CN114467186A - 显示装置的制造方法、插入基板及存储在可读介质中的计算机程序 - Google Patents

显示装置的制造方法、插入基板及存储在可读介质中的计算机程序 Download PDF

Info

Publication number
CN114467186A
CN114467186A CN202080066985.1A CN202080066985A CN114467186A CN 114467186 A CN114467186 A CN 114467186A CN 202080066985 A CN202080066985 A CN 202080066985A CN 114467186 A CN114467186 A CN 114467186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
leds
repair
led
light emitting
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080066985.1A
Other languages
English (en)
Inventor
金炳澈
郭度英
朴相武
吴旼燮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN114467186A publication Critical patent/CN114467186A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0045—Devices characterised by their operation the devices being superluminescent diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0343—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in solid form
    • H01L2224/03436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H01L2224/0344—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer by transfer printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种制造显示装置的方法，包括：执行第一修复过程，第一修复过程从设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管(LED)中检测第一缺陷LED并去除第一缺陷LED；将多个LED附接到插入基板的电极图案，并将蓝宝石基板与多个LED分离；以及执行第二修复过程，第二修复过程检测附接到电极图案的多个LED中的第二缺陷LED并替换第二缺陷LED。

Description

显示装置的制造方法、插入基板及存储在可读介质中的计算 机程序
技术领域
本公开涉及显示装置的制造方法，并且更具体地，涉及使用发光二极管提供图像的制造方法、用于显示装置的制造过程的插入基板、以及存储在可读介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序。
背景技术
显示装置可以被分类为每个像素自发光的发射型显示器或需要单独光源的非发射型显示器。
仍广泛使用的液晶显示器(LCD)是典型的非发射型显示器。由于非发射型显示器需要从显示面板的背面提供光的背光单元、用作通过光/阻挡光的开关的液晶层、以及将所提供的光改变为所需颜色的滤色器，因此它的结构复杂，并且在实现较薄厚度方面受到限制。
另一方面，由于每个像素通过具有针对每个像素的发光元件而发射光的发射型显示器不需要诸如背光单元、液晶层和滤色器之类的组件，它的结构简单，具有高设计自由度，并且可以实现较薄的厚度。此外，发射型显示器可以提供更好的对比率、亮度和视角。
微型发光二极管(微型LED，μLED)显示面板是平板显示器，并由均为100微米或更小的多个无机LED构成。与需要背光的液晶显示(LCD)面板相比，微型LED显示面板提供更好的对比度、响应时间和能量效率。有机LED和作为无机发光元件的微型LED二者都具有良好的能量效率，但微型LED在亮度和发光效率方面优于OLED，并具有更长的寿命。
发明内容
技术问题
提供了一种能够在制造显示装置的过程期间更准确地检测缺陷发光二极管并且使显示装置的缺陷率最小化的显示装置的制造方法。
问题的解决方案
根据本公开的一方面，提供了一种制造显示装置的方法，包括：执行第一修复过程，第一修复过程从设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管(LED)中检测第一缺陷LED并去除第一缺陷LED；将多个LED附接到插入基板的电极图案，并将蓝宝石基板与多个LED分离；以及执行第二修复过程，第二修复过程检测附接到电极图案的多个LED中的第二缺陷LED并替换第二缺陷LED。
该方法还可以包括：将附接到插入基板的电极图案的多个LED附接到载体基板，并将插入基板与多个LED分离；将附接到载体基板的多个LED转移到背板；以及执行第三修复过程，第三修复过程检测转移到背板的多个LED中的第三缺陷LED并修复与第三缺陷LED相对应的子像素。
第一修复过程可以包括通过执行光致发光(PL)检查来检测第一缺陷LED。
可以在插入基板的电极图案上方设置粘合材料，或者可以在施加到插入基板的粘合材料上设置电极图案。
将多个LED附接到插入基板的电极图案可以包括：将多个LED中的每一个的阳极连接到电极图案的第一电极；以及将多个LED中的每一个的阴极连接到电极图案的第二电极。
第二修复过程可以包括：基于第一缺陷LED在第一修复过程中被去除，将第一修复LED附接到插入基板的电极图案，并且然后执行电致发光(EL)检查。
第二修复过程还可以包括：基于通过执行EL检查而检测出第二缺陷LED，用第二修复LED替换第二缺陷LED。
背板可以包括设置有多个LED的主要区域、以及能够安装第三修复LED的修复区域。
背板可以包括：多个阳极焊盘，被配置为连接到多个LED的阳极；修复阳极焊盘；以及至少一个阴极焊盘，被配置为连接到多个LED的阴极并连接到第三修复LED的阴极。
第三修复过程可以包括：执行电致发光(EL)检查；以及将与第三缺陷LED相对应的第三修复LED安装在修复区域中。
第三修复过程还可以包括切割第三缺陷LED。
根据本公开的一方面，提供了一种插入基板，包括：基板；电极图案，设置在基板上，并且被配置为：连接到设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管(LED)，并向多个LED提供电力；以及粘合材料，被配置为提供用于将多个LED附接到电极图案的粘合力。
粘合材料可以设置在电极图案上方。
粘合材料可以设置在基板与电极图案之间。
电极图案可以包括：第一电极，被配置为连接到多个LED中的每一个的阳极；以及第二电极，被配置为连接到多个LED中的每一个的阴极。
根据本公开的一方面，提供存储计算机程序的非暂时性计算机可读记录介质，该计算机程序由计算设备执行以执行制造显示装置的方法，该方法包括：执行第一修复过程，第一修复过程从设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管(LED)中检测第一缺陷LED并去除第一缺陷LED；将多个LED附接到插入基板的电极图案，并将蓝宝石基板与多个LED分离；以及执行第二修复过程，第二修复过程检测附接到电极图案的多个LED中的第二缺陷LED并替换第二缺陷LED。
该方法还可以包括：将附接到插入基板的电极图案的多个LED附接到载体基板，并将插入基板与多个LED分离；将附接到载体基板的多个LED转移到背板；以及执行第三修复过程，第三修复过程检测转移到背板的多个LED中的第三缺陷LED并修复与第三缺陷LED相对应的子像素。
执行第一修复过程可以包括：通过执行光致发光(PL)检查来检测第一缺陷LED。
执行第二修复过程可以包括：基于第一缺陷LED在第一修复过程中被去除，将第一修复LED附接到插入基板的电极图案，并且然后执行电致发光(EL)检查；以及基于通过执行EL检查而检测出第二缺陷LED，用第二修复LED替换第二缺陷LED。
执行第三修复过程可以包括：执行电致发光检查；以及将与第三缺陷LED相对应的第三修复LED安装在背板的修复区域中。
发明的有益效果
根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以在制造显示装置的过程中更准确地检测缺陷发光二极管，并且可以使显示装置的缺陷率最小化。
此外，根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以使用于修复转移到背板的发光二极管的最终修复的数量最小化，并且可以降低由于最终修复而引起的损坏的风险。
此外，根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以减少设置在背板上用于最终修复的电极焊盘的数量和尺寸。因此，可以减小显示装置的像素尺寸，并且可以提供高分辨率。
根据本公开的实施例的显示模块作为单个单元可以应用于使用显示器的可穿戴设备、便携式设备、手持设备、电子产品和/或电气设备，并且可以通过矩阵型的多个组件布置而应用于诸如个人计算机(PC)的监视器、高分辨率TV、标牌和电子显示器之类的显示装置。
附图说明
图1是示出了根据实施例的显示装置的示例的透视图。
图2是示出了根据实施例的构成显示装置的单元模块的像素的示例图。
图3是根据实施例的单独驱动显示装置的像素的薄膜晶体管驱动电路的示意图。
图4是根据实施例的显示装置的子像素的截面图。
图5是示出了根据实施例的连接到背板的各向异性导电膜的截面图。
图6是根据实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图7是根据实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图8是示出了根据实施例的显示装置的制造方法中的第一修复过程的图。
图9是示出了根据实施例的显示装置的制造方法中的第二修复过程的图。
图10是示出了根据实施例的在第二修复过程之后将发光二极管附接到载体基板的过程的图。
图11是示出了根据实施例的将多个发光二极管转移到背板的方法的示例的图。
图12是根据实施例的插入基板的平面图。
图13A是根据实施例的插入基板的截面图。
图13B是根据另一实施例的插入基板的截面图。
图14是示出了根据实施例的附接到插入基板的电极焊盘的发光二极管的图。
图15是根据实施例的单元像素的平面图。
图16是根据实施例的单元像素的截面图。
图17是根据实施例的设置有修复发光二极管的单元像素的截面图。
图18是根据实施例的设置有修复发光二极管的子像素的截面图。
图19是根据实施例的设置有修复发光二极管的子像素的电路图。
图20是根据另一实施例的单元像素的平面图。
具体实施方式
本公开中所描述和所示出的实施例和特征仅是示例，并且在提交本申请时可以存在替换实施例和附图的各种修改。
在本说明书中，类似的附图标记表示类似的元件。不会描述本公开的实施例的所有元件，并且将省略在本领域中公知的或在示例实施例中彼此重叠的描述。在说明书中使用的术语(例如“～部件”、“～模块”、“～构件”、“～块”等)可以用软件和/或硬件实现，并且多个“～部件”、“～模块”、“～构件”、或“～块”可以用单个元件实现，或者单个“～部件”、“～模块”、“～构件”或“～块”可以包括多个元件。
还将理解，术语“连接”和其派生词既指直接连接又指间接连接，并且间接连接包括通过无线通信网络的连接。
除非另有说明，否则术语“包括(或包括有)”和“包含(或包含有)”是包括性的或开放式的，并且不排除附加的、未列举的元件或方法步骤。术语“构件”和其派生词既指当某一构件与另一构件接触时，又指当另一构件存在于两个构件之间时。
此外，当描述层在另一层或基板“上”时，该层可以是直接在另一层或基板上，或者第三层可以设置在它们之间。
虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分加以区分。
除非上下文中另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”包括复数指示物。
用于方法步骤的附图标记仅是为了便于解释，而不限制步骤的顺序。因此，除非上下文另外明确指出，否则可以以其他方式实践书面命令。为了清楚、说明和方便，这些元件的相对尺寸和绘制不一定是按比例的并且可以将其夸大。
在下文中，将参照附图详细描述根据实施例的显示装置和显示装置的制造方法的实施例。
图1是示出了根据实施例的显示装置的透视图，以及图2是根据实施例的显示装置的单元模块的平面图。
显示装置1可以与发光型显示装置相对应，在该发光型显示装置中，针对每个像素P设置发光二极管使得每个像素P自发光。
与液晶显示装置不同，由于显示装置1不需要诸如背光单元、液晶层和偏振板之类的组件，显示装置1可以具有较薄的厚度和简单的结构，使得可以进行各种设计。
设置在显示装置1的像素P中的发光二极管可以实现为无机材料。无机发光二极管具有比有机发光二极管(OLED)更快的反应速度，并且可以以低电力实现高亮度。此外，OLED易受水分暴露和氧气的影响，并且由于较差的耐用性而需要密封过程，而无机发光二极管不需要密封过程并具有较强的耐用性。
显示装置1中采用的发光二极管可以是具有短边长度在250μm内的微型LED。以这种方式，通过使用微型单元LED，可以减小像素尺寸并且可以实现高分辨率。
由于微型LED而可以具有超小像素和较薄厚度的显示装置1可以应用于各种领域。例如，如图1所示，多个显示模块10可以平铺并安装在柜21中，从而提供大屏幕。可以通过将多个微型LED转移到基板来制造显示模块10。
图1中示出的XYZ轴的3D坐标系是基于显示装置1的。显示装置1的屏幕所在的平面是XZ平面，并且输出图像或发光二极管发射光的方向是正Y方向。
参照图2，显示模块10可以具有M×N(M，N是2或更大的整数)阵列的像素，并且单元像素P可以是分别与R、G、B相对应的三个子像素SP(R)、SP(G)和SP(B)。
然而，图1和图2的结构仅是显示装置1的示例实施例，并且显示装置1不一定必须通过平铺多个单元模块10来制造。显示装置1可以包括M×N像素阵列而没有平铺过程。
此外，单元像素P不必须由发射红色光的红色子像素SP(R)、发射绿色光的绿色子像素SP(G)和发射蓝色光的蓝色子像素SP(B)构成。可以包括发射黄色或白色光的子像素。
在稍后描述的实施例中，将描述单元像素P由发射红色光的红色子像素SP(R)、发射绿色光的绿色子像素SP(G)和发射蓝色光的蓝色子像素SP(B)构成的示例实施例。
图3是根据实施例的单独驱动显示装置的像素的薄膜晶体管(TFT)驱动电路的示意图，以及图4是根据实施例的显示装置的子像素的截面图。
参照图3，TFT可以包括多条数据线DL、多条电力线VL和多条栅极线GL。栅极线GL可以沿行方向布置，并且数据线DL可以沿列方向布置以设置电极图案。由数据线DL和栅极线GL划分的区域可以与子像素SP相对应。
