CN114497074A - 修补结构与电子装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种修补结构，包括信号线、第一绝缘层与第二绝缘层。第一绝缘层配置于信号线上。第二绝缘层配置于第一绝缘层上。第一绝缘层具有第一开孔，且第一开孔重叠该信号线的一部分。第二绝缘层具有第二开孔，且第一开孔和第二开孔至少部分重叠。如此，修补结构的设计简易，可以减少修补的时间，以增加使用上的便利性。

Description

修补结构与电子装置
技术领域
本公开关于一种修补结构，特别是关于一种适用于电子装置的修补结构与电子装置。
背景技术
已知的电子装置的信号线(例如扫描线、数据线、电源线或信号驱动线等)可能会因为微粒(particle)或静电放电(electrostatic discharge,ESD)而导致缺陷(defect)问题的发生，因此需要透过修补信号线来排除缺陷问题。然而，由于目前的修补方式较为费时且修补设计较为复杂。因此，需要一种新的修补设计改善前述的问题。
发明内容
本公开实施例提供一种修补结构，包括信号线、第一绝缘层与第二绝缘层。第一绝缘层配置于信号线上。第二绝缘层配置于第一绝缘层上。第一绝缘层具有第一开孔，且第一开孔重叠该信号线的一部分。第二绝缘层具有第二开孔，且第二开孔相对应第一开孔设置。
本公开实施例提供一种电子装置，包括信号线、发光单元第一绝缘层与第二绝缘层。发光单元与信号线电性连接。第一绝缘层配置于信号线上。第二绝缘层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层包括井结构，且井结构容置发光单元。第一绝缘层具有第一开孔，且第一开孔重叠信号线的一部分，第二绝缘层具有第二开孔，第一开孔和第二开孔至少部分重叠。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为依据本公开的一实施例的电子装置的示意图。
图2A为依据本公开的一实施例的电子装置的剖面图。
图2B为图2A的电子装置进行激光切割的剖面图。
图2C为图2A的电子装置进行激光焊接的剖面图。
图3A为依据本公开的另一实施例的电子装置的剖面图。
图3B为图3A的电子装置进行激光切割的剖面图。
图3C为图3A的电子装置进行激光焊接的剖面图。
图4为依据本公开的一实施例的电子装置的修补操作的示意图。
图5为依据本公开的一实施例的电子装置的修补操作的示意图。
符号说明
100:电子装置
110:电源单元
200,300:修补结构
210:信号线
210C:连接部
211:切割部
212:部分
220:第一绝缘层
221,221B,221C:第一开孔
230:第二绝缘层
231,231B,231C:第二开孔
240:第三绝缘层
250:第四绝缘层
260:激光光源
262,264,266:导电结构
268:井结构
270:第五绝缘层
271:缺口
280,RL:修补线
410,420,430,440,450,510,520,530,540,550:位置
D1,D2:宽度
DL:数据线
GL:扫描线
PL1:第一电源线
PL2:第二电源线
EML:驱动信号线
C:电容
T1,T2,T3:开关
LD:发光单元
GE:栅极
S:源极
D:漏极
IN:绝缘层
SE:半导体
VDD:电源
VSS:参考电压
DS1:数据信号
GS1:扫描信号
EM1:驱动信号
具体实施方式
为让本公开的目的、特征或优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附附图，做详细的说明。为了使读者能容易了解及附图的简洁，本公开中的多张附图可能只绘出整个装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。
本公开说明书提供不同的实施例来说明本公开不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置、数量及尺寸是为说明之用，并非用以限制本公开。另外，若实施例与附图中元件标号出现重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
再者，说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词，以修饰权利要求书的元件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
在下文说明书与在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
