CN114583056A - 一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，该方法针对真空辅助两步法进行两次退火，将其中第一步真空物理沉积的无机化合物薄膜，通过良溶剂/不良溶剂组成的混合溶剂蒸汽退火处理。由于良溶剂可与无机化合物薄膜中铅离子作用形成中间配合物，有利于延缓第二次热退火时钙钛矿多晶薄膜的结晶，从而改善钙钛矿多晶薄膜的结晶质量，同时混合溶剂蒸汽退火中不良溶剂的存在，也保证了第一步无机化合物层包覆整个晶硅底电池的绒面，从而确保了最终全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的优异性能，该改性方法有望推动全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的产业化进程。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，可大幅改善钙钛矿顶电池制备工艺的可重复性。
背景技术
有机-无机金属卤化物钙钛矿太阳能电池(PSCs)在过去十年中引起了人们的浓厚兴趣，单结钙钛矿太阳能电池光电转换效率(PCE)现在已超过25％。其可调的带隙和制备成本低的特点让其非常适合与晶硅电池搭配，制备高效钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池。在钙钛矿/晶硅叠层结构中，高能量光子在钙钛矿顶电池中被吸收，低能量光子在晶硅底电池中被吸收，两种材料合理搭配使用可减少热损失，理论上可获得超过33％的光电转换效率。
近年来，钙钛矿多晶薄膜通常由液相法制备获得，主要包括在基底上涂布前驱体溶液(如旋涂，刮涂等方法)和湿膜的退火。调控钙钛矿前驱体溶液的化学状态以及涂布工艺，可以控制晶体的成核生长动力学行为，进而大幅度提升薄膜的结晶质量。在所有调控方案中，前驱体的溶剂工程是最常用且最有效的手段，强极性(良)溶剂可以和Pb2+进行配位，进而影响结晶速率，而弱极性(不良)溶剂的使用可以减少强溶剂的残留，即减少配位作用的强度。然而目前商用化的晶硅电池的正反两面均为商业化微米级的大绒面形貌，传统的液相法无法在大绒面衬底上制备高质量的钙钛矿多晶薄膜，这极大的限制了钙钛矿/晶硅叠层电池领域的发展。
针对双面绒面的晶硅底电池，钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜光吸收层的制备可采用真空辅助两步法，制备方法简单，并且无视基底是抛光面还是绒面，可以完全配合已产业化的晶硅底电池生产工艺。但采用真空辅助两步法制备的全绒面的高效钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池中，还存在一些重要的挑战。主要归因于第一步真空物理气相沉积无机化合物薄膜，其无法形成液相法中的中间配合物，导致顶电池钙钛矿多晶薄膜的结晶过程不可控。因此，真空辅助两步法制备的钙钛矿多晶薄膜工艺可重复性差，导致全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池最终的性能远远低于理论值，还存在很大的提升空间。如何优化真空辅助两步法中第一步无机化合物薄膜的质量，使其接近于液相法的制备效果，是整个制备过程优化的关键。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法。
本发明所述的全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池由双面绒面异质结晶硅底电池、纳米晶硅隧穿复合层和钙钛矿顶电池三部分组成，纳米晶硅隧穿复合层选用p型纳米晶硅，通过等离子体增强化学气相沉积制备在晶硅底电池上。
本发明所述全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池，从制备顺序看分别为：背面银电极、背面氧化铟锡透明电极、p型非晶硅、本征非晶硅、微米级绒面的本征单晶硅片、本征非晶硅、n型非晶硅、p型纳米晶硅隧穿复合层、空穴传输层2,2,7,7-四(N,N-二对甲苯基)氨基-9,9-螺二芴(spiro-TTB)、钙钛矿多晶薄膜、钝化层LiF、电子传输层C60、保护层SnO2、正面氧化铟锡透明电极、减反层MgF2和正面银栅线电极。其中，选用n型非晶硅面未沉积氧化铟锡透明电极的商业化双面绒面异质结晶硅电池片，已包含背面银电极、背面氧化铟锡透明电极、背面p型非晶硅、背面本征非晶硅、微米级绒面的本征单晶硅片、正面本征非晶硅、正面n型非晶硅，将其作为晶硅底电池；空穴传输层spiro-TTB、钙钛矿多晶薄膜、钝化层LiF、电子传输层C60、保护层SnO2、正面氧化铟锡透明电极、正面银栅线电极和减反层MgF2构成钙钛矿顶电池。
