CN114459410B - 一种半导体晶片厚度检测装置及其检测方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，属于半导体晶片厚度检测技术领域，为了利用解决现有的厚度检测装置，无法很好的对晶片进行定位，导致定位不精准，影响其检测；其次现有的厚度检测只能单方面对厚度进行检测，无法辨别晶片整体是否厚度相同。通过定位气缸带动定位挡板和限位斜形导板复位，有效对半导体晶片进行疏导，防止半导体晶片在移动过程中出现倾斜，导致无法定位，提高组定位精准度，便于与厚度检测组件进行对位，提高检测的精准性，整体可根据待检测的半导体晶片尺寸进行调整，便于四边进行定位压合，提高压合的精准性，能够有效针对四个边进行检测，针对四边检测结果判断整个半导体晶片的厚度是否相同。
Description
技术领域
本发明涉及到半导体晶片厚度检测技术领域，特别涉及一种半导体晶片厚度检测装置及其检测方法。
背景技术
制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，产品应用半导体或芯片是由硅生产出来的。晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。它们被广泛用于集成电路。半导体晶片在生产后，需要对其整体进行检测。
1、现有的厚度检测装置，在检测过程中，无法很好的对晶片进行定位，导致定位不精准，影响其检测；
2、其次现有的厚度检测只能单方面对厚度进行检测，无法做到同时多角度多厚度进行检测，无法辨别晶片整体是否厚度相同。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，提高纤维处理效率，提高纤维分离效率和精准度，通过气压进行分离，有效减少耗能，节省资源，节省成本，具有良好的推广效益，增加提取的便捷性，提取时，打开分离箱的箱门，将收集屉取出即可，滤板也可拆卸，提高收集效率，从而控制压入内部的气流，提高精准度，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种半导体晶片厚度检测装置，包括安装支架，所述安装支架的中间内部安装有移动组件，安装支架中间设置有隔板，隔板穿透设置在移动组件的内部，移动组件两侧的隔板上设置有晶片定位装置，安装支架的上端设置有横向支板，横向支板的下方安装有驱动调整装置，驱动调整装置的下方侧端设置有厚度检测组件。
进一步地，移动组件包括有转动电机、内轴杆、移动辊轴、输送带和联动皮带，转动电机固定在安装支架的侧端，转动电机的输出端与内轴杆连接，内轴杆设置两组，两组内轴杆上均套覆设置有移动辊轴，两组移动辊轴上套接有输送带，且两组内轴杆一端由联动皮带套接，联动皮带内壁上端贴合设置在隔板上。
进一步地，晶片定位装置包括定位挡板、固定板、定位气缸和限位斜形导板，固定板固定在隔板上，固定板一侧安装有两组定位气缸，定位气缸的输出端穿透固定板与定位挡板连接，定位挡板的尾端连接有限位斜形导板，晶片定位装置设置有两组，且两组晶片定位装置对称设置在隔板上方两侧。
进一步地，驱动调整装置包括下压安装板、下压气缸、前后调整组件和左右调整组件，下压气缸设置有四组，四组下压气缸固定在横向支板上，且四组下压气缸的输出杆与下压安装板四角处的上端面连接，下压安装板的下方设置有前后调整组件和左右调整组件，前后调整组件和左右调整组件交叉设置在下压安装板的下方。
进一步地，前后调整组件包括驱动电机、丝杆、安装座、定位杆、前移动板、后移动板、前压板和后压板，驱动电机通过弯板安装在下压安装板侧端下方，驱动电机的输出端与丝杆连接，丝杆的中间端通过轴承套接在安装座内，丝杆下方侧端的安装座上套接安装有定位杆，安装座两侧的丝杆和定位杆上分别套接有前移动板和后移动板，安装座前端丝杆上的螺纹为右旋螺纹，安装座后端丝杆上的螺纹为左旋螺纹，前移动板和后移动板均通过配套的螺母与丝杆进行安装。
进一步地，左右调整组件包括双向气缸、左接杆、右接杆、左压板和右压板，双向气缸中间端固定在安装座的上方，双向气缸上端与下压安装板下端面连接，双向气缸左侧的输出端下方连接有左接杆，左接杆的下方安装有左压板，双向气缸右侧的输出端下方连接有右接杆，右接杆的下方安装有右压板。
进一步地，厚度检测组件包括前测量件、后测量件、左测量件和右测量件，前测量件、后测量件、左测量件和右测量件分别设置在驱动调整装置下方的四端侧壁上，且前测量件、后测量件、左测量件和右测量件结构，以相同驱动调整装置为中心对称设置。
