CN114512588A - 微发光二极管结构及制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板，所述微发光二极管结构包括：微发光二极管芯片；框架，所述框架包括空腔，所述微发光二极管芯片设置于所述空腔内；以及色转换单元，所述色转换单元设于所述微发光二极管芯片出光面的上方，所述色转换单元包括透明多孔结构层和包覆所述透明多孔结构层的树脂材料层；其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光器件技术领域，特别关于一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板。
背景技术
Micro/Mini LED（微型发光二极管）作为新一代显示技术，相比于LCD（LiquidCrystal Display，液晶显示器）、OLED（Organic Light EmittingDiode，有机发光二极管）技术，其亮度更高、发光效率更好、同时具有低功耗和长寿命的性能。
目前，Micro/Mini LED显示器件中，因为红光、绿光Micro/Mini LED芯片在良率和成本上劣于蓝光Micro/Mini LED。因此，业界普遍使用蓝光Micro/Mini LED芯片作为激发光（或背光），搭配红、绿量子点转换层进行出光颜色转换的方案。
一般都是将量子点材料通过打印或者光刻的方法制作在单独的基板上，通过与Micro/ Mini LED背光贴合后形成显示器件，或者，直接制备在带有Micro/ Mini LED芯片的驱动背板上。
但是，由于量子点转换层本身材料属性的限制，无法完全吸收蓝光激发光，导致显示器件整体的出光中带有部分未转换蓝光，同时由于光存在的自吸收效应，导致使用量子点转换层后蓝光激发光光换效率偏低。
因此，对使用蓝光Micro/Mini LED芯片作为激发光的发光器件，如何提高蓝光吸收效率和转换效率成为本发明需要克服的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板，利用透明多孔结构层和包覆其树脂材料层构成的复合单层膜结构色转换单元，透明多孔结构层引导微发光二极管芯片的激发光出射，提高量子点材料对激发光的吸收效率和转换效率。
本发明技术方案提供了一种微发光二极管结构，所述微发光二极管结构包括：微发光二极管芯片；框架，所述框架包括空腔，所述微发光二极管芯片设置于所述空腔内；以及色转换单元，所述色转换单元设于所述微发光二极管芯片出光面的上方，所述色转换单元包括透明多孔结构层和树脂材料层，所述树脂材料层自所述透明多孔结构层远离所述微发光二极管芯片出光面一侧填充并包覆所述透明多孔结构层；其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层的折射率为1.45-2.0。
作为可选的技术方案，所述树脂材料层的折射率为1.3-1.55。
作为可选的技术方案，所述色转换单元还包括填充于所述透明多孔结构层的孔隙间的量子点材料或者荧光粉材料。
作为可选的技术方案，所述微发光二极管芯片位于所述空腔的底部，所述色转换单元填充于所述空腔中。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层覆盖所述微发光二极管出光面的上方，所述树脂材料层的上表面齐平或者突出所述框架的上表面。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层的材料选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层的孔隙间填充有无机填料，所述无机填料选自氧化锌、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层的膜层厚度为1-15μm。
作为可选的技术方案，所述框架的材料选自遮光树脂或者反光材料。
本发明还提供一种微发光二极管结构的制备方法，所述制备方法包括：
提供框架，固定微发光二极管芯片至所述框架的空腔中；
制备透明树脂材料组合物，涂布所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，固化后形成透明多孔结构层；以及
提供树脂材料，自所述透明多孔结构层远离所述微发光二极管芯片出光面一侧填充所述树脂材料至所述透明多孔结构层的孔隙间，固化形成包覆所述透明多孔结构层的树脂材料层；
其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
作为可选的技术方案，所述透明多孔结构层的折射率为1.45-2.0。
作为可选的技术方案，所述树脂材料层的折射率为1.3-1.55。
