CN114603259A

CN114603259A - 淋涂盖板表面的处理方法

Info

Publication number: CN114603259A
Application number: CN202210067848.0A
Authority: CN
Inventors: 刘国庆; 郭志胜
Original assignee: Weidali Industry Chibi Co ltd; Wanjin Industrial Chibi Co Ltd
Current assignee: Weidali Industry Chibi Co ltd; Wanjin Industrial Chibi Co Ltd
Priority date: 2022-01-20
Filing date: 2022-01-20
Publication date: 2022-06-10

Abstract

本发明涉及一种淋涂盖板表面的处理方法。该淋涂盖板表面的处理方法包括如下步骤：提供或制备淋涂盖板；采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，以在预设位置形成凹陷位；镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为7W～10W，激光速度为2000mm/s～3000mm/s，激光频率为12kHz～25kHz。在上述处理方法中，通过激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，并配合使用合适的镭雕参数能够对预设位置处的淋涂层进行去除，降低淋涂盖板表面的预设位置的粗糙度，提高淋涂盖板表面预设位置与电子组件的贴合性能。

Description

淋涂盖板表面的处理方法

技术领域

本发明涉及盖板加工技术领域，尤其是涉及一种淋涂盖板表面的处理方法。

背景技术

随着生产技术的不断进步，智能手机、平板电脑等电子产品日益普及。在这些电子产品的结构中，盖板在表现产品外观、手感、质感等方面起着重要的作用。

为了增强产品的表面硬度、耐划伤以及防指纹等特性，通常会采用表面淋涂的方式在盖板的表面形成淋涂层。通过表面淋涂的方式可以在盖板的表面得到微米级的淋涂层，该方法具有成本较低且效率较高的优势。

然而，尽管通过制备淋涂层的方式能够使盖板获得较好的表面性能，但是淋涂层往往是光滑的表面，当需要在盖板表面的预设位置贴合电子组件，比如摄像头组件时，难以获得较好的贴合效果。

发明内容

基于此，有必要提供一种淋涂盖板表面的处理方法，所述处理方法能够有效降低淋涂盖板表面的预设位置的粗糙度，提高淋涂盖板表面预设位置与电子组件的贴合性能。

为了解决以上技术问题，本发明的技术方案为：

一种淋涂盖板表面的处理方法，包括如下步骤：

提供或制备淋涂盖板；

采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，以在所述预设位置形成凹陷位；所述镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为7W～10W，激光速度为2000mm/s～3000mm/s，激光频率为12kHz～25kHz。

在其中一个实施例中，所述镭雕处理的镭雕参数还包括：激光波长为9μm～10.6μm。

在其中一个实施例中，所述镭雕处理的时间为10s～15s；和/或，所述激光器为CO₂激光器。

在其中一个实施例中，采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，控制所述凹陷位的深度为30μm～40μm。

在其中一个实施例中，制备淋涂盖板包括如下步骤：

采用淋涂液在盖板基材的表面进行淋涂处理；所述淋涂液包括如下质量百分数的各组分：

在其中一个实施例中，按占所述淋涂液的质量百分数计，所述引发剂包括1％～3％的二苯甲酮和1％～3％的三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。

在其中一个实施例中，所述溶剂包括丙二醇甲醚。

在其中一个实施例中，采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理之前还包括如下步骤：

在所述淋涂盖板的预设位置开设安装孔，控制所述安装孔的深度大于所述凹陷位的深度。

在其中一个实施例中，所述镭雕处理时控制所述凹陷位位于所述安装孔的外缘。

在其中一个实施例中，所述安装孔为通孔或盲孔。

上述淋涂盖板表面的处理方法包括如下步骤：提供或制备淋涂盖板；采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，以在预设位置形成凹陷位；镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为7W～10W，激光速度为2000mm/s～3000mm/s，激光频率为12kHz～25kHz。在上述处理方法中，通过激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，并配合使用合适的镭雕参数能够对预设位置处的淋涂层进行去除，降低淋涂盖板表面的预设位置的粗糙度，提高淋涂盖板表面预设位置与电子组件的贴合性能。