在本公开中，长度与宽度的量测方式可以是采用光学显微镜量测而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
在本公开中，各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
图1为依据本公开的一实施例的电子装置的示意图。在一实施例中，电子装置100可以包含液晶(liquid crystal,LC)、有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、无机发光二极管(light emitting diode,LED)、量子点(quantum dot,QD)、荧光材料、磷光材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但本公开不限于此。无机发光二极管可例如包括次毫米发光二极管(mini light emitting diode,mini LED)、微发光二极管(micro light emitting diode,micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diode,QLED/QDLED)。
在一些实施例中，电子装置100可以是显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shapedisplay)，也可以是可弯折或可挠式拼接电子装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。需注意的是，电子装置100可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置100的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置100可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支援显示装置或天线装置。
在一实施例中，电子装置100可以是显示装置，但本公开不限于此。请参考图1，电子装置100可以包括电源单元110、开关T1、开关T2、开关T3、电容C与发光单元LD。如图1所示，电子装置100还可包括一修补结构200，修补结构200可包括一信号线210。如图1所示，信号线210可为一数据线DL。图2A为依据本公开的一实施例的电子装置100的剖面图，显示修补结构200、开关T1、开关T2、开关T3、与发光单元LD的位置关系。在图1的实施例中，信号线210是以数据线DL为例。依据其他实施例，信号线可为栅极线GL、驱动信号线EML、其他信号线、或其组合。
请参考图2A，修补结构200可包括一信号线210、第一绝缘层220、和第二绝缘层230。第一绝缘层220配置于信号线210上，第二绝缘层230配置于第一绝缘层220上。第一绝缘层具有一第一开孔221，第二绝缘层230具有一第二开孔231。第一开孔221重叠信号线210的一部分，且第一开孔221和第二开孔231至少部分重叠。
请参考图1，开关T1与电源单元110耦接。在一实施例中，开关T1可以是薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)，但本公开不限于此。电源单元110提供一电源VDD，且电源单元110透过一第一电源线PL1将电源VDD提供至开关T1。开关T2与开关T1耦接。在一实施例中，开关T2可以是薄膜晶体管，但本公开不限于此。另外，开关T2的栅极可以透过一驱动信号线EML接收一驱动信号EM1。
电容C与开关T1耦接。进一步来说，电容C的第一端可以耦接开关T1的栅极，电容C的第二端可以耦接开关T1的一电极(例如源极)。
开关T3与开关T1耦接。在一实施例中，开关T3可以是薄膜晶体管，但本公开不限于此。进一步来说，开关T3的栅极可以透过一扫描线GL接收扫描信号GS 1，且开关T1的一电极(例如源极)可以透过一数据线DL接收数据信号DS1。
发光单元LD与开关T2耦接。进一步来说，发光单元LD的第一端(例如阳极端)耦接开关T2的一电极(例如漏极)，发光单元LD的第二端(例如阴极端)透过一第二电源线PL2耦接一参考电压VSS(例如接地电压)。在本实施例中，发光单元LD可以是有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管(LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(microLED)、量子点发光二极管(QLED/QD-LED)或上述的组合，但本公开不限于此。
在本实施例中，修补结构200可以预先设置于电子装置100需要修补的位置上，以便于电子装置100发生缺陷时，可以透过修补结构200对电子装置100的线路进行修补。修补结构200可以包括信号线210、第一绝缘层220、第二绝缘层230、第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270与修补线280。
第一绝缘层220配置于信号线210上。第二绝缘层230配置于第一绝缘层220上。第一绝缘层220具有第一开孔221，且第一开孔221重叠信号线210的一部分。第二绝缘层230具有第二开孔231，且第一开孔221和第二开孔231至少部分重叠。第五绝缘层270配置于信号线210和修补线280之间。在本实施例中，第二开孔231的宽度D2例如大于第一开孔221的宽度D1。宽度D1可为第一开孔221的底部的宽度。宽度D2可为第二开孔231的底部的宽度。
在本实施例中，第一绝缘层220可以是平坦层(planarization layer,PLN)，第二绝缘层230可以是像素界定层(pixel defining layer,PDL)，但本公开不限于此。
在一些实施例中，信号线210与修补线280的材料可为导电材料，例如金属材料，但本公开不限于此。第一绝缘层220、第二绝缘层230、第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270的材料并没有限制，可为有机材料、无机材料、或其组合。依据一些实施例，第一绝缘层220与第二绝缘层230可以是有机材料，但本公开不限于此。有机材料例如可为压克力树脂(acrylic resin)、环氧树脂(epoxy)、碳氧化硅、其他树脂、或其组合，但本公开不限于此。第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270的材料可以为无机材料，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、或其组合，但本公开不限于此。
在一些实施例中，第二绝缘层230的厚度例如大于第一绝缘层220的厚度。在一些实施例中，第二绝缘层230的厚度可为4～10微米(um)，例如为5～6微米。在一些实施例中，第一绝缘层220的厚度可为1～3微米，例如为1.7～2.3微米。进一步来说，第一绝缘层220的厚度可以是2微米。另外，在一些实施例中，第一绝缘层220的厚度可大于信号线210的厚度。在一些实施例中，信号线210的厚度可为0.2～1微米，例如0.4～0.8微米，例如为0.51～0.69微米。进一步来说，信号线210的厚度可以是0.6微米。在一些实施例中，第三绝缘层240和第四绝缘层250的厚度可小于第一绝缘层220的厚度。第三绝缘层240和第四绝缘层250的厚度可为0.2～1微米，例如为0.425～0.575微米。进一步来说，第三绝缘层240和第四绝缘层250的厚度可以是0.5微米。
在本实施例中，信号线210可以是电子装置100的数据线DL，但本公开不限于此。在一些实施例中，信号线210也可以是扫描线GL、第一电源线PL1、驱动信号线EML或第二电源线PL2，也可以达成类似的修补效果。
如图2A所示，在本实施例中，使用者可以操作一激光光源260产生激光光束，且激光光源260所产生的激光光束(laser beam)可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221至信号线210，以对信号线210进行激光切割(laser cutting)或激光焊接(laser welding)。以下详细说明。
请参照图4，信号线210可为数据线DL，且与发光单元LD电性连接。当数据线DL的位置410上发生缺陷时，可对于数据线DL上缺陷位置410两侧的位置420、位置430进行切割。缺陷发生的原因，例如为被微粒或静电放电击伤。切割位置420和切割位置430的至少一者可采用本公开上述的修补结构200。
请同时参照图2B和图4，可对于信号线210进行激光切割。详细而言，可对于信号线210(数据线DL)上的切割位置420和切割位置430的至少一者采用激光切割方式，而得到图2B所示的修补结构200。依据其他实施例，信号线210可为栅极线GL或资料信号线EML，但本公开不以此为限。如图2B所示，当使用激光光束进行激光切割时，与激光光源260的位置重叠的信号线210的部分会被激光光源260切断。详细而言，激光光源260所产生的激光光束可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221至信号线210，使信号线210由激光光源260熔化(melt)而切断，而在信号线210内形成一切割部211，以达到信号隔离的效果。
