CN211654823U - 钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池 - Google Patents

钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池。该电池包括N型硅基体，N型硅基体的正面从内到外依次包括p+掺杂区域、正面复合层、正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层、正面空穴传输层、以及正面金属电极；N型硅基体的背面从内到外依次包括隧穿氧化层、背面n+掺杂区、背面复合层、背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层、背面电子传输层、以及背面金属电极。本实用新型通过将钙钛矿电池作为底层电池，可以将背面入射光中硅太阳电池吸收不了的短波段进行吸收，提高电池组件对太阳光的利用率；通过在硅电池的底部反射回去的光进入底钙钛矿层再进行折射、反射，可以进一步提高太阳能电池的光吸收性能。

Description

钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池。
背景技术
钙钛矿太阳能电池作为一种新型太阳电池，具有生产成本低、制备工艺简单、电迁移率高、吸光系数大等优点。自2009年至今，其转换效率从最初的3.8％跃升至25.2％，增长速度之快令人叹为观止。然而钙钛矿太阳电池仍然存在一个问题，就是其光谱响应区域与太阳光谱不匹配。钙钛矿太阳能电池的禁带宽度为1.5eV，对波长小于400nm的紫外光和大于800nm的近红外光波段不能吸收，因此占太阳光谱近一半的光没有被钙钛矿太阳能电池利用，这大大限制了电池效率的提高；此外。具有较高能量的紫外光，会造成钙钛矿太阳能电池结构一定程度的破坏，导致电池光电性能下降；采用紫外滤光膜虽然能避免紫外光对钙钛矿太阳能电池的损害，提高电池的稳定性，但也使电池无法有效利用紫外光，减小了电池的光吸收；而红外光又会使电池组件发热，导致钙钛矿太阳能电池温度上升，较高的温度会使钙钛矿电池的稳定性降低，缩短电池及组件寿命。
目前，钙钛矿/晶硅双结叠层电池可以解决上述问题。然而，当前很多电池采用双面入光，增加入射光从而增加光电流，许多太阳能电池发电站为了增加背面入射光，采用平面镜对背面进行补光，然而由于硅太阳能电池无法对背面的短波段光谱充分吸收；此外硅太阳能电池通常采用单面制绒，背面反射率较高，光利用率低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池。
本实用新型一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，包括N型硅基体，所述N型硅基体的正面从内到外依次包括p+掺杂区域、正面复合层、正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层、正面空穴传输层、以及正面金属电极；
所述N型硅基体的背面从内到外依次包括隧穿氧化层、背面n+掺杂区、背面复合层、背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层、背面电子传输层以及背面金属电极。
本实用新型提供的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，还包括如下附属技术方案：
其中，所述正面钙钛矿吸收层和背面钙钛矿吸收层的厚度均为400-700nm。
其中，所述正面空穴传输层和背面空穴传输层的厚度均为10-100nm。
其中，所述正面复合层和背面复合层的厚度均为1-30nm。
其中，所述正面电子传输层和背面电子传输层的厚度均为5-180nm。
其中，所述N型硅基体的厚度为150～170μm。
其中，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm。
本实用新型的实施包括以下技术效果：
(1)通过将钙钛矿电池作为底层电池，可以将背面入射光中硅太阳电池吸收不了的短波段进行吸收，提高电池组件对太阳光的利用率；
(2)通过在硅电池的底部反射回去的光进入底钙钛矿层再进行折射、反射，可以进一步提高太阳能电池的光吸收性能；
(3)该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳能电池可以进一步有效提升叠层电池中的光谱响应，进而提升器件的短路电流密度；
(4)该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳电池光电转换效率高。
(5)该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳能电池的制备方法方便简单，且易于实施，可以工业化大规模生产。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(1)后的电池结构截面示意图。
图2为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(2)后的电池结构截面示意图。