进一步地，与传统的CNC加工相比，采用上述处理方法在镭雕处理过程中能够对凹陷位的形状、大小以及深度等进行精确控制，能够提高淋涂盖板表面处理的精度，有效提高淋涂盖板的处理良率，为后续电子元件的准确贴合安装提供基础。同时，与传统的CNC加工相比，上述处理方法可以在更短的时间内获得良好的处理效果，有利于提高淋涂盖板的处理效率。

再进一步地，与传统的CNC加工相比，采用上述处理方法能够有效避免处理过程中废料的堆积问题，避免出现因废料的堆积导致凹陷位深度可控性变差的问题，可以进一步提高淋涂盖板的处理良率。

附图说明

图1为本发明一实施例中采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时镭雕装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例中淋涂盖板的仿形吸附平台的结构示意图；

图3为图2对应的仿形吸附平台另一视角的结构示意图；

图4为图3对应的J-J方向的剖视图；

图5为图3对应的K-K方向的剖视图；

图6为图2对应的仿形吸附平台中的定位销的结构示意图；

图7为本发明实施例1中镭雕处理之后得到的淋涂盖板的实物图。

图中标记说明：

100、镭雕装置；101、CO₂激光器；102、激光器容器；103、激光器升降调节转盘；104、刻度尺；105、扩束镜；106、振镜；107、透镜；108、激光器安装支架；109、吸附平台安装座；110、工控箱；200、激光光束；300、仿形吸附平台；301、定位销安装孔；302、定位销；303、吸附槽。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明一实施例提供了一种淋涂盖板表面的处理方法。该处理方法包括如下步骤：提供或制备淋涂盖板；采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，以在预设位置形成凹陷位；镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为7W～10W，激光速度为2000mm/s～3000mm/s，激光频率为12kHz～25kHz。

在本实施例的处理方法中，通过激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，并配合使用合适的镭雕参数能够对预设位置处的淋涂层进行去除，降低淋涂盖板表面的预设位置的粗糙度，提高淋涂盖板表面预设位置与电子组件的贴合性能。可以理解的是，电子组件的贴合可以采用在凹陷位上设置贴合胶，再通过贴合胶将电子组件贴合在凹陷位上。即采用本实施例中的处理方法之后，可以提高贴合胶与淋涂盖板之间的贴合性能，进而提高淋涂盖板表面预设位置与电子组件的贴合性能。

另外，与传统的CNC加工相比，采用本实施例中的处理方法在镭雕处理过程中能够对凹陷位的形状、大小以及深度等进行精确控制，能够提高淋涂盖板表面处理的精度，有效提高淋涂盖板的处理良率，为后续电子元件的准确贴合安装提供基础。同时，与传统的CNC加工相比，本实施例中的处理方法可以在更短的时间内获得良好的处理效果，有利于提高淋涂盖板的处理效率。

同时，与传统的CNC加工相比，采用本实施例中的处理方法能够有效避免处理过程中废料的堆积问题，避免出现因废料的堆积导致凹陷位深度可控性变差的问题，可以进一步提高淋涂盖板的处理良率。

作为激光功率的一些可选的示例，激光功率可以是但不限定为7W、7.2W、7.5W、7.8W、8W、8.2W、8.5W、8.8W、9W、9.2W、9.5W、9.8W或10W等。可以理解的是，激光功率还可以在7W～10W的功率范围内按处理要求进行适当选择。

作为激光速度的一些可选的示例，激光速度可以是但不限定为2000mm/s、2100mm/s、2200mm/s、2300mm/s、2400mm/s、2500mm/s、2600mm/s、2700mm/s、2800mm/s、2900mm/s或3000mm/s。可以理解的是，激光速度还可以在2000mm/s～3000mm/s的速度范围内按处理要求进行适当选择。

作为激光频率的一些可选的示例，激光频率可以是但不限定为12kHz、13kHz、14kHz、15kHz、16kHz、17kHz、18kHz、19kHz、20kHz、21kHz、22kHz、23kHz、24kHz或25kHz。可以理解的是，激光频率还可以在12kHz～25kHz的频率范围内按处理要求进行适当选择。

在一个具体的示例中，镭雕处理的镭雕参数还包括：激光波长为9μm～10.6μm。可选地，在镭雕处理时，激光波长为9μm、9.1μm、9.2μm、9.3μm、9.4μm、9.5μm、9.6μm、9.7μm、9.8μm、9.9μm、10μm、10.1μm、10.2μm、10.3μm、10.4μm、10.5μm或10.6μm。可以理解的是，采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，激光波长还可以在9μm～10.6μm的波长范围内按处理要求进行适当选择。

