CN114156282A - 显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- 101710179734 6,7-dimethyl-8-ribityllumazine synthase 2 Proteins 0.000 description 9
- 101710186609 Lipoyl synthase 2 Proteins 0.000 description 9
- 101710122908 Lipoyl synthase 2, chloroplastic Proteins 0.000 description 9
- 101710101072 Lipoyl synthase 2, mitochondrial Proteins 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 241000232219 Platanista Species 0.000 description 4
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 101710179738 6,7-dimethyl-8-ribityllumazine synthase 1 Proteins 0.000 description 3
- 101710186608 Lipoyl synthase 1 Proteins 0.000 description 3
- 101710137584 Lipoyl synthase 1, chloroplastic Proteins 0.000 description 3
- 101710090391 Lipoyl synthase 1, mitochondrial Proteins 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
本公开关于一种显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,涉及显示技术领域。驱动背板包括衬底和设于衬底一侧的驱动层,驱动层具有像素区和位于像素区外的外围区;驱动层包括遮光层和驱动电路层,驱动层设于衬底一侧,且包括遮光部和第一连接线,遮光部至少部分位于像素区内;第一连接线位于外围区内,且围绕于遮光部外,并与遮光部的边缘连接;第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸;驱动电路层设于所述遮光层背离衬底的一侧,且包括多个像素电路,像素电路至少部分位于像素区内,且各像素电路包括驱动晶体管;驱动晶体管在衬底上的正投影与遮光部在衬底上的正投影至少部分重合。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法。
背景技术
显示面板已经广泛的应用于手机、计算机和电视等电子设备中。其中,采用有机发光二极管作为发光器件的有机电致发光显示面板较为常见。但是,现有的显示面板的功耗仍然较高,且存在容易受到静电干扰,从而影响画质。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示装置、显示面板、驱动背板及驱动背板的制造方法,可降低能耗并提升画质。
根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板,包括衬底和设于所述衬底一侧的驱动层,所述驱动层具有像素区和位于所述像素区外的外围区;所述驱动层包括:
遮光层,设于所述衬底一侧,且包括遮光部和第一连接线,所述遮光部至少部分位于所述像素区内;所述第一连接线位于所述外围区内,且围绕于所述遮光部外,并与所述遮光部的边缘连接;所述第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸;
驱动电路层,设于所述遮光层背离所述衬底的一侧,且包括多个像素电路,所述像素电路至少部分位于所述像素区内,且各所述像素电路包括驱动晶体管;
所述驱动晶体管在所述衬底上的正投影与所述遮光部在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述遮光部为多个遮挡线交叉形成的网状结构。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述遮挡线包括:
多个第一遮挡线,各所述第一遮挡线沿行方向延伸,且沿列方向间隔分布;至少一部分所述第一遮挡线与所述第一连接线连接;
多个第二遮挡线,各所述第二遮挡线沿所述列方向延伸,且沿所述行方向间隔分布,并与所述第一遮挡线交叉;至少一部分所述第二遮挡线与所述第一连接线连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述像素区包括:
主体区,至少部分所述像素电路设于所述主体区内,所述主体区的边界呈多边形,且具有多个侧边以及连接于相邻两所述侧边之间的倒角边;
过渡区,所述倒角边与所述第一连接线之间具有一过渡区;
部分所述遮挡线穿过所述过渡区与所述第一连接线连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,穿过所述过渡区的遮挡线包括所述第一遮挡线和所述第二遮挡线中的至少一种。
在本公开的一种示例性实施方式中,至少一部分所述遮挡线的两端均与所述第一连接线连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述像素区具有开孔区,所述开孔区设有贯穿所述遮光层的通孔;所述像素电路位于所述开孔区外;
所述遮光部位于所述开孔区外,且包括第二连接线,所述第二连接线位于所述开孔区内且至少部分围绕于所述通孔外,并与所述遮光部连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述像素区具有透光区,所述像素电路位于所述透光区外;
所述遮光部位于所述透光区外,且包括第二连接线,所述第二连接线位于所述透光区内且沿所述透光区的边界光滑延伸,并与所述遮光部连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动电路层还包括由所述外围区延伸至所述像素区内的第一电源线,所述第一电源线同时与所述驱动晶体管和所述遮光层连接。
根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板的制造方法,包括:
在衬底一侧形成驱动层,所述驱动层具有像素区和位于所述像素区外的外围区;形成所述驱动层包括:
在所述衬底一侧形成包括遮光部和第一连接线的遮光层,所述遮光部至少部分位于所述像素区内;所述第一连接线位于所述外围区内,且围绕于所述遮光部外,并与所述遮光部的边缘连接;所述第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸;
在所述遮光层背离所述衬底的一侧形成包括多个像素电路的驱动电路层,所述像素电路至少部分位于所述像素区内,且各所述像素电路包括驱动晶体管;所述驱动晶体管在所述衬底上的正投影与所述遮光部在所述衬底上的正投影至少部分重合。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:
上述任意一项所述的驱动背板;
多个发光器件,阵列分布于所述驱动电路层背离所述衬底的一侧,且一所述发光器件与一所述驱动晶体管连接。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,其特征在于,包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,可通过遮光层的遮光部对驱动晶体管进行遮挡,防止光线从衬底背离驱动层一侧照射至驱动晶体管,降低驱动晶体管因光照而出现漏电的风险,有利于降低功耗,提升画面的稳定性。同时,遮光层还可起到隔离外部静电的作用,由于第一连接线围绕且连接于遮光部外,且第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸,可防止因遮光部的边缘存在尖端而出现尖端放电,从而提高抗静电的效果,有利于提高画质和产品的可靠性。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施方式显示面板一实施方式的截面图。
图2为本公开实施方式驱动背板一实施方式中像素电路的电路图。
图3为本公开实施方式驱动背板一实施方式的各区域的分布示意图。
图4为本公开实施方式驱动背板一实施方式的仰视图。
图5为本公开实施方式驱动背板一实施方式中遮光层的俯视图。
图6为本公开实施方式驱动背板一实施方式中遮光部的俯视图。
图7为本公开实施方式驱动背板另一实施方式的仰视图。
图8为本公开实施方式驱动背板再一实施方式的仰视图。
图9为本公开实施方式驱动背板再一实施方式的仰视图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极与源极之间具有沟道区域,并且电流可以流过漏极、沟道区域以及源极。沟道区域是指电流主要流过的区域。
第一端可以为漏极、第二端可以为源极,或者第一端可以为源极、第二端可以为漏极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源极”和“漏极”可以互相调换。
本文中的行方向和列方向是指两个相互交叉的方向,例如:行方向可以是附图中的横向,列方向可为附图中的纵向,二者相互垂直。但是,这不应被视为是对行方向和列方向的限定,行方向不必然是指水平方向,列方向也不必然是竖直方向。本领域技术人员可以知晓的是,若显示面板发生旋转等位置变化,行方向和列方向的实际朝向可以发生改变。
本公开实施方式提供了一种驱动背板,如图1-图4所示,该驱动背板BP可包括衬底SU和设于衬底SU一侧的驱动层PN,驱动层PN具有像素区AA和位于像素区AA外的外围区WA;驱动层PN包括遮光层LS和驱动电路层PNL,其中:
遮光层LS设于衬底SU一侧,且包括遮光部LS1和第一连接线LS2,遮光部LS1至少部分位于像素区AA内;第一连接线LS2位于外围区WA内,且围绕于遮光部LS1外,并与遮光部LS1的边缘连接;第一连接线LS2沿光滑的环形轨迹延伸;
驱动电路层PNL,设于遮光层LS背离衬底SU的一侧,且包括多个像素电路,像素电路至少部分位于像素区AA内,且各像素电路包括驱动晶体管DT;
驱动晶体管DT在衬底SU上的正投影与遮光部LS1在衬底SU上的正投影至少部分重合。
本公开实施方式的驱动背板,可通过遮光层LS的遮光部LS1对驱动晶体管DT进行遮挡,防止光线从衬底SU背离驱动层PN一侧照射至驱动晶体管DT,降低驱动晶体管DT因光照而出现漏电的风险,有利于降低功耗,提升画面的稳定性。同时,遮光层LS还可起到隔离外部静电的作用,由于第一连接线LS2围绕且连接于遮光部LS1外,且第一连接线LS2沿光滑的环形轨迹延伸,可防止因遮光部LS1的边缘存在尖端而出现尖端放电,从而提高抗静电的效果,有利于提高画质和产品的可靠性。
下面对本公开实施方式驱动背板进行详细说明:
如图1、图3和图4所示,驱动背板BP可用于驱动其上的发光器件OLED发光,以显示图像。驱动背板BP可包括衬底SU和驱动层PN,驱动层PN设于衬底SU一侧,且具有用于驱动发光器件发光的驱动电路。同时,驱动层PN至少可划分为像素区AA和外围区WA,外围区WA可为围绕与像素区AA外的环形区域,也可以是不完全围绕像素区AA的U型或其它形状的区域,在此不做特殊限定。
衬底SU为平板结构,且其材料可为玻璃等硬质材料,也可以是聚酰亚胺等软质材料。衬底SU不限于单层结构,其还可以是多层结构,且多层结构中可包括材质不同的膜层。
驱动层PN可包括遮光层LS和驱动电路层PNL,驱动电路层PNL位于遮光层LS背离衬底SU的一侧,为了便于描述,下文中将现对驱动电路层PNL进行详细说明,再对遮光层LS进行详细说明。
驱动电路层PNL可设于衬底SU一侧且包括上述的驱动电路,驱动电路可包括像素电路和外围电路,其中,像素电路的数量为多个,且至少部分位于像素区AA内,且像素电路可用于驱动发光器件发光,像素电路可以是7T1C、6T1C等像素电路,只要能驱动发光器件发光即可,在此不对其结构做特殊限定。像素电路的数量与发光器件的数量相同,且一一对应地与各发光器件连接,以便分别控制各个发光器件发光。其中,nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容(用字母“C”表示)。当然,在本公开的其它实施方式中,同一像素电路也可以驱动多个发光器件。
外围电路位于外围区WA,且外围电路与像素电路连接,用于向像素电路输入驱动信号,以便控制发光器件发光。外围电路可包括发光控制电路、栅极驱动电路和源极驱动电路以及电源电路等。
像素电路的晶体管可包括驱动晶体管DT,驱动晶体管DT的第一端可用于接收第一电源信号,第二端用于与发光器件的第一极连接,发光器件的第二极可用于接收第二电源信号,驱动晶体管DT的控制端用于接收数据信号,可通过数据信号控制流过驱动晶体管DT的电流,从而通过该电流控制发光器件的发光的亮度。
下面以一种7T1C结构的像素电路为例,对像素电路的结构和驱动方法进行示例性说明:
如图2所示,像素电路可包括七个晶体管和一个存储电容,即驱动晶体管DT、第一晶体管T1至第六晶体管T6和存储电容Cst,其中:
第一晶体管T1的控制端可用于接收写入控制信号Scan,第一端用于接收数据信号Vdata,第二端与驱动晶体管DT的第一端连接。
第二晶体管T2的控制端用于接收写入控制信号Scan,第一端与驱动晶体管DT的第二端连接,第二端与驱动晶体管DT的控制端连接。
第三晶体管T3的控制端用于接收发光控制信号EM,第一端用于接收第一电源信号VDD,第二端与驱动晶体管DT的第一端连接。
第四晶体管T4的控制端用于接收第一复位控制信号Reset1,第一端用于接收第一复位信号Vinit1,第二端与驱动晶体管DT的控制端连接。
第五晶体管T5的控制端用于接收第二复位控制信号Reset2,第一端用于接收第二复位信号Vinit2,第二端与发光器件的第一端连接。
第六晶体管T6的控制端用于接收发光控制信号EM,第一端与驱动晶体管DT的第二端连接,第二端与发光器件的第一端连接,发光器件的第二端用于接收第二电源信号VSS。
存储电容Cst的第一极板与第三晶体管T3的第一端连接,用于输入第一电源信号VDD,第二极板与驱动晶体管DT的控制端连接。
上述的驱动晶体管DT、第一晶体管T1至第六晶体管T6均为P型薄膜晶体管;第一电源信号VDD为高电平信号,第二电源信号VSS为低电平信号;发光器件为有机发光二极管,其第一端为有机发光二极管的阳极,第二端为有机发光二极管的阴极。驱动晶体管DT、第一晶体管T1至第六晶体管T6均在低电平时导通,高电平时关断。
上述的像素电路的驱动方法可包括:
在复位阶段:向第四晶体管T4的控制端传输第一复位信号Reset1,向第五晶体管T5的控制端传输第二复位信号Reset2,以导通第四晶体管T4和第五晶体管T5;同时,关断第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第六晶体管T6,通过第四晶体管T4向驱动晶体管DT的控制端传输第一复位信号Vinit1,并通过第五晶体管T5向发光器件的第一端传输第二复位信号Vinit2。第一复位信号Vinit1和第二复位信号Vinit2可以是电压相同的信号。
在数据写入阶段:导通第一晶体管T1和第二晶体管T2,关断第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6,以将数据信号Vdata经过第一晶体管T1、驱动晶体管DT和第二晶体管T2传输至驱动晶体管DT的控制端。
在发光阶段:向第三晶体管T3和第六晶体管T6的控制端传输发光控制信号EM,导通第三晶体管T3和第六晶体管T6;同时,关断第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4和第五晶体管T5,以将驱动晶体管DT的第二端的信号向发光器件的第一端传输,以便控制发光器件发光。
下面以像素电路中的一个顶栅型薄膜晶体管为例,对驱动电路层PNL的结构进行示例性说明:
如图1所示,驱动电路层PNL可包括有源层ACT、第一栅绝缘层GI1、栅极Ga、第二栅绝缘层GI2、层间介质层ILD、源漏层SD和平坦层PLN,其中:
有源层ACT设于衬底SUSU一侧,且位于第一栅绝缘层GI1覆盖有源层ACT。栅极Ga设于第一栅绝缘层GI1背离衬底SUSU的表面,且与有源层ACT正对;第二栅绝缘层GI2覆盖栅极Ga和第一栅绝缘层GI1;层间介质层ILD覆盖第二栅绝缘层GI2;源漏层SD设于层间介质层ILD背离衬底SUSU的表面,且包括源极和漏极,源极和漏极通过接触孔连接于有源层ACT的两端;平坦层PLN覆盖源漏层SD和层间介质层ILD。当然,驱动电路层PNL还可包括其它膜层,只要能驱动发光器件发光即可,在此不再详述。
源漏层SD可包括第一电源线,第一电源线可有像素区AA延伸至外围区WA,并与外围电路连接,第一电源线可用于向像素电路输入第一电源信号VDD。
此外,驱动电路层PNL还可包括存储电容Cst的第一极板Cst1和第二极板Cst2,第一极板Cst1可与栅极Ga同层设置,第二极板Cst2可设于第二栅绝缘层GI2背离衬底SUSU的表面,且与第一极板Cst1正对,层间介质层ILD覆盖第二极板Cst2。
为了简化工艺,驱动电路层PNL的像素电路和外围电路的晶体管的有源层均位于同一层,各晶体管的栅极位于同一层。
