KR20190041697A - 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 접지를 제공하는 접지 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련되는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치는, 스캔 신호가 전송되도록 제 1 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인, 데이터 신호가 전송되도록 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인, 및 상기 스캔 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수의 서브 화소 영역 중 인접하는 적어도 세 개로 구성되는 복수의 화소 영역이 일 면에 마련되는 기판; 및 상기 데이터 신호에 따라 구동하도록 상기 복수의 화소 영역을 구성하는 상기 복수의 서브 화소 영역에 연결되는 복수의 발광 다이오드 소자; 를 포함하고, 상기 화소 영역은, 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 상기 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 접지를 제공하는 공통 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련될 수 있다.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
발광 다이오드 소자를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 전기적 정보를 시각적 정보로 변환하여 사용자에게 표시하는 출력 장치이다. 디스플레이 장치는 텔레비전(Television), 모니터(Monitor)뿐만 아니라, 노트북 피씨(Notebook PC), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 피씨(Tablet PC) 등의 휴대용 기기도 포함할 수 있다.
디스플레이 장치는 액정 디스플레이(LCD, Liquid Crystal Display)와 같은 수광 디스플레이 패널 및 데이터 신호에 대응되는 광을 생성하는 자발광 디스플레이 패널을 포함할 수 있다.
특히, 자발광 디스플레이 패널을 구현하기 위해 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)에 대한 연구가 활발이 진행되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기적 신호를 적외선, 가시광선 등의 빛의 형태로 변환시키는 소자로서, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 각종 자동화 기기 등에 사용될 뿐만 아니라, 소형의 핸드 헬드 전자 디바이스나 대형 표시장치까지 점차 그 사용 영역이 넓어지고 있다.
개시된 발명의 일 측면은 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 접지를 제공하는 접지 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련되는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치는, 스캔 신호가 전송되도록 제 1 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인, 데이터 신호가 전송되도록 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인, 및 상기 스캔 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수의 서브 화소 영역 중 인접하는 적어도 세 개로 구성되는 복수의 화소 영역이 일 면에 마련되는 기판; 및 상기 데이터 신호에 따라 구동하도록 상기 복수의 화소 영역을 구성하는 상기 복수의 서브 화소 영역에 연결되는 복수의 발광 다이오드 소자; 를 포함하고, 상기 화소 영역은, 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 상기 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 접지를 제공하는 공통 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련될 수 있다.
또한, 상기 화소 영역은, 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 대응되는 복수의 상기 신호 전극이 마련되고, 상기 복수의 서브 화소 영역 모두에 의해 공유되는 하나의 상기 공통 전극이 마련될 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극 각각은, 일 단에 마련되는 단부; 및 상기 단부로부터 연장되는 연결부; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소 영역은, 상기 복수의 신호 전극 각각의 상기 단부를 상기 하나의 공통 전극이 둘러싸도록 마련되어, 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드의 연결을 위한 대체 가능 영역이 형성될 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는, 상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖도록 마련될 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는, 환형으로 마련될 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는, 복수의 발광 다이오드와 연결되는 경우, 상기 연결된 복수의 발광 다이오드 중 어느 하나로의 상기 데이터 신호 전송이 차단되도록 상기 환형의 단부의 상기 데이터 신호 전송 경로 상에 마련되는 절연부; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 하나의 공통 전극은, 상기 서브 화소 영역의 수에 대응되도록 일 단이 분할된 복수의 단부; 및 상기 복수의 단부로부터 하나로 연장되는 연결부; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소 영역은, 상기 하나의 공통 전극의 상기 복수의 단부 각각을 상기 복수의 신호 전극 각각이 둘러싸도록 마련되여, 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드의 연결을 위한 대체 가능 영역이 형성될 수 있다.
또한, 상기 하나의 공통 전극의 복수의 단부 각각은, 상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖도록 마련될 수 있다.
개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법은, 기판의 일 면에 스캔 신호가 전송되도록 제 1 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인, 및 데이터 신호가 전송되도록 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인을 마련하는 단계; 상기 스캔 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수의 서브 화소 영역 중 인접하는 적어도 세 개로 구성되는 복수의 화소 영역을 마련하는 단계; 및 상기 복수의 화소 영역 각각을 구성하는 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드 소자를 연결하는 단계; 를 포함하고, 상기 복수의 화소 영역을 마련하는 단계는, 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 상기 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 접지를 제공하는 공통 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련할 수 있다.
또한, 상기 복수의 화소 영역을 마련하는 단계는, 상기 복수의 화소 영역 각각을 구성하는 상기 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 대응되는 복수의 상기 신호 전극을 마련하는 단계; 및 상기 복수의 서브 화소 영역 모두에 의해 공유되는 하나의 상기 공통 전극을 마련하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극을 마련하는 단계는, 일 단에 단부를 마련하는 단계; 및 상기 단부로부터 연장되는 연결부를 마련하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 하나의 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 복수의 신호 전극 각각의 상기 단부를 상기 하나의 공통 전극이 둘러싸도록 마련할 수 있다.
또한, 상기 단부를 마련하는 단계는, 상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖는 상기 단부를 마련할 수 있다.
또한, 상기 단부를 마련하는 단계는, 상기 단부를 환형으로 마련할 수 있다.
또한, 상기 단부가 복수의 발광 다이오드와 연결되는 경우, 상기 연결된 복수의 발광 다이오드 중 어느 하나로의 상기 데이터 신호 전송이 차단되도록 상기 환형의 단부의 상기 데이터 신호 전송 경로 상에 절연부를 마련하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 하나의 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 서브 화소 영역의 수에 대응되도록 일 단이 분할된 복수의 단부를 마련하는 단계; 및 상기 복수의 단부로부터 하나로 연장되는 연결부를 마련하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 신호 전극을 마련하는 단계는, 상기 하나의 공통 전극의 상기 복수의 단부 각각을 상기 복수의 신호 전극 각각이 둘러싸도록 마련할 수 있다.
또한, 상기 복수의 단부를 마련하는 단계는, 상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖는 상기 복수의 단부를 마련할 수 있다.
개시된 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치, 및 그 제조방법에 따르면, 신호 전극 및 접지 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련됨으로써, 최소한의 화소 영역 내에 불량 발광 다이오드 소자를 대체할 정상 발광 다이오드 소자를 연결하기 위한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다. 이를 통해, 블랙 매트릭스에 의한 차단 영역의 감소를 최소화 할 수 있고, 그 결과, 디스플레이 장치의 명암비 감소 또한 최소화 할 수 있다.
또한, 서브 화소 영역 간의 간격의 최소화함으로써 서브 화소 영역에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 외관도이다.
도 2는 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역에 마련된 서브 화소 회로의 회로도를 예시한 도면이다.
도 5는 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역의 배치구조를 보여주는 배치 평면도이다.
도 6은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이다.
도 7은 개시된 발명의 다른 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이다.
도 8은 개시된 발명의 또 다른 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이다.
도 9a 및 9b는 도 8의 화소 영역 상에서 누설 전류를 차단하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 및 10b는 개시된 발명의 여러 가지 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이다.
도 11은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 흐름도이다.
본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 개시된 발명의 바람직한 일 예에 불과할 뿐이며, 본 출원의 출원시점에 있어서 본
명세서의 실시 예와 도면을 대체할 수 있는 다양한 변형 예들이 있을 수 있다.
본 명세서에서 사용한 용어는 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 개시된 발명을 제한 및/또는 한정하려는 의도가 아니다.
예를 들어, 본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.
또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재함을 표현하고자 하는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합의 추가적인 존재 또는 부가 가능성을 배제하지 않는다.
또한, "제1", "제2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위하여 사용되며, 상기 하나의 구성요소들을 한정하지 않는다.
또한, "~부", "~기", "~블록", "~부재", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 용어들은 FPGA (field-programmable gate array)/ ASIC (application specific integrated circuit) 등 적어도 하나의 하드웨어, 메모리에 저장된 적어도 하나의 소프트웨어 또는 프로세서에 의하여 처리되는 적어도 하나의 프로세스를 의미할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 개시된 발명의 일 실시 예를 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에서 제시된 동일한 참조번호 또는 부호는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부품 또는 구성요소를 나타낼 수 있다.
또한, 이하에서 디스플레이 장치는 영상을 표시하여 사용자에게 제공하는 모든 장치를 의미하고, 예를 들어 텔레비전, 모니터, 랩탑 컴퓨터(Laptop Computer) 및 이동 통신 단말기의 표시 장치 등을 포함할 수 있다.
도 1은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 외관도이고, 도 2는 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 분해 사시도이고, 도 3은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역에 마련된 서브 화소 회로의 회로도를 예시한 도면이며, 도 5는 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역의 배치구조를 보여주는 배치 평면도이다.
디스플레이 장치(100)는 외부로부터 수신한 전기적 신호를 영상으로 표시할 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 장치(100)는 미리 정해진 표시 영역 내의 복수의 화소 각각의 색을 제어하여, 사용자가 표시 영역을 하나의 영상으로 인식하게 할 수 있다.
도 1에서는 디스플레이 장치(100)가 하단에 장착된 스탠드(102)에 의해 지지되는 경우를 예시한다. 이와는 달리, 디스플레이 장치(100)가 브라켓 등에 의해 벽에 설치되는 것도 가능하다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110), 지지부재(150), 섀시(160), 하우징(170: 171, 172)을 포함할 수 있다.
하우징(170)은 디스플레이 장치(100)의 외관을 형성하며, 베젤(171)과 커버(172)를 포함할 수 있다. 베젤(171)과 커버(172)는 상호 결합하여, 수용 공간을 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 수용 공간 내에는 디스플레이 패널(110), 지지부재(150) 및 섀시(160)등이 배치될 수 있다.
지지부재(150)는 베젤(171)과 커버(172) 사이에 배치된 디스플레이 패널(110), 및 섀시(160)를 지지할 수 있다. 이를 위해, 지지부재(150)는 베젤(171)에 분리 가능하게 결합될 수 있고, 그 결과 디스플레이 패널(110) 및 섀시(160)를 고정시킬 수 있다.
섀시(160)는 영상 표시 및 사운드 출력에 필요한 각종 부품을 연결하는 패널로, 새시(160)에는 각종 인쇄 회로 기판, 입출력 장치 등이 마련될 수 있다. 이를 위해 섀시(160)는 방열과 강도가 우수한 금속으로 구성될 수 있다.
디스플레이 패널(110)은 사용자가 영상을 시각적으로 인식할 수 있도록, 외부로부터 수신하거나 디스플레이 장치(100) 내부에서 생성된 영상 신호에 대응되는 주파수의 광을 방출하는 패널을 의미할 수 있다.　
이를 위해, 디스플레이 패널(110)은 스캔 라인(111b)과 데이터 라인(111a)이 교차함으로써 마련되는 전극 패턴(111)이 형성되는 기판, 및 기판의 전극 패턴(111)에 접착되는 복수의 발광 다이오드 소자(300)를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 일면에는 데이터 라인(D1-Dm), 스캔 라인(S1-Sn) 및 복수의 서브 화소 영역(P) 내의 서브 화소 회로가 전극 패턴으로서 마련될 수 있다. 여기서, 서브 화소 영역(P)이란 데이터 라인(D1-Dm)과 스캔 라인(S1-Sn)의 교차 지점에 인접하여, 서브 화소 회로가 마련되는 영역을 의미할 수 있다.
데이터 라인(D1-Dm)은 영상 신호를 나타내는 데이터 신호를 서브 화소 영역(P) 내의 서브 화소 회로로 전달하며, 스캔 라인(S1-Sn)은 스캔 신호를 화소 영역(P) 내의 서브 화소 회로로 전달할 수 있다.
행 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인(S1-Sn) 각각은 주사 구동부(130)에 의해 스캔 신호가 순차적으로 인가되고, 열 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인(D1-Dm) 각각은 데이터 구동부(140)에 의해 영상 신호에 대응되는 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있다.