图3为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(3)后的电池结构截面示意图。
图4为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(4)后的电池结构截面示意图。
图5为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(5)中制备完超薄隧穿氧化层后的电池结构截面示意图。
图6为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(6)后的电池结构截面示意图。
图7为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(7)后的电池结构截面示意图。
图8为本实用新型实施例的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池制备方法中步骤(8)后的电池结构截面示意图。
图中，1-N型硅基体，2-p+掺杂区域，3-隧穿氧化层，4-本征非晶硅层，5-本征非晶硅正面绕镀，6-背面n+掺杂区，7-正面复合层，8-背面复合层，9-正面电子传输层，10-正面钙钛矿吸收层，11-正面空穴传输层，12-背面空穴传输层，13-背面钙钛矿吸收层，14-背面电子传输层，15-正面金属电极，16-背面金属电极。
具体实施方式
下面结合实例对本实用新型进行详细的说明。
具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到保护。
本实用新型提供的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，如图8所示，包括N型硅基体1，
所述N型硅基体1的正面从内到外依次包括p+掺杂区域2、正面复合层7、正面电子传输层9、正面钙钛矿吸收层10、正面空穴传输层11以及正面金属电极15；
所述N型硅基体1的背面从内到外依次包括隧穿氧化层3、背面n+掺杂区6、背面复合层8、背面空穴传输层11、背面钙钛矿吸收层13、背面电子传输层14、以及背面金属电极16。
本实用新型的一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)、在双面制绒处理后的硅基体双面均制备p+掺杂区域；
(2)、将步骤(1)处理后的硅基体的任意一面放入酸性溶液中进行刻蚀处理，以去除背面p+掺杂区域；
(3)、在步骤(2)处理后的硅基体背面制备隧穿氧化层和本征非晶硅层；
(4)、对步骤(3)处理后的硅基体的本征晶硅层进程掺杂处理，并清洗。
(5)、对步骤(4)处理后的硅基体进行快速退火处理，以在所述隧穿氧化层上形成掺杂的多晶硅薄膜；并去除硅基体正面的多晶硅绕度；
(6)、在硅基体的正面和背面均制备复合层；
(7)、在硅基体的正面复合层上依次制备正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层和正面空穴传输层；在硅基体的背面复合层上依次制备背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层和背面电子传输层；
(8)、在硅基体的正面和背面均制备金属电极。
在一个实施例中，所述正面钙钛矿吸收层和背面钙钛矿吸收层的厚度均为400-700nm。
在一个实施例中，所述正面空穴传输层和背面空穴传输层的厚度均为10-100nm。
在一个实施例中，所述正面复合层和背面复合层的厚度均为1-30nm。
在一个实施例中，所述正面电子传输层和背面电子传输层的厚度均为5-180nm。
在一个实施例中，所述本征晶硅层的厚度为50～400nm。
在一个实施例中，所述N型硅基体的厚度为150～170μm。
在一个实施例中，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm。
本实用新型通过将钙钛矿电池作为底层电池，可以将背面入射光中硅太阳电池吸收不了的短波段进行吸收，提高电池组件对太阳光的利用率；通过在硅电池的底部反射回去的光进入底钙钛矿层再进行折射、反射，可以进一步提高太阳能电池的光吸收性能；该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳能电池可以进一步有效提升叠层电池中的光谱响应，进而提升器件的短路电流密度；该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳电池光电转换效率高；该钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿三结叠层太阳能电池的制备方法方便简单，且易于实施，可以工业化大规模生产。
下面将以具体的实施例对实用新型的制备方法进行详细地说明。
实施例1