如图1、图3和图4所示,遮光层LS可设于衬底SU一侧,例如,遮光层LS可直接层叠于衬底SU的一侧面,遮光层LS在平行于衬底SU的方向上连续导电,而不间断。同时,驱动层PN还可包括缓冲层BUF,其可覆盖遮光层LS,缓冲层BUF的材料可包括氮化硅、氧化硅等绝缘材料。驱动电路层PNL可设于缓冲层BUF背离衬底SU的表面。
如图1、图3和图4所示,遮光层LS可包括遮光部LS1和第一连接线LS2,其中:
遮光部LS1至少部分位于像素区AA内,遮光部LS1在衬底SU上的正投影与遮光部LS1在衬底SU上的正投影至少部分重合,从而可通过遮光部LS1阻挡从衬底SU背离衬底SU一侧入射的光线,防止这部分光线照射至驱动晶体管DT,引起驱动晶体管DT漏电或造成阈值电压等电学特性发生变化。举例而言:遮光部LS1在衬底SU上的正投影可与驱动晶体管DT的有源层在衬底SU上的正投影至少部分重合。遮光部LS1在衬底SU上的正投影可与驱动晶体管DT的有源层的沟道区在衬底SU上的正投影至少部分重合。为了最大程度的阻挡光线照射,可使驱动晶体管DT的有源层在衬底SU上的正投影完全位于遮光部LS1在衬底SU上的正投影内。
第一连接线LS2位于外围区WA内,且围绕于遮光部LS1外,并与遮光部LS1的边缘连接,使得第一连接线LS2和遮光部LS1连成一个连续的导体。第一连接线LS2可沿光滑的环形轨迹延伸,从而可包围遮挡部边缘的尖端,使得遮挡层作为一个导电的整体,其边缘没有尖端,有利于防止尖端放电,从而避免出现静电击穿,提高防静电的效果。
需要说明的是,第一连接线LS2位于外围区WA内包括第一连接线LS2与外围区WA与像素区AA的交界线重合的情况。
如图1、图3-图6所示,在本公开的一些实施方式中,遮光部LS1可为由多个遮挡线LSL交叉形成的网状结构,遮挡线LSL可用于为驱动晶体管DT遮挡光线,也就是说,驱动晶体管DT的有源层在衬底SU上的正投影位于遮光线在衬底SU上的正投影内。同时,该网状结构的遮光部LS1还可起到静电屏蔽的作用。至少一部分遮挡线LSL的端部可延伸至外围区WA内。
进一步的,至少一部分遮挡线LSL的两端均与第一连接线LS2连接,也就是说,至少一部分遮挡线LSL的两端均可延伸至外围区WA,并与第一连接线LS2连接。
为了形成上述的网状结构,如图4-9所示,在本公开的一些实施方式中,遮挡线LSL包括多个第一遮挡线LSL1和多个第二遮挡线LSL2,其中:
各第一遮挡线LSL1沿行方向延伸,且沿列方向间隔分布。至少一部分第一遮挡线LSL1与第一连接线LS2连接,从而由像素区AA延伸到外围区WA,且第一遮挡线LSL1的端部不伸出第一连接线LS2。
各第二遮挡线LSL2沿列方向延伸,且沿行方向间隔分布,并与第一遮挡线LSL1交叉。至少一部分第二遮挡线LSL2与第一连接线LS2连接,从而由像素区AA延伸到外围区WA,且第二遮挡线LSL2的端部不伸出第一连接线LS2。
第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2均可用于遮挡光线,驱动晶体管DT的有源层在衬底SU上的正投影位于第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2交叉的区域在衬底SU上的正投影以外,也就是说,驱动晶体管DT的有源层的位置与第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2的交叉处对应,从而通过交叉处遮挡光线。
在本公开的一些实施方式中,如图3-图9所示,驱动层PN的像素区AA可包括主体区AM和过渡区AS,其中:
至少部分像素电路设于主体区AM内,主体区AM的边界可呈多边形,例如四边形、五边形等。主体区AM可具有多个侧边LS1s,相邻两侧边LS1s通过一倒角边LS1d过渡连接,多个侧边LS1s中可包括沿行方向和列方向延伸的两种侧边LS1s,倒角边LS1d的长度可小于侧边LS1s。
每个倒角边LS1d与第一连接线LS2之间可具有一过渡区AS,也就是说,倒角边LS1d与第一连接线LS2之间具有一定的距离。同时,各个侧边LS1s可与第一连接线LS2重叠。
需要说明的是,侧边LS1s和倒角边LS1d并不是限定遮光部LS1的边界是连续的,其可以是遮光部LS1的边界上的不连续的多个点的连线。
部分遮挡线LSL可穿过过渡区AS与第一连接线LS2连接,也就是说,部分遮挡线LSL可穿过过渡区AS延伸至与第一连接线LS2连接,使得遮光部LS1的边沿与第一连接线LS2完全重叠,从而利用第一连接线LS2完全包覆遮光部LS1的边缘,避免遮光部LS1的边缘存在未被第一连接线LS2包覆的尖端。