이 때, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)는 디스플레이 패널(110)에 전기적으로 연결되거나, 디스플레이 패널(110)에 접착되어 전기적으로 연결되는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 이와는 달리, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)가 디스플레이 패널(110)에 접착되어 전기적으로 연결되는 가요성 인쇄 회로(Flexible Printed Circuit, FPC) 또는 필름(Film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있다. 뿐만 아니라, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)는 디스플레이 패널의 기판 위에 직접 장착될 수도 있다.
도 4는 도 3의 서브 화소 영역(P) 내의 서브 화소 회로를 나타내는 등가 회로도이다. 구체적으로, 도 4는 첫 번째 스캔 라인(S1) 및 첫 번째 데이터 라인(D1)에 의해 구동되는 서브 화소 회로를 예시한다.
도 4를 참조하면, 서브 화소 회로는 발광 다이오드 소자(LED), 2개의 트랜지스터(M1, M2) 및 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 복수의 트랜지스터(M1, M2)는 PMOS형 트랜지스터로 마련될 수 있다. 다만, 이와 같은 회로 구성은 서브 화소 회로의 일 실시 예에 불과하므로, 서브 화소 회로가 예시된 도 4의 회로 구성에 한정되는 것은 아니다.
스위칭 트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 스캔 라인(Sn)에 연결되고, 소스 전극이 데이터 라인(Dm)에 연결되고, 드레인 전극은 캐패시터(Cst)의 일단 및 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결되며, 커패시터(Cst)의 타단은 전원 전압(VDD)에 연결될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)의 소스 전극이 전원 전압(VDD)에 연결되고, 드레인 전극은 발광 다이오드 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)에 연결되고, 발광 다이오드 소자(LED)의 캐소드(Cathode; 390)는 기준 전압(VSS)에 연결되어, 구동 트랜지스터(M1)로부터 인가되는 전류에 기초하여 발광할 수 있다. 이 때, 발광 다이오드 소자(LED)의 캐소드(Cathode; 390)에 연결되는 기준 전압(VSS)은 전원 전압(VDD)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압 등이 사용될 수 있다.
이와 같은 서브 화소 회로의 동작은 다음과 같다. 먼저, 스캔 라인(Sn)에 스캔 신호가 인가되어 스위칭 트랜지스터(M2)가 온(On)되면, 데이터 전압이 캐패시터(Cst)의 일단 및 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 전달될 수 있다. 그 결과, 캐패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)은 일정 기간 유지될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)는 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(ILED)를 발광 다이오드 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)에 인가함으로써 발광 다이오드 소자(LED)를 발광시킬 수 있다.
이 때, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 높은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 낮아져 적은 량의 전류(ILED)가 발광 다이오드 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)로 인가되어, 발광 다이오드 소자(LED)가 적게 발광함으로써 낮은 계조를 표시할 수 있다. 반면, 낮은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 높아져, 다량의 전류(ILED)가 발광 다이오드 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)로 인가되고, 발광 다이오드 소자(LED)는 많이 발광함으로써 높은 계조를 표시할 수 있다. 이처럼, 서브 화소 회로 각각에 인가되는 데이터 전압(VDATA)의 레벨은 표시될 영상에 기초하여 결정될 수 있다.
이와 같은 서브 화소 영역(P) 단면의 일 실시 예는 도 5와 같다. 도 5에서는 두 개의 트랜지스터(200) 및 두 개의 트랜지스터(200) 중 하나가 발광 다이오드 소자(300)와 연결된 예를 도시한다.
기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
표시되는 영상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 반면, 표시되는 영상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다.
금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(101) 상에는 버퍼층(111)이 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(101)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(111) 상에 트랜지스터(200) 및 발광 다이오드 소자(300)가 구비될 수 있다.
트랜지스터(200)는 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)을 포함할 수 있다. 활성층(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 가질 수 있다. 게이트 전극(220)은 채널 영역에 대응하게 활성층(210) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)은 활성층(210)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 활성층(210)과 게이트 전극(220) 사이에는 게이트 절연막으로서 무기 절연 물질로 형성된 제1 절연층(113)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)과 소스 전극(230a)/드레인 전극(230b) 사이에는 층간 절연막으로서 제2 절연층(115)이 배치될 수 있다. 소스 전극(230a)/드레인 전극(230b) 상에는 평탄화막으로서 제3 절연층(117)이 배치된다. 제2 절연층(115) 및 제3 절연층(117)은 유기 절연 물질, 또는 무기 절연 물질로 형성될 수 있으며, 유기 절연 물질과 무기 절연 물질을 교번하여 형성할 수도 있다.
도 5에서는 트랜지스터(200)가 게이트 전극이 활성층의 상부에 배치된 탑 게이트 타입(Top Gate Type)으로 구현되는 경우를 예시하였지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 게이트 전극은 활성층의 하부에 배치될 수도 있다.
제3 절연층(117) 상에는 서브 화소 영역(P)을 정의하는 뱅크(400)가 배치될 수 있다. 뱅크(400)는 발광 다이오드 소자(300)가 수용될 오목부(430)를 포함한다. 뱅크(400)의 높이는 발광 다이오드(300)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부(430)의 크기(폭)는 디스플레이 장치(100)의 해상도, 화소 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시 예에서, 뱅크(400)의 높이보다 발광 다이오드(300)의 높이가 더 클 수 있다. 도 2에는 오목부(430)가 사각형인 예를 도시하고 있으나, 본 발명의 실시 예들은 이에 한정되지 않고, 오목부(430)는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
오목부(430)의 측면 및 저면, 오목부(430) 주변의 뱅크(400)의 상면을 따라 신호 전극(510)이 배치될 수 있다. 신호 전극(510)은 제3 절연층(117)에 형성된 비아홀을 통해 트랜지스터(200)의 소스 전극(230a) 또는 드레인 전극(230b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5에서는 신호 전극(510)이 드레인 전극(230b)과 전기적으로 연결되는 경우를 예시한다.