作为可选的技术方案，还包括：混合透明树脂材料和易挥发溶剂，所述透明树脂材料均匀分散于所述易挥发溶剂中，制得所述透明树脂材料组合物；提供加热装置，升温至80℃，喷涂所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，所述易挥发溶剂挥发，所述透明树脂材料固化形成所述透明多孔结构层；其中，所述透明树脂材料和所述易挥发溶剂的重量比为1:2-1:4。
作为可选的技术方案，所述易挥发溶剂选自环己烷；所述透明树脂材料选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种。
作为可选的技术方案，还包括：分散无机填料至所述透明树脂材料组合物中，所述无机填料选自氧化锌、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括：如上所述的微发光二极管结构。
与现有技术相比，本发明提供一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板，微发光二极管结构中，色转换单元包括透明多孔结构层，其能够形成光通路，增加光的光程，由此增加色转换单元中的量子点材料对蓝光的吸收；由于透明多孔结构层能够限制蓝光，减少光的自吸收，增加蓝光的转换效率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的微发光二极管结构的剖面示意图。
图2为本发明提供的微发光二极管结构的制备方法流程图。
图3为本发明一实施例中提供的透明多孔结构层的光学显微镜下的图像。
图4为本发明另一实施例中制备的透明多孔结构层的光学显微镜下的图像。
图5为本发明提供的显示面板的剖面示意图。
图6为本发明提供的显示面板中基板和微发光二极管芯片结合过程的剖面示意图。
图7为本发明提供的显示面板中透明多孔结构层、量子点材料及树脂材料层的制作过程的剖面示意图。
图8为本发明提供的显示面板中封装薄膜结构制作过程的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图1所示，本发明提供一种微发光二极管结构1000，其包括微发光二极管芯片1200、框架1100及色转换单元，框架1100具有空腔，微发光二极管芯片1200设置于空腔中，色转换单元设置于微发光二极管芯片1200出光面的上方，色转换单元包括透明多孔结构层1300和树脂材料层1400，树脂材料层1400自透明多孔结构层1300远离微发光二极管芯片1200出光面的一侧填充并包覆透明多孔结构层1300，其中，透明多孔结构层1300的折射率大于树脂材料层1400的折射率。
在一较佳的实施方式中，透明多孔结构层1300的折射率为1.45-2.0，优先的，1.6-1.8；树脂材料层1400的折射率为1.3-1.55，优选为，1.3-1.5。
在一较佳的实施方式中，透明多孔结构层1300的材料例如选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种；具体的包括：聚二甲基硅氧烷（PDMS）、热塑性弹性体（TPE）、热塑性聚氨酯弹性体橡胶（TPU）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚酰亚胺（PI）。
本实施例中，透明多孔结构层1300整面覆盖于微发光二极管芯片1200出光面上方，其内部存在多个孔隙，另外，由于透明多孔结构层1300的折射率大于树脂材料层1400的折射率，因此，微发光二极管芯片1200出射的光沿着透明多孔结构层1300内的孔隙出射，即，透明多孔结构层1300为微发光二极管芯片1200出射的光线提供光通路，限制光沿着孔隙出射，增加光程，降低光的自吸收效应，同时增加光的出射。
透明多孔结构层1300制备包括：将透明树脂材料和易挥发溶剂混合制备透明树脂材料组合物，将透明树脂材料组合物涂布至微发光二极管芯片1200出光面上方，易挥发溶剂挥发移除，透明树脂材料固化（包括热固化、光固化）后形成透明多孔结构层1300。
需要说明的是，透明多孔结构层1300和包覆其的树脂材料层1400共同构成微发光二极管结构1000中的色转换单元的基底，并直接覆盖于微发光二极管芯片1200的出光面上方，其中，透明多孔结构层1300的折射率和树脂树脂材料层1400的折射率之间存在差值，是用于形成全反射的必要条件，以在透明多孔结构层1300中形成光通路，进而微发光二极管芯片1200发出的光尽可能多的沿透明多孔结构层1300提供的光通路出射，且从树脂材料层1400中出射的光被透明多孔结构层1300反射，确保光仅可向外界出射，以此显著提升光出射率。
如图1所示，色转换单元还包括量子点材料或者荧光粉材料1500，量子点材料或者荧光粉材料1500用于吸收微发光二极管芯片1200发出的光并转换为对应的其他颜色光。其中，微发光二极管芯片1200发出的光通常为蓝色光，蓝色光经过量子点材料后通常转变为红色光、绿色光；蓝色光经过荧光粉材料后通常转变为白色光。
本发明中，量子点材料或者荧光粉材料1500通常是和树脂材料（光固化亚克力树脂）预先混合形成浆料，再将浆料通过喷墨打印等方式填充于透明多孔结构层1300中，树脂材料固化后形成树脂材料层1400，由于树脂材料层1400填充并包覆在透明多孔结构层1300外部及其孔隙中，因此，量子点材料或者荧光粉材料1500能够分散于透明多孔结构层1300的孔隙中。
其中，树脂材料和量子点材料或者荧光粉材料1500预先混合形成浆料，在喷墨打印时，能够调控浆料的表面张力和粘度，使得上述色转换单元的制备更容易。
由上述可知，透明多孔结构层1300限制了微发光二极管芯片1200的光的出射路径，延长的光程，因此，分散在透明多孔结构层1300的孔隙中的量子点材料或者荧光粉材料1500可以与更多的光（例如：蓝光）接触，增加了量子点材料或者荧光粉材料1500对光的吸收，增加转换效率。另外，由于透明多孔结构层1300中存在孔隙，量子点材料或者荧光粉材料1500接触微发光二极管芯片1200的激发光（例如：蓝光）产生的发射光（例如：红光、绿光）也会有部分进入透明多孔结构层1300提供的光通路中，经光通路出射，避免发射光照射到量子点材料或者荧光粉材料1500上而产生自吸收，进而降低自吸收现象。
在本发明的其他实施例中，色转换单元还包括无机填料，无机填料例如选自氧化锌、二氧化钛、二氧化硅等，其用于增加透明多孔结构层1300的折射率，以使微发光二极管芯片1200出射的光更多的沿着透明多孔结构层1300的孔隙传导，增加光在透明多孔结构层1300中的停留。
无机填料和用于制备透明多孔结构层1300的透明树脂材料组合物混合，通过喷涂法、模板法等工艺涂布至微发光二极管芯片1200出光面上方。
如图1所示，树脂材料层1400的上表面突出于框架1100的上表面，可以利用突出的树脂材料层1400实现对微发光二极管芯片1200的塑封，但不以此为限。在本发明其他实施例中，树脂材料层1400的上表面也可以是齐平于框架1100的上表面，当两者相互齐平时，微发光二极管结构应用至显示面板中，更易进行后续的其他有机膜层、无机膜层（薄膜封装层、彩色滤光层）的制作。
另外，微发光二极管芯片1200本身尺寸较小，形成在其出光面上方的透明多孔结构层1300通常也尺寸较小，因此，其内部的孔隙受限于上述尺寸小的因素，存在变形、孔隙塌陷等问题，而，树脂材料层1400对透明多孔结构层1300的填充和包覆在维持透明多孔结构层1300的多孔特性、孔隙率等方面存在有益帮助。换言之，树脂材料层1400在透明多孔结构层1300之后制作，可实现对透明多孔结构层1300的多孔状定型，确保透明多孔结构层1300提供的光通路的稳定。
继续参照图1，框架1100内的空腔例如碗型槽，微发光二极管芯片1200设置于碗型槽的底部，且碗型槽的底部设置连接电极1101，微发光二极管芯片1200与连接电极1101电性连接。色转换单元的透明多孔结构层1300和部分树脂材料层1400填充于碗型槽的上部，且位于微发光二极管芯片1200的上方。
在一较佳的实施方式中，框架1100材料例如选自遮光树脂或者反射材料，遮光树脂的光透过率<10%/um（optical density，光学密度OD>1/um）；反射材料包括但不限于金属，例如，银、铝、钛。
另外，框架1100和色转换单元之间还设置阻隔层1600，其覆盖于框架1100的碗型槽的内壁和微发光二极管芯片1200的上方，膜层厚度约为0.01-1μm，阻隔层1600例如是无机阻隔层，其材料选自SiO2，Si3N4，Al2O3，AlN，TiO2，HfO2等。
如图2所示，本发明还提供一种微发光二极管结构的制备方法2000，其包括：
提供框架，固定微发光二极管芯片至所述框架的空腔中；
制备透明树脂材料组合物，涂布所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，固化后形成透明多孔结构层；以及
提供树脂材料，所述树脂材料自透明多孔结构层远离所述微发光二极管芯片一侧填充至所述透明多孔结构层的孔隙间，固化形成包覆所述透明多孔结构层的树脂材料层；
其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
在一较佳的实施方式中，透明树脂材料和易挥发溶剂按照重量比1:4的比例混合，搅拌，所述透明树脂材料均匀分散于所述易挥发溶剂中，制得所述透明树脂材料组合物；
提供加热装置，升温至80℃，喷涂所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，所述易挥发溶剂挥发，所述透明树脂材料固化形成所述透明多孔结构层。
其中，所述易挥发溶剂选自环己烷；所述透明材料选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种。
在一较佳的实施方式中，分散无机填料至所述透明树脂材料组合物中，所述无机填料选自氧化锌、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
结合图3和图4，详细说明上述透明树脂材料组合物制备的透明多孔结构层。
实施例1
将聚二甲基硅氧烷（PDMS）和环己烷按照重量比1:2混合，搅拌，聚二甲基硅氧烷（PDMS）均匀分散在环己烷中，制得透明树脂材料组合物1；
提供加热装置，放置固定连接的微发光二极管芯片和框架至加热装置的载台上，升温至80℃，采用喷涂法，将透明树脂材料组合物1喷涂至微发光二极管芯片出光面上方，环己烷挥发，聚二甲基硅氧烷（PDMS）固化制得透明多孔结构层。
实施例2
将热塑性弹性体（TPE）和环己烷按照重量比1:4混合，搅拌，热塑性弹性体（TPE）均匀分散在环己烷中，制得透明树脂材料组合物2；
提供加热装置，放置固定连接的微发光二极管芯片和框架至加热装置的载台上，升温至80℃，采用喷涂法，将透明树脂材料组合物1喷涂至微发光二极管芯片出光面上方，环己烷挥发，热塑性弹性体（TPE）固化制得透明多孔结构层。
以透明热塑性弹性体材料为例，详细说明透明多孔层的制备过程如下。
首先，混合透明热塑性弹性体和环己烷，常温在磁力搅拌机中搅拌，转速500rmp/min，搅拌3小时，制得透明树脂材料组合物2，其中，热塑性弹性体质量分数在0.4g/ml；其次，将透明树脂材料组合物2放入标准注射器中，除泡后，放入超声喷胶机内；设置喷涂的高度设置为50mm，速度设置为100mm/s，气压0.3MPa，控制基板温度升温至80℃；接着，喷涂透明树脂材料组合物2经超声物化后，通过载气被均匀的喷射到基板（80℃）上。当透明树脂材料组合物2接触到基板，溶剂环己烷会逐渐挥发，透明热塑性弹性体材料逐渐析出并发生堆叠，进而形成透明多孔结构层。
利用光学显微镜对实施例1中透明树脂材料组合物1制得的透明多孔结构层和实施例2中透明树脂材料组合物2制得的透明多孔结构层分别进行取像，如图3（实施例1）和图4（实施例2）所示。
由图3和图4可知，上述实施例中确实制备得到透明多孔结构，透明多孔结构的内部均在较多的孔隙，为微发光二极管芯片出光提供了多的通路，增加了光程，增加光的出射率。
另外，当上述透明多孔结构的孔隙中填充量子点材料或者荧光粉材料后，量子点材料或者荧光粉材料可以充分吸收孔隙间的光，提高光的转换效率。
如图5至图8所示，本发明还提供一种显示面板100，其包括基板10，设置在基板10一侧的微发光二极管芯片阵列，设置在微发光二极管阵列上方的色转换层，色转换层包括透明多孔结构层61，填充并包覆透明多孔结构层61的树脂材料层以及不同的量子点材料。
具体来讲，如图6所示，基板10上设有电极11，微发光二极管阵列中每一微发光二极管芯片20的器件电极和基板10上的电极11电性连接。
基板10例如是玻璃基板、驱动电路板、硅基板等；电极11的材料例如选自锡（Sn）、铟（In）等。另外，微发光二极管芯片20和电极11的之间可以是通过导电胶例如ACF等实现电性连接。
本实施例中，微发光二极管芯片20是指Micro/Mini 发光二极管芯片，优选为，蓝光Micro/Mini 发光二极管芯片。
如图6所示，涂布隔离材料至基板10的一侧，待隔离材料固化后形成隔离材料层30’，其中，隔离材料层30’整面覆盖于基板10的一侧；再经图案化工艺，形成隔离槽32和围绕隔离槽32的隔离单元31。
隔离材料层30’例如选自非透光树脂材料，非透光树脂材料的颜色包括黑色、灰色、白色或者黄色等，其中，隔离材料层30’的膜层厚度约为10-100μm。本实施例中，图案化隔离材料层30’获得的隔离层30其作用在于作为支撑载体承载无机阻隔层40，因此，其需要具有一定的膜层厚度。
无机阻隔层40形成于隔离层30和微发光二极管芯片阵列上方，且覆盖隔离槽32中露出的每个微发光二极管芯片20。
无机阻隔层40通过原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）、等离子体增强化学的气相沉积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）等方式制作。无机阻隔层40的膜层厚度0.01~1μm；其材料选自SiO2，Si3N4，Al2O3，AlN，TiO2，HfO2等。
形成遮光层50于无机阻隔层40远离基板的一侧，遮光层50包括遮光单元51和开口52，于基板10的厚度方向上，遮光单元51位于无机阻隔层40对应于隔离单元31的部分的上方；开口52和隔离槽32对应。
本实施例中，遮光层50例如为黑色矩阵，其膜层厚度为1-10μm。通过涂布遮光材料在无机阻隔层40的上方，再经曝光、显影图案化制程，形成遮光层50。其用于克服相邻的发光二极管芯片20之间的出光串扰。
如图7所示，于无机阻隔层40上方形成色转换层的制备过程包括：
制备透明树脂材料组合物2，将基板10置于加热装置的载台上，升温至80℃，喷涂透明树脂材料组合物2至隔离槽32中，固化后形成透明多孔结构层61；
填充包含红色量子点材料的树脂材料层62至透明多孔结构层61中，形成第一色转换单元60a；包含绿色量子点材料的树脂材料层63至另一透明多孔结构层61中，形成第二色转换单元60b；不包含量子点材料的树脂材料层64至又一透明多孔结构层61中，形成空白填充单元60c；其中，第一色转换单元60a、第二色转换单元60b和空白填充单元60c共同构成色转换层。
较佳的，第一色转换单元60a、第二色转换单元60b和空白填充单元60c中的树脂材料层例如是光固化亚克力树脂固化后形成，其表面齐平于遮光层50的遮光单元51，当不以此为限。在本发明其他实施例中，树脂材料层的上表面可以是突出于遮光层50的遮光单元51的上表面。
需要说明的是，在本发明其他实施例中，遮光层50的制作步骤和色转换层的制作步骤可以是，先制作色转换层，后制作遮光层50；即，可依据实际的制程需要调整顺序。
如图8所示，于色转换层上方形成保护层70的第一无机层71。第一无机层71整面覆盖于基板10的一侧，通过原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）、等离子体增强化学的气相沉积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）等方式制作。
第一无机层71的膜层厚度为0.01~1μm；其材料选自SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、TiO2、HfO2等。第一无机层71和位于色转换层下方的无机阻隔层40共同隔绝外界环境中水、氧接触色转换层。
于第一无机层71上方形成中间有机层72。中间有机层72的膜层厚度为5~10μm，例如通过涂布、喷墨打印的方式形成。中间有机层72的材料例如是压克力树脂（acrylicresin、PMMA）、酚醛树脂（novolac resin）、聚酰亚胺树脂（Polyimide，PI）等。
于中间有机层72的上方形成第二无机层73。第二无机层73通过原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）、等离子体增强化学的气相沉积法（Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD）等方式制作。第二无机层73的膜层厚度为0.01~1μm；其材料选自SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、TiO2、HfO2等。
其中，第一无机层71、中间有机层72和第二无机层73构成的保护层70可视作复合封装薄膜，其可以有效防止湿气、氧气渗透接触色转换层，导致色转换层的使用寿命下降。
如图5所示，显示装置100还包括于保护层70的上方形成彩色滤光层80，彩色滤光层80包括第一滤光单元81、第二滤光单元82和第三滤光单元83，其中，于基板10的厚度方向，第一滤光单元81、第二滤光单元82和第三滤光单元83分别和对应的微发光二极管芯片20一一对应。其中，第一色转换单元60a位于第一滤光单元81和对应的微发光二极管芯片20之间；第二色转换单元60b位于第二滤光单元82和对应的微发光二极管芯片20之间；空白填充单元60c位于第三滤光单元83和对应的微发光二极管芯片20之间。
第一色转换单元60a的出光颜色和第一滤光单元81的颜色相同，例如为红色；第二色转换单元60b的出光颜色和第二滤光单元82的颜色相同，例如为绿色；第三滤光单元83的颜色和对应的微发光二极管芯片20的颜色相同，例如为蓝色。
本实施例中，涂布不同颜色的滤光材料至保护层70的上方，经曝光、显影的图案化工艺形成对应的第一滤光单元81、第二滤光单元82和第三滤光单元83。其中，第一滤光单元81、第二滤光单元82和第三滤光单元83的膜层厚度分别为1-5μm。
本发明提供的显示面板100中，位于微发光二极管芯片阵列上方的色转换层中色转换单元和空白填充单元中均包括透明多孔结构，透明多孔结构提供光的通路，增加光的光程，还可增加色转换单元中的量子点材料对蓝光的吸收，减少光的自吸收，增加蓝光的转换效率，显著提升显示面板的显示效果。
综上，本发明提供一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板，微发光二极管结构中，色转换单元包括透明多孔结构层，其能够形成光通路，增加光的光程，由此增加色转换单元中的量子点材料对蓝光的吸收；由于透明多孔结构层能够限制蓝光，减少光的自吸收，增加蓝光的转换效率。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。此外，上面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。必需指出的是，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (17)
1.一种微发光二极管结构，其特征在于，所述微发光二极管结构包括：
微发光二极管芯片；
框架，所述框架包括空腔，所述微发光二极管芯片设置于所述空腔内；以及
色转换单元，所述色转换单元设于所述微发光二极管芯片出光面上方，所述色转换单元包括透明多孔结构层和树脂材料层，所述树脂材料层自所述透明多孔结构层远离所述微发光二极管芯片出光面一侧填充并包覆所述透明多孔结构层；
其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述透明多孔结构层的折射率为1.45-2.0。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述树脂材料层的折射率为1.3-1.55。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述色转换单元还包括填充于所述透明多孔结构层的孔隙间的量子点材料或者荧光粉材料。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述微发光二极管芯片位于所述空腔的底部，所述色转换单元填充于所述空腔中。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述透明多孔结构层覆盖所述微发光二极管出光面的上方，所述树脂材料层的上表面齐平或者突出所述框架的上表面。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述透明多孔结构层的材料选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述透明多孔结构层的孔隙间填充有无机填料，所述无机填料选自氧化锌、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述透明多孔结构层的膜层厚度为1-15μm。
10.根据权利要求1所述的微发光二极管结构，其特征在于，所述框架的材料选自遮光树脂或者反射材料。
11.一种微发光二极管结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供框架，固定微发光二极管芯片至所述框架的空腔中；
制备透明树脂材料组合物，涂布所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，固化后形成透明多孔结构层；以及
提供树脂材料，自所述透明多孔结构层远离所述微发光二极管芯片出光面一侧填充所述树脂材料至所述透明多孔结构层的孔隙间，固化形成包覆所述透明多孔结构层的树脂材料层；
其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
12.根据权利要求11所述的微发光二极管结构的制备方法，其特征在于，所述透明多孔结构层的折射率为1.45-2.0。
13.根据权利要求11所述的微发光二极管结构的制备方法，其特征在于，所述树脂材料层的折射率为1.3-1.55。
14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，还包括：
混合透明树脂材料和易挥发溶剂，所述透明树脂材料均匀分散于所述易挥发溶剂中，制得所述透明树脂材料组合物；
提供加热装置，升温至80℃，喷涂所述透明树脂材料组合物至所述微发光二极管芯片出光面上方，所述易挥发溶剂挥发，所述透明树脂材料固化形成所述透明多孔结构层；
其中，所述透明树脂材料和所述易挥发溶剂的重量比为1:2-1:4。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述易挥发溶剂选自环己烷；所述透明树脂材料选自透明有机硅胶材料、透明热塑性弹性体材料和透明光敏树脂材料中的至少一种。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，还包括：
分散无机填料至所述透明树脂材料组合物中，所述无机填料选自氧化锌、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
17.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-10中任一项所述的微发光二极管结构。
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