数据线DL可以将与图像相对应的数据信号传输到子像素SP，并且栅极线GL可以将用于接通/断开子像素SP的扫描信号传输到子像素SP。电力线VL可以在与一帧相对应的时间段向子像素SP提供电力电压VDD。
当扫描驱动器130将扫描信号施加到栅极线GL时，连接到施加了扫描信号的栅极线GL的子像素SP可以被接通。当数据驱动器140将与图像信号相对应的数据电压VDATA施加到数据线DL时，数据电压VDATA可以输入到与数据线DL连接的子像素中的接通的子像素SP。
扫描驱动器130和数据驱动器140可以电连接到背板100。例如，扫描驱动器130和数据驱动器140可以以芯片的形式安装在带载封装(TCP)上，或可以以芯片的形式安装在柔性印刷电路(FPC)或膜上。此外，扫描驱动器130和数据驱动器140可以直接安装在背板100下方。背板100可以被称为TFT基板。
可以针对每个子像素SP设置发光二极管300，并且用于驱动发光二极管300的TFT驱动电路可以包括开关晶体管200'、驱动晶体管200和电容器201。
开关晶体管200'和驱动晶体管200可以被实现为PMOS型晶体管。然而，本公开不限于此，并且开关晶体管200'和驱动晶体管200可以被实现为NMOS型晶体管。
开关晶体管200'的栅电极可以连接到栅极线GL，开关晶体管200'的源电极可以连接到数据线DL，并且开关晶体管200'的漏电极可以连接到电容器201的一端和驱动晶体管200的栅电极。电容器201的另一端可以连接到电力线VL。
参照图4，驱动晶体管200的源电极240可以连接到电力线(VL)，并且驱动晶体管200的漏电极230可以连接到发光二极管300的阳极310。发光二极管300的阴极320可以连接到参考电压VSS。参考电压VSS是低于电力电压VDD的电压，并且可以通过使用接地电压等来提供接地。
子像素SP可以如下操作。首先，当扫描信号被施加到栅极线GL并且开关晶体管200'被接通时，施加到数据线DL的数据电压VDATA可以被传输到电容器201的一端和驱动晶体管200的栅电极220。
与驱动晶体管200的栅极-源极电压VGS相对应的电压可以由电容器201保持预定时间。驱动晶体管200可以通过将与栅极-源极电压VGS相对应的驱动电流IGS施加到发光二极管300的阳极310来使发光二极管300发射光。
此时，当高数据电压VDATA被传输到驱动晶体管200的栅电极时，驱动晶体管200的栅极-源极电压VGS减小，并且少量的驱动电流IGS被施加到发光二极管300的阳极310，使得发光二极管300显示低灰度。另一方面，当低数据电压VDATA被传输到驱动晶体管200的栅电极时，驱动晶体管200的栅极-源极电压VGS增大，并且大量的驱动电流IGS被施加到发光二极管300的阳极310，使得发光二极管300显示高灰度。
参考图4，示出了发光二极管300被转移到的背板100的横截面。背板100也可以被称为TFT基板。
缓冲层103可以形成在基板101上，并且驱动晶体管200可以设置在缓冲层103上。基板101的上部可以指正Y方向。
基板101可以由各种材料构成。例如，基板101可以由包含SiO2的透明玻璃作为主要组件来形成，可以由透明塑料形成以具有柔性，或者可以由金属形成。
基板101的塑料可以是从包括作为绝缘有机材料的聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)的组中选择的有机材料。
基板101的金属可以从包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invaralloy)、因科镍合金(Inconel alloy)和可伐合金(Kovar alloy)的组中选择。
缓冲层103可以在基板101的上部设置平坦表面，并且可以阻止污染物或水分穿透基板101。缓冲层103可以包含诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛之类的无机材料，或者诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸之类的有机材料，并且可以由示例材料中的多个叠层形成。
设置在缓冲层103上的驱动晶体管200可以包括有源层210、栅电极220、漏电极230和源电极240。有源层210可以由半导体材料制成，并且可以包括源极区210a、漏极区210b和在源极区210a与漏极区210b之间的沟道区210c。
栅电极220可以设置在有源层210的与沟道区210c相对应的一部分上。源电极240和漏电极230可以分别电连接到有源层210的源极区210a和漏极区210b。尽管示出了驱动晶体管200的栅电极220被实现为设置在有源层210上的顶栅极型的实施例，栅电极220也可以设置在有源层210下方。
由无机绝缘材料制成的第一绝缘层111可以设置在有源层210与栅电极220之间，并且第二绝缘层112可以设置在栅电极220上。第一绝缘层111可以是栅极绝缘层，并且第二绝缘层112可以是层间绝缘层。另一方面，一个组件设置在另一组件上可以包括一个组件的全部位于另一组件的顶部上的结构，也可以包括一个组件围绕或覆盖另一组件的全部或部分的结构。此外，一个组件覆盖另一组件不仅可以包括一个组件覆盖另一组件的全部的结构，而且还可以包括在一个组件中形成孔使得另一组件的一部分通过该孔暴露的情况。
也就是说，栅极绝缘层111可以形成在设置有有源层210的缓冲层103上，以覆盖有源层210，并且层间绝缘层112可以形成在设置有栅电极220的栅极绝缘层112上，以覆盖栅电极220。
源电极240和漏电极230可以设置在层间绝缘层112上。可以在层间绝缘层112和栅极绝缘层111中形成孔，源电极240和漏电极230穿过所述孔。源电极240和漏电极230可以分别通过孔电连接到有源层210的源极区210a和漏极区210b。
“电连接”可以包括导电材料的直接焊接、通过单独的布线连接、和/或布置电流流过的层(例如各向异性导电膜(ACF))。可以应用任何方法，只要电流在两个连接的组件之间流动。此外，“连接”某些组件可以包括将它们电连接。
第三绝缘层113可以设置在层间绝缘层112上。第三绝缘层113可以是平坦化层。平坦化层113可以设置在层间绝缘层112上，以覆盖源电极240、漏电极230和层间绝缘层112。
连接到发光二极管300的阳极310的阳极焊盘410和连接到发光二极管300的阴极320的阴极焊盘420可以设置在平坦化层113上。阳极焊盘410和阴极焊盘420由诸如金属之类的导电材料制成，并从上绝缘层114暴露以电连接到其它电极。为了将发光二极管300的电极与背板100的电极区分开，术语“焊盘”仅用于背板100的电极焊盘，并且术语阳极和阴极用于发光二极管300的电极。
用于连接漏电极230和阳极焊盘410的孔可以形成在第三绝缘层113中。阳极焊盘410可以通过孔电连接到漏电极230。源电极240可以连接到提供电力电压VDD的电力线VL，并且栅电极220可以连接到提供数据电压VDATA的数据线DL。阴极焊盘420可以连接到参考电压Vss，并且可以向连接到阴极焊盘420的发光二极管300提供接地。
第四绝缘层114可以设置在设置有阳极焊盘410和阴极焊盘420的第三绝缘层113上。第四绝缘层114可以被称为上绝缘层114。上绝缘层114可以覆盖第三绝缘层113、阳极焊盘410和阴极焊盘420。
上述绝缘层可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。此外，上述绝缘层可以通过交替有机绝缘材料和无机绝缘材料来形成。