뱅크(400)는 광 투과율이 낮은 광 차단부로 기능하여 발광 다이오드 소자(300)의 측면으로 방출되는 광을 차단함으로써, 인접한 발광 다이오드 소자(300)에서 발생하는 광들의 혼색을 방지할 수 있다. 또한, 뱅크(400)는 외부로부터 입사되는 광을 흡수 및 차단하여 디스플레이 장치(100)의 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 뱅크(400)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란 물질을 포함할 수 있다.
뱅크(400)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 뱅크(400)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 또는 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와는 달리, 뱅크(400)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시 예에서, 뱅크(400)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서 뱅크(400)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
뱅크(400)의 오목부(430)에 발광 다이오드 소자(300)가 배치될 수 있다. 발광 다이오드(300)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 개시된 발명의 실시 예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드 소자에도 적용될 수 있다. 발광 다이오드 소자(300)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(101)에 전사됨으로써 기판(101)의 오목부(430)에 수용될 수 있다. 일 실시 예에서, 발광 다이오드 소자(300)는 뱅크(400) 및 제1 전극(510)이 형성된 후 기판(101)의 오목부(430)에 수용될 수 있다. 발광 다이오드 소자(300)는 자외광으로부터 가시광까지의 파장 영역에 속하는 소정 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 소자(300)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다.
발광 다이오드 소자(300)는 p-n 다이오드, 애노드(310) 및 캐소드(390)를 포함할 수 있다. 애노드(310) 및/또는 캐소드(390)는 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 애노드(310)는 신호 전극(510)과 전기적으로 연결되고, 캐소드(390)는 공통 전극(530)과 전기적으로 연결될 수 있다. p-n 다이오드는 애노드(310) 측의 p-도핑부(330), 하나 이상의 양자 우물부(350) 및 캐소드(390) 측의 n-도핑부(370)를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 캐소드(390) 측의 도핑부가 p-도핑부(330)이고, 애노드(310) 측의 도핑부가 n-도핑부(330)일 수도 있다.
패시베이션층(520)은 오목부(430) 내의 발광 다이오드 소자(300)를 둘러싸도록 마련될 수 있다. 패시베이션층(520)은 뱅크(400)와 발광 다이오드 소자(300)를 커버할 수 있다. 패시베이션층(520)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 디스플레이 장치(100)에 포함된 발광 다이오드 소자(300) 각각은 고유한 색을 방출할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(100)는 적색 광을 방출하는 발광 다이오드 소자(300R)를 포함하는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광을 방출하는 발광 다이오드 소자(300G)를 포함하는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광을 방출하는 발광 다이오드 소자(300B)를 포함하는 서브 화소 영역(SP)을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(100)는 서로 인접하는 적색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP)을 하나의 화소 영역으로 그룹화하고, 하나의 화소 영역(P)에서 발생되는 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광의 혼합함으로써 해당 화소가 나타내는 하나의 색을 결정할 수 있다. 이 때, 하나의 화소 영역(P)에 속하는 복수의 발광 다이오드 소자(300R, 300G, 300B) 각각은 서로 다른 신호 전극(510R, 510G, 510B)과 연결되고, 하나의 공통 전극(530)을 공유하도록 마련될 수 있다.
만약, 화소 영역(P)에서 정상적인 색의 광을 방출하지 못할 경우, 해당 화소 영역(P) 내의 복수의 발광 다이오드 소자 중 불량의 발광 다이오드 소자를 대신할 정상의 발광 다이오드 소자를 기판 상에 접착할 필요가 있다. 이를 위해, 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)이 여분의 영역(이하, 대체 가능 영역 이라 함)을 갖도록 기판 상에 전극 패턴이 마련될 수 있다.
그러나, 상술한 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)의 대체 가능 영역은 블랙 매트릭스에 의해 차단되지 않도록 마련되어야 하므로, 화소 영역(P) 내의 블랙 매트릭스에 의한 차단 영역이 감소할 수 있다. 그 결과, 기판(101) 상의 패턴과 같은 금속에 의한 반사와 같은 의도치 않은 광의 누설이 발생되어, 디스플레이 장치(100)의 명암비(Contrast Ratio)가 감소하고, 검은색의 시인성이 감소할 수 있다.
또한, 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)의 대체 가능 영역이 마련될 수 있는 공간을 확보하기 위해, 동일 화소 영역(P) 내의 서브 화소 영역(SP) 간의 거리가 멀어질 수 있다. 이에 따라, 각각의 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광 간의 혼색 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 하나의 화소 영역(P) 내에 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)이 제한된 공간 내에 효율적으로 배치될 필요가 있다. 이하에서는, 하나의 화소 영역(P) 내의 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)이 마련되는 여러 가지 실시 예를 설명한다.
도 6은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이고, 도 7은 개시된 발명의 다른 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이다. 도 6 및 7에서는 적색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP)이 삼각형 구조를 이루는 화소 영역(P)을 전제로 설명한다.
도 6을 참조하면, 디스플레이 패널(110) 상의 하나의 화소 영역(P) 내에는 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 애노드(310)와 연결되는 제 1 신호 전극(510R), 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 애노드(310)와 연결되는 제 2 신호 전극(510G), 및 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 애노드(310)와 연결되는 제 3 신호 전극(510B)과, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 캐소드(390), 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 캐소드(390), 및 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 캐소드(390) 모두와 연결되는 하나의 공통 전극(530)이 마련될 수 있다.
이 때, 공통 전극(530)은 제 1 신호 전극(510R)의 일 단, 제 2 신호 전극(510G)의 일 단, 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단을 둘러싸도록 마련될 수 있다. 구체적으로, 제 1 신호 전극(510R)의 일 단에 마련되는 단부(510Rx), 제 2 신호 전극(510G)의 일 단에 마련되는 단부(510Gx), 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단에 마련되는 단부(510Bx)는 공통 전극(530)에 의해 둘러싸일 수 있다.
도 6을 참조하면, 공통 전극(530)은 제 1 신호 전극(510R)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸고, 제 2 신호 전극(510G)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸며, 제 3 신호 전극(510B)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸는 것을 확인할 수 있다.
그 결과, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 6에서는 적색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300Rk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ra, 300Rb, 및 300Rc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 6에서는 녹색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300Gk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ga, 300Gb, 및 300Gc이 마련되는 경우를 예시한다.
뿐만 아니라, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300Bk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 6에서는 청색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300BGk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ba, 300Bb, 및 300Bc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)은 일 단의 폭이 그 이외의 영역의 폭보다 클 수 있다. 구체적으로, 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단에 마련된 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx)의 폭이 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx)로부터 연장되는 연결부(510Ry, 510Gy, 510By)의 폭보다 클 수 있다.
도 6을 참조하면, 제 1 신호 전극(510R)의 단부(510Rx)의 폭 W2는 제 1 신호 전극(510R)의 연결부(510Ry)의 폭 W1 보다 크도록 마련될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)의 단부(510Gx, 510Bx)의 폭 또한 연결부(510Gy, 510By)의 폭보다 크도록 마련될 수 있다. 이를 통해, 신호 전극의 단부(510Rx, 501Gx, 510Bx)에 복수의 발광 다이오드 소자(300R, 300G, 300B)가 연결될 수 있는 충분한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다.
상술한 바와 같이 신호 전극(510R, 510G, 510B)과 공통 전극(530)이 마련되는 경우, 블랙 매트릭스에 의한 차단 영역의 감소를 최소화 할 수 있고, 그 결과, 디스플레이 장치의 명암비 감소 또한 최소화 할 수 있다. 아울러, 서브 화소 영역(SP) 간의 간격의 최소화함으로써 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
도 6은 공통 전극(530)이 제 1 신호 전극(510R)의 일 단, 제 2 신호 전극(510G)의 일 단, 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단을 둘러싸도록 마련되는 경우를 예시하였다. 이와는 달리, 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B) 각각이 공통 전극(530)의 일 단을 둘러싸도록 마련될 수도 있다.
구체적으로, 공통 전극(530)의 일 단으로부터 분할된 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각은 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)에 의해 둘러싸일 수 있다.
도 7을 참조하면, 일 단이 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx)로 분할되는 공통 전극(530)이 마련될 수 있다. 분할된 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 중 제 1 단부(530Rx)를 제 1 신호 전극(510R)이 둘러싸고, 분할된 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 중 제 2 단부(530Gx)를 제 2 신호 전극(510G)이 둘러싸고, 분할된 세 개의 단부 중 제 3 단부(530Bx)를 제 3 신호 전극(510B)이 둘러싸도록 마련될 수 있다.
그 결과, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 7에서는 적색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300Rk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ra, 300Rb, 및 300Rc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 7에서는 녹색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300Gk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ga, 300Gb, 및 300Gc이 마련되는 경우를 예시한다.
뿐만 아니라, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300Bk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 7에서는 청색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역(300BGk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ba, 300Bb, 및 300Bc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 공통 전극(530)의 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각은 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx)로부터 하나로 연장되는 연결부(530y)의 폭보다 클 수 있다. 도 7을 참조하면, 공통 전극(530)의 제 1단부(530Rx)의 폭 W4는 연결부(530y)의 폭 W3 보다 크도록 마련될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제 2 단부(530Gx), 및 제 3 단부(530Bx)의 폭 또한 연결부(530y)의 폭보다 크도록 마련될 수 있다. 이를 통해, 공통 전극(530)의 복수의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각에 발광 다이오드 소자가 연결될 수 있는 충분한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다.
도 7의 경우에도 도 6과 마찬가지로, 디스플레이 장치(100)의 명암비 감소를 최소화 할 수 있고, 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
한편, 불량의 발광 다이오드 소자가 발견됨에 따라 추가적으로 정상의 발광 다이오드 소자를 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)에 연결하는 경우, 불량의 발광 다이오드 소자로의 데이터 신호 누설이 발생될 수 있다. 그 결과, 정상의 발광 다이오드 소자가 원하는 세기의 광을 방출하지 못할 수 있다.
따라서, 불량의 발광 다이오드 소자로의 누설 전류 차단을 위해, 화소 영역(P) 내에 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)을 마련할 필요가 있다. 이하에서는, 누설 전류 차단을 위한 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)이 마련되는 실시 예를 설명한다.
도 8은 개시된 발명의 또 다른 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극이 마련되는 화소 영역의 평면도이고, 도 9a 및 9b는 도 8의 화소 영역 상에서 누설 전류를 차단하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8에서는 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B) 각각의 일 단을 하나의 공통 전극(530)이 둘러싸도록 마련되는 화소 영역(P)을 예시한다. 도 8을 참조하면, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 애노드(310)는 제 1 신호 전극(510R)의 일 단과 연결되고, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 캐소드(390)는 공통 전극(530)과 연결될 수 있다. 또한, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 애노드(310)는 제 2 신호 전극(510G)의 일 단과 연결되고, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 캐소드(390)는 공통 전극(530)과 연결될 수 있다. 아울러, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 애노드(310)는 제 3 신호 전극(510B)의 일 단과 연결되고, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 캐소드(390)는 공통 전극(530)과 연결될 수 있다.
이 때, 테스트 결과 비 정상의 광을 방출하는 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)가 불량으로 판단되는 경우, 적색 발광 다이오드 소자의 대체 가능 영역에 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro)가 새롭게 마련될 수 있다.
도 9a를 참조하면, 불량의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)를 대신하기 위해 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro)가 추가적으로 마련될 수 있다. 이 경우, 데이터 신호가 제 1 신호 전극(510R)에 인가되면, 제 1 신호 전극(510R)에 연결된 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro) 뿐만 아니라, 불량의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)로도 데이터 신호가 흐를 수 있다. 도 9a에서 화살표는 데이터 신호의 진행 방향을 나타낸다.
그 결과, 데이터 신호 전부가 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro)로 공급되지 않고, 일부가 불량의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)로 흐르는 데이터 신호 누설이 발생할 수 있다. 데이터 신호 누설에 따라 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro)는 최초 의도한 적색 광을 방출하지 못하므로, 사용자에게 의도하는 색을 제공할 수 없다.