步骤(1)、选择厚度为150～170μm，电阻率为0.3～2Ω·cm，尺寸156.75mm×156.75mm的N型硅作为衬底进行双面制绒处理；并在在经过制绒处理后的N型硅表面采用三溴化硼作为硼源进行双面p+掺杂区域2的制备，扩散温度为850～1000℃，时间为50～80min，方阻为80～100Ω/sqr。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)、将经过双面硼扩散后的N型硅，选择其中一面放入HF与HNO3、以及H2SO4混合溶液中进行刻蚀处理，以去除背面p+掺杂区域2，得到刻蚀后平缓的金字塔表面，其中，HF:HNO3:H2SO4:H2O＝1:4:0.6:3，HF质量分数20％。完成本步骤之后的电池结构如图2所示。
步骤(3)、采用高温热氧化的方法在经过刻蚀后的N型硅背面制备一层超薄隧穿氧化层3。具体地，在常压、纯氧、温度>1000℃条件下，反应10～20min，得到隧穿氧化层3的厚度为1～3nm；然后采用LPCVD制备本征非晶硅层4，其中，本征非晶硅层的沉积温度为550～650℃，本征非晶硅层的厚度为50～400nm，并会在正面产生绕镀5。完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(4)、对N型硅背面的本征非晶硅层进行掺杂处理，掺杂方式为离子注入磷原子，具体地，将射频功率设置在500～2000W，工艺压强设置在1E-7～8E-5Torr，反应1～20min；并将掺杂完的N型硅进行清洗，以去除本征非晶硅正面绕镀5和表面金属离子。完成本步骤后的电池结构如图4所示。
步骤(5)、将清洗后的N型硅进行快速热退火处理，具体地，先将退火炉抽真空至10-4pa以下，然后充氮气作为保护气，退火过程中，退火炉的真空度为500～950mbar，退火时间为20～60min，退火温度为800～900℃，经过退火后的N型硅，原有的非晶结构被破坏，掺杂的磷原子被激活，形成晶粒尺寸较小，高质量细颗粒的掺磷的多晶硅薄膜，该掺磷的多晶硅薄膜在太阳电池中称为背面n+掺杂区域6；并将退火后的N型硅用清洗机去掉正面的硼硅玻璃层。完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(6)、在清洗后的N型硅正面和背面分别用磁控溅射方法沉积一层纳米晶硅形成正面复合层7和背面复合层8，其厚度均为1nm-30nm。完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(7)、先在正面复合层7上采用旋涂的方法制备一层氧化锡作为正面电子传输层9，具体地，采用旋涂机将配置好的氧化锡溶液旋涂在硅片正面复合层上，旋涂速度为2000-4000转/秒，退火温度为150-200℃，厚度为5-180nm；然后在正面电子传输层9上沉积一层钙钛矿吸收层10，具体地，采用旋涂法在电子传输层上旋涂PbI2和CsBr的混合溶液，旋涂速度为2100rpm，旋涂时间为30秒，70℃退火10秒，得到碘化铅/溴化铯膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到正面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在正面钙钛矿吸收层10上旋涂锂盐掺杂的Spiro-OMeTAD，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30秒，得到厚度为80-100nm的正面空穴传输层11。先在背面复合层8上采用热蒸发的方式沉积一层氧化镍作为背面空穴传输层12，厚度为10nm-200nm；然后在背面空穴传输层12上沉积一层背面钙钛矿吸收层13，具体地，采用共蒸发的方法在背面空穴传输层上共蒸镀PbI2和CsBr，压强为5×10-6mbar，得到碘化铅/溴化铯膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到背面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在背面钙钛矿吸收层13上采用共蒸发的方法制备C60/LiF的混合层，得到背面电子传输层14，厚度为5-180nmnm。完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(8)、金属电极制备。在N型硅两端采用低温银浆进行金属电极印刷，形成正面金属电极15和背面金属电极16，并低温烧结，烧结温度在100-300℃，完成本步骤后的电池结构如图8所示。至此，钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳电池制备结束。
实施例2
步骤(1)、选择厚度为150～170μm，电阻率为0.3～2Ω·cm，尺寸156.75mm×156.75mm的N型硅1作为衬底进行双面制绒处理；并在在经过制绒处理后的N型硅表面采用三溴化硼作为硼源进行双面p+掺杂区域2的制备，扩散温度为850～1000℃，时间为50～80min，方阻为80～100Ω/sqr。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)、将经过双面硼扩散后的N型硅，选择其中一面放入HF与HNO3、以及H2SO4混合溶液中进行刻蚀处理，以去除背面p+掺杂区域2，得到刻蚀后平缓的金字塔表面，其中，HF:HNO3:H2SO4:H2O＝1:4:0.6:3，HF质量分数20％。完成本步骤之后的电池结构如图2所示。