请同时参照图2C和图4，可对于信号线210进行激光焊接。详细而言，可对于信号线210(数据线DL)上的焊接位置440和焊接位置450至少一者采用激光焊接方式，而得到图2C所示的修补结构200。如图2C所示，当使用激光光束进行激光焊接时，与激光光源260的位置重叠的信号线210的部分212可以由激光光源260熔化。详细而言，激光光源260所产生的激光光束可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221，使得与激光光源260的位置重叠的第五绝缘层270的一部分被激光光源260切断，而在第五绝缘层270内形成缺口271，并且信号线210的一部分熔化而沿着第五绝缘层270的缺口271所形成的侧壁落下至修补线280上。如此，熔化的信号线210可形成于缺口271内，而作为连接部210C，使得信号线210可经由连接部210C以与修补线280进行接合而产生电性连接。如此，信号线210所传送的信号可透过修补线280进行传送，以达到信号修补的效果。如此一来，修补结构200的设计简易，可以减少修补的时间，以增加使用上的便利性。在一些实施例中，连接部210C可以与第一开孔221和第二开孔231中的至少一者至少部分重叠，但本公开不限于此。
依据一些实施例，请参照图4，信号线210(数据线DL)可同时具有激光切割位置420和激光焊接位置440。详细而言，电子装置100中，第一绝缘层220可具有一第一开孔221C(如图2C)和另一第一开孔221B(如图2B)，第二绝缘层230可具有一第二开孔231C(图2C)和另一第二开孔231B(图2B)，另一第一开孔221B和该另一第二开孔231C至少部分重叠。如图2C所示，在与第一开孔221C和第二开孔231C的至少一者重叠的位置处，可进行激光焊接，而使得信号线210可经由连接部210C而与修补线280电性连接。如图2B所示，在与另一第一开孔221B和另一第二开孔231B的至少一者重叠的位置处，可进行激光切割，而形成信号线210的切割部211。切割部211与另一第一开孔221B和另一第二开孔231B中的至少一者至少部分重叠。
在一些实施例中，第一绝缘层220的第一开孔221的宽度D1或第二绝缘层230的第二开孔231的宽度D2可以大于或等于激光光源260的激光光束的尺寸的宽度，如此，激光切割或激光焊接可较容易进行。例如，使用激光光源260的激光光束对信号线210进行激光切割时，上述开孔宽度的设计可以有空间让金属喷溅。另外，激光光源260的激光光束的尺寸可以是3微米*3微米，但本公开不限于此。例如，第一绝缘层220的第一开孔221的宽度D1或第二绝缘层230的第二开孔231的宽度D2可以大于或等于3微米，但本公开不限于此。
进一步来说，第三绝缘层240配置于信号线210与第一绝缘层220之间，且第三绝缘层240的一部分可以于第一绝缘层220的第一开孔221暴露出来。第四绝缘层250配置于第一绝缘层220与第二绝缘层230之间，且第四绝缘层250的一部分可以位于第一绝缘层220的第一开孔221内，而第四绝缘层250的该部分也位于第三绝缘层240上。
请参照图1和图2A，在本实施例中，开关T1、开关T2与开关T3可以分别包括栅极GE、源极S、漏极D、半导体SE、和绝缘层IN。绝缘层IN可设置在半导体SE和栅极GE之间。详细来说，开关T3的栅极GE对应至图1的开关T3的栅极，源极S对应至图1的开关T3的源极，漏极D对应至图1的开关T3的源极。开关T1的栅极GE对应至图1的开关T1的栅极，源极S对应至图1的开关T1的源极，漏极D对应至图1的开关T1的漏极。开关T2的栅极GE对应至图1的开关T2的栅极，源极S对应至图1的开关T2的源极，漏极D对应至图1的开关T2的漏极。
图2A是以开关T1、开关T2与开关T3为顶栅极式晶体管为例，但本公开不限于此。依据一些实施例，开关T1、开关T2与开关T3亦可为顶栅极式晶体管、底栅极式晶体管、或其组合。
依据一些实施例，如图1和图2A所示，信号线210可以是数据线D1，且信号线210与开关T3的源极S耦接。电子装置100还包括导电结构262、导电结构264、导电结构266。导电结构262可以是耦接发光单元LD的第一端(例如阳极端)与开关T2的走线。导电结构264可以是耦接电源单元110与开关T3的走线，例如第一电源线PL1。导电结构266可以是耦接发光单元LD的第二端(例如阴极端)与参考电压VSS(例如接地电压)的走线，例如第二电源线PL2。第二绝缘层230上可包括一井(well)结构268，以容置电子装置100的发光单元LD。另外，在本实施例中，井结构268的宽度可以大于第一开孔221的宽度D1或第二开孔231的宽度D2，但本公开不限于此。
