隧穿层1、n型掺杂多晶硅层2、第一钝化减反层3;n型掺杂多晶硅层2靠近两端的位置分别设置有背面电极4,背面电极4贯穿第一钝化减反层3;
n型硅片10正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层5、第二隧穿层6、p型CuI层7、第二钝化减反层8;p型CuI层7上与背面电极4相对的位置设置有正面电极9,正面电极9贯穿第二钝化减反层8。
n型硅片10的厚度为125μm,电阻率为3Ω。
第一隧穿层1的材料为SiC,厚度为3nm。
n型掺杂多晶硅层2厚度为11nm。
第一钝化减反层3的材料为Si2N2O,厚度为130nm。
p型掺杂发射极层5通过扩散工艺形成,厚度为13μm,电阻率为0.6Ω·cm。
第二隧穿层6的材料为SiC,厚度为3nm。
p型CuI层7通过磁控溅射工艺制备获得,对磁控溅射反应室设置如下条件参数:溅射功率为90W,衬底温度为20℃,沉积时间为45min,反应室压力为15Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为850℃,退火氛围为空气。
p型CuI层7的掺杂浓度为1019cm-3,厚度为100nm。
第二钝化减反层8的材料为Si2N2O,厚度为130nm。
本发明基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,在双面n型TOPCon光伏电池的正面结构中采用p型CuI层代替现有的重掺杂多晶硅层,p型CuI层具有较大的禁带宽度(>3.5eV),在可见光范围内具有更高的透过率,可以提高可见光的入射效率,从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
Claims (10)
1.基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,包括n型硅片(10),所述n型硅片(10)反面由近到远依次设置第一隧穿层(1)、n型掺杂多晶硅层(2)、第一钝化减反层(3);所述n型掺杂多晶硅层(2)靠近两端的位置分别设置有背面电极(4),所述背面电极(4)贯穿第一钝化减反层(3);
所述n型硅片(10)正面由近到远依次设置p型掺杂发射极层(5)、第二隧穿层(6)、p型CuI层(7)、第二钝化减反层(8);所述p型CuI层(7)上与背面电极(4)相对的位置设置有正面电极(9),所述正面电极(9)贯穿第二钝化减反层(8)。
2.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述n型硅片(10)的厚度为50μm~200μm,电阻率为0.1Ω·cm~5Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述第一隧穿层(1)的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
4.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述n型掺杂多晶硅层(2)厚度为2nm~20nm。
5.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述第一钝化减反层(3)的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
6.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,所述p型掺杂发射极层(5)通过扩散工艺形成,厚度为0.5μm~2μm,电阻率为0.1Ω·cm~1Ω·cm。
7.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述第二隧穿层(6)的材料为SiO2、Al2O3或SiC,厚度为1nm~5nm。
8.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述p型CuI层(7)通过磁控溅射工艺制备获得,且磁控溅射条件参数为:溅射功率为80W~100W,衬底温度为20℃,沉积时间为30min~60min,反应室压力为10Pa~20Pa,通入反应室气体为Ar与O2;退火温度为800℃~900℃,退火氛围为空气。
9.根据权利要求8所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述p型CuI层(7)的掺杂浓度为1018cm-3~1020cm-3,厚度为5nm~200nm。
10.根据权利要求1所述的基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池,其特征在于,所述第二钝化减反层(8)的材料为Si3N4或Si2N2O,厚度为60nm~200nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210145522.5A CN114613868B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210145522.5A CN114613868B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114613868A CN114613868A (zh) | 2022-06-10 |
CN114613868B true CN114613868B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=81858354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210145522.5A Active CN114613868B (zh) | 2022-02-17 | 2022-02-17 | 基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114613868B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103390661A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-13 | 汪贤才 | 一种p-CuI/n-ZnO透明异质结及其制备方法 |
CN211654823U (zh) * | 2020-04-21 | 2020-10-09 | 泰州中来光电科技有限公司 | 钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池 |
CN214753765U (zh) * | 2020-12-31 | 2021-11-16 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种钙钛矿叠层太阳能电池 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7257952B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2023-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
GB201721066D0 (en) * | 2017-12-15 | 2018-01-31 | Oxford Photovoltaics Ltd | Multi-function photovoltaic device |
CN111525037B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-05-12 | 泰州中来光电科技有限公司 | 钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法 |
CN111710746B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-03-25 | 浙江浙能技术研究院有限公司 | 一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构 |
CN112510105A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-16 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种高效太阳能电池及其制备方法 |
CN113206123A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-03 | 南京大学 | 一种钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法 |
-
2022
- 2022-02-17 CN CN202210145522.5A patent/CN114613868B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103390661A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-13 | 汪贤才 | 一种p-CuI/n-ZnO透明异质结及其制备方法 |
CN211654823U (zh) * | 2020-04-21 | 2020-10-09 | 泰州中来光电科技有限公司 | 钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池 |
CN214753765U (zh) * | 2020-12-31 | 2021-11-16 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种钙钛矿叠层太阳能电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114613868A (zh) | 2022-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN210897294U (zh) | 太阳能电池 | |
WO2023050822A1 (zh) | 一种背接触电池的制作方法 | |
CN110880541A (zh) | 一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其制备方法 | |
CN210926046U (zh) | 太阳能电池 | |
CN114512551B (zh) | 一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池 | |
CN112951927A (zh) | 太阳能电池的制备方法 | |
CN112820793A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
AU2022200624B2 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
CN112563348A (zh) | 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池背面电极金属化方法 | |
CN115394863A (zh) | 一种太阳电池及其制备方法 | |
CN214753785U (zh) | 一种单面钝化接触的太阳能电池 | |
CN113410334B (zh) | 多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池 | |
WO2024060933A1 (zh) | 太阳电池及其制备方法 | |
WO2022156101A1 (zh) | 一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法 | |
WO2021189860A1 (zh) | 叠层光伏器件及生产方法 | |
AU2023255047A1 (en) | Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module | |
CN114613868B (zh) | 基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 | |
CN114512552A (zh) | 一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池 | |
WO2022134994A1 (zh) | 太阳电池及生产方法、光伏组件 | |
CN110718607A (zh) | N型太阳能电池的制作方法 | |
CN115274868B (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
WO2022156102A1 (zh) | 太阳能电池叠层钝化结构及制备方法 | |
CN214753765U (zh) | 一种钙钛矿叠层太阳能电池 | |
CN115274927A (zh) | 一种TOPCon太阳能电池的制作方法 | |
CN111477696B (zh) | 一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230802 Address after: Building A6, 312, Hangcheng Innovation and Entrepreneurship Park, No. 159 Hangcheng Avenue, Sanwei Community, Hangcheng Street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province, 518000 Patentee after: Shenzhen Miller Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 710048 Shaanxi province Xi'an Beilin District Jinhua Road No. 5 Patentee before: XI'AN University OF TECHNOLOGY |