CN114578624A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 16
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本申请公开了阵列基板及显示面板,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线和栅极线,数据线和栅极线划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路,其中,位于阵列基板的非显示区的驱动电路包括第一透明电极,位于阵列基板的显示区的数据线上设置有第二透明电极,非显示区包括端子侧,位于端子侧的第一透明电极在与数据线交叠的部分断开,且与第二透明电极连接。通过上述结构,改善了显示面板出现暗线问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域,特别是涉及阵列基板及显示面板。
背景技术
随着光电技术与半导体制造技术的发展,平板显示器凭借其轻薄、携带方便等优势,已经取代了传统的CRT显示器成为显示器件的主流。薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)凭借其高品质画质、高空间利用率、低消耗功率、无辐射等优越特性已经成为平板显示市场的主流产品。
目前显示器的显示面板是通过面板边缘的端子侧传输显示信号,但由于端子侧的信号传输是通过公共电极与透明电极之间的过孔传输至阵列基板表面的透明电极,因此,若端子侧表面的透明电极发生短路,则会影响显示面板的显示画面。
在现有技术中,由于公共电极表面还设置有数据线,数据线与透明电极之间通过钝化膜层隔开,但是在钝化层成膜过程中,当颗粒物或灰尘落在透明电极与数据线交叠部分时,或用力按压透明电极时,或者静电释放测试有大量的电流经过数据线时,都会破坏钝化膜,从而导致数据线与透明电极发生短路,使端子侧到端子对侧形成一条黑色的暗线,影响显示面板的显示画面。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示面板,以避免数据线与透明电极发生短路,改善了显示面板出现暗线的问题。
为解决上述问题,本申请提供了一种阵列基板,所述阵列基板上设有多条相互垂直的数据线和栅极线,所述数据线和所述栅极线划分出多个像素区域,所述像素区域包括像素和驱动所述像素的驱动电路,其中,位于所述阵列基板的非显示区的所述驱动电路包括第一透明电极,位于所述阵列基板的显示区的所述数据线上设置有第二透明电极,所述非显示区包括端子侧,位于所述端子侧的所述第一透明电极在与所述数据线交叠的部分断开,且与所述第二透明电极连接。
因此,通过将相邻的驱动电路的第一透明电极在与数据线交叠的部分断开,从而避免了第一透明电极与数据线之间发生短路。
优选的,所述第一透明电极通过走线与所述第二透明电极连接。
因此,通过设计走线以使第一透明电极和第二透明电极连接形成透明电极层。
优选的,所述走线包括第一段走线和第二段走线,所述第一段走线垂直于所述栅极线,所述第二段走线垂直于所述数据线,所述第一段走线与所述第二段走线垂直连接。
因此,通过至少两段走线连接第一透明电极和第二透明电极。
优选的,所述第一段走线与所述数据线的距离不小于6微米,所述第二段走线与所述栅极线的距离不小于6微米。
由于第一透明电极与数据线之间的距离不能过近,不然会使第一透明电极与数据线发生钝化膜层击穿,导致第一透明电极与数据线短路,因此,将第一走线和第二走线与数据线和栅极线的距离均不小于6微米较优。
优选的,所述第一段走线与所述第二段走线形成L型走线,所述第一段走线与所述第一透明电极垂直连接,所述第二段走线垂直于所述数据线,且与覆盖于所述数据线表面的所述第二透明电极连接。
因此,通过垂直设置的第一段走线和第二段走线,使第一透明电极和覆盖于数据线上的透明电极相连,减少了非显示区的数据线表面覆盖的透明电极的面积。
优选的,所述第一段走线与所述第二段走线形成T型走线,所述第一段走线与所述第一透明电极垂直连接,所述第二段走线垂直覆盖于所述数据线表面,且与所述第二透明电极连接。
因此,通过垂直设置的第一段走线和第二段走线,使第一透明电极和覆盖于数据线上的透明电极相连,减少了非显示区的数据线表面覆盖的透明电极的面积。
优选的,所述走线的宽度在7.5~12微米。
因此,减小了走线设计所需的材料,也减小了走线覆盖面积,从而避免了走线与数据线发生短路所造成的影响。
优选地,所述数据线的宽度在4.5~6微米。
因此,通过减小数据线的宽度,以减小第一透明电极与数据线之间发生短路的概率。
优选的,所述阵列基板的显示区的所述数据线表面覆盖有色阻层,所述第二透明电极覆盖于所述色阻层表面。
由于第二透明电极与数据线之间有色阻层,因此,第二透明电极与数据线之间不会发生短路,第二透明电极无需在数据线位置处断开。
为了解决上述问题,本申请还提供一种显示面板,显示面板包括上述任一实施例所述的阵列基板。
本申请的有益效果是:通过将端子侧相邻的驱动电路表面的第一透明电极在与数据线交叠的部分断开,从而避免第一透明电极与数据线发生短路所导致的显示暗线的出现,提高了阵列基板显示画面的良品率。且通过第一透明电极与第二透明电极连接,形成的透明电极层覆盖于阵列基板的整个表面,能有效地防止电子信号对画质显示造成的影响。
附图说明
图1为传统阵列基板实施例的俯视结构示意图;
图2a为图1中虚线A-A’的截面结构示意图;
图2b为图1中虚线B-B’的截面结构示意图;
图3为本申请阵列基板第一实施例的第一实施方式的结构示意图;
图4为图3中虚线B-B’的截面结构示意图;
图5为本申请阵列基板第一实施例的第二实施方式的结构示意图;
图6为本申请阵列基板第一实施例的第三实施方式的结构示意图;
图7为本申请显示面板第二实施例的一实施方式的俯视结构示意图;
图8为本申请显示面板的阵列基板第一实施方式的结构示意图;
图9为本申请显示面板的阵列基板第一实施方式的截面结构示意图;
图10为本申请显示面板的阵列基板第二实施方式的结构示意图;
图11为本申请显示面板的阵列基板第三实施方式的结构示意图。
10/90阵列基板;1/11/711数据线;2/12/712栅极线;a/31/91第一金属层;b/32/92栅极绝缘层;c/33/93第二金属层;d/34/94钝化膜层; e/110/7110第一透明电极层;f/41色阻层;g/120/7120第二透明电极层; 51/61/1001/1101第一段走线;52/62/1002/1102第二段走线;71显示区域; 72非显示区域;721端子侧;70方框。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本申请提供一种传统的阵列基板,请参阅图1,图1为传统阵列基板一实施例的俯视结构示意图。如图1所示,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线11和栅极线12,数据线11和栅极线12划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路。
进一步地,请参阅图2a和图2b,图2a为本申请非显示区域的传统阵列基板一实施例的截面结构示意图。具体地,图2a为图1中虚线A-A’的截面结构示意图。如图2a所示,阵列基板10的非显示区域依次设置有第一金属层a、栅极绝缘层b、第二金属层c、钝化膜层d以及第一透明电极层e。具体地,第一金属层a覆盖于阵列基板表面,栅极绝缘层b 设置于第一金属层a表面,第二金属层c设置于栅极绝缘层b表面,钝化膜层d覆盖于第二金属层c表面,第一透明电极e覆盖于钝化膜层d 表面。在本实施例中,阵列基板上设置有多个过孔,公共电极信号直接通过过孔传输至第一透明电极层e。图2b为本申请显示区域的阵列基板一实施例的截面结构示意图。具体地,图2b为图1中虚线B-B’的截面结构示意图。如图2b所示,阵列基板10的显示区域上依次设置有第一金属层a、栅极绝缘层b、第二金属层c、钝化膜层d、色阻层f以及第二透明电极层g。
在本实施例中,第一金属层a形成栅极线2,第二金属层c形成数据线1。
在本实施例中,由于钝化膜层d在成膜过程中,颗粒物或灰尘会将钝化膜层d刺穿,从而导致非显示区域的第一透明电极e与第二金属层c发生短路。而由于显示区域上的第二金属层c与第二透明电极层g之间除了钝化膜层d外,还设置有色阻层f,色阻层f较厚,从而使得第二金属层c与第二透明电极层g之间不容易发生短路。
为了防止数据线1与透明电极层发生短路,本申请提供一种阵列基板,请参阅图3,图3为本申请阵列基板第一实施例一实施方式的结构示意图。如图3所示,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线11和栅极线12,数据线11和栅极线12划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路。
阵列基板还包括显示区域和非显示区域,非显示区域位于显示区域的边缘设置。非显示区域包括端子侧,端子侧设置有公共电极,用于向显示区域传输DBS com信号,以使阵列基板发光。
在本实施例中,位于非显示区域的驱动电路包括第一透明电极110,位于显示区域的数据线11上设置有第二透明电极120。具体地,第一透明电极110覆盖于栅极线12上,且在数据线11处断开;第二透明电极 120覆盖于数据线11上。
在本实施例中,端子侧的栅极线12为公共电极。
进一步地,请参阅图4,图4为本申请图3中虚线A-A’的截面结构示意图。具体地,图4为图1中虚线A-A’的截面结构示意图。如图4 所示,阵列基板的显示区域上依次设置有第一金属层31、栅极绝缘层 32、第二金属层33、钝化膜层34以及第一透明电极层110。
在本实施例中,阵列基板上设置有多个过孔101,公共电极信号直接通过过孔传输至第一透明电极层110,具体地,端子侧通过第一金属层31将公共电极信号直接传输至第一透明电极层110,其中,第一金属层31通过过孔与第一透明电极110相连。
在本实施例中,显示区域的阵列基板的截面结构不变。其中,第一金属层31形成栅极线12,第二金属层33形成数据线11。
在本实施例中,通过将第一透明电极110在与数据线11交叠的部分断开,从而避免第一透明电极110与第二金属层33发生短路。其中,第一透明电极110与第二透明电极120连接,从而形成透明电极层覆盖于阵列基板的整个表面。第一透明电极110通过第二透明电极120形成连接。在本实施例中,第二透明电极120覆盖于数据线11表面,且第二透明电极120与数据线11之间还设置有色阻层。
在本实施例中,第一透明电极110与第二透明电极120通过走线连接。其中,走线与第一透明电极110和第二透明电极120的材质相同,均为氧化铟锡。
具体地,走线包括第一段走线51和第二段走线52,第一段走线51 与第二段走线52垂直连接,第一段走线51垂直于栅极线12,第二段走线52垂直于数据线11。
在本实施方式中,第一段走线51与第二段走线52形成L型走线,第一段走线51垂直于栅极线12,且与栅极线12表面的第一透明电极 110连接,第二段走线52垂直于数据线11,且与覆盖于数据线11表面的第二透明电极120连接。
在本实施方式中,第一段走线51与数据线11平行设置,且与数据线11的距离不小于6微米,第二段走线52平行于栅极线12,且与栅极线12的距离不小于6微米。
在本实施方式中,第一透明电极110与数据线11的距离也不小于6 微米。
在本实施例中,只需保证第一透明电极110通过走线与第二透明电极120形成连接即可。在其它实施方式中,走线形成还可以是T型或其他性质。
具体地,本申请还提供阵列基板另一实施方式的结构示意图,请参阅图5,图5为本申请阵列基板第一实施例的第二实施方式的结构示意图。如图5所示,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线11和栅极线 12,数据线11和栅极线12划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路。位于阵列基板的非显示区域的驱动电路包括第一透明电极110,位于阵列基板的显示区域的数据线11上设置有第二透明电极120。非显示区包括端子侧,位于端子侧的第一透明电极110在与数据线11交叠的部分断开,且通过走线与第二透明电极连接。
其中,走线包括第一段走线61和第二段走线62,如图5所示,第一段走线61与第二段走线62形成T型走线,第一段走线61垂直于栅极线12,且与栅极线12表面的第一透明电极110连接,第二段走线62 垂直并覆盖于数据线11的表面,且与覆盖于数据线11表面的第二透明电极120连接。在本实施方式中,第一段走线61靠近数据线11设置,即第一段走线61靠近第一透明电极110边缘设置。
本申请还提供阵列基板又一实施方式的结构示意图,请参阅图6,图6为本申请阵列基板第一实施例的第三实施方式的结构示意图。如图 6所示,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线11和栅极线12,数据线11和栅极线12划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路。位于阵列基板的非显示区域的驱动电路包括第一透明电极110,位于阵列基板的显示区域的数据线11上设置有第二透明电极120。非显示区包括端子侧,位于端子侧的第一透明电极110在与数据线11 交叠的部分断开,且通过走线与第二透明电极连接。
其中,走线包括第一段走线71和第二段走线72,如图6所示,第一段走线71与第二段走线72形成T型走线,第一段走线71垂直于栅极线12,且与栅极线12表面的第一透明电极110连接,第二段走线72 垂直并覆盖于数据线11的表面,且与覆盖于数据线11表面的第二透明电极120连接。在本实施方式中,第一段走线71靠近第一透明电极110 中心设置。
在本实施例中,走线的宽度在7.5~12微米之间,具体地,第一段走线和第二段走线的宽度均在7.5~12微米之间。
在本实施例中,数据线11的宽度在4.5~6微米之间。
本实施例的有益效果是,通过将端子侧相邻的驱动电路表面的第一透明电极在与数据线交叠的部分断开,从而避免第一透明电极与数据线发生短路所导致的显示暗线的出现,提高了阵列基板显示画面的良品率。且通过第一透明电极与第二透明电极连接,形成的透明电极层覆盖于阵列基板的整个表面,能有效地屏蔽电场信号。
本申请还提供一种显示面板,请参阅图7,图7为本申请显示面板第二实施例的一实施方式的俯视结构示意图,如图7所示,显示面板包括显示区域71和非显示区域72,非显示区域72位于显示区域71四周,无需显示画面,显示区域71位于阵列基板中间,用于显示画面。
在本实施例中,非显示区域72包括端子侧721,端子侧721设置有公共电极,用于向显示区域71传输DBS com信号,以显示面板发光。具体地,端子侧721沿图7中虚线方向向显示区域71传输信号,若端子侧的数据线与透明电极发生短路,则图中虚线位置会出现一条黑色的暗线。在本实施例中,端子侧72又为COF(覆晶薄膜)侧,通过COF 安装方式安装驱动芯片,即又为驱动芯片安装侧,通过驱动芯片向显示面板的显示区71传输信号。
在本实施例中,显示面板包括阵列基板,即显示区域71和非显示区域72上均包括有阵列基板,具体地,请参阅图8,图8为本申请显示面板的阵列基板第一实施方式的结构示意图。具体地,图8为图7中方框70区域的放大结构示意图。如图8所示,阵列基板上设有多条相互垂直的数据线711和栅极线712,数据线711和栅极线712划分出多个像素区域,像素区域包括像素和驱动像素的驱动电路。
在本实施例中,驱动电路设置于数据线711上。
在本实施例中,位于非显示区域72的栅极线712上设置有第一透明电极7110,位于显示区域71的数据线711上设置有第二透明电极7120。
其中,位于端子侧721的相邻的驱动电路的第一透明电极7110在与数据线711交叠的部分断开,且与第二透明电极7120连接。
进一步地,请参阅图9,图9为本申请显示面板的阵列基板第一实施方式的截面结构示意图。具体地,图9为图8中虚线A-A’的截面结构示意图。如图9所示,非显示区域72的阵列基板90上依次设置有第一金属层91、栅极绝缘层92、第二金属层93、钝化膜层94以及第一透明电极层7110。具体地,第一金属层91覆盖于阵列基板90表面,栅极绝缘层92设置与第一金属层91表面,第二金属层93设置与栅极绝缘层92表面,钝化膜层94覆盖于第二金属层93表面,第一透明电极7110 覆盖于钝化膜层94表面。在本实施例中,阵列基板90上设置有多个过孔,公共电极信号直接通过过孔传输至第一透明电极层7110,具体地,端子侧721通过第一金属层91将公共电极信号直接传输至第一透明电极层7110,其中,第一金属层91通过过孔与第一透明电极7110相连。
在本实施例中,第一金属层91形成栅极线712,第二金属层93形成数据线711。
在本实施例中,通过将第一透明电极7110在与数据线711交叠的部分断开,从而避免第一透明电极7110与第二金属层93发生短路。其中,第一透明电极7110与第二透明电极7120连接,从而形成透明电极层覆盖于阵列基板的整个表面。其中,相邻的驱动电路的第一透明电极7110 通过第二透明电极7120形成连接。
在本实施例中,第一透明电极7110与第二透明电极7120通过走线连接。其中,走线与第一透明电极7110和第二透明电极7120的材质相同,均为氧化铟锡。
具体地,走线包括第一段走线和第二段走线,第一段走线与第二段走线垂直连接,第一段走线垂直于栅极线712,第二段走线垂直于数据线711。
在本实施方式中,第一段走线与第二段走线形成L型走线,第一段走线1001与第二段走线1002形成L型走线,第一段走线1001垂直于栅极线712,且与栅极线712表面的第一透明电极7110连接,第二段走线1002垂直于数据线711,且与覆盖于数据线711表面的第二透明电极7120连接。
在本实施例中,第一段走线1001与数据线711平行设置,且与数据线711的平行距离不小于6微米,第二段走线1002平行于栅极线712,且与栅极线712的距离不小于6微米。
在本实施例中,第一透明电极7110与数据线711的距离也不小于6 微米。
在第二实施方式中,第一走线与第二走线形成T型走线,具体地,请参阅图10,图10为本申请显示面板的阵列基板的第二实施方式的结构示意图。如图10所示,第一段走线1101与第二段走线1102形成T 型走线,第一段走线1101垂直于栅极线712,且与栅极线712表面的第一透明电极7110连接,第二段走线1102垂直并覆盖于数据线711的表面,且与覆盖于数据线711表面的第二透明电极7120连接。在本实施方式中,即第一段走线1101靠近第一透明电极7110边缘设置。
在第三实施方式中,第一段走线1101靠近第一透明电极7110的中心设置,具体请参阅11,图11为本申请显示面板的阵列基板第三实施方式的结构示意图。如图11所示,第一段走线1101与第二段走线1102 形成T型走线,第一段走线1101垂直于栅极线712,且与栅极线712表面的第一透明电极7110连接,第二段走线1102垂直并覆盖于数据线711 的表面,且与覆盖于数据线711表面的第二透明电极7120连接,第一段走线1101靠近第一透明电极7110的中心设置。
本实施例的有益效果是:通过将端子侧相邻的驱动电路表面的第一透明电极在与数据线交叠的部分断开,从而避免第一透明电极与数据线发生短路所导致的显示暗线的出现,提高了阵列基板显示画面的良品率。且通过第一透明电极与第二透明电极连接,形成的透明电极层覆盖于阵列基板的整个表面,能有效地屏蔽电场信号。
以上仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,所述阵列基板上设有多条相互垂直的数据线和栅极线,所述数据线和所述栅极线划分出多个像素区域,所述像素区域包括像素和驱动所述像素的驱动电路,其特征在于,位于所述阵列基板的非显示区的所述驱动电路包括第一透明电极,位于所述阵列基板的显示区的所述数据线上设置有第二透明电极,所述非显示区包括端子侧,位于所述端子侧的所述第一透明电极在与所述数据线交叠的部分断开,且与所述第二透明电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一透明电极通过走线与所述第二透明电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述走线包括第一段走线和第二段走线,所述第一段走线垂直于所述栅极线,所述第二段走线垂直于所述数据线,所述第一段走线与所述第二段走线垂直连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一段走线与所述数据线的距离不小于6微米,所述第二段走线与所述栅极线的距离不小于6微米。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一段走线与所述第二段走线形成L型走线,所述第一段走线与所述第一透明电极垂直连接,所述第二段走线垂直于所述数据线,且与覆盖于所述数据线表面的所述第二透明电极连接。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一段走线与所述第二段走线形成T型走线,所述第一段走线与所述第一透明电极垂直连接,所述第二段走线垂直覆盖于所述数据线表面,且与所述第二透明电极连接。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述走线的宽度在7.5~12微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线的宽度在4.5~6微米。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的显示区的所述数据线表面覆盖有色阻层,所述第二透明电极覆盖于所述色阻层表面。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括框架以及设置于所述框架中的阵列基板,所述阵列基板为权利要求1~9所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111639441.2A CN114578624B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 阵列基板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111639441.2A CN114578624B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 阵列基板及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114578624A true CN114578624A (zh) | 2022-06-03 |
CN114578624B CN114578624B (zh) | 2023-01-17 |
Family
ID=81770915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111639441.2A Active CN114578624B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 阵列基板及显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114578624B (zh) |
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CN114578624B (zh) | 2023-01-17 |
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PB01 | Publication | ||
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