图3A为依据本公开的另一实施例的电子装置100的剖面图，显示修补结构300、开关T1、开关T2、开关T3与发光单元LD的位置关系。请参考图3A，电子装置100包括开关T1、开关T2、开关T3、导电结构262、导电结构264、导电结构266、发光单元LD与修补结构300。在本实施例中，开关T1、开关T2、开关T3、导电结构262、导电结构264、导电结构266、发光单元LD与图2A的实施例相同或相似，可参考图2A的实施例的说明，故在此不再赘述。
在本实施例中，修补结构300可以预先设置于电子装置100需要修补的位置上，以便于电子装置100发生缺陷时，可以透过修补结构300对电子装置100的线路进行修补。修补结构300可以包括信号线210、第一绝缘层220、第二绝缘层230、第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270与修补线280。图3A的修补结构300的信号线210、第一绝缘层220、第二绝缘层230、第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270与修补线280的配置关系与图2A的修补结构200的信号线210、第一绝缘层220、第二绝缘层230、第三绝缘层240、第四绝缘层250、第五绝缘层270与修补线280的配置关系相同或相似，可参考图2A的实施例的说明，故在此不再赘述。
在本实施例中，第二开孔231的宽度D2例如小于第一开孔221的宽度D1。如此一来，修补结构300可进一步减少微粒(particle)残留于第二开孔231的机会，以降低信号线210被压伤或被静电放电(electrostatic discharge,ESD)击伤的问题。在一些实施例中，上述微粒例如由制程过程、制程环境、或制程设备产生，但本公开不限于此。
在本实施例中，使用者可以操作一激光光源260产生激光光束，且激光光源260所产生的激光光束可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221至信号线210，以对信号线210进行激光切割或激光焊接。
如图3B所示，当使用激光光束进行激光切割时，与激光光源260的位置重叠的信号线210的部分211会被激光光源260切断。详细而言，激光光源260所产生的激光光束可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221至信号线210，使信号线210由激光光源260熔化(melt)而切断，而在信号线210内形成一切割部211，以达到信号隔离的效果。如上述类似地，图4中，数据线DL的切割位置420和切割位置430的至少一者可具有图3B所示的修补结构200，在此不再赘述。
如图3C所示，当使用激光光束进行激光焊接时，与激光光源260的位置重叠的信号线210的部分212可以由激光光源260熔化。详细而言，激光光源260所产生的激光光束可以经过第二绝缘层230的第二开孔231与第一绝缘层220的第一开孔221，使得与激光光源260的位置重叠的第五绝缘层270的一部分被激光光源260切断，而在第五绝缘层270内形成缺口271，并且信号线210的一部分熔化而沿着第五绝缘层270的缺口271所形成的侧壁落下至修补线280上。如此，熔化的信号线210可形成于缺口271内，而作为连接部210C，使得信号线210可经由连接部210C以与修补线280进行接合而产生电性连接。如此，信号线210可以与修补线280进行接合而产生电性连接。接着，信号线210所传送的信号可透过修补线280进行传送，以达到信号修补的效果。如此一来，修补结构300的设计简易，可以减少修补的时间，以增加使用上的便利性。如上述类似地，图4中，焊接位置440和焊接位置450的至少一者可具有图3C所示的修补结构300，在此不再赘述。
上述修补结构200(或修补结构300)设置于电子装置100的数据线DL的位置420、位置430、位置440与位置450上为本公开的一种实施范例，但本公开不限于此。修补结构200(或修补结构300)亦可设置于电子装置100的数据线DL的其他位置上，都可达到相同修补的效果。
图5为依据本公开的一实施例的修补结构设置于电子装置的示意图。请参考图5，修补结构200(或修补结构300)的信号线210可以是电子装置100的驱动信号线EML，且电子装置100的数据信号线EML的位置520、位置530、位置540与位置550上也可以设置修补结构200(或修补结构300)。驱动信号线EML可与发光单元LD电性连接。当驱动信号线EML的位置510上发生缺陷时，可使用激光光源对于驱动信号线EML上缺陷位置510两侧的位置520、位置530进行切割。切割位置520和切割位置530的至少一者可采用本公开的修补结构。详细而言，切割位置520和切割位置530的至少一者可具有图2B所示的修补结构200或图3B所示的修补结构300。