步骤(3)、采用硝酸氧化法的方法在经过刻蚀后的N型硅背面制备一层超薄隧穿氧化层3。具体地，采用质量分数为45～60％的硝酸溶液，在90～115℃的反应温度下，反应4～10min，得到隧穿氧化层3的厚度为1～3nm；然后采用LPCVD制备本征非晶硅层4，其中，本征非晶硅层的沉积温度为550～650℃，本征非晶硅层的厚度为50～400nm，并会在正面产生绕镀5。完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(4)、对N型硅背面的本征非晶硅层进行掺杂处理，掺杂方式为离子注入磷原子，具体地，将射频功率设置在500～2000W，工艺压强设置在1E-7～8E-5Torr，反应1～20min；并将掺杂完的N型硅进行清洗，以去除本征非晶硅正面绕镀5和表面金属离子。完成本步骤后的电池结构如图4所示。
步骤(5)、将清洗后的N型硅进行快速热退火处理，具体地，先将退火炉抽真空至10-4pa以下，然后充氮气作为保护气，退火过程中，退火炉的真空度为500～950mbar，退火时间为20～60min，退火温度为800～900℃，经过退火后的N型硅，原有的非晶结构被破坏，掺杂的磷原子被激活，形成晶粒尺寸较小，高质量细颗粒的掺磷的多晶硅薄膜，该掺磷的多晶硅薄膜在太阳电池中称为背面n+掺杂区域6；并将退火后的N型硅用清洗机去掉正面的硼硅玻璃层。完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(6)、在清洗后的N型硅正面和背面分别用蒸发沉积法沉积一层ITO形成正面复合层7和背面复合层8，其厚度均为1nm-30nm。完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(7)、先在正面复合层7上采用旋涂的方法制备一层TiO2作为正面电子传输层9，具体地，采用旋涂机将配置好的TiO2溶液旋涂在硅片正面复合层上，旋涂速度为2000-4000转/秒，退火温度为150-200℃，厚度为5-180nm；然后在正面电子传输层9上沉积一层钙钛矿吸收层10，具体地，采用喷涂法在电子传输层上旋涂ZnBr2和NaBr的混合溶液，旋涂速度为2100rpm，旋涂时间为30秒，70℃退火10秒，得到ZnBr2/NaBr膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到正面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在正面钙钛矿吸收层10上旋涂锂盐掺杂的PTAA，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30秒，得到厚度为80-100nm的正面空穴传输层11。先在背面复合层8上采用热旋涂的方式沉积一层碘化亚铜作为背面空穴传输层12，厚度为10nm-200nm；然后在背面空穴传输层12上沉积一层背面钙钛矿吸收层13，具体地，采用蒸镀的方法在背面空穴传输层上共蒸镀ZnI2和CsCl，压强为5×10- 6mbar，得到ZnI2/CsCl膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到背面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在背面钙钛矿吸收层13上采用化学气相沉积法的方法制备SnO2/LiF的混合层，得到背面电子传输层14，厚度为5-180nmnm。完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(8)、金属电极制备。在N型硅两端采用低温银浆进行金属电极印刷，形成正面金属电极15和背面金属电极16，并低温烧结，烧结温度在100-300℃，完成本步骤后的电池结构如图8所示。至此，钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳电池制备结束。
实施例3
步骤(1)、选择厚度为150～170μm，电阻率为0.3～2Ω·cm，尺寸156.75mm×156.75mm的N型硅作为衬底进行双面制绒处理；并在在经过制绒处理后的N型硅表面采用三溴化硼作为硼源进行双面p+掺杂区域2的制备，扩散温度为850～1000℃，时间为50～80min，方阻为80～100Ω/sqr。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)、将经过双面硼扩散后的N型硅，选择其中一面放入HF与HNO3、以及H2SO4混合溶液中进行刻蚀处理，以去除背面p+掺杂区域2，得到刻蚀后平缓的金字塔表面，其中，HF:HNO3:H2SO4:H2O＝1:4:0.6:3，HF质量分数20％。完成本步骤之后的电池结构如图2所示。
步骤(3)、采用高温热氧化的方法在经过刻蚀后的N型硅背面制备一层超薄隧穿氧化层3。具体地，在常压、纯氧、温度>1000℃条件下，反应10～20min，得到隧穿氧化层3的厚度为1～3nm；然后采用LPCVD制备本征非晶硅层4，其中，本征非晶硅层的沉积温度为550～650℃，本征非晶硅层的厚度为50～400nm，并会在正面产生绕镀5。完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(4)、对N型硅背面的本征非晶硅层进行掺杂处理，掺杂方式为离子注入磷原子，具体地，将射频功率设置在500～2000W，工艺压强设置在1E-7～8E-5Torr，反应1～20min；并将掺杂完的N型硅进行清洗，以去除本征非晶硅正面绕镀5和表面金属离子。完成本步骤后的电池结构如图4所示。
步骤(5)、将清洗后的N型硅进行快速热退火处理，具体地，先将退火炉抽真空至10-4pa以下，然后充氮气作为保护气，退火过程中，退火炉的真空度为500～950mbar，退火时间为20～60min，退火温度为800～900℃，经过退火后的N型硅，原有的非晶结构被破坏，掺杂的磷原子被激活，形成晶粒尺寸较小，高质量细颗粒的掺磷的多晶硅薄膜，该掺磷的多晶硅薄膜在太阳电池中称为背面n+掺杂区域6；并将退火后的N型硅用清洗机去掉正面的硼硅玻璃层。完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(6)、在清洗后的N型硅正面和背面分别用磁控溅射方法沉积一层氧化锡形成正面复合层7和背面复合层8，其厚度均为1nm-30nm。完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(7)、先在正面复合层7上采用磁控溅射法的方法制备一层LiF作为正面电子传输层9；然后在正面电子传输层9上沉积一层钙钛矿吸收层10，具体地，采用旋涂法在电子传输层上旋涂PbCl2和KBr的混合溶液，旋涂速度为2100rpm，旋涂时间为30秒，70℃退火10秒，得到PbCl2/KBr膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到正面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在正面钙钛矿吸收层10上旋涂锂盐掺杂的NiO，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30秒，得到厚度为80-100nm的正面空穴传输层11。先在背面复合层8上采用热蒸发的方式沉积一层PTAA作为背面空穴传输层12，厚度为10nm-200nm；然后在背面空穴传输层12上沉积一层背面钙钛矿吸收层13，具体地，采用共蒸发的方法在背面空穴传输层上共蒸镀PbCl2和KB，压强为5×10-6mbar，得到PbCl2/KB膜层，再在其上旋涂FAI和FABr的乙醇混合溶液，160℃退火，得到背面钙钛矿吸收层400-700nm；最后在背面钙钛矿吸收层13上采用共蒸发的方法制备SnO2/ZnO的混合层，得到背面电子传输层14，厚度为5-180nmnm。完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(8)、金属电极制备。在N型硅两端采用低温银浆进行金属电极印刷，形成正面金属电极15和背面金属电极16，并低温烧结，烧结温度在100-300℃，完成本步骤后的电池结构如图8所示。至此，钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳电池制备结束。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (7)

1.一种钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，包括N型硅基体，其特征在于，
所述N型硅基体的正面从内到外依次包括p+掺杂区域、正面复合层、正面电子传输层、正面钙钛矿吸收层、正面空穴传输层、以及正面金属电极；
所述N型硅基体的背面从内到外依次包括隧穿氧化层、背面n+掺杂区、背面复合层、背面空穴传输层、背面钙钛矿吸收层、背面电子传输层以及背面金属电极。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述正面钙钛矿吸收层和背面钙钛矿吸收层的厚度均为400-700nm。
3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述正面空穴传输层和背面空穴传输层的厚度均为10-100nm。
4.根据权利要求1或2所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述正面复合层和背面复合层的厚度均为1-30nm。
5.根据权利要求1或2所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述正面电子传输层和背面电子传输层的厚度均为5-180nm。
6.根据权利要求1或2所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述N型硅基体的厚度为150～170μm。
7.根据权利要求1或2所述的钙钛矿/N型TOPCon/钙钛矿叠层太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm。
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