参照图4，连接孔114H可以分别形成在覆盖阳极焊盘410的上绝缘层114和覆盖阴极焊盘420的上绝缘层114中。阳极焊盘410和阴极焊盘420可以通过形成在上绝缘层114中的连接孔114H暴露，并且发光二极管300的阳极310和阴极320可以通过连接孔114H分别电连接到阳极焊盘410和阴极焊盘420。
从基板101到上绝缘层114的结构可以定义为背板100。显示模块10和/或显示装置1可以通过将发光二极管300转移到背板100上来制造。
参照图4，发光二极管300可以包括p-n二极管、阳极310和阴极320。阳极310和阴极320可以由诸如金属、导电氧化物和导电聚合物之类的各种导电材料形成。阳极310可以电连接到背板100的阳极焊盘410，并且阴极320可以电连接到背板100的阴极焊盘420。
p-n二极管可以包括阳极310侧上的p掺杂部分330和阴极320侧上的n掺杂部分370，以及p掺杂部分330与n掺杂部分370之间的量子阱。相反，可以使用阴极320侧上的掺杂部分是p掺杂部分并且阳极310侧上的掺杂部分是n掺杂部分的发光二极管。
根据实施例的显示装置1可以是光在与基板101相反的方向上发射的顶发射型显示装置。因此，当驱动电流通过阳极焊盘410施加到发光二极管300的阳极310并且电流从阳极310流向阴极320时，光在基板101的相反方向(即，正Y方向)上发射。如上所述设置的发光二极管300可以定义为倒装芯片LED。
可以通过各种接合方法进行电极之间的上述电连接。例如，可以应用使用ACF的接合方法。用于形成倒装芯片LED的接合方法可以定义为倒装芯片接合方法。
图5示出了连接到背板的AFC。
参照图5，ACF 120可以设置在形成有连接孔114H的上绝缘层114上。ACF 120可以将导电颗粒均匀地分散在绝缘粘合有机材料中，并且可以以膜的形式设置。ACF 120可以在厚度方向上具有导电性，并且在平面方向上具有绝缘性。
当对ACF 120施加热量并且将发光二极管300按压在ACF 120上时，电流可以沿被施加了压力的膜的厚度方向流动。因此，发光二极管300的阳极310可以电连接到阳极焊盘410，并且发光二极管300的阴极320可以电连接到阴极焊盘420。
如上所述，发光二极管300可以被实现为微型LED。可以通过转移机构在晶片上拾起多个发光二极管300并将其转移到背板100。可以通过将多个LED 300压缩(compress)到ACF 120来将多个LED 300转移到背板100。
然而，将发光二极管300转移到背板100的方法不限于上述方法。为了将发光二极管300连接到阳极焊盘410和阴极焊盘420，使用诸如银Ag、金Au或铜Cu之类的金属墨水的焊接方法可以被使用。此外，可以使用通过照射激光将发光二极管300转移到背板100的目标位置的激光烧蚀方法。
在下文中，将描述直到将发光二极管300转移到背板100的整个过程，即显示装置1的制造方法。
图6和图7是根据实施例的显示装置的制造方法的流程图，图8和图9是示出了根据实施例的显示装置的制造方法中的第一修复过程和第二修复过程的图，图10是示出了在第二修复过程之后将发光二极管附接到载体基板的过程的图，以及图11是示出了将多个发光二极管转移到背板的方法的示例的图。
显示装置1的制造方法可以通过制造装置来实现。
参照图6和图8，制备包括多个发光二极管300的蓝宝石基板510(操作601)。发光二极管300可以形成在晶片的蓝宝石基板510的一个表面上。形成有发光二极管300的晶片通过单独的过程来制备。由于在蓝宝石基板510上形成发光二极管300的过程是已知的，将省略详细描述。
随后，可以执行第一修复过程(操作602)，第一修复过程检测设置在蓝宝石基板510上的多个LED中的第一缺陷LED 301并去除第一缺陷LED 301。在晶片上设置的多个发光二极管300中可能存在缺陷发光二极管。因此，需要用于检测蓝宝石基板510上的缺陷发光二极管的检查过程。在第一修复过程中检测出的第一缺陷发光二极管301可以通过被戳(stamp)等拾起而被去除。
第一修复过程可以包括通过执行光致发光(PL)检查来检测第一缺陷LED 301。PL检查可以是这样的测试方法：将具有特定能量的光照射到多个发光二极管，捕获由发光二极管吸收的能量的发射作为光，并且通过对所捕获的光进行图像处理和分析来检测缺陷LED。
接下来，可以设置包括电极图案521和电极图案522以及粘合材料523在内的插入基板520(操作603)。插入基板520的电极图案521和电极图案522可以是用于向多个发光二极管300提供电力的电极。电极图案521和电极图案522可以将从外部提供的电力传输到多个发光二极管300以使多个发光二极管300发射光。粘合材料523可以用于将多个发光二极管300附接到电极图案521和电极图案522。
当设置插入基板520时，多个发光二极管300可以附接到插入基板520的电极图案521和电极图案522，并且可以分离蓝宝石基板510(操作604)。当将多个发光二极管300附接到插入基板520的电极图案521和电极图案522时，多个发光二极管300中的每一个的阳极310可以连接到电极图案521和电极图案522中的第一电极521，并且多个发光二极管300中的每一个的阴极320可以连接到电极图案521和电极图案522中的第二电极522。
可以通过激光剥离(LLO)过程去除蓝宝石基板510。通过LLO过程分离蓝宝石基板510是已知的，并且将省略其详细描述。
在第一修复过程中去除了第一缺陷LED 301之后，可以将第一修复LED 302附接到插入基板520的电极图案521和电极图案522。第一修复LED 302可以附接到插入基板520的与蓝宝石基板510中的第一缺陷LED 301的位置相对应的位置。即，插入基板520上因去除第一缺陷LED 301而产生的空的空间可以用第一修复LED 302填充。
接下来，参照图6和图9，可以执行第二修复过程(605)，第二修复过程检测插入基板520上的多个发光二极管300中的第二缺陷LED 303并修复第二缺陷LED 303。第二缺陷LED 303可以指在第一修复过程中没有被发现的缺陷LED。
在第二修复过程中，可以对插入基板520执行电致发光(EL)检查。第二修复过程可以包括当通过执行EL检查而检测出第二缺陷LED 303时，用第二修复LED 304替换第二缺陷LED 303。在第二修复过程中检测出的第二缺陷LED 303可以通过被戳等拾起而被简单地去除。第二修复LED 304可以附接到去除了第二缺陷LED 303的位置。
EL检查可以是用于通过向多个LED 300提供电力并捕获和/或测量从多个LED 300发射的光来检测缺陷LED的测试方法。EL检查可以比PL检查更准确地检测缺陷。即，通过PL检查未检测出的缺陷可以通过EL检查来检测出。
如上所述，通过在将多个LED 300转移到背板100之前执行修复缺陷LED的过程，可以降低显示装置1的缺陷率。特别地，由于第二修复过程可以使多个LED发光而不需要复杂的布线结构，可以比通过使背板100处的LED发光来修复缺陷的过程更容易地修复LED的缺陷。此外，由于第二修复过程执行EL检查，可以更准确地检测缺陷LED。
接下来，参照图7和图10，插入基板520上的多个LED 300可以附接到载体基板530，并且可以分离插入基板520(操作701)。为了将发光二极管300转移到背板100，必须去除插入基板520。换句话说，发光二极管300的阳极310和阴极320必须与插入基板520分离。因此，可以执行将插入基板520的多个LED 300附接到载体基板530的过程。为此，可以在载体基板530上设置粘合层531。粘合层531可以用于将多个LED 300附接到载体基板530。在这种情况下，发光二极管300的发光表面可以附接到载体基板530。LLO过程也可以用于分离插入基板520。当插入基板520被分离时，电极图案521和电极图案522以及粘合材料523也可以被去除。