另外，使用激光光源260的激光光束于电子装置100的位置540与位置550对进行激光焊接，将驱动信号线EML与修补线RL(280)电性连接。例如，驱动信号线EML上的焊接位置540和焊接位置550的至少一者可采用激光焊接方式，而具有图2C所示的修补结构200或图3C所示的修补结构300。详细而言，焊接位置540和焊接位置550的至少一者可具有图2C所示的修补结构200或图3C所示的修补结构300。如此，信号线210(例如数据信号线EML)与修补线280(例如修补线RL)得以接合，使得的驱动信号线EML所传送的信号可以透过修补线RL进行传送，以便达到修补的效果。
上述修补结构200(或修补结构300)设置于电子装置100的的驱动信号线EML的位置520、位置530、位置540与位置550上为本公开的一种实施范例，但本公开不限于此。修补结构200(或修补结构300)亦可设置于电子装置100的的驱动信号线EML的其他位置上，都可达到相同修补的效果。
此外，当修补结构200(或修补结构300)的信号线210可以是电子装置100的扫描线GL、第一电源线PL1或第二电源线PL2时，修补结构200(或修补结构300)的信号线210设置于电子装置100的扫描线GL、第一电源线PL1或第二电源线PL2上的方式可以参考图4或图5的实施例，故在此不再赘述。
综上所述，依据本公开实施例的修补结构，第一绝缘层配置于信号线上，第二绝缘层配置于第一绝缘层上，第一绝缘层的第一开孔重叠信号线的一部分，第一开孔和该第二开孔至少部分重叠。可经由第一开孔和第二开孔而对于信号线进行激光切割和激光焊接。如此一来，修补结构的设计简易，可以减少修补的时间，以增加使用上的便利性。
本公开虽以实施例公开如上，然其并非用以限定本公开的范围，任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可做些许的组合、更动与润饰，因此本公开的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种修补结构，其特征在于，包括：
一信号线；
一第一绝缘层，配置于该信号线上；以及
一第二绝缘层，配置于该第一绝缘层上；
其中，该第一绝缘层具有一第一开孔，且该第一开孔重叠该信号线的一部分，该第二绝缘层具有一第二开孔，且该第一开孔和该第二开孔至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的修补结构，其特征在于，该第二开孔的宽度小于该第一开孔的宽度。
3.如权利要求1所述的修补结构，其特征在于，该第二开孔的宽度大于该第一开孔的宽度。
4.如权利要求1所述的修补结构，其特征在于，更包括：
一第三绝缘层，配置于该信号线与该第一绝缘层之间。
5.如权利要求4所述的修补结构，其特征在于，更包括：
一第四绝缘层，配置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且该第四绝缘层的一部分位于该第一绝缘层的该第一开孔内。
6.如权利要求1所述的修补结构，其特征在于，更包括一修补线，经由一连接部与该信号线电性连接，其特征在于，该连接部与该第一开孔和该第二开孔中的至少一者至少部分重叠。
7.一种电子装置，其特征在于，包括：
一信号线；
一发光单元，与该信号线电性连接；一第一绝缘层，配置于该信号线上；以及
一第二绝缘层，配置于该第一绝缘层上，该第二绝缘层包括一井结构，且该井结构容置该发光单元；
其中，该第一绝缘层具有一第一开孔，且该第一开孔重叠该信号线的一部分，该第二绝缘层具有一第二开孔，该第一开孔和该第二开孔至少部分重叠。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，更包括一修补线，经由一连接部与该信号线电性连接，其特征在于，该连接部与该第一开孔和该第二开孔中的至少一者至少部分重叠。
9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，更包括一第五绝缘层，配置于该信号线和该修补线之间，其特征在于，该第五绝缘层包括一缺口，该连接部位于该缺口内。
10.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该第一绝缘层还具有另一第一开孔，该第二绝缘层还具有另一第二开孔，该另一第一开孔和该另一第二开孔至少部分重叠，该信号线具有一切割部，该切割部与该另一第一开孔和该另一第二开孔中的至少一者至少部分重叠。
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