第一连接线LS2对应于过渡区AS的区域可沿曲线延伸,对应于侧边LS1s的区域可沿直线延伸,直线延伸的部分与曲线延伸的部分光滑过渡连接。
遮挡线LSL穿过过渡区AS的方案有多种,穿过过渡区AS的遮挡线LSL可包括第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2中的至少一种。举例而言:
如图8所示,在本公开的一些实施方式中,穿过过渡区AS的遮挡线LSL可为第一遮挡线LSL1,也就是说,部分第一遮挡线LSL1沿行方向穿过过渡区AS延伸至外围区WA,并与第一连接线LS2连接。过渡区AS内不存在第二遮挡线LSL2。
如图9所示,在本公开的另一些实施方式中,穿过过渡区AS的遮挡线LSL可为第二遮挡线LSL2,也就是说,部分第二遮挡线LSL2沿列方向穿过过渡区AS延伸至外围区WA,并与第一连接线LS2连接。过渡区AS内不存在第一遮挡线LSL1。
如图5-图7所示,在本公开的再一些实施方式中,穿过过渡区AS的遮挡线LSL可为第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2,也就是说,部分第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2均穿过延伸至外围区WA,并与第一连接线LS2连接。过渡区AS内的第一遮挡线LSL1和第二遮挡线LSL2形成与主体区AM内相同的网状结构。
如图3、4-图9所示。在本公开的一些实施方式中,像素区AA可具有开孔区AH,开孔区AH设有贯穿遮光层LS的通孔H,通孔H露出衬底SU,通孔H的形状可以是圆形、腰圆形或者矩形等其它形状,在此不做特殊限定。驱动电路层PNL的各像素电路可位于开孔区AH外。像素区AA可围绕于开孔区AH外;或者,开孔区AH的边界的至少部分区域可与像素区AA的边界重合,使得像素区AA部分围绕于开孔区AH外。可在衬底SU背离驱动层PN的一侧对应于通孔H的区域设置摄像装置,摄像装置可通过通孔H拍摄图像。
遮光部LS1位于开孔区AH外,为了避免通孔H的边界存在尖端放电,遮光层LS还可包括第二连接线LS3,第二连接线LS3位于开孔区AH内且至少部分围绕于通孔H外,并与遮光部LS1连接,第二连接线LS3可沿开孔区AH的周向光滑延伸,因而,第二连接线LS3不存在尖端,可对遮光部LS1与开孔区AH的边界的尖端进行包覆,从而防止尖端放电。
在本公开的另一些实施方式中,像素区AA可具有透光区,像素电路可位于透光区外。衬底SU背离驱动层PN的一侧对应于透光区的区域可设置摄像装置,摄像装置可通过透光区拍摄图像,从而实现屏下摄像。
遮光部LS1位于透光区外,且包括第二连接线LS3,第二连接线LS3位于透光区内且沿透光区的边界光滑延伸,并与遮光部LS1连接。
此外,在本公开的一些实施方式中,可向遮光层LS输入一固定的电压,例如,第一电源线同时与驱动晶体管DT和遮光层LS连接,同时向驱动晶体管DT和遮光层LS输入第一电源电压VDD。当然,也可以向遮光层LS输入其它信号,只要是固定电压即可,以便起到屏蔽作用。
本公开提供一种驱动背板的制造方法,该制造方法可包括:
在衬底一侧形成驱动层,驱动层具有像素区和位于像素区外的外围区;形成驱动层包括:
在衬底一侧形成包括遮光部和第一连接线的遮光层,遮光部至少部分位于像素区内;第一连接线位于外围区内,且围绕于遮光部外,并与遮光部的边缘连接;第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸。
在遮光层背离衬底的一侧形成包括多个像素电路的驱动电路层,像素电路至少部分位于像素区内,且各像素电路包括驱动晶体管;驱动晶体管在衬底上的正投影与遮光部在衬底上的正投影至少部分重合。
本公开实施方式的制造方法制造的驱动背板可为上文任意实施方式的驱动背板,其具体结构和有益效果已在上文中进行了详细说明,具体可以参考驱动背板的实施方式,在此不再详述。
本公开实施方式还提供一种显示面板,如图1所示,该显示面板可包括上述任意实施方式的驱动背板BP和多个发光器件OLED,其中:
上文驱动背板BP的实施方式中已对其结构和有益效果进行了详细说明,在此不再赘述。
各发光器件OLED阵列分布于驱动电路层背离衬底SU的一侧,且一发光器件OLED与一驱动晶体管DT连接。例如,发光层OL设于平坦层PLN背离衬底SU的表面。各发光器件OLED可在像素电路PC的驱动下发光。
在本公开的一些实施方式中,发光器件OLED为有机发光二极管,其可包括沿背离衬底SU的方向依次层叠的第一电极ANO、发光功能层EL和第二电极CAT,其中:
第一电极ANO可设于平坦层PLN背离衬底SU的表面,且通过接触孔与一像素电路连接,举例而言,第一电极ANO可与第六晶体管T6连接。
如图1所示,发光功能层EL设于第一电极ANO背离衬底SU的表面,并可包括沿背离衬底SU的方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、复合发光层OL、电子传输层和电子注入层,此外,空穴传输层和复合发光层OL之间还可设置电子阻挡层。
如图1所示,第二电极CAT覆盖发光功能层EL,并可延伸至外围区,第二电极CAT可与电源信号端连接,以便接收第二电源信号VSS。第一电极ANO和第二电极CAT可共同作用,使发光器件OLED发光,有机发光二极管的具体发光原理在此不再详述。第二电极CAT的材料可以是镁(Mg)、银合金或其它材料。
如图1所示,为了便于限定出各个发光器件OLED的范围,显示面板还可包括像素定义层PDL,其可与第一电极ANO设于驱动层PN背离衬底SU的表面,且设有多个一一对应地露出各第一电极ANO的开口,发光功能层EL层叠于第一电极ANO位于开口内的区域上。每个发光器件OLED的发光功能层EL相互独立的间隔分布。不同发光功能层EL的发光颜色可以相同,也可以不同。第二电极CAT同时覆盖各发光功能层EL,使得各个发光器件OLED可共用同一第二电极CAT。通过上述的多个开口可限定出各个发光器件OLED,任一发光器件OLED的边界为其对应的开口的边界。
各发光器件OLED中包括多种发光颜色不同的发光器件OLED,例如,发红光的第一发光器件,发绿光的第二发光器件和发蓝光的第三发光器件。
如图1所示,在本公开的一些实施方式中,显示面板还可包括封装层,其可覆盖发光器件OLED,从而对发光器件OLED进行保护,并避免外界的水、氧对发光器件OLED造成侵蚀。同时,封装层TFE的边界沿延伸至外围区内,但不超出外围区,也可对外围区的外围电路进行保护。
如图1所示,在本公开的一些实施方式中,显示面板还可包括触控层,其可设于封装层背离衬底SU的一侧,即可采用FMLOC(Flexible Multi-Layer On Cell)的方式,用于感应触控操作。触控层可采用自容或互容式触控结构,在此不对其具体结构做特殊限定,只要能实现触控功能即可。
本公开实施方式还提供一种显示装置,该显示装置可包括上述任意实施方式的显示面板,上文显示面板的实施方式中已对其结构和有益效果进行了详细说明,本公开的显示装置的显示面板及有益效果可参考上文中显示面板的实施方式,在此不再赘述。
本公开的显示装置可以是手机、平板电脑等具有图像显示功能且需要进行指纹识别的电子设备,在此不再一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (12)
1.一种驱动背板,其特征在于,包括衬底和设于所述衬底一侧的驱动层,所述驱动层具有像素区和位于所述像素区外的外围区;所述驱动层包括:
遮光层,设于所述衬底一侧,且包括遮光部和第一连接线,所述遮光部至少部分位于所述像素区内;所述第一连接线位于所述外围区内,且围绕于所述遮光部外,并与所述遮光部的边缘连接;所述第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸;
驱动电路层,设于所述遮光层背离所述衬底的一侧,且包括多个像素电路,所述像素电路至少部分位于所述像素区内,且各所述像素电路包括驱动晶体管;
所述驱动晶体管在所述衬底上的正投影与所述遮光部在所述衬底上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述遮光部为多个遮挡线交叉形成的网状结构。
3.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述遮挡线包括:
多个第一遮挡线,各所述第一遮挡线沿行方向延伸,且沿列方向间隔分布;至少一部分所述第一遮挡线与所述第一连接线连接;
多个第二遮挡线,各所述第二遮挡线沿所述列方向延伸,且沿所述行方向间隔分布,并与所述第一遮挡线交叉;至少一部分所述第二遮挡线与所述第一连接线连接。
4.根据权利要求3所述的驱动背板,其特征在于,所述像素区包括:
主体区,至少部分所述像素电路设于所述主体区内,所述主体区的边界呈多边形,且具有多个侧边以及连接于相邻两所述侧边之间的倒角边;
过渡区,所述倒角边与所述第一连接线之间具有一过渡区;
部分所述遮挡线穿过所述过渡区与所述第一连接线连接。
5.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,穿过所述过渡区的遮挡线包括所述第一遮挡线和所述第二遮挡线中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,至少一部分所述遮挡线的两端均与所述第一连接线连接。
7.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述像素区具有开孔区,所述开孔区设有贯穿所述遮光层的通孔;所述像素电路位于所述开孔区外;
所述遮光部位于所述开孔区外,且包括第二连接线,所述第二连接线位于所述开孔区内且至少部分围绕于所述通孔外,并与所述遮光部连接;所述第二连接线沿所述开孔区的周向光滑延伸。
8.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述像素区具有透光区,所述像素电路位于所述透光区外;
所述遮光部位于所述透光区外,且包括第二连接线,所述第二连接线位于所述透光区内且沿所述透光区的边界光滑延伸,并与所述遮光部连接。
9.根据权利要求1-8任一项所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动电路层还包括由所述外围区延伸至所述像素区内的第一电源线,所述第一电源线同时与所述驱动晶体管和所述遮光层连接。
10.一种驱动背板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底一侧形成驱动层,所述驱动层具有像素区和位于所述像素区外的外围区;形成所述驱动层包括:
在所述衬底一侧形成包括遮光部和第一连接线的遮光层,所述遮光部至少部分位于所述像素区内;所述第一连接线位于所述外围区内,且围绕于所述遮光部外,并与所述遮光部的边缘连接;所述第一连接线沿光滑的环形轨迹延伸;
在所述遮光层背离所述衬底的一侧形成包括多个像素电路的驱动电路层,所述像素电路至少部分位于所述像素区内,且各所述像素电路包括驱动晶体管;所述驱动晶体管在所述衬底上的正投影与所述遮光部在所述衬底上的正投影至少部分重合。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求1-10任一项所述的驱动背板;
多个发光器件,阵列分布于所述驱动电路层背离所述衬底的一侧,且一所述发光器件与一所述驱动晶体管连接。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111442805.8A CN114156282A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114156282A true CN114156282A (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=80454857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111442805.8A Pending CN114156282A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114156282A (zh) |
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
WO2023207760A1 (zh) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
WO2023206160A1 (zh) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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2021
- 2021-11-30 CN CN202111442805.8A patent/CN114156282A/zh active Pending
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