粘合层531可以包括各种材料。例如，可以从丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸丁酯丙烯酸酯(BMA)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、环氧树脂、聚氯乙烯(PVC)、光固化树脂组合物、热固性树脂组合物、自然固化树脂组合物、透明树脂组合物和导电浆料中选择性地设置粘合层531。粘合层531的类型不限于上述类型。
当多个LED 300通过粘合层531附接到载体基板530时，可以去除不接触多个LED300的发光表面的粘合层531。可以通过各种方法来执行粘合层531的去除。例如，可以通过蚀刻或激光照射来部分地去除粘合层531。
随后，参照图11，可以将载体基板530上的多个LED 300转移到背板100(操作702)。如上所述，存在转移发光二极管300的多种方法，但图11中所示的实施例可以使用激光烧蚀方法，在激光烧蚀方法中，通过用激光照射来将一个或多个发光二极管300转移到背板100的目标位置。此外，多个LED 300可以通过设置在背板100上的ACF 120电连接到背板100。
随后，可以执行第三修复过程(操作703)，第三修复过程检测转移到背板100的多个LED 300中的第三缺陷LED并修复第三缺陷LED。第三缺陷LED可以指在第二修复过程中没有被发现的缺陷LED。第三修复过程可以包括执行EL检查，并将与第三缺陷LED相对应的第三修复发光二极管安装在背板100的修复区域中。第三修复过程将在下面图15至图20中详细描述。
上述修复过程可以由执行显示装置的制造方法的各种制造装置和/或制造系统来执行。各种制造装置和/或制造系统可以包括用于检测缺陷LED的检查装置。
图12是根据实施例的插入基板的平面图。
参照图12，电极图案521和电极图案522可以设置在插入基板520上。电极图案521和电极图案522可以包括连接到发光二极管300的阳极310的第一电极521、以及连接到发光二极管300的阴极320的第二电极522。相反，第一电极521可以连接到阴极320，并且第二电极522可以连接到阳极310。
电极图案521和电极图案522可以以各种形状设置。在图12中，第一电极521和第二电极522可以分别形成为细齿梳形状或一侧开口的环形状，并且可以布置为彼此交叉，但不限于此。例如，电极图案521和电极图案522可以形成为网形状或环形形状。
当多个LED 300附接到电极图案521和电极图案522时，电流可以流过第一电极521、发光二极管300和第二电极522。即，第一电极521可以与正极相对应，并且第二电极522可以与负极相对应。第一电极521可以接收测试电压Vs，并且第二电极522可以提供接地GND。因此，当电极图案521和电极图案522连接到外部电源时，电流可以流过多个LED 300，使多个LED 300发射光。外部电源可以是根据实施例的执行显示装置1的制造方法的制造装置。
插入基板520可以包括各种材料。例如，插入基板520可以包括透明玻璃、具有柔性的透明塑料、硅基板或金属。
图13是根据实施例的插入基板的截面图。
图13A和图13B示出了可以通过不同过程制造的插入基板520的不同实施例。如图13A所示，可以将粘合材料523施加在电极图案521和电极图案522上。即，在电极图案521和电极图案522形成在插入基板520上之后，可以施加粘合材料523。在图13A中，粘合材料523被示出为覆盖电极图案521和电极图案522的全部，但是电极图案521和电极图案522中的一些可以从粘合材料523暴露。例如，粘合材料523可以不施加到电极图案521和电极图案522的上表面。
备选地，如图13B所示，电极图案521和电极图案522可以设置在粘合材料523上。即，在首先将粘合材料523施加在插入基板520上之后，可以在粘合材料523上设置电极图案521和电极图案522。
粘合材料523可以提供粘合力，使得多个LED 300附接到电极图案521和电极图案522。粘合材料523可以包括多种材料。例如，粘合材料523可以包括丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸丁酯丙烯酸酯(BMA)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、环氧树脂、聚氯乙烯(PVC)、光固化树脂组合物、热固性树脂组合物、自然固化树脂组合物、透明树脂组合物和导电浆料。
图14是示出了根据实施例的附接到插入基板的电极焊盘的发光二极管的图。
参照图14，多个LED 300可以电连接到设置在插入基板520上的第一电极521和第二电极522。即，发光二极管300的阳极310可以连接到第一电极521，并且发光二极管300的阴极320可以连接到第二电极522。备选地，第一电极521可以连接到阴极320，并且第二电极522可以连接到阳极310。
当多个LED 300附接到电极图案521和电极图案522时，电流可以流过第一电极521、发光二极管300和第二电极522。因此，多个LED 300可以发射光。可以通过测量由多个LED 300发射的光来检测发光二极管300的缺陷。
在显示装置1的制造方法的实施例中，由于设置了上述插入基板520，可以容易地执行对多个LED 300的缺陷检查。即，由于设置了插入基板520，可以在将发光二极管300转移到背板100之前执行EL检查，而无需诸如TFT电路之类的复杂布线结构。
因此，可以使用于修复转移到背板100的发光二极管300的最终修复的数量最小化，并且可以减少由最终修复导致的副作用。此外，可以减小设置在背板100上用于最终修复的电极焊盘的数量和尺寸。因此，可以减小显示装置1的像素尺寸，并可以实现高分辨率。
在下文中，将描述第三修复过程。在第三修复过程中，可以在转移到背板100的多个LED 300中检测第三缺陷LED，并且可以将与第三缺陷LED相对应的第三修复LED安装在背板100的修复区域中。第三缺陷LED可以通过EL检查来检测。下面描述用于安装第三修复LED的电极焊盘的结构。
图15是根据实施例的单元像素的平面图，并且图16是根据实施例的单元像素的截面图。
参照图15和图16，发光二极管300可以被实现为具有宽度W和长度L的矩形或类似形状。发光二极管300的宽度和长度是彼此垂直的参数，并且两个参数中较长的参数可以定义为长度L，以及较短的参数可以定义为宽度W。发光二极管300的阳极310可以设置在纵向方向的一端，发光二极管300的阴极320可以设置在纵向方向的另一端。
然而，发光二极管300的形状不限于此，并且只要可以定义诸如六边形、八边形或椭圆形之类的宽度和长度，发光二极管300可以采用平面形状。
如上所述，根据实施例的单元像素P可以包括三个子像素SP(R)、SP(G)和SP(B)。子像素SP(R)、SP(G)、SP(B)可以包括分别设置有LED 300(300R、300G、300B)的主要区域MA1、MA2和MA3、以及设置有第三修复LED 300'(300R'、300G'、300B')的修复区域RA1、RA2和RA3。换句话说，背板100可以包括设置有多个LED 300的主要区域MA1、MA2和MA3、以及可以安装有第三修复LED的修复区域RA1、RA2、RA3。当发光二极管300无法发光时，第三修复LED 300'可以设置在修复区域RA1、RA2和RA3中。
如图15所示，红色发光二极管300R、绿色发光二极管300G和蓝色发光二极管300B可以分别设置在主要区域MA1、MA2和MA3中。多个LED 300R、300G和300B可以沿发光二极管300的宽度W方向(X方向)布置。同样地，多个阳极焊盘410R、410G和410B可以沿发光二极管300的宽度W方向(X方向)布置。修复区域RA1、RA2和RA3可以相对于主要区域MA1、MA2和MA3设置在主要发光二极管300的长度L方向(Z方向)上。