따라서, 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 신호 전극(510)의 일 단은 환형으로 마련될 수 있다. 신호 전극(510)의 일 단이 환형으로 마련되면, 추가적으로 정상의 발광 다이오드 소자를 신호 전극(510)에 연결한 이후, 불량의 발광 다이오드 소자로 데이터 신호가 공급되는 경로를 차단하기에 용이할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Ro)를 환형의 단부(510Rx)를 포함하는 제 1 신호 전극(510R)과 연결한 후, 불량의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)로 데이터 신호가 누설되는 경로를 차단하기 위해, 제 1 신호 전극(510R)은 절연부(511R)를 마련할 수 있다.
절연부(511R)는 제 1 신호 전극(510R)의 누설 경로 상의 연결을 끊거나, 제 1 신호 전극(510R)의 누설 경로 상에 전류의 흐름을 차단하는 물질을 부가함으로써 마련될 수 있다.
이를 통해, 불량의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)로의 데이터 신호 누설 없이, 정상의 적색 발광 다이오드 소자(300Rf)에 데이터 신호가 정상적으로 공급될 수 있다.
지금까지는 하나의 화소 영역(P)을 구성하는 복수의 서브 화소 영역(SP)이 삼각형 구조를 이루는 것을 전제로 설명하였다. 이와는 달리, 화소 영역(P)을 구성하는 복수의 서브 화소 영역(SP)이 일 방향으로 배열되는 것도 가능할 수 있다.
이하에서는 도 10a 및 10b를 참조하여 일 방향으로 배열되는 복수의 서브 화소 영역(SP)을 포함하는 화소 영역(P)의 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)의 배치 구조를 설명한다.
도 10a 및 10b는 개시된 발명의 여러 가지 실시 예에 따른 신호 전극 및 공통 전극(530)이 마련되는 화소 영역의 평면도이다.
도 10a는 좌측으로부터 우측으로 녹색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 적색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP)이 순차적으로 배열되는 화소 영역(P)을 예시한다.
복수의 서브 화소 영역(SP)이 삼각형 구조를 이루는 경우와 마찬가지로, 복수의 서브 화소 영역(SP)이 일 방향으로 배열되는 경우에도, 공통 전극(530)의 복수의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각을 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)이 둘러싸도록 마련될 수 있다.
그 결과, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10a에서는 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ra, 300Rb, 및 300Rc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10a에서는 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ga, 300Gb, 및 300Gc이 마련되는 경우를 예시한다.
뿐만 아니라, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300Bk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10a에서는 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300BGk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ba, 300Bb, 및 300Bc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 공통 전극(530)의 세 개의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각은 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx)로부터 하나로 연장되는 연결부(530y)의 폭보다 클 수 있다. 도 10a를 참조하면, 공통 전극(530)의 제 2단부(530Gx)의 폭 W6는 연결부(530y)의 폭 W5 보다 크도록 마련될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제 1 단부(530Rx), 및 제 3 단부(530Bx)의 폭 또한 연결부(530y)의 폭보다 크도록 마련될 수 있다. 이를 통해, 공통 전극(530)의 복수의 단부(530Rx, 530Gx, 530Bx) 각각에 발광 다이오드 소자가 연결될 수 있는 충분한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다.
도 10a의 경우에도 상술한 다른 실시 예와 마찬가지로, 디스플레이 장치(100)의 명암비 감소를 최소화 할 수 있고, 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
도 10a는 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B) 각각이 공통 전극(530)의 일 단을 둘러싸도록 마련되는 경우를 예시하였다. 이와는 달리, 공통 전극(530)이 제 1 신호 전극(510R)의 일 단, 제 2 신호 전극(510G)의 일 단, 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단을 둘러싸도록 마련될 수도 있다.
도 10b을 참조하면, 하나의 화소 영역 내에는 적색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP)이 일 방향으로 배열될 수 있다.
이 때, 공통 전극(530)은 제 1 신호 전극(510R)의 단부(510Rx), 제 2 신호 전극(510G)의 단부(510Gx), 및 제 3 신호 전극(510B)의 단부(510Bx)를 둘러싸도록 마련될 수 있다. 도 10b를 참조하면, 공통 전극(530)은 제 1 신호 전극(510R)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸고, 제 2 신호 전극(510G)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸며, 제 3 신호 전극(510B)의 일 단을 U-Type으로 둘러싸는 것을 확인할 수 있다.
그 결과, 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10b에서는 적색 발광 다이오드 소자(300R)의 대체 가능 영역(300Rk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ra, 300Rb, 및 300Rc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10b에서는 녹색 발광 다이오드 소자(300G)의 대체 가능 영역(300Gk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ga, 300Gb, 및 300Gc이 마련되는 경우를 예시한다.
뿐만 아니라, 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300Bk)이 다수 개 마련될 수 있다. 도 10b에서는 청색 발광 다이오드 소자(300B)의 대체 가능 영역(300BGk)으로서 3 개의 대체 가능 영역 300Ba, 300Bb, 및 300Bc이 마련되는 경우를 예시한다.
또한, 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단의 폭이 그 이외의 영역의 폭보다 클 수 있다. 구체적으로, 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)의 일 단에 마련된 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx)의 폭이 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx)로부터 연장되는 연결부(510Ry, 510Gy, 510By)의 폭보다 클 수 있다.
도 10b를 참조하면, 제 2 신호 전극(510G)의 단부(510Gx)의 폭 W8는 제 1 신호 전극(510R)의 연결부(510Gy)의 폭 W7 보다 크도록 마련될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제 1 신호 전극(510R), 및 제 3 신호 전극(510B)의 단부(510Rx, 510Bx)의 폭 또한 연결부(510Ry, 510By)의 폭보다 크도록 마련될 수 있다. 이를 통해, 신호 전극의 단부(510Rx, 501Gx, 510Bx)에 복수의 발광 다이오드 소자가 연결될 수 있는 충분한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다.
뿐만 아니라, 신호 전극(510R, 510G, 510B)의 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx)를 둘러 싸는 공통 전극(530) 중 동일한 화소 영역(P) 내의 복수의 신호 전극(510R, 510G, 510B)의 단부(510Rx, 510Gx, 510Bx) 사이에 배치되는 공통 전극(530)의 제 1 영역(530y1)의 폭이 동일한 화소 영역(P)의 양 측에 위치하는 공통 전극(530)의 제 2 영역(530y2)의 폭보다 클 수 있다.