可以理解的是，在镭雕处理的过程中，激光功率、激光速度、激光频率以及激光波长可以对应地在以上列出的范围和数值中进行独立地选择，以满足淋涂盖板表面的处理要求。

在一个具体的示例中，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，镭雕处理的时间为10s～15s。比如，镭雕处理的时间可以是但不限定为10s、11s、12s、13s、14s或15s。采用激光器在淋涂盖板表面进行镭雕处理，能够在短时间内获得良好的镭雕效果，获得满足形状、尺寸以及深度要求的凹陷位，为电子组件的良好贴合提供基础。可以理解的是，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，镭雕处理的时间还可以根据镭雕处理的需要在10s～15s时间范围内进行适应性的选择。

在一个具体的示例中，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，激光器选自CO₂激光器。CO₂激光器具有较好的方向性、单色性和较好的频率稳定性。同时，气体的密度小，不易得到高的激起粒子浓度，输出的能量密度通常比固体激光器小。通过CO₂激光器对淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，能够对镭雕处理形成的凹陷位的形状、尺寸以及深度进行更加方便准确地控制。

在一个具体的示例中，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，控制凹陷位的深度为30μm～40μm。可选地，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，控制凹陷位的深度为30μm、31μm、32μm、33μm、34μm、35μm、36μm、37μm、38μm、39μm或40μm。可以理解的是，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，控制凹陷位的深度还可以在30μm～40μm深度范围内按照镭雕处理要求进行适当选择。

可以理解的是，凹陷位的深度表示凹陷位的底部距离淋涂盖板表面的距离。即从结构上来看，凹陷位自淋涂盖板的表面向内凹陷，此时凹陷位的底部与淋涂盖板的表面之间具有一定的的距离，该距离为凹陷位的深度。

在一个具体的示例中，淋涂盖板为表面具有淋涂层的盖板。具体地，淋涂盖板为表面具有树脂淋涂层的盖板。在形成淋涂层时，可以通过淋涂树脂淋涂液的方式在盖板基材的表面形成淋涂层。

在一个具体的示例中，制备淋涂盖板包括如下步骤：采用淋涂液在盖板基材的表面进行淋涂处理；淋涂液包括如下质量百分数的各组分：

通过上述淋涂液在盖板基材的表面进行淋涂处理，在盖板基材的表面形成淋涂层，可以有效增强产品的表面硬度、耐划伤以及防指纹等特性，使盖板表现出更加优异的性能。同时，通过上述淋涂液的淋涂处理，可以通过淋涂层使盖板表面表现出光滑的手感。当将经过淋涂处理之后的盖板应用到诸如智能手机、平板电脑等电子产品上时，能够有效提高电子产品的硬度、耐划伤、防指纹以及光滑手感的性能。

作为聚氨酯树脂的质量百分数的一些具体示例，聚氨酯树脂的质量百分数可以是但不限定为10％、11％、12％、13％、14％或15％。可选地，聚氨酯树脂的质量百分数还可以在10％～15％的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

作为季戊四醇六丙烯酸酯的质量百分数的一些具体示例，季戊四醇六丙烯酸酯的质量百分数可以是但不限定为5％、6％、7％、8％、9％或10％。可选地，季戊四醇六丙烯酸酯的质量百分数还可以在5％～10％的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

作为有机硅树脂的质量百分数的一些具体示例，有机硅树脂的质量百分数可以是但不限定为30％、31％、32％、33％、34％或35％。可选地，有机硅树脂的质量百分数还可以在30％～35％的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

作为气相二氧化硅的质量百分数的一些具体示例，气相二氧化硅的质量百分数可以是但不限定为9％、9.2％、9.4％、9.5％、9.8％或10％。可选地，气相二氧化硅的质量百分数还可以在30％～35％的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

作为引发剂的质量百分数的一些具体示例，引发剂的质量百分数可以是但不限定为2％、3％、4％、5％或6％。可选地，引发剂的质量百分数还可以在2％～6％的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