在下文中，为了与第三修复LED 300'(300R'、300G'、300B')区别开，将设置在主要区域MA1、MA2和MA3中的LED 300称为主要发光二极管300并对其描述。
可以在背板100上设置用于连接到第三修复LED 300'的阳极310'的修复阳极焊盘430(430R、403G、430B)。阴极焊盘420可以设置在阳极焊盘410(410R、410G、410B)与修复阳极焊盘430之间。修复阳极焊盘430(430R、403G、430B)可以沿X方向布置。即，阴极焊盘420可以作为公共接地电极连接到主要发光二极管300的阴极320和第三修复LED 300'的阴极320'，并且可以提供接地。
参照图16，修复阳极焊盘430可以与阳极焊盘410和阴极焊盘420一起设置在平坦化层113上。上绝缘层114可以设置在平坦化层113上，并且连接孔114H可以形成在上绝缘层114中且分别位于阳极焊盘410、阴极焊盘420和修复阳极焊盘430上。主要发光二极管300可以通过诸如使用ACF 120的接合和焊接接合之类的各种接合方法连接到阳极焊盘410和阴极焊盘420。
在对发光二极管300执行发光测试之后，如果发光二极管300不存在缺陷，则可以在不连接第三修复LED 300’的情况下完成显示装置1。然而，当在多个LED 300中检测出缺陷LED(第三缺陷LED)时，与缺陷LED相对应的第三修复LED可以安装在背板100上。
图17是根据实施例的安装有修复发光二极管的单元像素的平面图，图18是根据实施例的安装有修复发光二极管的子像素的截面图，并且图19是根据实施例的安装有修复发光二极管的子像素的电路图。
参考图17和图18，可以在多个主要发光二极管300中的蓝色发光二极管300B中检测出缺陷。即，蓝色发光二极管300B可以与第三缺陷LED相对应。在这种情况下，与蓝色发光二极管300B相对应的第三蓝色修复发光二极管300B'可以安装在背板100上。即，第三修复LED 300'可以具有与第三缺陷LED相同的颜色。
此外，可以切割(cut)作为第三缺陷LED的蓝色发光二极管300B。第三缺陷LED300B可以通过激光照射来切割。备选地，可以切割连接到第三缺陷LED 300B的布线。
参照图18，第三修复LED 300B'的阳极310B'可以电连接到修复阳极焊盘430B，并且第三修复LED 300B'的阴极320B'可以电连接到阴极焊盘420。即，主要发光二极管300B和第三修复LED 300B'可以共享阴极焊盘420。
图18所示的子像素SP的电路可以设置为图19所示。由于主要发光二极管300和第三修复LED 300'共享阴极焊盘420，它们可以连接到相同的参考电压Vss。此外，修复阳极焊盘430和阳极焊盘410可以接收来自相同的驱动晶体管200的驱动电流。
因为第三修复过程是在将多个LED 300转移到背板100之后执行的，所以当去除缺陷LED时，存在损坏诸如设置在背板100上的TFT电路之类的布线的风险。当背板100上设置的布线损坏时，难以修复。因此，为了降低这种风险，可以使用上述插入基板520来执行第二修复过程。通过使用插入基板520，可以在发光二极管300转移到背板100之前容易地执行缺陷检测和修复。
而且，通过执行第二修复过程，可以减少第三修复过程的次数。此外，可以减少用于安装第三修复LED的电极焊盘的数量和尺寸。因此，可以减小显示装置1的像素尺寸，并可以实现高分辨率。
图20是根据另一示例性实施例的单元像素的平面图。
参照图20，多个阳极焊盘410(410R、410G、410B)和多个阴极焊盘420(420R、420G、420B)可以形成为与图15和图17所示的结构不同的结构。多个主要发光二极管300R、300G和300B可以分别连接到单独的阴极焊盘420R、420G和420B。即使当不共享阴极焊盘420时，多个LED 300R、300G和300B也可以连接到公共参考电压Vss。
此外，阳极焊盘410(410R、410G、410B)和阴极焊盘420(420R、420G、420B)的尺寸可以被设计为包括修复区域RA1、RA2和RA3，从而允许安装主要LED 300R、300G、300B和第三修复LED 300'。换句话说，主要发光二极管300和第三修复LED 300'可以在X方向上设置在相同的阳极焊盘410和相同的阴极焊盘420上。即，当在主要发光二极管300中检测出缺陷时，第三修复LED 300'的阳极310'可以连接到阳极焊盘410，并且第三修复LED 300'的阴极320'可以连接到阴极焊盘420。
此外，可以在各种实施例中修改用于安装发光二极管的电极焊盘的结构。例如，红色发光二极管300R和绿色发光二极管300G可以共享阴极焊盘，并且蓝色发光二极管300B可以连接到单独的阴极焊盘。即，可以设置至少一个阴极焊盘。此外，可以共享阳极焊盘，并设置多个阴极焊盘。
上述显示装置的制造方法可以由各种制造装置和/或制造系统来执行。制造装置和/或制造系统可以包括用于检测缺陷LED的检查装置。此外，制造装置和/或制造系统可以包括执行计算机程序的计算设备。
根据实施例的显示装置的制造方法可以被实现为由计算机执行的计算机程序。计算机程序可以存储在非暂时性计算机可读记录介质上。
根据实施例的计算机程序可以存储在记录介质中，以执行显示装置的制造方法，并且可以与计算设备组合执行。与计算设备组合执行的显示装置的制造方法可以包括：制备包括多个发光二极管(LED)的蓝宝石基板；执行第一修复过程，第一修复过程从多个LED中检测第一缺陷LED并去除第一缺陷LED；制备包括电极图案和粘合材料在内的插入基板；将多个LED附接到电极图案，并分离蓝宝石基板；以及执行第二修复过程，第二修复过程检测多个LED中的第二缺陷LED并修复第二缺陷LED。
显示装置的制造方法还可以包括：将插入基板上的多个LED附接到载体基板，并分离插入基板；将载体基板上的多个LED转移到背板；以及执行第三修复过程，第三修复过程检测转移到背板的多个LED中的第三缺陷LED并修复第三缺陷LED。
执行第一修复过程可以包括通过执行光致发光(PL)检查来检测第一缺陷LED。
执行第二修复过程可以包括：基于第一缺陷LED在第一修复过程中被去除，将第一修复LED附接到插入基板的电极图案，并且然后执行电致发光(EL)检查；以及基于通过执行EL检查而检测出第二缺陷LED，用第二修复LED替换第二缺陷LED。
执行第三修复过程可以包括：执行电致发光(EL)检查；以及将与第三缺陷LED相对应的第三修复LED安装在背板的修复区域中。
根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以在制造显示装置的过程中更准确地检测缺陷发光二极管，并且可以使显示装置的缺陷率最小化。
此外，根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以使用于修复转移到背板的发光二极管的最终修复的数量最小化，并且可以降低由于最终修复而引起的损坏的风险。
此外，根据显示装置的制造方法、插入基板以及存储在记录介质中以执行显示装置的制造方法的计算机程序的实施例，可以减少设置在背板上用于最终修复的电极焊盘的数量和尺寸。因此，可以减小显示装置的像素尺寸，并且可以提供高分辨率。
根据本公开的实施例的显示模块作为单个单元可以应用于使用显示器的可穿戴设备、便携式设备、手持设备、电子产品和/或电气设备，并且可以通过矩阵型的多个组件布置而应用于诸如个人计算机(PC)的监视器、高分辨率TV、标牌和电子显示器之类的显示装置。
尽管已经示出并描述了一些实施例，但是本领域技术人员应当认识到：在不脱离本公开原理和精神的前提下可以对这些实施例进行修改，本公开的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种制造显示装置的方法，包括：
执行第一修复过程，所述第一修复过程从设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管LED中检测第一缺陷LED并去除所述第一缺陷LED；
将所述多个LED附接到插入基板的电极图案，并将所述蓝宝石基板与所述多个LED分离；以及
执行第二修复过程，所述第二修复过程检测附接到所述电极图案的所述多个LED中的第二缺陷LED并替换所述第二缺陷LED。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将附接到所述插入基板的电极图案的所述多个LED附接到载体基板，并将所述插入基板与所述多个LED分离；
将附接到所述载体基板的所述多个LED转移到背板；以及
执行第三修复过程，所述第三修复过程检测转移到所述背板的所述多个LED中的第三缺陷LED并修复与所述第三缺陷LED相对应的子像素。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一修复过程包括通过执行光致发光PL检查来检测所述第一缺陷LED。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述插入基板的电极图案上方设置粘合材料，或者在施加到所述插入基板的所述粘合材料上设置所述电极图案。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述多个LED附接到所述插入基板的电极图案包括：
将所述多个LED中的每一个的阳极连接到所述电极图案的第一电极；以及
将所述多个LED中的每一个的阴极连接到所述电极图案的第二电极。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二修复过程包括：基于所述第一缺陷LED在所述第一修复过程中被去除，将第一修复LED附接到所述插入基板的电极图案，然后执行电致发光EL检查。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二修复过程还包括：
基于通过执行所述EL检查而检测出所述第二缺陷LED，用第二修复LED替换所述第二缺陷LED。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述背板包括设置有所述多个LED的主要区域、以及能够安装第三修复LED的修复区域。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述背板包括：
多个阳极焊盘，被配置为连接到所述多个LED的阳极；
修复阳极焊盘；以及
至少一个阴极焊盘，被配置为连接到所述多个LED的阴极并连接到所述第三修复LED的阴极。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三修复过程包括：
执行电致发光EL检查；以及
将与所述第三缺陷LED相对应的所述第三修复LED安装在所述修复区域中。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第三修复过程还包括切割所述第三缺陷LED。
12.一种插入基板，包括：
基板；
电极图案，设置在所述基板上，所述电极图案被配置为：连接到设置在蓝宝石基板上的多个发光二极管LED，并向所述多个LED提供电力；以及
粘合材料，被配置为提供用于将所述多个LED附接到所述电极图案的粘合力。
13.根据权利要求12所述的插入基板，其中，所述粘合材料设置在所述电极图案上方。
14.根据权利要求12所述的插入基板，其中，所述粘合材料设置在所述基板与所述电极图案之间。
15.根据权利要求12所述的插入基板，其中，所述电极图案包括：
第一电极，被配置为连接到所述多个LED中的每一个的阳极；以及
第二电极，被配置为连接到所述多个LED中的每一个的阴极。
CN202080066985.1A 2019-10-15 2020-10-08 显示装置的制造方法、插入基板及存储在可读介质中的计算机程序 Pending CN114467186A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0127573 2019-10-15
KR1020190127573A KR20210044430A (ko) 2019-10-15 2019-10-15 디스플레이 장치의 제조 방법, 중계 기판 및 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
PCT/KR2020/013768 WO2021075794A1 (en) 2019-10-15 2020-10-08 Manufacturing method of display apparatus, interposer substrate, and computer program stored in readable medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114467186A true CN114467186A (zh) 2022-05-10

Family

ID=75383318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080066985.1A Pending CN114467186A (zh) 2019-10-15 2020-10-08 显示装置的制造方法、插入基板及存储在可读介质中的计算机程序

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11710431B2 (zh)
EP (1) EP3997735A4 (zh)
KR (1) KR20210044430A (zh)
CN (1) CN114467186A (zh)
WO (1) WO2021075794A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112928123A (zh) * 2019-11-21 2021-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示面板、显示装置
TWI818199B (zh) * 2020-10-06 2023-10-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
TWI753645B (zh) * 2020-11-12 2022-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示器及其修補方法
CN113327530B (zh) * 2021-05-27 2022-06-03 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其修复方法、显示装置
TWI802067B (zh) * 2021-11-01 2023-05-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US20230260955A1 (en) * 2022-02-11 2023-08-17 Applied Materials, Inc. A procedure to enable die rework for hybrid bonding
WO2024085602A1 (ko) * 2022-10-18 2024-04-25 삼성전자 주식회사 중계 기판

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140398A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法
US7378288B2 (en) * 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
JP4450067B2 (ja) 2007-12-25 2010-04-14 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
KR20130130567A (ko) 2012-05-22 2013-12-02 주식회사 고영테크놀러지 Ｌｅｄ 검사장치 및 이를 이용한 ｌｅｄ 검사방법
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
KR101614370B1 (ko) 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
CN107251237B (zh) * 2015-08-18 2019-12-13 歌尔股份有限公司 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
WO2017043216A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 シャープ株式会社 画像表示装置
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
KR20190112294A (ko) * 2017-01-23 2019-10-04 테소로 사이언티픽, 인코포레이티드 발광 다이오드 테스트 장치 및 제조 방법
KR102581010B1 (ko) * 2017-08-02 2023-09-22 서울반도체 주식회사 디스플레이 장치, 디스플레이 장치용 기판 및 디스플레이 장치의 수리 방법
US10679911B2 (en) 2017-12-12 2020-06-09 Facebook Technologies, Llc Redundant pixel architecture in ILED displays
JP6916525B2 (ja) * 2018-02-06 2021-08-11 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄディスプレイの製造方法
WO2019190102A1 (ko) * 2018-03-26 2019-10-03 영남대학교 산학협력단 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
KR102107101B1 (ko) * 2018-03-26 2020-05-12 영남대학교 산학협력단 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
KR101953645B1 (ko) 2018-12-19 2019-03-04 (주)에스티아이 Led 기판 리페어 장비 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11710431B2 (en) 2023-07-25
WO2021075794A1 (en) 2021-04-22
EP3997735A1 (en) 2022-05-18
US20210110748A1 (en) 2021-04-15
KR20210044430A (ko) 2021-04-23
EP3997735A4 (en) 2022-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11710431B2 (en) Manufacturing method of display apparatus, interposer substrate, and computer program stored in readable medium
US10451257B2 (en) Micro-light-emitting diode backlight system
US11444066B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
US11462523B2 (en) Display module having LED packages including connection substrate
US9881984B2 (en) Organic electro-luminescent display device
US11837563B2 (en) Electronic device and method for manufacturing electronic device
US11430705B2 (en) Display panel and method of manufacturing thereof
CN114008801A (zh) 显示模块及其制造方法
US20200235128A1 (en) Display module and repairing method of the same
KR20140019043A (ko) 평판표시장치
US11587974B2 (en) Micro LED transferring method and display module manufactured by the same
CN111668264A (zh) 显示单元、显示装置和制造显示单元的方法
US20230290919A1 (en) Display module, and method for manufacturing same
KR20200091347A (ko) 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 리페어 방법
CN113348542A (zh) Led转移方法及使用该方法制造的显示模块
US20220384231A1 (en) Guide apparatus for transferring light-emitting devices onto a substrate and method applying the same
US20230125557A1 (en) Display module
US20230006027A1 (en) Led display with pixel circuitry disposed on a substrate backside
KR20240034312A (ko) 표시 장치의 제조 장치, 표시 장치의 제조 방법, 및 표시 장치의 검사 방법
KR20230166831A (ko) 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20220051782A (ko) 디스플레이 모듈
KR20220010202A (ko) 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination