CN114600241A - 安装基板、电子装置及电子模块 - Google Patents

安装基板、电子装置及电子模块 Download PDF

Info

Publication number
CN114600241A
CN114600241A CN202080074868.XA CN202080074868A CN114600241A CN 114600241 A CN114600241 A CN 114600241A CN 202080074868 A CN202080074868 A CN 202080074868A CN 114600241 A CN114600241 A CN 114600241A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
mounting substrate
frame portion
electronic device
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080074868.XA
Other languages
English (en)
Inventor
舟桥明彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN114600241A publication Critical patent/CN114600241A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

安装基板(1)具有基部(2a)及框部(2b)。基部(2a)具有包括第一安装区域(4a)的第一上表面(6a)。框部(2b)具有包括第二安装区域(4b)的第二上表面(6b)和与第二上表面(6b)交叉的内壁面(7)。框部(2b)的内壁面(7)具有与第二上表面(6b)连接的第一部分(7a)和将第一安装区域(4a)夹在其间地与第一部分(7a)对置配置的第二部分(7b)。通过具有比框部的内壁面的反射率低的反射率来吸收光的第一膜(6)位于第二部分(7b)。

Description

安装基板、电子装置及电子模块
技术领域
本公开涉及安装有光收发元件等的安装基板、电子装置及电子模块。
背景技术
公知安装有受光元件及发光元件的安装基板。(参照WO2017/203953号公报)。上述那样的安装基板在发光元件发出的光被检测对象反射后，通过受光元件进行受光来检测发光元件发出的光。
一般来说，在具有受光元件及发光元件的安装基板中，受光元件及发光元件有时会安装在基板的上表面并且安装在相同平面上。此时，进行例如在壳体等设置壁的对应，以使得受光元件不会直接接收发光元件发出的光。
然而，近年来，安装基板被要求小型化。因此，为了将受光元件与发光元件之间尽可能缩窄，考虑在安装基板设置凹部，在凹部中安装受光元件并在凹部之上(安装基板的表面)安装发光元件的构造。其中，若是该构造，则变得难以在受光元件与发光元件之间，在壳体等设置壁。其结果是，来自发光元件的光的一部分被凹部的侧壁反射，该反射后的光有可能抵达受光元件。由此，电子装置有可能误操作。再者，为了使误操作减少，将安装基板的凹部加深，有可能会妨碍电子装置的小型化。
发明内容
本公开的一个方式所涉及的安装基板具有基部及框部。基部具有包括第一安装区域的第一上表面。框部具有：包围第一安装区域并且从第一上表面向上方延伸的内壁面；和与该内壁面相交并且包括第二安装区域的第二上表面。框部的内壁面具有：与第二上表面连接的第一部分；将第一安装区域夹在其间地与第一部分对置配置的第二部分。具有比框部的内壁面的反射率低的反射率的第一膜位于第二部分。
本公开的一个方式所涉及的电子装置具备：安装基板；安装在第一安装区域的受光元件；和安装在第二安装区域的发光元件。
本公开的一个方式所涉及的电子模块具备电子装置和位于电子装置的盖体。
附图说明
图1A是表示本公开的第一实施方式所涉及的安装基板及电子装置的外观的俯视图。
图1B是与图1A的X1-X1线对应的纵剖视图。
图2A是表示本公开的第一实施方式所涉及的安装基板及电子模块的外观的俯视图。
图2B是与图2A的X2-X2线对应的纵剖视图。
图3A是表示本公开的第二实施方式所涉及的安装基板及电子模块的外观的俯视图。
图3B是与图3A的X3-X3线对应的纵剖视图。
图4是本公开的第一实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图5是本公开的第一实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图6是本公开的第二实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图7是本公开的第二实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图8是本公开的第二实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图9是本公开的第二实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
图10是本公开的第二实施方式的其他方式所涉及的安装基板及电子装置的纵剖视图。
具体实施方式
<安装基板及电子装置的结构>
以下，参照附图来说明本公开的几个例示性的实施方式。另外，在以下的说明中，将在安装基板安装受光元件及发光元件并用盖体来覆盖安装基板的结构设为电子装置或者电子模块。安装基板及电子装置也可以将任一方向设为上方或者下方，为了方便，定义正交坐标系xyz，并且将z方向的正侧设为上方。
(第一实施方式)
参照图1A～图2B、图4～图5对本公开的第一实施方式所涉及的安装基板1以及具备其的电子装置21进行说明。另外，图1A表示电子装置21的俯视图，图1B表示电子装置21的纵剖视图，图4～图5表示装置的纵剖视图。另外，在图1A～图2B中表示省略了盖体12的图。
安装基板1具有基部2a和框部2b。基部2a具有包括第一安装区域4a的第一上表面6a。在第一安装区域4a也可以具有与受光元件10电连接的第一电极焊盘3a。框部2b具有包括第二安装区域4b的第二上表面6b和与第二上表面6b交叉的内壁面7，并且包围第一安装区域4a地位于基部2a的第一上表面6a。在第二安装区域4安装至少一个发光元件11，并且配置与发光元件11电连接的至少一个第二电极焊盘3b。框部2b包围基部2a的第一上表面6a即包围第一安装区域4a地配置。框部2b的内壁面7具有：与第二上表面6b连接的第一部分7a；和将第一安装区域4a夹在其间并与第一部分7a对置地配置的第二部分7b。
安装基板1具有基部2a和框部2b。基部2a在第一上表面6a具有与受光元件10电连接的第一电极焊盘3a所位于的第一安装区域4a。框部2b在第二上表面6b安装至少一个发光元件11。另外，框部2b在第二上表面6b具有与发光元件11电连接的至少一个第二电极焊盘3b所位于的至少一个第二安装区域4b。第一安装区域4a是指安装至少一个以上的受光元件10的区域，例如在后述的第一电极焊盘3a的最外周的内侧或者框部2b的内部能够适当决定。此外，安装于第一安装区域4a的部件也可以除了受光元件10以外还安装有电子部件，受光元件10或者/及电子部件的个数未被指定。第二安装区域4b是指，安装至少一个以上的发光元件11的区域，例如在后述的第二电极焊盘3b的最外周的内侧或者框部2b的内部能够适当决定。再者，此时也可以还安装有发光元件11以外的电子部件。此外，发光元件11及电子部件的个数未被指定。在此，将基部2a与框部2b合在一起的结构称为基板2。
在图1B及图2B所示的安装基板1中，基部2a及框部2b由多个层构成。该多个层是多个绝缘层，如图4及图5所示的示例那样，也可以是例如通过模制而形成的结构、通过金属模具等的按压而形成的结构，或者其他仅1层的结构等。构成基板2的绝缘层的材料例如可包括电绝缘性陶瓷或者树脂。
作为被用作为形成基板2的绝缘层的材料的电绝缘性陶瓷，例如可包括氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等。作为用作为形成基板2的绝缘层的材料的树脂，例如可包括热塑性的树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯酚树脂或者氟系树脂等。作为氟系树脂例如可包括四氟化乙烯树脂。
基板2既可以如图1B及图2B所示那样由9层形成，也可以由8层以下或者10层以上的多个层来形成。在多个层为8层以下的情况下，能够实现安装基板1的轻薄化。另外，在多个层为10层以上的情况下，能够提高安装基板1的刚性。此外，也可以在各层设置开口部，并在使所设置的开口部的大小相异的上表面形成阶差部，也可以在阶差部设置后述的第一电极焊盘3a及其他电极。
安装基板1例如最外周的一条边的大小为0.3mm～10cm，在俯视中安装基板1为四边形状时，既可以是正方形、也可以是长方形。另外例如安装基板1的厚度是0.2mm以上。
也可以在基部2a的侧面或者下表面及框部2b的第二上表面6b或者侧面，设置有外部电路连接用电极。外部电路连接用电极也可以对安装基板1与外部电路基板进行电连接，或者对电子装置21与外部电路基板进行电连接。
进而，在基板2的第一上表面6a或者下表面，除了第一电极焊盘3a，第二电极焊盘3b或者/及外部电路连接用电极以外，也可以设置形成于绝缘层间的电极、内部布线导体及将内部布线导体彼此上下连接的内部贯通导体。这些电极、内部布线导体或者内部贯通导体也可以露出于基板2的表面。也可以通过该电极、内部布线导体或者内部贯通导体，分别电连接第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b或者/及外部电路连接用电极。
在基板2包括电绝缘性陶瓷的情况下，第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及内部贯通导体，可包括钨(W)，钼(Mo)，锰(Mn)，钯(Pd)，银(Ag)或者铜(Cu)或者含有从它们中选出的至少1种以上的金属材料的合金等。再者，也可以仅包括铜(Cu)。此外，在基板2包括树脂的情况下，第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及内部贯通导体可包括铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、钼(Mo)、钯(Pd)或者钛(Ti)或者含有从它们中选出的至少1种以上的金属材料的合金等。
也可以在第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及贯通导体的露出表面还具有镀敷层。根据该结构，能够保护外部电路连接用的电极、导体层及贯通导体的露出表面并减少氧化。另外，根据该结构，能够经由线接合等的连接构件13将第一电极焊盘3a与受光元件10良好地电连接。镀敷层，例如覆盖厚度0.5μm～10μm的Ni镀敷层，或者也可以依次覆盖该Ni镀敷层及厚度0.5μm～3μm的金(Au)镀敷层。
框部2b包围基部2a的第一上表面6a、即包围第一安装区域4a地配置。换句话说，基板2在框部2b与基部2a具有凹部，安装于第一安装区域4a的受光元件10安装在凹部的内侧。
安装基板1具有基部2a及框部2b。基部2b在第一上表面6a具有安装受光元件10的第一安装区域4a。框部2b在第二上表面6b具有安装至少一个发光元件11的至少一个第二安装区域4b。框部2b在基部2a的上表面包围第一安装区域4a地配置。吸收光的涂层即第一膜6位于与第一部分7a对置的第二部分7b，该第一部分7a和框部2b的第二安装区域4b所位于的第二上表面6b连接。吸收光意味着，第一膜6的反射率低于框部2b的内壁面7的反射率。该反射率是指，相对于从发光元件11发出的光的反射率。此外，也可以是相对于作为散射光的可见光的反射率。反射率能够根据对象物的材料来确定或者用色度计等进行测定。
一般来说，近年来，电子装置要求小型化。与此相对，为了尽可能缩窄受光元件与发光元件之间，考虑在安装基板设置凹部，在凹部之中安装受光元件，在凹部之上(安装基板的表面)安装发光元件的构造。然而，若是该构造，则变得难以在受光元件与发光元件之间在壳体等设置壁，有可能来自发光元件的光的一部分被凹部的侧壁反射，该反射后的光会抵达受光元件。由此，电子装置有可能误操作。另外，为了减少误操作而将安装基板的凹部加深，有可能妨碍电子装置的小型化。
与此相对，在本实施方式中，安装基板1在框部2b的第二部分7b具有吸收光的第一膜6。由此，即便在来自发光元件11的光的一部分已到达框部2b的内壁面7的情况下，也能够用吸收光的第一膜6进行吸收，以减少在框部2b产生反射。由此，能够减少在框部2b的内壁面7被反射的光抵达受光元件10而误操作电子装置21的状况。另外，不用在发光元件11与受光元件10之间设置基于壳体等的壁，就能减少电子装置21的误操作，因此能实现电子装置21的小型化。
吸收光的第一膜6位于与内壁面7中的第一部分7a对置地配置的第二部分7b。第二安装区域4b也可以有多个，该情况下，吸收光的第一膜6也同样，也可以有多个。例如，在安装基板1为矩形状时，第二安装区域4b也可以处于4边，此时，吸收光的第一膜6设置于框部2b的内壁面7的全部、整周上。另外，即便第二安装区域4b为1面，吸收光的第一膜6也可以有多个面。换言之，只要第一膜6为第二安装区域4b的个数以上即可。
框部2b既可以如图4及图5所示的示例那样，例如是模制那样的成型加工而得的结构，也可以如图1B所示的示例那样包括多个层。无论在哪种情况下，至少与框部2b的内壁面7进行比较，通过涂覆吸收光的第一膜6，从而能够起到本实施方式的效果。
如图1B、图2B及图5所示的示例那样，第一膜6也可以配置到框部2a的上表面为止。由此，在框部2b的第二上表面6b能够减少引起光的漫反射，能够进一步减少在框部2b的内壁面7产生光的反射。由此，能够提高本实施方式的效果。
在框部2b如图1B、图2B及后述的第二实施方式的图3B所示的示例那样具有多个层时，框部2b能够在各层之间设置内部布线。由此，能够使安装基板1的布线具有自由度，并且能够提高电子装置21的电气特性。另外，在框部2b为多个层时，能够容易地以层的厚度及/或者层数来变更框部2b的厚度。由此，能够更适当地设计并制作发光元件11的位置等条件下的框部2b的高度。
在框部2b如图1B、图2B、后述的第二实施方式的图3B、图6～图10所示的示例那样具有多个层时，第一膜6既可以在剖视时设置于框部2b的第二部分7b的一部分，也可以在剖视时设置于框部2b的层的全部的层。至少在内壁面7中的与第一部分7a对置的第二部分7b具有第一膜6，由此能够起到本实施方式的效果。
在框部2b层叠了多个层，并将从多个层之中的最上层开始依次设为第一层8a、第二层8b时，作为最上层的第一层8a也可以具有第一膜6。另外，如图8所示那样，第一膜6也可以从第一层8a跨越至第二层8b地配置。根据该结构，即便在将第一膜6配置于框部2b的情况下，也能够确保第二安装区域4b，不会使安装基板1大型化，能够起到本实施方式的效果。
框部2b的高度具有受光元件10被收纳于框部2b内的高度。通过让框部2b具有受光元件10被收纳于框部2b内的高度，从而能够减少收集来自外部的光。
第一膜6也可以位于内壁面7的整周上。由此，在来自发光元件11的光也抵达了对置的面侧以外的情况下，也能够减少该光的一部分被框部2b的内壁面7反射的情况下向受光元件10反射的状况。由此，能够减少在框部2b的内壁面7被反射的光抵达受光元件10而让电子装置21误操作的情况。
基部2a及框部2b也可以将陶瓷材料作为主成分，此时该陶瓷材料也可以是黑色。基部2a及框部2b将陶瓷材料作为主成分，由此能够通过金属模具等的冲裁来加工框部2b。由此，能够减少来自框部2b的灰尘的产生。由此，能够减少灰尘附着于受光元件10的表面而成为噪声的状况。再者，能够减小框部2b的内壁面7的粗糙度。由此，在从发光元件11产生的光到达框部2b的内壁面7的情况下，也能够减少光漫反射而到达受光元件10的状况。另外，陶瓷材料为黑色，由此在从发光元件11产生的光到达框部2b的内壁面7之际，能够减少进行反射的状况。由此能够起到本实施方式的效果。
基部2a及框部2b也可以将树脂材料作为主成分。由此，能够通过模制那样的成型加工来制作框部2b。此外，由于是树脂材料，从而能够减少框部2b所包括的玻璃成分。由此，能够减少在框部2b的内壁面7产生光的反射。
在此，吸收光的第一膜6的主成分为陶瓷材料，且框部2b的主成分为陶瓷材料时，通过玻璃烧结能够使框部2b和吸收光的第一膜6更牢固地接合。由此，即便设为电子装置21已老化，也能够减少第一膜6从框部2b剥离，能够长期间起到本实施方式的效果。另外，在吸收光的第一膜6将陶瓷材料作为主成分时，陶瓷材料也可以是黑色。作为第一膜6的陶瓷材料，例如能列举碳化硅质烧结体。通过第一膜6为黑色的陶瓷材料，从而在从发光元件11产生的光到达框部2b的内壁面7之际，能够进一步减少发生反射。由此，能够进一步提高本实施方式的效果。
此外，在吸收光的第一膜6将树脂材料作为主成分时，能够减少框部2b所包括的玻璃成分。由此，能够减少在框部2b的内壁面7产生光的反射。由此，能够提高本实施方式的效果。
<电子装置的结构>
在图1A～图2B及后述的第二实施方式的图3A～图3B中表示电子装置21的示例。电子装置21具备：安装基板1；被安装在安装基板1的第一安装区域4a的受光元件10；以及被安装在第二安装区域4b的发光元件11。
电子装置21具有安装基板1、被安装在第一安装区域4a的受光元件10和被安装在第二安装区域4b的发光元件11。作为受光元件10的一例，例如有反射型CMOS传感器或者PD传感器等。作为发光元件11的一例，有LED(Light Emitting Diode)或者VCSEL元件等。受光元件10及发光元件11与安装基板1例如也可以通过连接构件13而进行电连接。
电子装置21具有本实施方式所示的安装基板1，由此在俯视中能够将受光元件10与发光元件11之间减小，能实现小型化。
电子装置21在剖视时，受光元件10的上端比发光元件11的下端配置得更靠下方。由此，来自发光元件11的光的一部分在框部2b的内壁面7被反射的情况下，也能够进一步减少向受光元件10反射。由此，能够进一步提高本实施方式的效果。再者，第一膜6也可以位于比受光元件10的上端更靠上方的位置。由此，因为第一膜6位于来自发光元件11的光更容易照射的部位，所以在来自发光元件11的光的一部分在框部2b的内壁面7被反射的情况下，也能够进一步减少向受光元件10反射。
如图10所示那样，电子装置21在剖视时，也可以使框部2b的第二上表面6b、特别是框部2b的第二上表面6b的内端位于比将受光元件10的中心与发光元件11的中心连结的虚拟线A更靠上方的位置。由此，在来自发光元件11的光的一部分在框部2b的内壁面7被反射的情况下也能够进一步减少向受光元件10反射。由此，能够进一步提高本实施方式的效果。
<电子模块的结构>
电子模块31具有电子装置21和位于电子装置21的上表面的盖体12。
电子模块31也可以具有覆盖了电子装置21的盖体12。盖体12既可以是平板状，也可以具有壳体(透镜保持架)那样的形状。盖体12既可以是将金属或者树脂作为材料的壳体和将树脂或者玻璃材料作为材料的板状的透明构件结合起来的形状，也可以是如玻璃板那样的平板状。盖体12具有壳体与板材结合起来的形状，由此能够提高气密性或者减少来自外部的应力被直接施加于电子装置21。另外，电子模块31在将盖体12接合于电子装置21的基础上，也可以还具有覆盖电子装置21的壳体。通过还具有壳体，从而能够进一步提高气密性或者减少来自外部的应力被直接施加于电子装置21。壳体及盖体12，例如包括树脂或者金属材料等。再者，在盖体12为透镜保持架时，盖体12也可以组装1个以上的包括树脂、液体、玻璃或者水晶等的透镜。另外，盖体12也可以附加进行上下左右的驱动的驱动装置等，并经由焊料等的接合材料而与位于安装基板1的表面的焊盘等电连接。
另外，盖体12也可以在俯视中在4方向的至少一条边设置有开口部。而且，也可以从盖体12的开口部插入外部电路基板并与安装基板1电连接。此外，盖体12的开口部也可以，在外部电路基板与电子元件安装用基板1电连接后，用树脂等的密封材料等将开口部的间隙封闭，由此电子模块31的内部被设为气密。另外，电子模块31也可以另外还具有覆盖受光元件10的盖。另外，在电子模块31具有与盖体12不同的壳体的情况下，也可以在壳体也具有开口部。在该情况下，也同样地，也可以用树脂等的密封材料等将开口部的间隙封闭而使电子模块31的内部气密。
<安装基板及电子装置的制造方法>
接下来，对本实施方式的安装基板1及电子装置21的制造方法的一例进行说明。另外，下述所示的制造方法的一例是使用了多连片布线基板的基板2的制造方法。
(1)首先，形成构成基板2(基部2a及框部2b)的陶瓷生片。例如，在得到氧化铝(Al2O3)质烧结体即基板2的情况下，在Al2O3的粉末中添加二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)或者氧化钙(CaO)等的粉末，以作为烧结助材。在此，还添加适当的粘合剂、溶剂及增塑剂，接下来将这些混合物混合而制成浆料状。然后，通过刮刀法或者滚压法等的成型方法，获得多连片用的陶瓷生片。
另外，在基板2例如包括树脂的情况下，使用能成型为给定的形状的金属模具，通过转移模制法、喷射模制法或者利用金属模具等的按压等进行成型，由此能够形成基板2。另外，基板2也可以是，例如如玻璃环氧树脂那样，使树脂浸入包括玻璃纤维的基材而得到的材料。该情况下，可使环氧树脂的前体浸入包括玻璃纤维的基材，在给定的温度下使该环氧树脂前体热固化，由此形成基板2。
(2)接下来，通过丝网印刷法等，在上述(1)的工序中得到的陶瓷生片，在成为第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及内部贯通导体的部分，涂覆或者填充金属膏。该金属膏是通过在前述的包括金属材料的金属粉末中加入适当的溶剂及粘合剂并进行混炼，从而调整为适度的粘度来制作的。另外，金属膏为了提高与基板2的接合强度，即便包括玻璃或者陶瓷，也毋庸置疑。
另外，在基板2包括树脂的情况下，第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及内部贯通导体能够通过溅射法、蒸镀法等来制作。此外，也可以在表面设置了金属膜后，使用镀敷法来制作。
(3)接下来，通过金属模具等来加工前述的生片。在此，在基板2具有开口部或者缺口等的情况下，也可以在成为基板2的生片的给定的部位形成开口部或者缺口等。
(4)接下来，层叠成为基板2的各绝缘层的陶瓷生片并加压。由此也可以将成为各绝缘层的生片层叠，来制作成为基板2的陶瓷生片层叠体。另外，此时也可以在将多个层层叠起来的陶瓷生片的给定的位置，使用金属模具、冲裁或者激光等设置框部2b的开口部。另外，能够在陶瓷生片或者陶瓷生片层叠体设置了开口部之后，将吸收光的涂层即第一膜6涂覆于框部2b的至少内壁面7的第二部分7b，由此进行制作。
(5)接下来，在约1500℃～1800℃的温度下对该陶瓷生片层叠体进行烧成，由此获得安装基板1被排列有多个的多连片布线基板。另外，通过该工序，前述的金属膏与成为安装基板1的陶瓷生片同时地被烧成，由此成为第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部电路连接用电极、电极、内部布线导体或者/及内部贯通导体。
(6)接下来，将烧成而得到的多连片布线基板断开为多个安装基板1。在该断开中，能够使用：沿着成为安装基板1的外缘的部位而在多连片布线基板预先形成分割槽，沿着该分割槽使该多连片布线基板断裂而进行分割的方法；或者通过切片法等沿着成为安装基板1的外缘的部位进行切断的方法等。另外，分割槽能够通过在烧成后利用切片装置并切入比多连片布线基板的厚度小的程度来形成。除此以外，也可以将刀片按压于多连片布线基板用的陶瓷生片层叠体、或者通过切片装置切入比陶瓷生片层叠体的厚度小的程度来形成。另外，也可以在将上述的多连片布线基板分割为多个安装基板1之前或进行了分割后，分别使用电解或者无电解镀敷法，在第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b、外部连接用焊盘及露出的布线导体覆盖镀敷层。
(7)接下来，在安装基板1的第一安装区域4a安装受光元件10，在第二安装区域4b安装发光元件11。受光元件10通过线接合等的连接构件13而能与安装基板1电气地接合。此外此时，在受光元件10或者安装基板1设置粘接材料等，并固定于安装基板1，也是毋庸置疑的。此外，也可以在将受光元件10与发光元件11安装到安装基板1后，接合盖体12。
如以上的(1)～(7)的工序那样，制作安装基板1并安装受光元件10与发光元件11，由此能够制作电子装置21。另外，上述(1)～(7)的工序顺序只要是能加工的顺序，就不被指定。
(第二实施方式)
在本实施方式的安装基板1中，和第一实施方式的安装基板1的不同之处在于，第二部分7b具有倾斜面5，在倾斜面5的表面具有吸收光的第一膜6。
在图3B、图6～图10所示的示例中，吸收光的第一膜6位于安装基板1的倾斜面5。换句话说，吸收光的第一膜6所位于的框部2b的内壁面7，在剖视时具有倾斜成随着远离基部2a的第一上表面6b而远离第一部分7b的倾斜面5，并且具有倾斜面5的内壁面7的开口的直径(宽度)随着朝向上方而增大。通过是上述那样的构造，从而在来自发光元件11的光的一部分到达框部2b的内壁面7的情况下，也能用吸收光的第一膜6来吸收光，同时还通过倾斜面5，即便来自发光元件11的光的一部分未被吸收尽而反射，未被吸收尽的光也会向不进入受光元件10的方向反射。因此，能够减少来自发光元件11的直接的光及散射后的光到达受光元件10。由此，能够减少在框部2b的内壁面7被反射的光抵达受光元件10而使电子装置21误操作。另外，由于无需在发光元件11与受光元件10之间设置基于壳体12的壁就能够减少电子装置21的误操作，故能实现电子装置21的小型化。此时，框部2b也可以具有多个层，如图3B、图6及图8～图10所示的示例那样，倾斜面5也可以跨越多个层地配置。由此，变得容易任意地设定倾斜面5的大小及倾斜度。由此，第一膜6的涂覆变得容易，并且能够容易地生成来自发光元件11的光难以向受光元件10侧反射的角度，能够进一步提高本实施方式的效果。
安装基板1的倾斜面5的倾斜角度相对于第一上表面6a也可以是30°～60°。倾斜面5的角度相对于第一上表面6a为30°～60°，由此与来自发光元件11的光到达倾斜面5时相比，能够具备向框部2b的上方侧反射的效果，同时变得容易确保在框部2b的第二上表面6b安装发光元件11的第二安装区域4b。由此，能够起到本实施方式的效果，并且能实现电子装置21的小型化。
也可以如图3B、图7～9所示那样，吸收光的第一膜6位于倾斜面5的全面，也可以如图6所示的示例那样，吸收光的第一膜6仅位于倾斜面5的一部分。如图3B、图7～9所示的示例那样，吸收光的第一膜6位于倾斜面5的全面，由此在来自发光元件11的光以各种各样的角度/位置到达框部2b的内壁面7的情况下，也能够起到本实施方式的效果。另外，如图6所示的示例那样，吸收光的第一膜6仅位于倾斜面5的一部分，由此在电子装置21实现了低高度化的情况下，也能够减少连接构件13与第一膜6接触。此外，在电子装置21实现了小型化及低高度化的情况下，能够减少第一膜6成为影子而遮挡原本应该到达受光元件10的反射光的状况。由此，能实现电子装置21的小型化及低高度化。
第一膜6沿着倾斜面5配置。在上述那样的情况下也能够起到本实施方式的效果。此外此时，第一膜6的厚度可以是恒定的。由此，能够均匀地吸收来自发光元件11的光，利用来自发光元件11的光的角度能够减少光的吸收程度之差。由此，能够进一步稳定电子装置21的动作。
再者，也可以将第一膜6的一部分增厚。通过将第一膜6的一部分增厚，尤其将来自发光元件11的光容易集中的部位的第一膜6增厚，从而能够进一步提高本实施方式的效果。
此外，也可以如图10所示的示例那样，电子装置21在剖视时，将框部2b的第二上表面6b、特别是框部2b的第二上表面6b的内端配置于比将受光元件10的中心和发光元件11的中心连结的虚拟线A更靠上方的位置。由此，在来自发光元件11的光的一部分在框部2b的内壁面7被反射的情况下也能够进一步减少向受光元件10反射。由此，能够进一步提高本实施方式的效果。另外，电子装置21也可以将第一膜6延伸到比将受光元件10的中心和发光元件11的中心连结的虚拟线A更靠下方的位置。由此，能够进一步提高本实施方式的效果。
图3A～图3B、图6～图10所示的安装基板1及电子装置21的制造方法能够通过将第一实施方式及第二实施方式的各个工序合并来制作。换句话说，依据第一实施方式的工序制作倾斜面5，然后在倾斜面5的表面涂覆或者印刷吸收光的第一膜6，由此能够进行制作。
另外，本公开未被限定于上述的实施方式的示例，能够实施数值等的各种各样的变形。另外，例如在各图所示的示例中，第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b的形状在俯视中为矩形状，但当然也可以是圆形状或其他多边形状。此外，本实施方式中的第一电极焊盘3a、第二电极焊盘3b的配置、个数、形状及电子元件的安装方法等未被指定。另外，本实施方式中的特征部的各种各样的组合并未限定于上述的实施方式的示例。再者，各实施方式彼此的组合也是可能的。
-符号说明-
1····安装基板
2····基板
2a···基部
2b···框部
3a···第一电极焊盘
3b···第二电极焊盘
4a···第一安装区域
4b···第二安装区域
5····倾斜面
6····第一膜
6a···第一上表面
6b···第二上表面
7····内壁面
7a···第一部分
7b···第二部分
8a···第一层
8b···第二层
10···受光元件
11···发光元件
12···盖体
13···连接构件
21···电子装置
31···电子模块
A····虚拟线。

Claims (16)

1.一种安装基板，具备：
基部，具有包括第一安装区域的第一上表面；和
框部，具有：内壁面，包围所述第一安装区域并且从所述第一上表面向上方延伸；和第二上表面，与该内壁面相交并且包括第二安装区域，
所述框部的所述内壁面具有：第一部分，与所述第二上表面连接；和第二部分，将所述第一安装区域夹在其间而与所述第一部分对置配置，
具有比所述框部的所述内壁面的反射率低的反射率的第一膜位于所述第二部分。
2.根据权利要求1所述的安装基板，其中，
所述第一膜配置到所述框部的所述第二上表面为止。
3.根据权利要求1或2所述的安装基板，其中，
所述第二部分具有倾斜面，该倾斜面倾斜成随着远离所述基部的所述第一上表面而远离所述第一部分。
4.根据权利要求3所述的安装基板，其中，
所述第一膜位于所述倾斜面。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的安装基板，其中，
所述框部具有被层叠的多个层，
所述多个层从所述框部的所述第二上表面起依次包括第一层和第二层，
所述第二部分跨越所述第一层和所述第二层地配置，并且，
在剖视时，所述第一膜配置为从所述第一层跨越所述第二层。
6.根据权利要求3或4所述的安装基板，其中，
所述框部具有被层叠的多个层，
所述倾斜面跨越所述多个层之中的至少两层地配置。
7.根据权利要求3、4或6中任一项所述的安装基板，其中，