晶硅底电池的上下表面均为商业化微米级的大绒面形貌，器件每层制备的薄膜均需保持该绒面形貌，以实现最佳的光学调控。钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜是基于真空辅助两步法制备，第一步通过热蒸发真空沉积设备气相共沉积碘化铅和溴化铯，形成一层碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜，为形成与液相法类似的蒸汽配合物，将沉积了无机化合物薄膜的样品置于密闭容器中，通入一定流量的良溶剂/不良溶剂混合蒸汽，优选良溶剂为二甲基亚砜(DMSO)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或者甲基吡咯烷酮(NMP)中的一种，不良溶剂为氯苯。两者溶剂蒸气的混合(体积)比例、流量和通入蒸气时间可调节第一层无机化合物薄膜中Pb2+离子与良溶剂的相互作用强弱。一般可从该层无机化合物薄膜颜色观察得到，当薄膜颜色突然变淡时，表明足量良溶剂已和Pb2+离子发生作用形成蒸汽配合物，应立即停止溶剂蒸气退火，并迅速将样品从密闭容器中取出。第二步采用甲脒氢碘酸盐和甲脒氢溴酸盐的二元混合有机铵盐乙醇溶液液相涂敷在该无机化合物薄膜上。在潮湿的空气中进行热退火处理，第二次退火完成后即可获得最终的钙钛矿多晶薄膜。
所述全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池中钙钛矿多晶薄膜制备过程中，第一步无机化合物采用真空热蒸发设备进行物理气相沉积，替代了传统液相法。通过额外增加的溶剂蒸汽退火，对物理沉积获得的无机化合物薄膜退火处理，良溶剂分子成功的引入，使其获得接近与液相法的效果。然后，将按一定比例混合的甲脒类有机铵盐溶液，通过液相涂敷在无机化合物薄膜上，在50％左右的相对湿度环境中、150℃热台上热退火20～40分钟后完成钙钛矿多晶薄膜的制备。我们可通过第一步的溶剂退火改善其结晶性，包括晶粒尺寸和结晶取向等特性，并抑制钙钛矿多晶薄膜中孔洞的形成，大幅提升绒面晶硅底电池上生长的钙钛矿多晶薄膜的结晶质量。
进一步地，所述空穴传输层spiro-TTB、钝化层LiF、电子传输层C60、减反层MgF2、正面银栅线电极和背面银电极通过热蒸发真空沉积设备沉积制得，保护层SnO2通过原子层沉积设备沉积制得，纳米晶硅隧穿复合层通过等离子体增强化学气相沉积制得。
本发明的机理：
在全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池中采用真空辅助两步法生长钙钛矿多晶薄膜中，我们知道物理沉积第一步无机化合物虽然解决了绒面硅片上保形性的问题，但物理沉积工艺无法对钙钛矿薄膜的结晶性进行有效调控，因而真空法制备的钙钛矿太阳能电池性能较差。而液相两步法中普遍采用良溶剂溶解碘化铅等无机材料，将其液相涂敷后获得第一层无机化合物薄膜，该薄膜中残留大量的良溶剂分子可与无机化合物中的铅卤化物形成蒸汽配合物，从而延缓钙钛矿多晶薄膜的结晶速率，促进钙钛矿薄膜的均匀结晶，最终能获得高效的钙钛矿电池。为了获得与液相法所制备的相似钙钛矿薄膜，采用溶剂蒸汽对第一层无机化合物薄膜进行退火，成为了一种有效策略。而良溶剂和不良溶剂的搭配使用可以降低良溶剂分子的蒸汽浓度，进而减少对第一层无机化合物薄膜形状的破坏，使得获得钙钛矿多晶薄膜仍然具有良好的保形性，保证了最终全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的性能。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1)本发明提出的两次退火的两步法制备钙钛矿多晶薄膜，方法简单、操作工艺难度低，可通过良溶剂/不良溶剂混合蒸汽调节实现溶剂退火工程，满足不同钙钛矿材料体系，兼容不同衬底制备钙钛矿薄膜。
2)本发明为制备高效全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池提供了一种有效的方案，真空辅助两步法因其第一步的物理沉积，不易与调控钙钛矿多晶薄膜的结晶动力学，对钙钛矿顶电池的性能增益和大面积高效制备奠定了基础。
附图说明
图1为本发明所述的全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的结构示意图；各部分名称为：10、背面银电极；20、背面氧化铟锡透明电极；30、背面p型非晶硅；40、背面本征非晶硅；50、微米级绒面的本征单晶硅片；60、正面本征非晶硅；70、正面n型非晶硅；80、p型微晶硅隧穿复合层；90、空穴传输层spiro-TTB；100、二维/三维混合异质结钙钛矿光吸收层；110、钝化层LiF；120、电子传输层C60；130、保护层SnO2；140、正面氧化铟锡透明电极；150、正面银栅线电极；160、减反层MgF2；
图2为本发明实施例1与对照例1制备的钙钛矿多晶薄膜表面的扫描电镜图；
图3为本发明实施例1和对照例1制备的全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线；
图4为本发明实施例2与对照例2制备的钙钛矿多晶薄膜表面的扫描电镜图；
图5为本发明实施例2和对照例2制备的全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本发明做更进一步的说明，下列实施例仅用于说明本发明，但并不用来限定本发明的实施范围。
请参阅图1，为本发明的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池，其由下往上依次包括晶硅底电池与钙钛矿顶电池，其中晶硅底电池基于商业化双面绒面的异质结晶硅，所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜是通过两次退火的两步法制备，所述晶硅底电池与钙钛矿顶电池通过p型纳米晶硅隧穿复合层80连接。
对比例1：溶剂蒸汽退火处理的第一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池。
(1)选用n型非晶硅面未沉积氧化铟锡透明电极的商业化双面绒面异质结晶硅电池片，将其作为叠层太阳能电池的底电池，在异质结晶硅n型非晶硅上通过等离子体增强化学气相沉积设备沉积15nm的纳米晶硅作为隧穿复合层。
(2)在热蒸发真空沉积设备中以0.02纳米每秒的蒸发速率在纳米晶硅作为隧穿复合层上沉积一层厚度为25nm的空穴传输层spiro-TTB；紧接着，进行真空辅助两步法制备钙钛矿光吸收层的第一步：运用热蒸发真空沉积设备共蒸发碘化铅和溴化铯，将碘化铅和溴化铯的气相沉积速率比例控制在1：0.05，在空穴传输层上得到总厚度为380nm的碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜。
(3)配置甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐按照1：4的质量比混合的乙醇溶液(甲脒摩尔浓度为0.49M)，在手套箱中使用该溶液旋涂在步骤(2)制备的无机化合物薄膜表面，旋涂仪旋转速度为3000转每分钟，旋转时间为30秒，随后立即将其置于50％的相对湿度环境中的150℃热台上，热退火30分钟，得到未经优化的钙钛矿多晶薄膜。从图2对照例1中的表面的扫描电镜图可以看出此薄膜中钙钛矿晶粒相对较小，孔洞较多。
(4)采用热蒸发真空沉积设备，在纯三维钙钛矿光吸收层表面沉积一层厚度为0.8nm的钝化层LiF，紧接着，继续使用热蒸发真空沉积设备沉积一层厚度为15nm的电子传输层C60。
(5)采用原子层沉积设备在C60表面沉积一层18nm的SnO2作为保护层，随后使用物理气相沉积方法在SnO2表面沉积一层厚度为90nm的正面氧化铟锡透明电极(氧化铟、氧化锡质量配比为97:3)。
(6)最后采用热蒸发真空沉积设备，在步骤(5)的氧化铟锡透明电极上沉积一层厚度为200nm的正面银栅线电极(银栅线电极由主栅和细栅组成，主栅确定的有效面积为1cm2)和厚度为100nm的减反层MgF2。从图3对照例1中的叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线可以看出开路电压为1.63V，电流密度为18.12mA/cm2，填充因子68％，光电转换效率为20.1％。
实施例1
一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法的实施例，包括如下步骤：
(1)选用n型非晶硅面未沉积氧化铟锡透明电极的商业化双面绒面异质结晶硅电池片，将其作为叠层太阳能电池的底电池，在异质结晶硅n型非晶硅上通过等离子体增强化学气相沉积设备沉积15nm的纳米晶硅作为隧穿复合层。
(2)在热蒸发真空沉积设备中以0.02纳米每秒的蒸发速率在纳米晶硅作为隧穿复合层上沉积一层厚度为25nm的空穴传输层spiro-TTB；紧接着，进行真空辅助两步法制备钙钛矿光吸收层的第一步：运用热蒸发真空沉积设备共蒸发碘化铅和溴化铯，将碘化铅和溴化铯的气相沉积速率比例控制在1：0.05，在空穴传输层上得到总厚度为380nm的碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜。
(3)在步骤(2)制备的无机化合物薄膜置于密闭容器中，通入流量为10-3m3/h的二甲基亚砜/氯苯混合蒸汽，两者混合体积比例为1：5，通入蒸气3分钟后，停止溶剂蒸气退火，并迅速将样品从密闭容器中取出。
(4)配置甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐按照1：4的质量比混合的乙醇溶液(甲脒摩尔浓度为0.49M)，在手套箱中使用该溶液旋涂在步骤(3)制备的无机化合物薄膜表面，旋涂仪旋转速度为3000转每分钟，旋转时间为30秒，随后立即将其置于50％的相对湿度环境中的150℃热台上，热退火30分钟，得到未经优化的钙钛矿多晶薄膜。从图2所述钙钛矿多晶薄膜表面的扫描电镜图可以看出钙钛矿晶粒大且致密。
(5)采用热蒸发真空沉积设备，在纯三维钙钛矿光吸收层表面沉积一层厚度为0.8nm的钝化层LiF，紧接着，继续使用热蒸发真空沉积设备沉积一层厚度为15nm的电子传输层C60。
(6)采用原子层沉积设备在C60表面沉积一层18nm的SnO2作为保护层，随后使用物理气相沉积方法在SnO2表面沉积一层厚度为90nm的正面氧化铟锡透明电极(氧化铟、氧化锡质量配比为97:3)。
(7)最后采用热蒸发真空沉积设备，在步骤(6)的氧化铟锡透明电极上沉积一层厚度为200nm的正面银栅线电极(银栅线电极由主栅和细栅组成，主栅确定的有效面积为1cm2)和厚度为100nm的减反层MgF2。从图3实施例1中的叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线可以看出开路电压为1.82V，电流密度为19.70mA/cm2，填充因子为77％，光电转换效率为27.6％。相较于对照例1，叠层电池各方面的指标参数均得到了显著提升。
对比例2：溶剂蒸汽退火处理的第二种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池。
(1)选用n型非晶硅面未沉积氧化铟锡透明电极的商业化双面绒面异质结晶硅电池片，将其作为叠层太阳能电池的底电池，在异质结晶硅n型非晶硅上通过等离子体增强化学气相沉积设备沉积15nm的纳米晶硅作为隧穿复合层。
(2)在热蒸发真空沉积设备中以0.02纳米每秒的蒸发速率在纳米晶硅作为隧穿复合层上沉积一层厚度为25nm的空穴传输层spiro-TTB；紧接着，进行真空辅助两步法制备钙钛矿光吸收层的第一步：运用热蒸发真空沉积设备共蒸发碘化铅和溴化铯，将碘化铅和溴化铯的气相沉积速率比例控制在1：0.07，在空穴传输层上得到总厚度为490nm的碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜。
(3)配置甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐按照1：4的质量比混合的乙醇溶液(甲脒摩尔浓度为0.58M)，在手套箱中使用该溶液旋涂在步骤(2)制备的无机化合物薄膜表面，旋涂仪旋转速度为3000转每分钟，旋转时间为30秒，随后立即将其置于50％的相对湿度环境中的150℃热台上，热退火30分钟，得到未经优化的钙钛矿多晶薄膜。从图4对照例2中的表面的扫描电镜图可以看出此薄膜中钙钛矿晶粒相对较小，不致密。
(4)采用热蒸发真空沉积设备，在纯三维钙钛矿光吸收层表面沉积一层厚度为1nm的钝化层LiF，紧接着，继续使用热蒸发真空沉积设备沉积一层厚度为12nm的电子传输层C60。
(5)采用原子层沉积设备在C60表面沉积一层20nm的SnO2作为保护层，随后使用物理气相沉积方法在SnO2表面沉积一层厚度为100nm的正面氧化铟锡透明电极(氧化铟、氧化锡质量配比为97:3)。
(6)最后采用热蒸发真空沉积设备，在步骤(5)的氧化铟锡透明电极上沉积一层厚度为200nm的正面银栅线电极(银栅线电极由主栅和细栅组成，主栅确定的有效面积为1cm2)和厚度为100nm的减反层MgF2。从图5对照例2中的叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线可以看出开路电压为1.65V，电流密度为18.52mA/cm2，填充因子70％，光电转换效率为21.4％。
实施例2
一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法的实施例，包括如下步骤：
(1)选用n型非晶硅面未沉积氧化铟锡透明电极的商业化双面绒面异质结晶硅电池片，将其作为叠层太阳能电池的底电池，在异质结晶硅n型非晶硅上通过等离子体增强化学气相沉积设备沉积15nm的纳米晶硅作为隧穿复合层。
(2)在热蒸发真空沉积设备中以0.02纳米每秒的蒸发速率在纳米晶硅作为隧穿复合层上沉积一层厚度为25nm的空穴传输层spiro-TTB；紧接着，进行真空辅助两步法制备钙钛矿光吸收层的第一步：运用热蒸发真空沉积设备共蒸发碘化铅和溴化铯，将碘化铅和溴化铯的气相沉积速率比例控制在1：0.07，在空穴传输层上得到总厚度为490nm的碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜。
(3)在步骤(2)制备的无机化合物薄膜置于密闭容器中，通入流量为10-2m3/h的甲基吡咯烷酮/氯苯混合蒸汽，两者混合体积比例为1：10，通入蒸气1分钟后，停止溶剂蒸气退火，并迅速将样品从密闭容器中取出。
(4)配置甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐按照1：4的质量比混合的乙醇溶液(甲脒摩尔浓度为0.58M)，在手套箱中使用该溶液旋涂在步骤(3)制备的无机化合物薄膜表面，旋涂仪旋转速度为3000转每分钟，旋转时间为30秒，随后立即将其置于50％的相对湿度环境中的150℃热台上，热退火30分钟，得到未经优化的钙钛矿多晶薄膜。从图4所述钙钛矿多晶薄膜表面的扫描电镜图可以看出钙钛矿晶粒大且致密。
(5)采用热蒸发真空沉积设备，在纯三维钙钛矿光吸收层表面沉积一层厚度为1nm的钝化层LiF，紧接着，继续使用热蒸发真空沉积设备沉积一层厚度为12nm的电子传输层C60。
(6)采用原子层沉积设备在C60表面沉积一层20nm的SnO2作为保护层，随后使用物理气相沉积方法在SnO2表面沉积一层厚度为100nm的正面氧化铟锡透明电极(氧化铟、氧化锡质量配比为97:3)。
(7)最后采用热蒸发真空沉积设备，在步骤(6)的氧化铟锡透明电极上沉积一层厚度为200nm的正面银栅线电极(银栅线电极由主栅和细栅组成，主栅确定的有效面积为1cm2)和厚度为100nm的减反层MgF2。从图5实施例2中的叠层太阳能电池在AM1.5G光照下的I-V特性曲线可以看出开路电压为1.84V，电流密度为19.75mA/cm2，填充因子为78％，光电转换效率为28.3％。相较于对照例2，叠层电池各方面的指标参数均得到了显著提升。
以上实施例只是本发明的部分优选实施例，仅用于说明本发明的原理和改进效果，不得用于限制本发明的专利保护范围。普通技术人员在技术领域内，不是从发明的精神原则和范围的前提下，本发明还可以做出各种改变、改进和润色，这些改进中的附加功能可以单独或以任何方式组合，这些改变，改进和润色也应视为在本发明专利的保护范围内。
Claims (6)
1.一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：所述全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池由双面绒面异质结晶硅底电池、纳米晶硅隧穿复合层和钙钛矿顶电池三部分组成，所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜是通过两次退火的两步法制备，第一步采用热蒸发设备在隧穿复合层上物理沉积无机化合物薄膜，并通过混合溶剂蒸汽退火处理；第二步采用液相法将有机铵盐涂敷在处理后的无机化合物薄膜上，并通过热退火处理完成钙钛矿多晶薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜中第一步沉积无机化合物薄膜，采用热蒸发真空沉积设备共蒸发碘化铅和溴化铯，将碘化铅和溴化铯的沉积速率比调整为1:0.04至1:0.08之间，得到总厚度为300-800nm的无机化合物薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜中第一次退火处理是通过混合溶剂蒸汽进行处理，将沉积了无机化合物薄膜的样品置于密闭容器中，通入流量为10-4-10-2m3/h的良溶剂/不良溶剂混合蒸汽，良溶剂为二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺或者甲基吡咯烷酮中的一种，不良溶剂为氯苯，两者混合体积比例为10：1至1：10，通入蒸汽1-10分钟后，停止溶剂蒸汽退火，并迅速将样品从密闭容器中取出。
4.根据权利要求1所述的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜中第二步沉积有机铵盐采用液相涂敷，包含旋涂﹑涂布﹑刮涂﹑喷涂中的任意一种方式，有机铵盐溶液为甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐按照1：4的质量比混合的乙醇溶液。
5.根据权利要求1所述的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：所述钙钛矿顶电池中钙钛矿多晶薄膜的第二次退火是通过热退火进行处理，将涂敷完有机铵盐的样品迅速放置在50％左右的相对湿度环境中、150℃热台上热退火20～40分钟后完成钙钛矿多晶薄膜的制备。
6.根据权利要求1所述的一种全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的改性方法，其特征在于：按制备顺序，钙钛矿顶电池依次由空穴传输层、两次退火的两步法制备的钙钛矿多晶薄膜、钝化层、电子传输层、保护层、正面氧化铟锡透明电极、正面银栅线电极和减反层构成。
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