可以理解的是，聚氨酯树脂、季戊四醇六丙烯酸酯、有机硅树脂、气相二氧化硅、引发剂可以在以上对应列出的质量百分数范围内根据淋涂要求进行适当选择。

在一个具体的示例中，按占淋涂液的质量百分数计，引发剂包括1％～3％的二苯甲酮和1％～3％的三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。可选地，二苯甲酮的质量百分数为1％、1.5％、2％、2.5％或3％。三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦的质量百分数为1％、1.5％、2％、2.5％或3％。可理解的是，三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦为2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。

在一个具体的示例中，溶剂包括丙二醇甲醚。

在一个具体的示例中，淋涂液包括如下质量百分数的各组分：聚氨酯树脂10％～15％、季戊四醇六丙烯酸酯5％～10％、有机硅树脂30％～35％、气相二氧化硅9％～10％、二苯甲酮1％～3％、三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦1％～3％、丙二醇甲醚余量。

在一个具体的示例中，采用激光器在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理之前还包括如下步骤：在淋涂盖板的预设位置开设安装孔，控制安装孔的深度大于凹陷位的深度。通过安装孔的设置可以便于电子组件的安装，控制安装孔的深度大于凹陷位的深度，在安装电子组件时，可以将电子组件安装在安装孔中，将电子组件的边缘贴合在凹陷位处完成电子组件的安装。

进一步地，镭雕处理时控制凹陷位位于安装孔的外缘。此时，凹陷位和安装孔能够形成台阶孔的结构，可以提高电子组件安装的整齐度。再进一步地，安装孔位于凹陷位的中心区域。

在一个具体的示例中，安装孔为通孔或盲孔。在实际处理过程中，可以根据电子组件的安装需求对安装孔的类型进行选择，选择合适的通孔或盲孔来形成相应的安装孔。可以理解的是，安装孔为通孔，此时，安装孔更加适合于摄像头组件的安装。

在一个具体的示例中，凹陷位位于淋涂盖板的边缘以用于贴合摄像头组件。进一步地，凹陷位自淋涂盖板的一角向淋涂盖板的中部延伸。此时，凹陷位更加适用于与中框一体式的摄像头组件的安装贴合。

请参阅图1，其展示了本发明一实施例中的镭雕处理过程中使用的镭雕装置100。镭雕装置100包括激光器、激光器安装支架108、扩束镜105、振镜106以及透镜107。激光器活动连接于激光器安装支架108上。扩束镜105、振镜106以及透镜107依次设于激光光束200的光路上。具体地，激光器为CO2激光器101。

激光器安装支架108上设有刻度尺104，刻度尺104用于标记激光器在激光器安装支架108上的位置。激光器安装支架108上还设有激光器升降调节转盘103，激光器升降调节转盘103用于调节激光器在激光器支架上的位置。进一步地，激光器升降调节转盘103位于激光器安装支架108的顶端。

镭雕装置100还包括激光器容器102，激光器安装在激光器容器102内。激光器容器102用于防止激光器自带风冷结构意外伤人。

进一步地，镭雕装置100还包括吸附平台安装座109，吸附平台安装座109用于安装仿形吸附平台300。在镭雕处理时，将仿形吸附平台300安装在吸附平台安装座109上，并将淋涂盖板吸附在仿形吸附平台300上，然后对淋涂盖板进行镭雕处理。可以理解的是，仿形吸附平台300根据淋涂盖板的形状仿形制得，其具有与淋涂盖板相同的轮廓。

再进一步地，镭雕装置100还包括工控箱110。工控箱110与激光器连接以用于调节激光器的镭雕参数。

请参阅图2～图6。其展示了本发明一实施例中仿形吸附平台300的结构示意图。仿形吸附平台300上设有定位销安装孔301，定位销安装孔301用于安装定位销302以将仿形吸附平台300安装到吸附平台安装座109上。仿形吸附平台300上还设有吸附槽303，通过吸附槽303的作用可以将淋涂盖板吸附到仿形吸附平台300上，进而对淋涂盖板进行镭雕处理。

以下为具体实施例。

以下实施例中使用到的检测仪器包括：

激光功率能量计：以色列OPHIR/激光辐射检测仪NOVA II，仪器型号为GB8898.6.2。

全自动影像测试仪：中国明辉源科技，仪器型号为IMS-4030S。

数显高度计：日本三丰，仪器型号为0-50MMXO-001(543-419B)。

电脑式单柱伺服拉力试验机：中国三诺，仪器型号为sn-1065b。

以下各实施例和对比例中加工的凹陷位的目标深度均为30μm。

实施例1

本实施例中淋涂液包括如下质量百分数的各组分：聚氨酯树脂10％～15％、季戊四醇六丙烯酸酯5％～10％、有机硅树脂30％～35％、气相二氧化硅9％～10％、二苯甲酮1％～3％、三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦1％～3％、丙二醇甲醚余量。淋涂液购自湖南宏泰新材料有限公司，牌号为UV-8281。

本实施例淋涂盖板表面的处理方法包括如下步骤：

S101：制备淋涂盖板：采用淋涂液在盖板基材的表面进行淋涂处理，得到具有淋涂层的淋涂盖板。

S102：通过CNC处理在淋涂盖板的预设位置开设安装孔，安装孔为通孔。通孔位于淋涂盖板的左上角以用于安装摄像头组件。

S103：采用图1中的镭雕装置100以及图2～图6中的仿形吸附平台300，并采用CO2激光器101在淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理，以在预设位置形成凹陷位。具体的是在安装孔的外缘进行镭雕处理，以形成凹陷位。镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为8.5W，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为9.3μm。镭雕处理的时间(即凹陷位的加工时间)为10s，凹陷位的实际深度为35μm。

本实施例中镭雕处理之后得到的淋涂盖板如图7所示。

实施例2

与实施例1相比，本实施例的不同之处在于：镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为7w，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为9.3μm。，镭雕处理的时间为10s，凹陷位的实际深度为31μm。

实施例3

与实施例1相比，本实施例的不同之处在于：镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为10W，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为9.3μm，镭雕处理的时间为10s，凹陷位的实际深度为38μm。

对比例1

与实施例1相比，本对比例的不同之处在于：S103中采用CNC加工目标深度的凹陷位。

对比例2

与实施例1相比，本对比例的不同之处在于：镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为4W，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为9.3μm镭雕处理的时间为10s，凹陷位的实际深度为3μm。

对比例3

与实施例1相比，本对比例的不同之处在于：镭雕处理的镭雕参数包括：激光功率为13W，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为9.3μm镭雕处理的时间为10s，凹陷位的实际深度为50-65μm。

对比例4

与实施例1相比，本对比例的不同之处在于：采用光钎激光器替换CO2激光器101，激光功率为13W，激光速度为2500mm/s，激光频率为15kHz，激光波长为10.6μm，镭雕处理的时间为10s，凹陷位的实际深度无法测量，其聚焦后淋涂层未起到去除效果，油墨损伤。

测试例

对实施例1～3、对比例1～4中处理之后的淋涂盖板的凹陷位的形状和尺寸进行测试(采用全自动影像测试仪)，测试凹陷位的形状和尺寸是否满足要求。对实施例1～3、对比例1～4中处理之后的淋涂盖板的凹陷位进行拉拔力测试(采用电脑式单柱伺服拉力试验机)。结果如下表所示。

由上表可知，实施例1～3中凹陷位的实际深度更加接近目标深度，且凹陷位的深度均匀，同时具有较好的拉拔力。对比例1～4中凹陷位的实际深度与目标深度相差较大，且对比例1和对比例3中深度均匀性较差。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书和附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims

1.一种淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供或制备淋涂盖板；

2.如权利要求1所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，所述镭雕处理的镭雕参数还包括：激光波长为9μm～10.6μm。

3.如权利要求1所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，所述镭雕处理的时间为10s～15s；和/或，所述激光器为CO₂激光器。

4.如权利要求1所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理时，控制所述凹陷位的深度为30μm～40μm。

5.如权利要求1所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，制备淋涂盖板包括如下步骤：

6.如权利要求5所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，按占所述淋涂液的质量百分数计，所述引发剂包括1％～3％的二苯甲酮和1％～3％的三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。

7.如权利要求5所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，所述溶剂包括丙二醇甲醚。

8.如权利要求1～7中任一项所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，采用激光器在所述淋涂盖板表面的预设位置进行镭雕处理之前还包括如下步骤：

9.如权利要求8所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，所述镭雕处理时控制所述凹陷位位于所述安装孔的外缘。

10.如权利要求8所述的淋涂盖板表面的处理方法，其特征在于，所述安装孔为通孔或盲孔。