进一步地，右测量件包括检测气缸、安装箍环、测量杆、侧接板、位移编码器、卡接板和限位卡环，检测气缸上端通过套接安装箍环进行固定，检测气缸下方的输出端连接有测量杆，位移编码器通过侧接板固定在驱动调整装置上，位移编码器套覆在测量杆上，卡接板固定在驱动调整装置上，测量杆下端穿透设置卡接板下方，且卡接板下方的测量杆上套接有与卡接板下端面卡接的限位卡环，测量杆的测量面与驱动调整装置下方的压合面齐平。
本发明提供另一种技术方案：一种半导体晶片厚度检测装置的检测方法，包括如下步骤：
步骤一：将待检测的半导体晶片放置在输送带上，转动电机驱动内轴杆转动，在联动皮带的作用下带动两组移动辊轴转动，从而驱动输送带对待检测的半导体晶片进行输送；
步骤二：在移动过程中，限位斜形导板对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸带动定位挡板伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸带动定位挡板和限位斜形导板复位；
步骤三：当待检测的半导体晶片定位后，前后调整组件和左右调整组件根据待检测的半导体晶片的尺寸，调整其压面间距，下压气缸带动下压安装板以及前后调整组件和左右调整组件下压，将前压板、后压板、左压板和右压板压在待检测的半导体晶片的四边上；
步骤四：前测量件、后测量件、左测量件和右测量件对半导体晶片的四侧端进行厚度测量。
进一步地，针对步骤四，检测气缸驱动测量杆下压，在下压的过程中位移编码器检测测量杆的位移距离，当测量杆底端与输送带贴合时，检测气缸停止下压，位移编码器将检测到的数值换算成数据，从而得出半导体晶片的厚度。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，两组移动辊轴上套接有输送带，且两组内轴杆一端由联动皮带套接，联动皮带内壁上端贴合设置在隔板上，将待检测的半导体晶片放置在输送带上，转动电机驱动内轴杆转动，在联动皮带的作用下带动两组移动辊轴转动，从而驱动输送带对待检测的半导体晶片进行输送，便于半导体晶片进行移动，且便于上料和下料，提高移动便捷性。
2、本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，定位挡板的尾端连接有限位斜形导板，晶片定位装置设置有两组，且两组晶片定位装置对称设置在隔板上方两侧，限位斜形导板对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸带动定位挡板伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸带动定位挡板和限位斜形导板复位，有效对半导体晶片进行疏导，防止半导体晶片在移动过程中出现倾斜，导致无法定位，提高组件的定位精准度，便于与厚度检测组件进行对位，提高检测的精准性。
3、本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，安装座前端丝杆上的螺纹为右旋螺纹，安装座后端丝杆上的螺纹为左旋螺纹，前移动板和后移动板均通过配套的螺母与丝杆进行安装，驱动电机带动丝杆逆时针转动，在反向螺纹的作用下，从而带动前移动板和后移动板向内收缩，使前压板和后压板之间间距变小，当顺时针转动时，前移动板和后移动板向外移动，使前压板和后压板之间间距变大，从而可根据需要间距需要调整间距大小，双向气缸驱动左接杆和右接杆移动，从而带动左压板和右压板调整其间距，整体可根据待检测的半导体晶片尺寸进行调整，提高整个驱动组件的适配性，且四向调整，便于四边进行定位压合，提高压合的精准性。
4、本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，前测量件、后测量件、左测量件和右测量件结构，以相同驱动调整装置为中心对称设置，通过在四边均设置有测量件，能够有效针对四个边进行检测，针对四边检测结果判断整个半导体晶片的厚度是否相同，提高检测多样性。
5、本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，测量杆下端穿透设置卡接板下方，且卡接板下方的测量杆上套接有与卡接板下端面卡接的限位卡环，测量杆的测量面与驱动调整装置下方的压合面齐平，检测气缸驱动测量杆下压，在下压的过程中位移编码器检测测量杆的位移距离，当测量杆底端与输送带贴合时，检测气缸停止下压，位移编码器将检测到的数值换算成数据，从而得出半导体晶片的厚度，有效对厚度进行检测，提高检测便捷性，当测量杆复位时，由限位卡环和卡接板限位，确保测量杆的测量面与驱动调整装置下方的压合面齐平，有效保证测量结果的精准性。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明的移动组件结构示意图；
图3为本发明的晶片定位装置结构示意图；
图4为本发明的驱动调整装置结构示意图；
图5为本发明的驱动调整装置局部结构拆分图；
图6为本发明的厚度检测组件结构示意图；
图7为本发明的右测量件结构示意图。
图中：1、安装支架；11、隔板；12、横向支板；2、移动组件；21、转动电机；22、内轴杆；23、移动辊轴；24、输送带；25、联动皮带；3、晶片定位装置；31、定位挡板；32、固定板；33、定位气缸；34、限位斜形导板；4、驱动调整装置；41、下压安装板；42、下压气缸；43、前后调整组件；431、驱动电机；432、丝杆；433、安装座；434、定位杆；435、前移动板；436、后移动板；437、前压板；438、后压板；44、左右调整组件；441、双向气缸；442、左接杆；443、右接杆；444、左压板；445、右压板；5、厚度检测组件；51、前测量件；52、后测量件；53、左测量件；54、右测量件；541、检测气缸；542、安装箍环；543、测量杆；544、侧接板；545、位移编码器；546、卡接板；547、限位卡环。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，一种半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，包括安装支架1，安装支架1的中间内部安装有移动组件2，安装支架1中间设置有隔板11，隔板11穿透设置在移动组件2的内部，移动组件2两侧的隔板11上设置有晶片定位装置3，安装支架1的上端设置有横向支板12，横向支板12的下方安装有驱动调整装置4，驱动调整装置4的下方侧端设置有厚度检测组件5。
请参阅图2，移动组件2包括有转动电机21、内轴杆22、移动辊轴23、输送带24和联动皮带25，转动电机21固定在安装支架1的侧端，转动电机21的输出端与内轴杆22连接，内轴杆22设置两组，两组内轴杆22上均套覆设置有移动辊轴23，两组移动辊轴23上套接有输送带24，且两组内轴杆22一端由联动皮带25套接，联动皮带25内壁上端贴合设置在隔板11上，将待检测的半导体晶片放置在输送带24上，转动电机21驱动内轴杆22转动，在联动皮带25的作用下带动两组移动辊轴23转动，从而驱动输送带24对待检测的半导体晶片进行输送，便于半导体晶片进行移动，且便于上料和下料，提高移动便捷性。
请参阅图3，晶片定位装置3包括定位挡板31、固定板32、定位气缸33和限位斜形导板34，固定板32固定在隔板11上，固定板32一侧安装有两组定位气缸33，定位气缸33的输出端穿透固定板32与定位挡板31连接，定位挡板31的尾端连接有限位斜形导板34，晶片定位装置3设置有两组，且两组晶片定位装置3对称设置在隔板11上方两侧，限位斜形导板34对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸33带动定位挡板31伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸33带动定位挡板31和限位斜形导板34复位，有效对半导体晶片进行疏导，防止半导体晶片在移动过程中出现倾斜，导致无法定位，提高组件的定位精准度，便于与厚度检测组件5进行对位，提高检测的精准性。
请参阅图4，驱动调整装置4包括下压安装板41、下压气缸42、前后调整组件43和左右调整组件44，下压气缸42设置有四组，四组下压气缸42固定在横向支板12上，且四组下压气缸42的输出杆与下压安装板41四角处的上端面连接，下压安装板41的下方设置有前后调整组件43和左右调整组件44，前后调整组件43和左右调整组件44交叉设置在下压安装板41的下方，下压气缸42带动下压安装板41以及前后调整组件43和左右调整组件44下压，将前压板437、后压板438、左压板444和右压板445压在待检测的半导体晶片的四边上。
请参阅图5，前后调整组件43包括驱动电机431、丝杆432、安装座433、定位杆434、前移动板435、后移动板436、前压板437和后压板438，驱动电机431通过弯板安装在下压安装板41侧端下方，驱动电机431的输出端与丝杆432连接，丝杆432的中间端通过轴承套接在安装座433内，丝杆432下方侧端的安装座433上套接安装有定位杆434，安装座433两侧的丝杆432和定位杆434上分别套接有前移动板435和后移动板436，安装座433前端丝杆432上的螺纹为右旋螺纹，安装座433后端丝杆432上的螺纹为左旋螺纹，前移动板435和后移动板436均通过配套的螺母与丝杆432进行安装，驱动电机431带动丝杆432逆时针转动，在反向螺纹的作用下，从而带动前移动板435和后移动板436向内收缩，使前压板437和后压板438之间间距变小，当顺时针转动时，前移动板435和后移动板436向外移动，使前压板437和后压板438之间间距变大，从而可根据需要间距需要调整间距大小，左右调整组件44包括双向气缸441、左接杆442、右接杆443、左压板444和右压板445，双向气缸441中间端固定在安装座433的上方，双向气缸441上端与下压安装板41下端面连接，双向气缸441左侧的输出端下方连接有左接杆442，左接杆442的下方安装有左压板444，双向气缸441右侧的输出端下方连接有右接杆443，右接杆443的下方安装有右压板445，双向气缸441驱动左接杆442和右接杆443移动，从而带动左压板444和右压板445调整其间距，整体可根据待检测的半导体晶片尺寸进行调整，提高整个驱动组件的适配性，且四向调整，便于四边进行定位压合，提高压合的精准性。
请参阅图6，厚度检测组件5包括前测量件51、后测量件52、左测量件53和右测量件54，前测量件51、后测量件52、左测量件53和右测量件54分别设置在驱动调整装置4下方的四端侧壁上，且前测量件51、后测量件52、左测量件53和右测量件54结构，以相同驱动调整装置4为中心对称设置，通过在四边均设置有测量件，能够有效针对四个边进行检测，针对四边检测结果判断整个半导体晶片的厚度是否相同，提高检测多样性。
请参阅图7，右测量件54包括检测气缸541、安装箍环542、测量杆543、侧接板544、位移编码器545、卡接板546和限位卡环547，检测气缸541上端通过套接安装箍环542进行固定，检测气缸541下方的输出端连接有测量杆543，位移编码器545通过侧接板544固定在驱动调整装置4上，位移编码器545套覆在测量杆543上，卡接板546固定在驱动调整装置4上，测量杆543下端穿透设置卡接板546下方，且卡接板546下方的测量杆543上套接有与卡接板546下端面卡接的限位卡环547，测量杆543的测量面与驱动调整装置4下方的压合面齐平，检测气缸541驱动测量杆543下压，在下压的过程中位移编码器545检测测量杆543的位移距离，当测量杆543底端与输送带24贴合时，检测气缸541停止下压，位移编码器545将检测到的数值换算成数据，从而得出半导体晶片的厚度，有效对厚度进行检测，提高检测便捷性，当测量杆543复位时，由限位卡环547和卡接板546限位，确保测量杆543的测量面与驱动调整装置4下方的压合面齐平，有效保证测量结果的精准性。
为了更好的展现能够实现半导体晶片厚度检测装置的检测过程，本实施例提出一种半导体晶片厚度检测装置的检测方法，包括如下步骤：
步骤一：将待检测的半导体晶片放置在输送带24上，转动电机21驱动内轴杆22转动，在联动皮带25的作用下带动两组移动辊轴23转动，从而驱动输送带24对待检测的半导体晶片进行输送；
步骤二：在移动过程中，限位斜形导板34对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸33带动定位挡板31伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸33带动定位挡板31和限位斜形导板34复位；
步骤三：当待检测的半导体晶片定位后，前后调整组件43和左右调整组件44根据待检测的半导体晶片的尺寸，调整其压面间距，下压气缸42带动下压安装板41以及前后调整组件43和左右调整组件44下压，将前压板437、后压板438、左压板444和右压板445压在待检测的半导体晶片的四边上；
步骤四：前测量件51、后测量件52、左测量件53和右测量件54对半导体晶片的四侧端进行厚度测量。
综上所述，本发明提出的半导体晶片厚度检测装置及其检测方法，两组移动辊轴23上套接有输送带24，且两组内轴杆22一端由联动皮带25套接，联动皮带25内壁上端贴合设置在隔板11上，将待检测的半导体晶片放置在输送带24上，转动电机21驱动内轴杆22转动，在联动皮带25的作用下带动两组移动辊轴23转动，从而驱动输送带24对待检测的半导体晶片进行输送，便于半导体晶片进行移动，且便于上料和下料，提高移动便捷性，限位斜形导板34对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸33带动定位挡板31伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸33带动定位挡板31和限位斜形导板34复位，有效对半导体晶片进行疏导，防止半导体晶片在移动过程中出现倾斜，导致无法定位，提高组件的定位精准度，便于与厚度检测组件5进行对位，提高检测的精准性，驱动电机431带动丝杆432逆时针转动，在反向螺纹的作用下，从而带动前移动板435和后移动板436向内收缩，使前压板437和后压板438之间间距变小，当顺时针转动时，前移动板435和后移动板436向外移动，使前压板437和后压板438之间间距变大，从而可根据需要间距需要调整间距大小，双向气缸441驱动左接杆442和右接杆443移动，从而带动左压板444和右压板445调整其间距，整体可根据待检测的半导体晶片尺寸进行调整，提高整个驱动组件的适配性，且四向调整，便于四边进行定位压合，提高压合的精准性，前测量件51、后测量件52、左测量件53和右测量件54结构，以相同驱动调整装置4为中心对称设置，通过在四边均设置有测量件，能够有效针对四个边进行检测，针对四边检测结果判断整个半导体晶片的厚度是否相同，提高检测多样性，测量杆543的测量面与驱动调整装置4下方的压合面齐平，检测气缸541驱动测量杆543下压，在下压的过程中位移编码器545检测测量杆543的位移距离，当测量杆543底端与输送带24贴合时，检测气缸541停止下压，位移编码器545将检测到的数值换算成数据，从而得出半导体晶片的厚度，有效对厚度进行检测，提高检测便捷性，当测量杆543复位时，由限位卡环547和卡接板546限位，确保测量杆543的测量面与驱动调整装置4下方的压合面齐平，有效保证测量结果的精准性。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：包括安装支架(1)，所述安装支架(1)的中间内部安装有移动组件(2)，安装支架(1)中间设置有隔板(11)，隔板(11)穿透设置在移动组件(2)的内部，移动组件(2)两侧的隔板(11)上设置有晶片定位装置(3)，安装支架(1)的上端设置有横向支板(12)，横向支板(12)的下方安装有驱动调整装置(4)，驱动调整装置(4)的下方侧端设置有厚度检测组件(5)；
所述驱动调整装置(4)包括下压安装板(41)、下压气缸(42)、前后调整组件(43)和左右调整组件(44)，下压气缸(42)设置有四组，四组下压气缸(42)固定在横向支板(12)上，且四组下压气缸(42)的输出杆与下压安装板(41)四角处的上端面连接，下压安装板(41)的下方设置有前后调整组件(43)和左右调整组件(44)，前后调整组件(43)和左右调整组件(44)交叉设置在下压安装板(41)的下方；
所述厚度检测组件(5)包括前测量件(51)、后测量件(52)、左测量件(53)和右测量件(54)，前测量件(51)、后测量件(52)、左测量件(53)和右测量件(54)分别设置在驱动调整装置(4)下方的四端侧壁上，且前测量件(51)、后测量件(52)、左测量件(53)和右测量件(54)结构，以相同驱动调整装置(4)为中心对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：所述移动组件(2)包括有转动电机(21)、内轴杆(22)、移动辊轴(23)、输送带(24)和联动皮带(25)，转动电机(21)固定在安装支架(1)的侧端，转动电机(21)的输出端与内轴杆(22)连接，内轴杆(22)设置两组，两组内轴杆(22)上均套覆设置有移动辊轴(23)，两组移动辊轴(23)上套接有输送带(24)，且两组内轴杆(22)一端由联动皮带(25)套接，联动皮带(25)内壁上端贴合设置在隔板(11)上。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：所述晶片定位装置(3)包括定位挡板(31)、固定板(32)、定位气缸(33)和限位斜形导板(34)，固定板(32)固定在隔板(11)上，固定板(32)一侧安装有两组定位气缸(33)，定位气缸(33)的输出端穿透固定板(32)与定位挡板(31)连接，定位挡板(31)的尾端连接有限位斜形导板(34)，晶片定位装置(3)设置有两组，且两组晶片定位装置(3)对称设置在隔板(11)上方两侧。
4.根据权利要求3所述的一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：所述前后调整组件(43)包括驱动电机(431)、丝杆(432)、安装座(433)、定位杆(434)、前移动板(435)、后移动板(436)、前压板(437)和后压板(438)，驱动电机(431)通过弯板安装在下压安装板(41)侧端下方，驱动电机(431)的输出端与丝杆(432)连接，丝杆(432)的中间端通过轴承套接在安装座(433)内，丝杆(432)下方侧端的安装座(433)上套接安装有定位杆(434)，安装座(433)两侧的丝杆(432)和定位杆(434)上分别套接有前移动板(435)和后移动板(436)，安装座(433)前端丝杆(432)上的螺纹为右旋螺纹，安装座(433)后端丝杆(432)上的螺纹为左旋螺纹，前移动板(435)和后移动板(436)均通过配套的螺母与丝杆(432)进行安装。
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：所述左右调整组件(44)包括双向气缸(441)、左接杆(442)、右接杆(443)、左压板(444)和右压板(445)，双向气缸(441)中间端固定在安装座(433)的上方，双向气缸(441)上端与下压安装板(41)下端面连接，双向气缸(441)左侧的输出端下方连接有左接杆(442)，左接杆(442)的下方安装有左压板(444)，双向气缸(441)右侧的输出端下方连接有右接杆(443)，右接杆(443)的下方安装有右压板(445)。
6.根据权利要求5所述的一种半导体晶片厚度检测装置，其特征在于：所述右测量件(54)包括检测气缸(541)、安装箍环(542)、测量杆(543)、侧接板(544)、位移编码器(545)、卡接板(546)和限位卡环(547)，检测气缸(541)上端通过套接安装箍环(542)进行固定，检测气缸(541)下方的输出端连接有测量杆(543)，位移编码器(545)通过侧接板(544)固定在驱动调整装置(4)上，位移编码器(545)套覆在测量杆(543)上，卡接板(546)固定在驱动调整装置(4)上，测量杆(543)下端穿透设置卡接板(546)下方，且卡接板(546)下方的测量杆(543)上套接有与卡接板(546)下端面卡接的限位卡环(547)，测量杆(543)的测量面与驱动调整装置(4)下方的压合面齐平。
7.一种根据权利要求6中所述的半导体晶片厚度检测装置的检测方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：将待检测的半导体晶片放置在输送带(24)上，转动电机(21)驱动内轴杆(22)转动，在联动皮带(25)的作用下带动两组移动辊轴(23)转动，从而驱动输送带(24)对待检测的半导体晶片进行输送；
步骤二：在移动过程中，限位斜形导板(34)对待检测的半导体晶片进行导向限位，由定位气缸(33)带动定位挡板(31)伸出对待检测的半导体晶片进行夹持定位，在确定待检测的半导体晶片定位后，定位气缸(33)带动定位挡板(31)和限位斜形导板(34)复位；
步骤三：当待检测的半导体晶片定位后，前后调整组件(43)和左右调整组件(44)根据待检测的半导体晶片的尺寸，调整其压面间距，下压气缸(42)带动下压安装板(41)以及前后调整组件(43)和左右调整组件(44)下压，将前压板(437)、后压板(438)、左压板(444)和右压板(445)压在待检测的半导体晶片的四边上；
步骤四：前测量件(51)、后测量件(52)、左测量件(53)和右测量件(54)对半导体晶片的四侧端进行厚度测量。
8.根据权利要求7所述的一种半导体晶片厚度检测装置的检测方法，其特征在于：针对步骤四，检测气缸(541)驱动测量杆(543)下压，在下压的过程中位移编码器(545)检测测量杆(543)的位移距离，当测量杆(543)底端与输送带(24)贴合时，检测气缸(541)停止下压，位移编码器(545)将检测到的数据换算成数据，从而得出半导体晶片的厚度。
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