도 10b를 참조하면, 제 1 신호 전극(510R)의 단부(510Rx)와 제 2 신호 전극(510G)의 단부(510Gx) 사이에 배치되는 공통 전극(530) 영역 및 제 1 신호 전극(510R)의 단부(510Rx)와 제 3 신호 전극(510B)의 단부(510Bx) 사이에 배치되는 공통 전극(530) 영역을 포함하는 제 1 영역(530y1)의 폭 W10은 화소 영역(P)의 양 측에 위치하는 공통 전극(530) 영역(구체적으로, 제 2 신호 전극(510G)의 단부(510Gx)의 일 측에만 인접한 공통 전극(530) 영역 및 제 3 신호 전극(510B)의 단부(510Bx)의 일 측에만 인접한 공통 전극(530) 영역을 포함함.)인 제 2 영역(530y2)의 폭 W9보다 크도록 마련될 수 있다. 이를 통해, 공통 전극(530)의 제 1 영역(530y1)에 복수의 발광 다이오드 소자가 연결될 수 있는 충분한 대체 가능 영역을 확보할 수 있다.
상술한 바와 같이 신호 전극(510R, 510G, 510B)과 공통 전극(530)이 마련되는 경우, 블랙 매트릭스에 의한 차단 영역의 감소를 최소화 할 수 있고, 그 결과, 디스플레이 장치(100)의 명암비 감소 또한 최소화 할 수 있다. 아울러, 서브 화소 영역(SP) 간의 간격의 최소화함으로써 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
도 10b의 경우에도 상술한 다른 실시 예와 마찬가지로, 디스플레이 장치(100)의 명암비 감소를 최소화 할 수 있고, 서브 화소 영역(SP)에서 방출되는 광의 혼색 불량을 방지할 수 있다.
도 11은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치 제조방법의 흐름도이다.
먼저, 기판(101)의 화소 영역(P)에 신호 전극(510)을 형성할 수 있다.(900) 여기서, 화소 영역(P)이란 데이터 신호가 전송되는 데이터 라인(111a) 및 스캔 신호가 전송되는 스캔 라인(111b)의 교차점에 형성되는 서브 화소 영역(SP) 중 인접하는 적색, 녹색, 및 청색에 대응되는 복수의 서브 화소 영역(SP)으로 구성되는 영역을 의미할 수 있다. 또한, 신호 전극(510)이란 구동 트랜지스터(M1)의 드레인 전극(230b)과 연결되어, 데이터 신호를 발광 다이오드 소자(300)에 전달하는 경로를 형성하는 전극을 의미할 수 있다.
그 다음, 형성된 신호 전극(510)의 일 단을 둘러싸도록 기판에 공통 전극(530)을 형성할 수 있다.(910) 여기서, 공통 전극(530)이란 발광 다이오드 소자(300)의 전원 전압(VDD)보다 낮은 레벨의 전압인 기준 전압(VSS)에 연결되는 전극으로서, 발광 다이오드 소자(300)에 접지를 제공할 수 있다.
마지막으로, 화소 영역(P) 상의 신호 전극(510) 및 공통 전극(530) 각각에 발광 다이오드 소자(300)의 애노드(310) 및 캐소드(390)를 연결할 수 있다.(920) 만약, 연결한 발광 다이오드 소자(300)가 불량으로 판단되면, 대체 가능 영역에 정상의 발광 다이오드 소자(300)를 추가적으로 연결함으로써 화소 영역(P)을 복구할 수 있다.
도 11은 신호 전극(510)의 일 단을 공통 전극(530)이 둘러싸는 경우에 대하여 설명하였으나, 공통 전극(530)의 일 단을 신호 전극(510)이 둘러싸도록 마련되는 것도 가능하다.
공통 전극(530) 및 신호 전극(510) 중 어느 하나가 다른 하나를 둘러싸도록 마련됨으로써, 추가적인 발광 다이오드 소자(300)의 연결이 가능한, 신호 전극(510)과 공통 전극(530)이 인접하는 대체 가능 영역을 충분히 확보할 수 있다.
100: 디스플레이 장치
101: 기판
110: 디스플레이 패널
200: 트랜지스터
300: 발광 다이오드 소자
300Rk, 300Gk, 300Bk: 대체 가능 영역
310: 애노드(Anode)
390: 캐소드(Cathode)
510: 신호 전극
511R: 절연부
530: 공통 전극
P: 화소 영역
SP: 서브 화소 영역

Claims (20)

  1. 스캔 신호가 전송되도록 제 1 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인, 데이터 신호가 전송되도록 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인, 및 상기 스캔 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수의 서브 화소 영역 중 인접하는 적어도 세 개로 구성되는 복수의 화소 영역이 일 면에 마련되는 기판; 및
    상기 데이터 신호에 따라 구동하도록 상기 복수의 화소 영역을 구성하는 상기 복수의 서브 화소 영역에 연결되는 복수의 발광 다이오드 소자; 를 포함하고,
    상기 화소 영역은,
    상기 연결된 발광 다이오드 소자에 상기 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 접지를 제공하는 공통 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련되는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 영역은,
    상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 대응되는 복수의 상기 신호 전극이 마련되고,
    상기 복수의 서브 화소 영역 모두에 의해 공유되는 하나의 상기 공통 전극이 마련되는 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 각각은,
    일 단에 마련되는 단부; 및
    상기 단부로부터 연장되는 연결부; 를 포함하는 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소 영역은,
    상기 복수의 신호 전극 각각의 상기 단부를 상기 하나의 공통 전극이 둘러싸도록 마련되어, 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드의 연결을 위한 대체 가능 영역이 형성되는 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는,
    상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖도록 마련되는 디스플레이 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는,
    환형으로 마련되는 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 각각의 단부는,
    복수의 발광 다이오드와 연결되는 경우, 상기 연결된 복수의 발광 다이오드 중 어느 하나로의 상기 데이터 신호 전송이 차단되도록 상기 환형의 단부의 상기 데이터 신호 전송 경로 상에 마련되는 절연부; 를 포함하는 디스플레이 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 하나의 공통 전극은,
    상기 서브 화소 영역의 수에 대응되도록 일 단이 분할된 복수의 단부; 및
    상기 복수의 단부로부터 하나로 연장되는 연결부; 를 포함하는 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 화소 영역은,
    상기 하나의 공통 전극의 상기 복수의 단부 각각을 상기 복수의 신호 전극 각각이 둘러싸도록 마련되여, 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드의 연결을 위한 대체 가능 영역이 형성되는 디스플레이 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 하나의 공통 전극의 복수의 단부 각각은,
    상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖도록 마련되는 디스플레이 장치.
  11. 기판의 일 면에 스캔 신호가 전송되도록 제 1 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인, 및 데이터 신호가 전송되도록 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인을 마련하는 단계;
    상기 스캔 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수의 서브 화소 영역 중 인접하는 적어도 세 개로 구성되는 복수의 화소 영역을 마련하는 단계; 및
    상기 복수의 화소 영역 각각을 구성하는 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 복수의 발광 다이오드 소자를 연결하는 단계; 를 포함하고,
    상기 복수의 화소 영역을 마련하는 단계는,
    상기 연결된 발광 다이오드 소자에 상기 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 상기 연결된 발광 다이오드 소자에 접지를 제공하는 공통 전극 중 어느 하나의 일 단을 다른 하나가 둘러싸도록 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 영역을 마련하는 단계는,
    상기 복수의 화소 영역 각각을 구성하는 상기 상기 복수의 서브 화소 영역 각각에 대응되는 복수의 상기 신호 전극을 마련하는 단계; 및
    상기 복수의 서브 화소 영역 모두에 의해 공유되는 하나의 상기 공통 전극을 마련하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극을 마련하는 단계는,
    일 단에 단부를 마련하는 단계; 및
    상기 단부로부터 연장되는 연결부를 마련하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나의 공통 전극을 마련하는 단계는,
    상기 복수의 신호 전극 각각의 상기 단부를 상기 하나의 공통 전극이 둘러싸도록 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 단부를 마련하는 단계는,
    상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖는 상기 단부를 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 단부를 마련하는 단계는,
    상기 단부를 환형으로 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 단부가 복수의 발광 다이오드와 연결되는 경우, 상기 연결된 복수의 발광 다이오드 중 어느 하나로의 상기 데이터 신호 전송이 차단되도록 상기 환형의 단부의 상기 데이터 신호 전송 경로 상에 절연부를 마련하는 단계; 를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 하나의 공통 전극을 마련하는 단계는,
    상기 서브 화소 영역의 수에 대응되도록 일 단이 분할된 복수의 단부를 마련하는 단계; 및
    상기 복수의 단부로부터 하나로 연장되는 연결부를 마련하는 단계; 를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극을 마련하는 단계는,
    상기 하나의 공통 전극의 상기 복수의 단부 각각을 상기 복수의 신호 전극 각각이 둘러싸도록 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 복수의 단부를 마련하는 단계는,
    상기 연결부의 폭보다 큰 폭을 갖는 상기 복수의 단부를 마련하는 디스플레이 장치의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11967670B2 (en) 2020-02-19 2024-04-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416248B (zh) * 2019-08-06 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR20210017674A (ko) * 2019-08-09 2021-02-17 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20200026781A (ko) * 2019-12-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2021226868A1 (zh) * 2020-05-13 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 驱动基板及其制作方法、显示装置
KR20220027376A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함한 표시 장치
KR20240018276A (ko) 2022-08-02 2024-02-13 엘지전자 주식회사 조리기기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110241040A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel semiconductor package with through silicon vias
US20120169222A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-05 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Field emission device and field emission display
KR20150119149A (ko) * 2013-03-15 2015-10-23 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 리던던시 스킴을 갖춘 발광 다이오드 디스플레이 및 통합 결함 검출 테스트를 갖는 발광 다이오드 디스플레이를 제작하는 방법
KR20170031969A (ko) * 2015-09-14 2017-03-22 루미마이크로 주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 투명 디스플레이 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432629B2 (ja) * 2004-06-07 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法
JP4983348B2 (ja) 2007-04-04 2012-07-25 豊田合成株式会社 発光装置
JP6001465B2 (ja) * 2013-01-25 2016-10-05 京セラ株式会社 サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9542638B2 (en) * 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9991423B2 (en) 2014-06-18 2018-06-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
JP6483246B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
KR102387784B1 (ko) * 2014-12-29 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 리페어 방법
KR102426691B1 (ko) * 2015-02-05 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160129185A (ko) * 2015-04-29 2016-11-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
GB2544728B (en) 2015-11-17 2020-08-19 Facebook Tech Llc Redundancy in inorganic light emitting diode displays
KR102482493B1 (ko) * 2015-10-28 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법과 리페어 방법
KR101789123B1 (ko) * 2015-11-17 2017-10-23 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리를 포함하는 디스플레이용 백라이트유닛 및 이를 포함하는 디스플레이
KR101845907B1 (ko) * 2016-02-26 2018-04-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 모듈을 포함하는 디스플레이 장치
CN206098444U (zh) 2016-07-22 2017-04-12 厦门市信达光电科技有限公司 一种多晶led封装支架及多晶led封装体
WO2018039906A1 (en) * 2016-08-30 2018-03-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Liquid crystal display panel, liquid crystal display apparatus, and controlling method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110241040A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel semiconductor package with through silicon vias
US20120169222A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-05 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Field emission device and field emission display
KR20150119149A (ko) * 2013-03-15 2015-10-23 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 리던던시 스킴을 갖춘 발광 다이오드 디스플레이 및 통합 결함 검출 테스트를 갖는 발광 다이오드 디스플레이를 제작하는 방법
KR20170031969A (ko) * 2015-09-14 2017-03-22 루미마이크로 주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 투명 디스플레이 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11967670B2 (en) 2020-02-19 2024-04-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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US11423826B2 (en) 2022-08-23
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