CN114542652B - 减振结构及其制备方法 - Google Patents
减振结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114542652B CN114542652B CN202011331830.4A CN202011331830A CN114542652B CN 114542652 B CN114542652 B CN 114542652B CN 202011331830 A CN202011331830 A CN 202011331830A CN 114542652 B CN114542652 B CN 114542652B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vibration
- base
- vibration reduction
- vibrating
- reduction structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F15/00—Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
- F16F15/02—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F2224/00—Materials; Material properties
- F16F2224/02—Materials; Material properties solids
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F2226/00—Manufacturing; Treatments
- F16F2226/02—Surface treatments
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及减振设备技术领域，提供一种减振结构及其制备方法，其中减振结构包括：基部，所述基部适于与芯片固定连接；振动梁，所述振动梁在延伸方向上包括至少一段回折梁，所述振动梁一端与所述基部连接，所述振动梁设置有多个，各所述振动梁以所述基部的重心中心对称排布；以及固定部，所述固定部与各所述振动梁一一对应固定，所述固定部适于与基底固定连接。本发明实施例中的减振结构满足实现小型化器件的减振需求，隔离来自载体的强烈振动和冲击，具有结构简单、易于生产、减振效果好和使用安全等优点。
Description
技术领域
本发明涉及军用元器件技术领域，尤其涉及一种减振结构及其制备方法。
背景技术
航天器件的工作力学环境十分恶劣，振动加速度大、频率范围广、受激时间久等，严重影响着元器件的精度和性能。因此，必须设计高性能的减振系统，隔离来自载体的强烈振动和冲击，为测量组合提供良好的工作环境，确保其可靠、稳定的工作。为保证器件的性能，现在常用方法使在器件外添加橡胶减振支架，再将减振支架封到定制的外壳中密封，形成减振系统以隔离来自载体的强烈振动和冲击，确保其可靠、稳定的工作。
现有的减振系统体积大，装配方式复杂，成本高，无法满足小型化的需求。通常小型化器件采用点胶方式固定，但将芯片直接通过点胶粘在金属或陶瓷基座上的方式，由于热膨胀系数不匹配，器件的性能随温度变化较大，温度性能较差。而内减振结构由于基材一般为石英、铌酸锂、硅等晶体，受材料和尺寸限制，在通过改变梁宽调整频率范围时，需要牺牲抗冲击性能来保证减振能力。
发明内容
本发明提供一种减振结构及其制备方法，用以解决现有技术中小型化器件减振效果差的问题。
本发明提供一种减振结构，包括：
基部，所述基部适于与芯片固定连接；
振动梁，所述振动梁在延伸方向上包括至少一段回折梁，所述振动梁一端与所述基部连接，所述振动梁设置有多个，各所述振动梁以所述基部的重心中心对称；以及
固定部，所述固定部与各所述振动梁一一对应固定，所述固定部适于与基底固定连接。
根据本发明提供的减振结构，所述回折梁为相邻两者垂直且依次首尾相接的多段直线型结构形成的蛇形结构。
根据本发明提供的减振结构，所述回折梁的长度与宽度的笔直k满足：0.5≤k≤100。
根据本发明提供的减振结构，所述基部、振动梁和固定部一体成型制作。
根据本发明提供的减振结构，所述基部、振动梁和固定部采用石英、AlN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、金属、陶瓷、玻璃或有机材质中的一种。
根据本发明提供的减振结构，所述减振结构还包括金属膜，所述金属膜覆盖在所述基部、振动梁和固定部表面，所述金属膜用于所述基部上芯片电极的引出。
根据本发明提供的减振结构，所述金属膜为Au、Cr、Ag、Al、Ti、Ni或W膜中的任意一种所形成的单层膜或其中的两种以上的任意组合所形成的多层膜。
根据本发明提供的减振结构，所述减振结构的固有频率fz满足：
fz＜0.7f1
其中，f1为需隔离的环境噪声的最小频率；
所述减振结构的所有模态频率f满足：
f＜0.9fw
或，
f>1.1fw
其中，fw为所述减振结构的工作频率。
根据本发明提供的减振结构，所述基部的装配面积Sj与芯片的装配面积Sa满足：Sj≥0.8Sa。
本发明还提供一种以上所述的减振结构的制备方法，其包括以下步骤：
选取表面平整的材质作为基层，并进行清洗和干燥；
在所述基层上至少一层掩膜层；
光刻获得金属膜电极图形，再通过极性相反的光刻胶获得减振结构的图形；
湿法刻蚀掩膜层获得所述掩膜层上减振结构形状；
刻蚀获得基部、振动梁和固定部结构；
刻蚀获得金属膜电极图形。
本发明提供的减振结构及其制备方法，通过基部连接芯片并通过固定部连接基地后，振动梁能够对基部上的芯片起到隔离来自载体的强烈振动和冲击的效果。振动梁上包括至少一段回折梁，能够同时减小甚至消除振动梁延伸方向上和振动梁的垂直方向上的振动，并且，振动梁设置有多个，并以基部的重心中心对称，能够对基部上的芯片进行全方位的减振保护。
减振结构表面覆盖有金属膜，能够用于基部上芯片电极的引出，无需额外增加电极引出线路，满足小型化需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一个实施例中的减振结构结构示意图；
图2是本发明另一个实施例中的减振结构结构示意图。
附图标记：
100、基部；200、振动梁；210、回折梁；211、第一连接段；212、第二连接段；220、延伸段；300、固定部。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合图1-图2描述本发明实施例的减振结构。图1中的减振结构与图2中的减振结构的主要区别在于回折梁210的数量不同。
减振结构包括基部100、振动梁200和固定部300。其中基部100为表面平整的板状结构，芯片能够固定在基部100的一侧。
振动梁200的一端与基部100的侧壁固定连接，另一端连接固定部300。振动梁200朝远离基部100的方向延伸，振动梁200在其延伸方向上包括至少一段回折梁210。回折梁210由相邻两者垂直且依次首尾相接的多段直线型结构构成，该直线型结构可以为长条形板。回折梁210包括交替设置且依次首尾连接的第一连接段211和第二连接段212，第一连接段211和第二连接段212形成蛇形结构，使振动梁200能够同时起到第一连接段211长度方向上的减振作用和第二连接段212长度方向上的减振作用。
可选的，回折梁210的长度与宽度的比值k满足：0.5≤k≤100。假设第一连接段211沿振动梁200的延伸方向设置，第二连接段212沿振动梁200延伸方向的垂直方向设置，此时，回折梁210的长度与宽度的比值即为各第一连接段211的总长度与各第二连接段212中的最大长度的比值。将回折梁210的长度与宽度的比值k控制在0.5-100之间能够保证在振动梁200的延伸方向和垂直于振动梁200的延伸方向上均具有良好的减振能力。
振动梁200在基部100的周向上设置有多个，且沿不同方向延伸，能够对基部100的各个方位同时起到减振作用。各振动梁200以基部100的重心中心对称排布，从而使各振动梁200对基部100的支撑更均衡。
为便于安装，可以在振动梁200背离基部100一端设置延伸段220，并且一端与回折梁210连接，另一端连接固定部300。延伸段220根据适用情况不同设置不同的延伸方向，例如，延伸段220垂直于回折梁210的延伸方向。设置延伸段220的目的主要在于不改变回折梁210结构及减振效果的前提下使减振结构具有更广泛的适用性。
可选的，基部100、振动梁200和固定部300一体成型制作，既能降低生产难度和生产成本，又能使减振结构具有更好的稳定性，在长期使用的过程中不易发生损坏。
可选的，基部100、振动梁200和固定部300采用石英、ALN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、金属、陶瓷、玻璃或有机材质中的任意一种MEMS工艺的功能材质，具有可微机械加工的特性。并且采用MEMS工艺的功能材质能够使减振结构应用至MEMS小型化器件后，与其他部件具有相同的热膨胀系数。
在本发明一个实施例中，减振结构还包括金属膜，金属膜覆盖在基部100、振动梁200和固定部300表面，该金属膜用于基部100上芯片电极的引出，无需额外设置线路，满足小型化需求。
进一步地，金属膜为Au、Cr、Ag、Al、Ti、Ni或W膜中的任意一种所形成的单层膜或其中的两种以上的任意组合所形成的多层膜，保证金属膜的导电性。
在本发明实施例中的减振结构的固有频率fz满足：
fz＜0.7f1
其中，f1为需隔离的环境噪声的最小频率。
减振结构的所有模态频率f满足：
f＜0.9fw
或，
f>1.1fw
其中，fw为减振结构的工作频率。
由此，可避免减振结构在使用过程中受到外界激励产生共振对减振结构及其所应用的小型化器件造成损坏。
在本发明的实施例中，基部100的装配面积Sj与芯片的装配面积Sa满足：Sj≥0.8Sa，使基部100能够与芯片形成稳定的连接结构，保证其具有良好的使用安全及较长的使用寿命。
本发明实施例中的减振结构满足实现小型化器件的减振需求，具有结构简单、易于生产、减振效果好和使用安全等优点。
在本发明一个实施例中提供了一种减振结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、选取表面平整的材质作为基层，并进行清洗和干燥。基层可选用尺寸为1mm*1mm的石英晶片。在进行清洗和干燥的过程中，需要依次进行醇洗、碱洗、酸洗各20min，然后在去离子水中超声清洗10min，去离子水冲洗3min，甩干、烘干。
S2、在基层上至少一层掩膜层，具体的，通过溅射镀膜机对待镀膜石英晶片镀膜沉积，沉积厚度为380nm。
S3、光刻获得金属膜电极图形，再通过极性相反的光刻胶获得减振结构的图形；
S4、湿法刻蚀掩膜层获得掩膜层上减振结构形状。进行湿法刻蚀掩膜层时，应当采用金属掩膜层专用刻蚀液。
S5、刻蚀获得基部100、振动梁200和固定部300结构；
S6、刻蚀获得金属膜电极图形。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1.一种减振结构，其特征在于，包括：
基部，所述基部适于与芯片固定连接；
振动梁，所述振动梁在延伸方向上包括至少一段回折梁，所述振动梁一端与所述基部连接，所述振动梁设置有多个，各所述振动梁以所述基部的重心中心对称排布；以及
固定部，所述固定部与各所述振动梁一一对应固定，所述固定部适于与基底固定连接；
所述回折梁的长度与宽度的比值k满足：0.5≤k≤100；
所述减振结构的固有频率fz满足：
fz<0.7f1
其中，f1为需隔离的环境噪声的最小频率；
所述减振结构的所有模态频率f满足：
f<0.9fw
或，
f>1.1fw
其中，fw为所述减振结构的工作频率；
所述基部的装配面积Sj与芯片的装配面积Sa满足：Sj≥0.8Sa。
2.根据权利要求1所述的减振结构，其特征在于，所述回折梁为相邻两者垂直且依次首尾相接的多段直线型结构形成的蛇形结构。
3.根据权利要求1所述的减振结构，其特征在于，所述基部、振动梁和固定部一体成型制作。
4.根据权利要求1所述的减振结构，其特征在于，所述基部、振动梁和固定部采用石英、硅、AlN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、金属、陶瓷、玻璃或有机材质中的一种。
5.根据权利要求1所述的减振结构，其特征在于，所述减振结构还包括金属膜，所述金属膜覆盖在所述基部、振动梁和固定部表面，所述金属膜用于所述基部上芯片电极的引出。
6.根据权利要求5所述的减振结构，其特征在于，所述金属膜为Au、Cr、Ag、Al、Ti、Ni或W膜中的任意一种所形成的单层膜或其中的两种以上的任意组合所形成的多层膜。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的减振结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取表面平整的材质作为基层，并进行清洗和干燥；
在所述基层上至少一层掩膜层；
光刻获得金属膜电极图形，再通过极性相反的光刻胶获得减振结构的图形；
湿法刻蚀掩膜层获得所述掩膜层上减振结构形状；
刻蚀获得基部、振动梁和固定部结构；
刻蚀获得金属膜电极图形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011331830.4A CN114542652B (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 减振结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011331830.4A CN114542652B (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 减振结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114542652A CN114542652A (zh) | 2022-05-27 |
| CN114542652B true CN114542652B (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=81660479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011331830.4A Active CN114542652B (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 减振结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114542652B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1811338A (zh) * | 2005-01-24 | 2006-08-02 | 精工爱普生株式会社 | 振动陀螺元件、振动陀螺元件的支撑结构以及陀螺传感器 |
| CN101294611A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 株式会社神户制钢所 | 减振部件 |
| CN102472355A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 株式会社神户制钢所 | 减振构件 |
| CN105864350A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-17 | 华中科技大学 | 一种梁阵列形周期性压电复合结构减振装置及减振方法 |
| CN111707250A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-25 | 北京自动化控制设备研究所 | 一种石英音叉陀螺减振装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4352975B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2009-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動片、圧電振動片の支持構造、圧電振動子及び振動型圧電ジャイロスコープ |
| JP2013250220A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Seiko Epson Corp | 振動片、電子デバイス、及び電子機器 |
-
2020
- 2020-11-24 CN CN202011331830.4A patent/CN114542652B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1811338A (zh) * | 2005-01-24 | 2006-08-02 | 精工爱普生株式会社 | 振动陀螺元件、振动陀螺元件的支撑结构以及陀螺传感器 |
| CN101294611A (zh) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 株式会社神户制钢所 | 减振部件 |
| CN102472355A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 株式会社神户制钢所 | 减振构件 |
| CN105864350A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-17 | 华中科技大学 | 一种梁阵列形周期性压电复合结构减振装置及减振方法 |
| CN111707250A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-25 | 北京自动化控制设备研究所 | 一种石英音叉陀螺减振装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114542652A (zh) | 2022-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180026603A1 (en) | Electronic component | |
| JP6352971B2 (ja) | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 | |
| US5260596A (en) | Monolithic circuit with integrated bulk structure resonator | |
| JP4908156B2 (ja) | 薄膜圧電振動子及び薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ | |
| EP0865157A2 (en) | A bulk acoustic wave (BAW) filter | |
| EP0155145A2 (en) | Piezoelectric resonating device | |
| US10673403B2 (en) | Resonator and resonance device | |
| US20100327694A1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPWO2016104598A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP5018227B2 (ja) | 力検知ユニット | |
| JP2009284219A (ja) | 圧電振動片および圧電デバイス | |
| CN104821798A (zh) | 电子封装及mems封装 | |
| US9991863B1 (en) | Rounded and curved integrated tethers for quartz resonators | |
| JP2013002938A (ja) | センサーデバイス、およびその製造方法 | |
| JP2004289650A (ja) | 圧電デバイスおよび圧電振動片の製造方法 | |
| JPWO2018070369A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| CN114542652B (zh) | 减振结构及其制备方法 | |
| CN116260418A (zh) | 具有用于机械和工艺补偿的反啁啾叉指换能器（idt）的横向激发薄膜体声波谐振器 | |
| JP2000312127A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO2019039335A1 (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
| JP2013162265A (ja) | 振動素子、振動子、電子デバイス、発振器、及び電子機器 | |
| CN114538367A (zh) | Mems减振结构及其制备方法 | |
| CN111115551A (zh) | 通过过渡层结构降低封装应力的mems惯性器件 | |
| JP2002232259A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| CN105306004B (zh) | 一种对声子晶体谐振器进行振动模式选择的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |