CN114690498A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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CN114690498A CN202210346568.3A CN202210346568A CN114690498A CN 114690498 A CN114690498 A CN 114690498A CN 202210346568 A CN202210346568 A CN 202210346568A CN 114690498 A CN114690498 A CN 114690498A
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刘弘
张永强
肖振宏
梁朝
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Abstract

本公开涉及一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；遮光层，形成在所述衬底基板上，所述遮光层上设有第一连接线；金属层，形成在所述遮光层的上方，所述金属层上设有多条数据线和多条虚拟信号线，多条数据线和多条虚拟信号线沿所述阵列基板的纵向方向延伸，所述数据线和所述虚拟信号线通过所述第一连接线连接，以在所述衬底基板上形成用于放置摄像头的开孔区域时，使所述数据线的两端导通。本公开在实现产品多样化的同时，能够避免对阵列基板进行开孔或异形切割时，可能因数据线被切断而导致显示面板的部分区域无法正常显示的现象，保证显示面板的显示效果，且能够降低产品开发和生产成本。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
目前主流手机屏幕外形主要有三种：1)平头结构，选用升降式摄像头，无需在玻璃上制作放置摄像头的异形区域；2)开孔结构(Punch，盲孔/通孔)，摄像头位于孔的下方，其中，盲孔方案中玻璃未被打通摄像头位于玻璃下方，通孔方案则是通过切割玻璃，将摄像头穿过通孔放置；3)开口结构(Notch，包括俗称齐刘海的U形槽、美人尖的V形槽、水滴状槽)，摄像头位于Notch下方，需将Notch区域的玻璃切除。
现有技术中为满足上述不同结构的市场需求，针对同一尺寸屏幕需要分别设置平头、开孔、Notch三种外形的产品，极大地增加了产品开发和加工成本；即使同一尺寸屏幕能够兼容不同设计，在进行开孔或切割时不可避免地会将部分数据线切断，如此，导致部分显示区域无法正常显示，影响产品品质(如图1所示，数据线仅下端与IC连接，位于产品上方的数据线被切断会导致靠近上述开孔或开口的显示区域无法显示)。
发明内容
本公开实施例提供了一种阵列基板及显示装置，能够解决现有技术中的上述问题。
根据本公开的方案之一，提供一种阵列基板，包括：
衬底基板；
遮光层，形成在所述衬底基板上，所述遮光层上设有第一连接线；
金属层，形成在所述遮光层的上方，所述金属层上设有多条数据线和多条虚拟信号线，多条数据线和多条虚拟信号线沿所述阵列基板的纵向方向延伸，所述数据线和所述虚拟信号线通过所述第一连接线连接，以在所述衬底基板上形成用于放置摄像头的开孔区域时，使所述数据线的两端导通。
在一些实施例中，所述金属层上还设有第二连接线，所述数据线的第一端通过所述第二连接线与所述虚拟信号线的一端连接，所述虚拟信号线的另一端通过所述第一连接线与所述数据线的第二端连接，所述数据线的第二端连接至集成电路驱动芯片。
在一些实施例中，所述金属层上还设有第三连接线，所述第三连接线的一端与位于所述阵列基板的上侧的所述数据线连接，所述第三连接线的另一端与所述第二连接线连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上形成有像素阵列；
所述第一连接线沿所述阵列基板的平面方向贯穿所述阵列基板的显示区域，以使与所述像素阵列中的各像素对应的各所述数据线相互连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述遮光层和所述金属层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设有贯通的过孔，所述第一连接线通过所述过孔与所述数据线和虚拟信号线连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述遮光层的上方的多晶硅层，所述遮光层和所述多晶硅层之间设有复合绝缘层，所述复合绝缘层的厚度大于所述阵列基板中各相邻层之间的厚度。
在一些实施例中，所述阵列基板上设有用于形成所述开孔区域的第一对位标记。
在一些实施例中，所述阵列基板上还设有用于形成开口区域的第二对位标记，所述第二对位标记包围所述第一对位标记。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条栅极信号线以及用于驱动所述栅极信号线的栅极驱动电路，所述栅极信号线与所述数据线相互垂直交叉绝缘设置，所述栅极驱动电路包括分别设于所述栅极信号线的左右两侧的第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元，所述第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元分别从所述栅极信号线的左右两侧同时向所述开孔区域或开口区域驱动所述栅极信号线。
根据本公开的方案之一，还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
本公开的各种实施例提供的阵列基板及显示装置，通过在遮光层上设置第一连接线，并通过第一连接线将数据线和虚拟信号线连接，使得数据线的两端能够通过第一连接线和虚拟信号线导通形成数据信号回路，避免对上述阵列基板进行开孔或异形切割时，可能因数据线被切断而导致显示面板的部分区域无法正常显示的现象，保证显示面板的显示效果。另外，本公开实施例提供的阵列基板通过采用同一套掩膜设计，即可实现平头结构的产品兼容开孔结构或Notch设计，仅提供平头结构的阵列基板便可以根据用户需要加工成型多种结构的产品，实现产品多元化、满足用户的不同需求的同时，降低产品研发和生产成本。此外，对于开孔结构的产品，无需在孔周围进行fanout布线等，相对于常规通孔/盲孔产品会拥有更小的孔边框，增大显示区域面积，提高用户使用体验。
附图说明
图1示出现有技术中的阵列基板的数据线的布线结构示意图；
图2示出本公开实施例的阵列基板的结构示意图(主要为布线结构)；
图3示出本公开实施例的阵列基板的另一结构示意图；
图4示出本公开实施例的阵列基板的又一结构示意图；
图5示出本公开实施例的阵列基板的透视结构示意图；
图6示出本公开实施例的连接线的结构示意图。
附图标记：
10-衬底基板；20-集成电路驱动芯片；
1-第一连接线；2-数据线、21-第一数据线段、22-第二数据线段；3-虚拟信号线；4-第二连接线；5-第三连接线；6-过孔。
具体实施方式
此处参考附图描述本公开的各种方案以及特征。
应理解的是，可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此，上述说明书不应该视为限制，而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本公开的范围和精神内的其他修改。
包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与上面给出的对本公开的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本公开的原理。
通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述，本公开的这些和其它特性将会变得显而易见。
还应当理解，尽管已经参照一些具体实例对本公开进行了描述，但本领域技术人员能够确定地实现本公开的很多其它等效形式。
当结合附图时，鉴于以下详细说明，本公开的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。
此后参照附图描述本公开的具体实施例；然而，应当理解，所申请的实施例仅仅是本公开的实例，其可采用多种方式实施。熟知和/或重复的功能和结构并未详细描述以避免不必要或多余的细节使得本公开模糊不清。因此，本文所申请的具体的结构性和功能性细节并非意在限定，而是仅仅作为权利要求的基础和代表性基础用于教导本领域技术人员以实质上任意合适的详细结构多样地使用本公开。
图2至图6示出了本公开实施例的显示装置的结构示意图。如图2至图6所示，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板10；
遮光层(LS层)，形成在衬底基板10上，遮光层上靠近阵列基板的集成线路绑定区的位置设有第一连接线1；
金属层(SD层)，形成在遮光层的上方，金属层上设有多条数据线2和多条虚拟信号线3，多条数据线(data线)2和多条虚拟信号线(dummyTPM线)3沿阵列基板的纵向方向(图2中Y方向)延伸，数据线2和虚拟信号线3通过第一连接线1连接，以在衬底基板10上形成用于放置摄像头的开孔区域时，使数据线2的两端导通。
本公开实施例提供的阵列基板通过在遮光层上设置第一连接线1，并通过第一连接线1将数据线2和虚拟信号线3连接，使得数据线2的两端能够通过第一连接线1和虚拟信号线3导通形成数据信号回路，避免对上述阵列基板进行开孔时，可能因数据线2被切断而导致显示面板的部分区域(靠近阵列基板的上边缘的显示区域)无法正常显示的现象，保证显示面板的显示效果。
可以理解的是，本实施例提供的阵列基板通常为如图2所示的规则的长方形或方形平板结构，阵列基板的纵向方向是指阵列基板的长度方向(图2中Y方向)，阵列基板的横向方向是指阵列基板的宽度方向。
本实施例中，可以通过对衬底基板10进行开孔形成如图3所示的开孔区域，摄像头位于孔的下方；也可以对衬底基板10进行切割，形成如图4所示的开口区域(Notch结构)，摄像头位于Notch结构下方。衬底基板10优选为玻璃基板。
进一步地，阵列基板上设有对位标记以形成上述的开孔区域或开口区域。本实施例中，对位标记设置在衬底基板10上，且衬底基板10包括层叠设置的第一基板和第二基板，第一基板上设有用于形成开孔区域的第一对位标记，第二基板上设有用于形成开口区域的第二对位标记，第二对位标记包围所述第一对位标记，使得能够在同一衬底基板10上进行开孔或切割，形成开孔区域或开口区域，即本实施例提供的阵列基板可以在平头结构的基础上，同时兼容开孔结构或Notch设计，仅需提供一个阵列基板即可满足不同的设计需求，提高阵列基板的适用范围。对位标记可以为十字形标记或米字形标记等用于定位开孔或切割部位的标记。具体实施中，对位标记可以同刻蚀等方式形成在金属层或其他层。即衬底基板10可以仅为单层结构，在阵列基板的其他不同层分别设置第一对位标记和第二对位标记，如此，可以降低阵列基板的整体厚度，有利于显示面板的轻薄化设计。
显示面板的结构中，开孔区域或开口区域通常位于阵列基板沿纵向方向靠近其顶部的一侧，即阵列基板的上侧(DO侧)，数据线2通常从显示区域(AA区域)的下方，即阵列基板的下侧(DP侧)引出，显示区域的下方设有用于设置扇出走线的扇出区，通过在扇出区布线可以将显示装置的集成电路驱动芯片(IC)20耦接至显示区域的数据线2。
如图2和图3所示，金属层上还设有第二连接线4，数据线2的第一端通过第二连接线4与虚拟信号线3的一端连接，虚拟信号线3的另一端通过第一连接线1与数据线2的第二端连接，数据线2的第二端连接至集成电路驱动芯片(IC)20。第二连接线4沿阵列基板的横向方向布置在阵列基板的顶部边缘位置，第一连接线1的两端在靠近阵列基板的下侧的集成线路绑定区的位置分别与数据线2的第二端和虚拟信号线3连接，以使集成电路驱动芯片(IC)20输出的数据信号能够从数据线2的第二端经由第一连接线1、虚拟信号线3以及第二连接线4传递至位于阵列基板的上侧的第二数据线2的第一端。
如图2所示，阵列基板为平头结构时，由于数据线2的第二端与集成电路驱动芯片(IC)20耦接，数据信号可以直接从位于阵列基板的下侧的数据线2的第二端传递至位于阵列基板的上侧的数据线2的第一端。
如图3所示，衬底基板10上形成开孔区域时，数据线2包括相互断开的第一数据线段21和第二数据线段22。当在衬底基板10上进行开孔时，位于阵列基板的上侧的第一数据线段21通过第二连接线4与虚拟信号线3连接，使得从数据线2的第二端输入的数据信号能够经由第一连接线1、虚拟信号线3以及第二连接线4传递至第一数据线段21，即数据线2由于开孔被切断时，第一数据线段21和第二数据线段22仍处于相互通电连接的状态，使得第一数据线段21对应的显示区域能够正常显示。即本实施例中，在衬底基板10上进行开孔时，若数据线2未被切割，数据信号可以直接通过数据线2从阵列基板的下侧传递至上侧；而当数据线2被切割成第一数据线段21和第二数据线段22时，数据信号可以直接通过数据线2的第二端传递至位于开孔区域下方的第二数据线段22，同时，数据信号还可以通过第一连接线1、虚拟信号线3以及第二连接线4传递至第一数据线段21，能够实现数据线2的上下两侧双边驱动，实现信号的可靠传递，保证整个显示区域的正常显示。
进一步地，如图6所示，金属层上还设有第三连接线5，其中，第三连接线5的一端与位于阵列基板的上侧的数据线2连接，第三连接线5的另一端与第二连接线4连接，从而在对衬底基板10进行切割形成开孔区域、且数据线2被切断时，使得第一数据线段21的顶部通过第三连接线5与第二连接线4连接，进而通过虚拟信号线3、第一连接线1与第二数据线段22的底部(数据线2的第二端)连接，使得第一数据线段21和第二数据线段22导通，实现信号在纵向方向的有效传输，即数据线2在DO/DP侧的双边驱动。
本实施例中，由于第二连接线4沿阵列基板的横向方向设于阵列基板的顶部边缘，因此，通过第三连接线5可以将第二连接线4与第一数据段21连接，走线清晰、明确，能够保证线路始终处于接通状态。
如图6所示，第二连接线4包括多条并排布置的连接线，第三连接线5包括多条间隔设置的连接线，多条第三连接线5在靠近阵列基板的顶部位置形成扇出(fanout)线，将数据线2的第一端与第二连接线4连接，在实现任意开孔的同时，保证能够从数据线2的两端进行驱动以实现信号在整个显示区域的可靠传输，且扇出线连接方便，占用空间小，可以充分利用阵列基板的上侧的非显示区域进行布线。
优选地，第一连接线1、第二连接线4和第三连接线5均为金属线，具有良好的导电效果。
如图4所示，衬底基板10上形成开口区域时，位于开口区域的数据线2直接被切掉，不影响数据信号直接从数据线2的第二端(底端)至数据线2的第一端(顶端)的传输。
在一些实施例中，如图5所示，阵列基板还包括设置在金属层上方的像素定义层，像素定义层上形成有像素阵列；
第一连接线1沿阵列基板的平面方向贯穿阵列基板的显示区域，以使与像素阵列中的各像素对应的各数据线2相互连接。
像素定义层设有M行N列像素阵列，数据线2的数量与像素阵列的列对应，即阵列基板具有N条数据线2，像素阵列中位于同一列的像素均连接到同一条数据线2，集成电路驱动芯片20通过数据线2通入灰阶信号便可驱动像素单元，实现显示功能。像素阵列中的每个像素单元可至少包括三个子像素，以分别对应于彩膜基板上的红色滤光单元、绿色滤光单元以及蓝色滤光单元。
虚拟信号线3设置在每一个相邻像素的中间，用于传输触控屏的触控信号，并保证屏幕显示的均一性。显示器工作时，部分虚拟信号线3接入电路中进行工作，而部分虚拟信号线3闲置，本实施例中，正是利用闲置的虚拟信号线3，通过虚拟信号线3和设置在遮光层的第一连接线1将数据线的两端连接，用于数据信号传递，无论阵列基板形成何种结构，均能从数据线2的上下两端双边驱动输入信号进行显示，保证显示效果。仍未使用的虚拟信号线3可以连接至公共电极(VCOM)，以便后续使用。AA区域的LS在具备遮光功能的同时具备了信号传递功能。
如图5所示，第一连接线1沿阵列基板的平面方向贯穿阵列基板的显示区域，是指第一连接线1在遮光层可以任意设置，第一连接线1包括横向连接线和纵向连接线，以将各数据线2统一连接，从而实现各像素的同步驱动。
在一些实施例中，阵列基板还包括形成在遮光层和金属层之间的层间绝缘层(ILD层)，层间绝缘层上设有贯通的过孔6，第一连接线1通过过孔6与位于SD层的数据线2和虚拟信号线3连接。通过设置在层间绝缘层上的过孔6将第一连接线1与数据线2和虚拟信号线3连接，可以避免在其他功能层开孔对各走线造成影响，从而影响数据信号的传输。
另一些实施例中，阵列基板还包括形成在遮光层和金属层之间的缓冲绝缘层和栅极绝缘层(GI层)，层间绝缘层(ILD层)位于栅极绝缘层(GI层)的上方，第一连接线1也可通过设置在层间绝缘层、栅极绝缘层以及缓冲绝缘层上的过孔与数据线2和虚拟信号线3连接。
本实施例中，无需在平坦化层(PLN层)设置Dummy PLN孔将第一连接线1与数据线2和虚拟信号线3连接，可以避免由于平坦化层的厚度较厚，开孔不便以及开孔形状不一容易对像素造成影响，使得各像素显示不均的情形，提高显示效果。
在一些实施例中，阵列基板还包括形成在遮光层的上方的多晶硅层(Poly层)，遮光层和多晶硅层之间设有复合绝缘层，复合绝缘层的厚度大于阵列基板中各相邻层之间的厚度，可以防止当LS有信号输入时对多晶硅层产生不良影响。复合绝缘层可以由SiNx/SiO2复合形成。
在一些实施例中，阵列基板还包括多条栅极信号线(图中未示出)以及用于驱动栅极信号线的栅极驱动电路，栅极信号线与数据线2相互垂直交叉绝缘设置，栅极驱动电路包括分别设于栅极信号线的左右两侧的第一栅极驱动单元(第一GOA单元)和第二栅极驱动单元(第二GOA单元)，第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元分别从栅极信号线的左右两侧同时向开口区域或开孔区域驱动栅极信号线。
阵列基板的M行像素阵列与栅极信号线对应设置，即阵列基板的显示区设有M条栅极信号线，像素阵列中位于同一行的像素(pixel)均连接到同一条栅极信号线。栅极驱动电路输出栅极扫描驱动信号，驱动面板内的栅极信号线，使得显示区域内的薄膜晶体管导通，以对像素进行充电；同时，栅极驱动电路采用运行扫描的方式依次传递信号，当通过一行栅极信号线输入的栅极扫描驱动信号扫描完成后，控制下一行栅极驱动电路向位于该行的栅极信号线输入信号，并依次传递，直至向最后一行栅极信号线输入的栅极扫描驱动信号扫描完成。
本实施例中，在每行栅极信号线的左右两侧分别连接第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元，可以在对开口区域进行切割时，即使栅极信号线被切断，仍然可以分别利用第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元分别对切断的栅极信号线进行正常扫描驱动，从而正常驱动像素单元进行显示，且不出现其他异常、不良现象；或者可以在位于同一行的两个GOA单元中的一个出现异常时，利用另一个正常驱动像素单元进行显示。
进一步地，为了防止阵列基板中的静电导致的瞬间电流过大击穿GOA单元，影响阵列基板的正常显示，阵列基板还包括分别设于开口区域的左右两侧的静电放电保护单元(ESD单元)，静电放电保护单元与靠近开口区域设置的栅极信号线连接，静电放电保护单元与开口区域和阵列基板的边缘的连接处具有一定距离，可以有效防止异形切割时ESD单元被切断，不损伤ESD单元，保证ESD单元的防护能力。
本公开实施例提供的阵列基板通过采用同一套掩膜设计(例如9/12mask)，即可实现平头结构的产品兼容开孔结构或Notch设计。仅提供平头结构的阵列基板便可以根据用户需要加工成型多种结构的产品，实现产品多元化、满足用户不同需求的同时，降低产品研发和生产成本。特别地，对于开孔结构的产品，无需在孔周围进行fanout布线等，相对于常规通孔/盲孔产品会拥有更小的孔边框，增大显示区域面积，提高用户使用体验。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。该显示装置的一个示例为液晶显示装置。该显示装置可以是任何具有显示功能的产品或部件，例如手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、穿戴式手表、导航仪等。
显示装置包括显示面板，显示面板包括上述的阵列基板(TFT)、与阵列基板相对设置的彩膜基板(CF)以及用于连接彩膜基板和阵列基板的封胶框(Seal)。
封胶框围绕阵列基板和彩膜基板的边缘设置，并根据阵列基板的设计结构对封框胶结构进行设计，例如，在阵列基板开孔形成开孔区域时，与平头结构的封框胶设计相同，将彩膜基板和阵列基板连接的外周包围即可。而当在阵列基板切割形成开口区域时，沿开口区域的边缘涂覆封胶框，保证开口区域的可靠密封。
以上实施例仅为本公开的示例性实施例，不用于限制本公开，本公开的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本公开的实质和保护范围内，对本公开做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本公开的保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
遮光层，形成在所述衬底基板上，所述遮光层上设有第一连接线；
金属层，形成在所述遮光层的上方，所述金属层上设有多条数据线和多条虚拟信号线，多条数据线和多条虚拟信号线沿所述阵列基板的纵向方向延伸，所述数据线和所述虚拟信号线通过所述第一连接线连接，以在所述衬底基板上形成用于放置摄像头的开孔区域时，使所述数据线的两端导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述金属层上还设有第二连接线，所述数据线的第一端通过所述第二连接线与所述虚拟信号线的一端连接，所述虚拟信号线的另一端通过所述第一连接线与所述数据线的第二端连接，所述数据线的第二端连接至集成电路驱动芯片。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述金属层上还设有第三连接线，所述第三连接线的一端与位于所述阵列基板的上侧的所述数据线连接，所述第三连接线的另一端与所述第二连接线连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括设置在所述金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上形成有像素阵列；
所述第一连接线沿所述阵列基板的平面方向贯穿所述阵列基板的显示区域，以使与所述像素阵列中的各像素对应的各所述数据线相互连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括形成在所述遮光层和所述金属层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层上设有贯通的过孔，所述第一连接线通过所述过孔与所述数据线和虚拟信号线连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括形成在所述遮光层的上方的多晶硅层，所述遮光层和所述多晶硅层之间设有复合绝缘层，所述复合绝缘层的厚度大于所述阵列基板中各相邻层之间的厚度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板上设有用于形成所述开孔区域的第一对位标记。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述阵列基板上还设有用于形成开口区域的第二对位标记，所述第二对位标记包围所述第一对位标记。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条栅极信号线以及用于驱动所述栅极信号线的栅极驱动电路，所述栅极信号线与所述数据线相互垂直交叉绝缘设置，所述栅极驱动电路包括分别设于所述栅极信号线的左右两侧的第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元，所述第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元分别从所述栅极信号线的左右两侧同时向所述开孔区域或开口区域驱动所述栅极信号线。
10.一种显示装置，包括根据权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115223450A (zh) * 2022-07-25 2022-10-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030016718A (ko) * 2001-08-21 2003-03-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US20030122989A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-03 Hyun-Tak Park Array substrate for a liquid crystal display device and fabricating method thereof
CN101699339A (zh) * 2009-06-26 2010-04-28 深超光电（深圳）有限公司 有源元件阵列基板
CN102540597A (zh) * 2010-11-01 2012-07-04 三星移动显示器株式会社 显示设备
CN104752436A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 乐金显示有限公司 阵列基板
KR20160082211A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 엘지디스플레이 주식회사 게이트부하가 감소된 액정표시소자
CN107870492A (zh) * 2017-10-31 2018-04-03 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及其显示装置
CN108878476A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 三星显示有限公司 显示装置
CN113568229A (zh) * 2021-07-22 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN114200727A (zh) * 2021-12-20 2022-03-18 昆山龙腾光电股份有限公司 便于开孔设计的基板以及显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030016718A (ko) * 2001-08-21 2003-03-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US20030122989A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-03 Hyun-Tak Park Array substrate for a liquid crystal display device and fabricating method thereof
CN101699339A (zh) * 2009-06-26 2010-04-28 深超光电（深圳）有限公司 有源元件阵列基板
CN102540597A (zh) * 2010-11-01 2012-07-04 三星移动显示器株式会社 显示设备
CN104752436A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 乐金显示有限公司 阵列基板
KR20160082211A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 엘지디스플레이 주식회사 게이트부하가 감소된 액정표시소자
CN108878476A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 三星显示有限公司 显示装置
CN107870492A (zh) * 2017-10-31 2018-04-03 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及其显示装置
CN113568229A (zh) * 2021-07-22 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN114200727A (zh) * 2021-12-20 2022-03-18 昆山龙腾光电股份有限公司 便于开孔设计的基板以及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115223450A (zh) * 2022-07-25 2022-10-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN115223450B (zh) * 2022-07-25 2023-11-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置

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