所述倾斜面相对于所述第一上表面的倾斜角度为30°～60°。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的安装基板，其中，
所述第一膜的厚度是均匀的。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的安装基板，其中，
所述第一膜位于所述内壁面的整周上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的安装基板，其中，
所述第一膜将陶瓷材料设为主成分。
11.根据权利要求10所述的安装基板，其中，
所述陶瓷材料是黑色的。
12.一种电子装置，具备：
权利要求1～11中任一项所述的安装基板；
安装在所述第一安装区域的受光元件；和
安装在所述第二安装区域的发光元件。
13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，
所述受光元件的上端位于比所述发光元件的下端更靠下方的位置。
14.根据权利要求12或13所述的电子装置，其中，
所述框部的上表面位于比将所述受光元件的中心和所述发光元件的中心连结的虚拟线更靠上方的位置。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的电子装置，其中，
所述第一膜位于比所述受光元件的上端更靠上方的位置。
16.一种电子模块，具备：
权利要求12～15中任一项所述的电子装置；和
位于所述电子装置的盖体。
CN202080074868.XA 2019-10-30 2020-10-27 安装基板、电子装置及电子模块 Pending CN114600241A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019197453 2019-10-30
JP2019-197453 2019-10-30
PCT/JP2020/040233 WO2021085413A1 (ja) 2019-10-30 2020-10-27 実装基板、電子装置、および電子モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114600241A true CN114600241A (zh) 2022-06-07

Family

ID=75715998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080074868.XA Pending CN114600241A (zh) 2019-10-30 2020-10-27 安装基板、电子装置及电子模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12087874B2 (zh)
JP (2) JP7273179B2 (zh)
CN (1) CN114600241A (zh)
WO (1) WO2021085413A1 (zh)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713756B2 (en) * 2000-05-09 2004-03-30 Olympus Corporation Optical encoder and optical rotary encoder
JP2003233805A (ja) * 2001-12-04 2003-08-22 Canon Inc 画像入力装置
JP2008235864A (ja) * 2007-02-21 2008-10-02 Kyocera Corp 電子装置
US8026533B2 (en) * 2007-07-19 2011-09-27 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
WO2012098981A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 ローム株式会社 光学装置
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
US9541503B2 (en) * 2014-03-14 2017-01-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact systems, compact devices, and methods for sensing luminescent activity
US10429509B2 (en) * 2014-12-24 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd. Molded proximity sensor
US20160240575A1 (en) * 2015-02-13 2016-08-18 Novatek Microelectronics Corp. Optical device
CN111353457A (zh) * 2015-10-14 2020-06-30 联咏科技股份有限公司 光学装置
US9911877B2 (en) * 2016-01-14 2018-03-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Electronic device, package structure and method of manufacturing the same
JP2017152530A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 京セラ株式会社 撮像素子用パッケージ、撮像装置および撮像モジュール
US10720545B2 (en) 2016-05-27 2020-07-21 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
CN107978596B (zh) * 2016-10-24 2020-05-12 光宝光电(常州)有限公司 光感测器模组及其穿戴装置
JP6909801B2 (ja) * 2016-11-04 2021-07-28 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置
JP2018164021A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 イビデン株式会社 キャビティ付き配線板
JP7086536B2 (ja) * 2017-07-26 2022-06-20 京セラ株式会社 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール
JP7023724B2 (ja) * 2018-01-24 2022-02-22 京セラ株式会社 パッケージおよび電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021085413A1 (ja) 2021-05-06
JP2023109770A (ja) 2023-08-08
US12087874B2 (en) 2024-09-10
US20230268453A1 (en) 2023-08-24
JP7273179B2 (ja) 2023-05-12
JPWO2021085413A1 (zh) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5823043B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および撮像モジュール
CN112020771B (zh) 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
CN111727513B (zh) 电子部件搭载用封装件、电子装置以及电子模块
JP2019029401A (ja) 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール
CN111466028A (zh) 摄像元件安装用基板、摄像装置以及摄像模块
JP2022186944A (ja) 電子部品パッケージおよび電子装置
JP7062569B2 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール
JP2019096778A (ja) 蓋体および光学装置
WO2021039963A1 (ja) 実装基板および電子装置
JP2008235864A (ja) 電子装置
JP7023724B2 (ja) パッケージおよび電子装置
CN108735706B (zh) 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
CN107615477B (zh) 电子元件安装用基板以及电子装置
CN113169129B (zh) 电子元件安装用基板以及电子装置
CN114600241A (zh) 安装基板、电子装置及电子模块
CN110875258A (zh) 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
JP2021052148A (ja) 回路基板、電子部品および電子モジュール
WO2020241775A1 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール
JP6382615B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子装置の実装構造
JP7565700B2 (ja) 実装基板、電子装置、および電子モジュール
JP7227019B2 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール
WO2021020447A1 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置、電子モジュールおよび電子素子実装用基板の製造方法
JP2021034554A (ja) 蓋体および光学装置
JP2020136310A (ja) 回路基板、電子部品および電子モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination