CN114523102A - 一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 - Google Patents
一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114523102A CN114523102A CN202210185847.6A CN202210185847A CN114523102A CN 114523102 A CN114523102 A CN 114523102A CN 202210185847 A CN202210185847 A CN 202210185847A CN 114523102 A CN114523102 A CN 114523102A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal particles
- steps
- coated metal
- following
- graphene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4417—Methods specially adapted for coating powder
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，包括以下步骤：1）筛选颗粒均匀的金属颗粒，并对金属颗粒表面进行电晕处理；2）将表面电晕处理后的金属颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属颗粒与石墨烯混合粉末；3）将混合粉末放置到1060‑1500℃高温炉中，炉内保持真空环境，退火处理15‑35min；4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入生长气氛，反应35‑180min；5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出并进行分离。本发明对金属颗粒预先进行电晕处理，更便于在金属颗粒表面生长石墨烯；此外将石墨烯粉体与金属颗粒进行预混合，石墨烯粉体将金属颗粒之间隔开，可避免生长过程中金属颗粒间发生粘连的问题。
Description
技术领域：
本发明涉及复合材料制备技术领域，尤其涉及一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法。
背景技术：
金属材料广泛应用于工业、生活的各个领域，但金属材料的性能往往受本身的性质决定，在一些特殊用途上金属材料的应用因其性能受到了一定的限制，为提高金属材料的性能，通常将多种金属材料与金属材料或者其他非金属材料进行复合。
石墨烯是sp2杂化碳原子紧密堆积成的单层二维蜂窝状晶格结构的碳质材料，其具有优异的综合性能，抗拉强度、弹性模量、热导率及电子迁移率均比较优越，因此将石墨烯与金属材料进行复合，以发挥石墨烯和金属的优异性能的研究也逐渐成为重点。目前通常采用共混的方式将金属与石墨烯进行复合，但该方法中石墨烯分散难度大、破损及残缺的概率高，从而难以发挥复合材料的性能；此外也有采用化学气相沉积法在金属颗粒表面生长石墨烯的，但生长石墨烯时，金属之间常常容易粘连，以致金属颗粒的形状遭到破坏，若生长温度降低，在一定程度上可避免粘连，但容易造成石墨烯生长不完整，甚至无法制成复合材料，这些问题都影响了石墨烯和金属的复合材料的应用，是当前亟待攻克的问题。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，从而克服上述现有技术中的缺陷。
为实现上述目的，本发明提供了一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，包括以下步骤：
1）筛选颗粒均匀的金属颗粒，并对金属颗粒表面进行电晕处理；
2）将表面电晕处理后的金属颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到1060-1500℃高温炉中，炉内保持真空环境，退火处理15-35min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入生长气氛，反应35-180min；
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出并进行分离。
作为优选，所述步骤1）电晕处理时，放电电压控制在9500V/m2-18000V/m2。
作为优选，所述步骤1）所述金属颗粒为Cu、Ni、Pt、Au、Ag、Fe、Mo其中的一种或两种以上的复合金属颗粒。
作为优选，所述步骤1）所述金属颗粒的粒径为0.3-300μm。
作为优选，所述步骤3）退火时往高温炉内持续通入保护气体。
作为优选，所述步骤3）保护气体为氮气、氩气、氦气、氖气中的一种或者一种以上的混合气体。
作为优选，所述步骤3）的保护气体与步骤4）的生长气氛的体积流量比为（5-10）：1。
作为优选，所述步骤3）的高温炉为CVD管式炉、APCVD管式炉或LPCVD管式炉。
作为优选，所述步骤4）的生长气氛为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔中的一种或一种以上混合气体。
作为优选，所述步骤4）的反应温度为96-165min。
与现有技术相比，本发明的一方面具有如下有益效果：
（1）本发明对金属颗粒预先进行电晕处理，更便于在金属颗粒表面生长石墨烯；
（2）将石墨烯粉体与金属颗粒进行预混合，石墨烯粉体将金属颗粒之间隔开，可避免生长过程中金属颗粒间发生粘连的问题。
附图说明：
图1：为本发明实施例1生长后石墨烯经拉曼表征的图谱；
图2：为本发明实施例2生长后石墨烯经拉曼表征的图谱；
图3：为本发明实施例3生长后石墨烯经拉曼表征的图谱；
图4：为本发明实施例4生长后石墨烯经拉曼表征的图谱。
具体实施方式：
下面对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
实施例1：
如图1所示，一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）筛选35-55μm颗粒均匀的金属铜颗粒，并对金属铜颗粒表面进行电晕处理，电晕处理时电压控制在9500V/m2左右；
2）将表面电晕处理后的金属铜颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属铜颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到CVD管式炉中升温到1060℃，炉内保持真空环境，通入氮气作为保护气退火处理15min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入甲烷作为生长气氛，反应96min，其中保护气体生长气氛的体积流量比为5：1
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出通过过筛孔过滤和吹扫气氛，对取出的生长后的混合粉末进行分离获得石墨烯包覆金属铜颗粒的复合材料。
实施例2：
如图2所示，一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，包括以下步骤：
1）筛选35-55μm颗粒均匀的金属镍颗粒，并对金属镍颗粒表面进行电晕处理，电晕处理时电压控制在10000V/m2左右；
2）将表面电晕处理后的金属镍颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属镍颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到CVD管式炉中升温到1160℃，炉内保持真空环境，通入氮气作为保护气退火处理30min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入甲烷作为生长气氛，反应108min，其中保护气体与生长气氛的体积流量比为8：1；
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出通过过筛孔过滤和吹扫气氛，对取出的生长后的混合粉末进行分离获得石墨烯包覆金属镍颗粒的复合材料。
实施例3：
如图3所示，一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，包括以下步骤：
1）筛选50-75μm颗粒均匀的金属铜镍合金颗粒，并对金属铜镍合金颗粒表面进行电晕处理，电晕处理时电压控制在12500V/m2左右；
2）将表面电晕处理后的金属铜镍合金颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属铜镍合金颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到CVD管式炉中升温到1230℃，炉内保持真空环境，通入氮气作为保护气退火处理35min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入甲烷作为生长气氛，反应135min，其中保护气体与生长气氛的体积流量比为10：1；
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出通过过筛孔过滤和吹扫气氛，对取出的生长后的混合粉末进行分离获得石墨烯包覆金属铜镍合金颗粒的复合材料。
实施例4：
如图4所示，一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，包括以下步骤：
1）筛选50-75μm颗粒均匀的金属铜颗粒，并对金属铜颗粒表面进行电晕处理，电晕处理时电压控制在15000V/m2左右；
2）将表面电晕处理后的金属铜颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属铜颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到CVD管式炉中升温到1350℃，炉内保持真空环境，通入氮气作为保护气退火处理40min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入甲烷作为生长气氛，反应160min，其中保护气体与生长气氛的体积流量比为5：1；
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出通过过筛孔过滤和吹扫气氛，对取出的生长后的混合粉末进行分离获得石墨烯包覆金属铜颗粒的复合材料。
以上实施例1-4制备的石墨烯包覆金属颗粒复合材料均未发明明显的粘连情况；从拉曼光谱图可看出，所制备的石墨烯包覆金属颗粒复合材料表面均具有比较明显的石墨烯特征。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
Claims (10)
1.一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）筛选颗粒均匀的金属颗粒，并对金属颗粒表面进行电晕处理；
2）将表面电晕处理后的金属颗粒与石墨烯粉体混合均匀，制成金属颗粒与石墨烯混合粉末；
3）将混合粉末放置到1060-1500℃高温炉中，炉内保持真空环境，退火处理15-35min；
4）保持高温炉的温度和真空环境，并往真空环境中通入生长气氛，反应35-180min；
5）高温炉缓慢降至室温后将混合粉末取出并进行分离。
2.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤1）电晕处理时，放电电压控制在9500V/m2-18000V/m2。
3.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤1）所述金属颗粒为Cu、Ni、Pt、Au、Ag、Fe、Mo其中的一种或两种以上的复合金属颗粒。
4.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤1）所述金属颗粒的粒径为0.3-300μm。
5.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤3）退火时往高温炉内持续通入保护气体。
6.根据权利要求5所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤3）保护气体为氮气、氩气、氦气、氖气中的一种或者一种以上的混合气体。
7.根据权利要求5所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤3）的保护气体与步骤4）的生长气氛的体积流量比为（5-10）：1。
8.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤3）的高温炉为CVD管式炉、APCVD管式炉或LPCVD管式炉。
9.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤4）的生长气氛为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔中的一种或一种以上混合气体。
10.根据权利要求1所述的一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法，其特征在于：所述步骤4）的反应温度为96-165min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210185847.6A CN114523102A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210185847.6A CN114523102A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114523102A true CN114523102A (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=81624612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210185847.6A Pending CN114523102A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114523102A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116197395A (zh) * | 2023-01-03 | 2023-06-02 | 西南交通大学 | 一种石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004231764A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Tomoegawa Paper Co Ltd | メタリック粉体塗料 |
| CN101213145A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-07-02 | 猿田志岐农产有限会社 | 高分散性二氧化钛粉末 |
| CN101838808A (zh) * | 2010-06-20 | 2010-09-22 | 吉林大学 | 一种在空气气氛下制备石墨碳包裹金属纳米颗粒的方法 |
| CN101939467A (zh) * | 2008-02-05 | 2011-01-05 | 铃木株式会社 | 放电被覆方法和放电被覆方法所用的压粉体电极 |
| CN106082186A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-11-09 | 南京航空航天大学 | 一种石墨烯‑纳米铜复合材料的导热薄膜及其制备方法 |
| CN106179290A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-12-07 | 杭州众材科技有限公司 | 一种制备负载型金属纳米颗粒的方法 |
| CN107936537A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-20 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种含高分散富勒烯的高压直流电缆料及其制备方法 |
| CN108588529A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-28 | 上海交通大学 | 石墨烯修饰界面的高导热金属基复合材料及其制备方法 |
| CN109695007A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-04-30 | 中南大学 | 一种金属-碳复合材料的制备方法 |
| CN110170648A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-27 | 太原理工大学 | 石墨烯包覆镍合金复合粉体及其制备方法 |
| CN110643407A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 集美大学 | 一种石墨烯包裹球状金属的制备方法 |
| CN111906296A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-10 | 苏州皓烯新材料科技有限公司 | 一种石墨烯包覆金属颗粒的复合材料的制备方法 |
| CN112574795A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 集美大学 | 一种石墨烯负载球状金属的制备方法 |
| CN112899649A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-06-04 | 姜达 | 一种在铜粉上包裹石墨烯的方法 |
| CN113929466A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 山东金鸿新材料股份有限公司 | 一种铝-碳化硼复合材料的制备方法 |
-
2022
- 2022-02-28 CN CN202210185847.6A patent/CN114523102A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004231764A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Tomoegawa Paper Co Ltd | メタリック粉体塗料 |
| CN101213145A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-07-02 | 猿田志岐农产有限会社 | 高分散性二氧化钛粉末 |
| CN101939467A (zh) * | 2008-02-05 | 2011-01-05 | 铃木株式会社 | 放电被覆方法和放电被覆方法所用的压粉体电极 |
| CN101838808A (zh) * | 2010-06-20 | 2010-09-22 | 吉林大学 | 一种在空气气氛下制备石墨碳包裹金属纳米颗粒的方法 |
| CN106082186A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-11-09 | 南京航空航天大学 | 一种石墨烯‑纳米铜复合材料的导热薄膜及其制备方法 |
| CN106179290A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-12-07 | 杭州众材科技有限公司 | 一种制备负载型金属纳米颗粒的方法 |
| CN107936537A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-20 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种含高分散富勒烯的高压直流电缆料及其制备方法 |
| CN108588529A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-28 | 上海交通大学 | 石墨烯修饰界面的高导热金属基复合材料及其制备方法 |
| CN109695007A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-04-30 | 中南大学 | 一种金属-碳复合材料的制备方法 |
| CN110170648A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-08-27 | 太原理工大学 | 石墨烯包覆镍合金复合粉体及其制备方法 |
| CN110643407A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 集美大学 | 一种石墨烯包裹球状金属的制备方法 |
| CN112574795A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 集美大学 | 一种石墨烯负载球状金属的制备方法 |
| CN111906296A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-10 | 苏州皓烯新材料科技有限公司 | 一种石墨烯包覆金属颗粒的复合材料的制备方法 |
| CN112899649A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-06-04 | 姜达 | 一种在铜粉上包裹石墨烯的方法 |
| CN113929466A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 山东金鸿新材料股份有限公司 | 一种铝-碳化硼复合材料的制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116197395A (zh) * | 2023-01-03 | 2023-06-02 | 西南交通大学 | 一种石墨烯包覆金属纳米颗粒的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5027167B2 (ja) | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法 | |
| Okai et al. | Structure of carbon nanotubes grown by microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| Pan et al. | Growth mechanism of carbon nanocoils | |
| JP5368323B2 (ja) | 電極を含むカーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP4504453B2 (ja) | 線状カーボンナノチューブ構造体の製造方法 | |
| CN111906296A (zh) | 一种石墨烯包覆金属颗粒的复合材料的制备方法 | |
| CN105439114B (zh) | 碳纤维膜及其制备方法 | |
| JP6078024B2 (ja) | ２次元六角形格子化合物製造用圧延銅箔、及び２次元六角形格子化合物の製造方法 | |
| JP2009184908A (ja) | カーボンナノチューブ複合物の製造方法 | |
| JP2009184907A (ja) | カーボンナノチューブ複合物 | |
| CN114523102A (zh) | 一种粉体石墨烯包覆金属颗粒的制备方法 | |
| US8846144B1 (en) | Method for making a carbon nanotube film | |
| CN1660692A (zh) | 一种复合纳米碳纤维薄膜的制备方法 | |
| KR20180078487A (ko) | 그래핀 섬유 복합체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 그래핀 섬유복합체 | |
| CN112899649A (zh) | 一种在铜粉上包裹石墨烯的方法 | |
| CN104709899B (zh) | 一种石墨烯纳米带碳纤维及其制备方法 | |
| KR100581005B1 (ko) | 단일전구체와 열화학증착법을 이용한 탄화규소 나노로드및 나노와이어의 성장방법 | |
| CN109825829B (zh) | 一种双相碳化物金属陶瓷太阳能选择性吸收复合涂层的制备方法 | |
| US20210276874A1 (en) | Method for manufacturing graphene-metal composite wire | |
| JP2007284336A (ja) | カーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 | |
| Zhang et al. | Preparation of single crystalline AlN thin films on ZnO nanostructures by atomic layer deposition at low temperature | |
| TWI688544B (zh) | 一種奈米碳管陣列與生長基底分離之方法 | |
| CN109574000B (zh) | 一种具有卷曲状多层碳纳米壁结构的碳材料及其制备方法 | |
| CN110065937A (zh) | 氧化多壁碳纳米管的方法 | |
| CN108218477A (zh) | 陶瓷基碳纳米管复合膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |